采用自组装材料的图形形成的制作方法

专利名称：采用自组装材料的图形形成的制作方法
技术领域：
本发明一般涉及纳米尺寸结构，更特别地，涉及规则周期性阵列(regular periodic array)中的自组装的亚光刻纳米尺寸结构及其制造方法。
背景技术：
在半导体产业中日益关注使用由下而上的方式进行半导体制造。一种这样的方式 是利用自组装的嵌段共聚物来产生亚光刻基本规则(ground rule)纳米尺寸图形。能够自行组织成为纳米尺寸图形的自组装共聚物材料被施加在模板层的凹陷区 域内以形成纳米尺寸结构。在适当条件下，两种或更多种不混溶的聚合物嵌段成分分离为 两种或更多种纳米尺寸的不同相，从而形成由隔离的纳米尺寸结构单位组成的有序图形。 这种通过自组装嵌段共聚物形成的由隔离的纳米尺寸结构单位组成的有序图形可用于制 造半导体、光学、及磁性装置中的纳米尺寸结构单位。这样形成的结构单位的尺寸一般在5 至40nm的范围内，其是亚光刻的(sublithographic)(即，低于光刻工具的分辨率)。自组装嵌段共聚物首先被溶解在适当溶剂系统中以形成嵌段共聚物溶液，该溶液 接着被施加到一底层的表面上以形成嵌段共聚物层。在升高的温度下对自组装嵌段共聚物 进行退火，以形成含有两种不同聚合物嵌段成分的两组聚合物嵌段结构。聚合物嵌段结构 为线或柱。一组聚合物嵌段结构被嵌在另一组聚合物嵌段结构中，或者属于不同组的聚合 物嵌段结构交错。自组装嵌段共聚物是非光敏性抗蚀剂，对其的构图不是通过光子(即光 辐射)实现的，而是在适当条件(例如，退火)下通过自组装实现的。尽管通过退火对两组聚合物嵌段结构的自组装是自组装嵌段共聚物的一种固有 的化学性质，但两组聚合物嵌段结构的自对准需要自组装嵌段共聚物与物理上限制的环境 互相作用。换言之，两组聚合物嵌段结构的自对准需要一外部结构以对齐(register)该自 对准结构。这种外部结构用作在退火期间对齐该自对准结构的模板，其使第一聚合物嵌段 成分和第二聚合物嵌段成分分离。产生了由外部结构产生的有序(order)的有效范围，且在退火期间对自组装嵌段 共聚物的自对准的实现是有限的。换言之，作为模板的外部结构的存在效应的空间范围是 受限的，而非无限延伸。如果自组装嵌段共聚物与外部结构之间的距离超过有效范围，有序 的连贯性(coherence)会丧失。在此情况下，这两组聚合物嵌段结构不再与外部结构对齐。 尽管自组装自对准纳米尺寸结构的尺寸会根据自组装嵌段共聚物的组成而变化，但有限的 范围内一般包含第一聚合物嵌段成分与第二聚合物嵌段成分的少于100次变化。因此，难 以形成尺寸(dimension)超过约1微米的自组装自对准纳米尺寸结构。然而，对于先进半导体器件和纳米尺寸器件，高度需要大的重复构图的结构。因 此，需要一种在大面积内延伸、且尺寸不受自组装嵌段共聚物的固有有效范围限制的纳米 尺寸自组装自对准结构以及形成这种纳米尺寸自组装自对准结构的方法。

发明内容
本发明通过提供遍布这样的区域的连续的纳米尺寸自组装自对准结构及其形成方 法而解决上述需求，该区域延伸超出了由外部结构产生的自组装嵌段共聚物的有序范围。在一个实施例中，延伸超出自对准的有序连贯范围的大区域被分为具有光刻尺寸 的六边形瓦片(tile)。这些六边形瓦片被分为三个群组，每个群组含有彼此分离的所有六 边形瓦片的1/3。每个群组中的六边形瓦片为六边形阵列。在模板层中形成每个群组中的 六边形瓦片的开口，且在每个开口中施加并构图自组装嵌段共聚物的组；重复该过程三次 以涵盖所有三个群组，产生遍布宽广区域的自对准图形。在第二实施例中，该大区域被分为 两个不重迭且互补的群组的矩形瓦片。每个矩形区域的宽度小于自组装嵌段共聚物的有序 范围。以顺序方式(in a sequential manner)在每一群组中形成自组装自对准的线与间 隔(line and space)结构，从而线与间隔图形形成为遍及了延伸超出有序范围的大区域。 本发明还涵盖六边形瓦片的变化例，例如矩形、方形、以及三角形瓦片。根据本发明的一方面，提供了一种在衬底上形成纳米尺寸图形的方法。该方法包 括形成第一模板层，其包围衬底上的预定区域；在所述第一模板层中构图第一开口，每个第一开口具有正六边形的形状，其中所 述第一开口被排列为第一六边形阵列；在所述第一开口中形成第一纳米尺寸自组装自对准结构；在所述第一纳米尺寸自组装自对准结构上形成包围所述区域的第二模板层；在所述第二模板层中构图第二开口，每个第二开口具有所述正六边形的形状，其 中所述第二开口被排列为第二六边形阵列；在所述第二开口中形成第二纳米尺寸自组装自对准结构；在所述第一和第二纳米尺寸自组装自对准结构上形成包围所述区域的第三模板 层；在所述第三模板层中构图第三开口，每个第三开口具有所述正六边形的形状，其 中所述第三开口被排列为第三六边形阵列；以及在所述第三开口中形成第三纳米尺寸自组装自对准结构。在一个实施例中，所述第一开口、所述第二开口和所述第三开口中的每一个不与 任何其它的所述第一开口、所述第二开口和所述第三开口重迭。在另一实施例中，所述预定区域与所述第一开口的组合区域、所述第二开口的组 合区域和所述第三开口的组合区域的并集(union)相同。在又一实施例中，所述第二六边形阵列从所述第一六边形阵列偏移所述正六边形 的一个例元(instance)，所述第三六边形阵列从所述第一六边形阵列偏移所述正六边形的 另一个例元，且所述第三六边形阵列从所述第二六边形阵列偏移所述正六边形的又一个例兀。在又一实施例中，所述第一、第二和第三纳米尺寸自组装自对准结构中的每一个 与所述第一、第二和第三纳米尺寸自组装自对准结构中的另一个一致(congruent)。在又一实施例中，该方法还包括在所述形成第一纳米尺寸自组装自对准结构之前，在每一个所述第一开口内施加
6非光敏性聚合物抗蚀剂，所述非光敏性聚合物抗蚀剂含有第一聚合物嵌段成分与第二聚合 物嵌段成分；在所述形成第二纳米尺寸自组装自对准结构之前，在每一个所述第二开口内施加 所述非光敏性聚合物抗蚀剂；以及在所述形成第三纳米尺寸自组装自对准结构之前，在每一个所述第三开口内施加 所述非光敏性聚合物抗蚀剂。在又一实施例中，每一个所述第一、第二和第三纳米尺寸自组装自对准结构包括 聚合物基体和至少一个圆形圆柱体(circular cylinder)，所述至少一个圆形圆柱体含有 所述第一聚合物嵌段成分，所述聚合物基体含有所述第二聚合物嵌段成分并横向邻接所述 至少一个圆形圆柱体。在再一实施例中，每一个所述第一、第二和第三纳米尺寸自组装自对准结构还包 括六个三分之一圆形圆柱体的例元，每一个例元具有所述至少一个圆形圆柱体的总体积的 三分之一的体积且在脊部处具有120度的角。在又一实施例中，所述六个例元与所述聚合物基体横向邻接所述第一、第二和第 三开口中的一个的边界。在又一实施例中，每一个所述第一、第二和第三纳米尺寸自组装自对准结构包括 聚合物基体和多个圆形圆柱体，所述多个圆形圆柱体含有所述第一聚合物嵌段成分，所述 聚合物基体含有所述第二聚合物嵌段成分并横向邻接所述至少一个圆形圆柱体，且所述多 个圆形圆柱体中的每一个从所述第一、第二和第三开口的边界分离。在又一实施例中，该方法还包括相对于所述圆形圆柱体的组和所述聚合物基体的 组中的一者选择性地蚀刻该圆形圆柱体的组和该聚合物基体的组中的另一者。在又一实施例中，该方法还包括利用所述圆形圆柱体和所述聚合物基体的剩余部 分作为蚀刻掩模，在所述衬底中形成具有亚光刻尺寸的图形。根据本发明的另一方面，提供了一种在衬底上形成纳米尺寸图形的方法。该方法 包括形成第一模板层，其包围衬底上的预定区域；在所述第一模板层中构图第一开口，每个第一开口具有矩形形状和光刻宽度；在所述第一开口中形成第一纳米尺寸自组装自对准结构；直接在所述第一纳米尺寸自组装自对准结构上形成第二模板层；在所述第一模板层中构图第二开口，每个第二开口具有矩形形状和光刻宽度，其 中在所述预定区域内所述第二开口与所述第一开口互补(complement)；以及在所述第一开口中形成第一纳米尺寸自组装自对准结构。
在一个实施例中，该方法还包括在所述形成第一纳米尺寸自组装自对准结构之前，在每一个所述第一开口内施加 非光敏性聚合物抗蚀剂，所述非光敏性聚合物抗蚀剂含有第一聚合物嵌段成分和第二聚合 物嵌段成分；以及在所述形成第二纳米尺寸自组装自对准结构之前，在每一个所述第二开口内施加 所述非光敏性聚合物抗蚀剂。在另一实施例中，所述第一和第二纳米尺寸自组装自对准结构中的每一个包括至
7少一条标称宽度线和两条边缘线，这些线中的每一条都含有所述第一聚合物成分，其中所 述两条边缘线中的每一条邻接所述第一开口中的一个的边界，其中所述至少一条标称宽度 线与所述两条边缘线分离，其中所述至少一条标称宽度线具有标称线宽且所述两条边缘线 具有边缘线宽，其中所述标称线宽为亚光刻的且大于所述边缘线宽。在又一实施例中，所述第一和第二纳米尺寸自组装自对准结构中的每一个还包括 补线(complementary line)，所述补线含有所述第二聚合物成分，其中每一条所述补线横 向邻接所述至少一条标称宽度线和所述两条边缘线中的两条线，并具有亚光刻的另一宽 度。在又一实施例中，该方法还包括相对于所述第一聚合物成分和所述第二聚合物成分中的一者选择性地蚀刻另一 者；以及在所述衬底中形成具有亚光刻尺寸的图形，其中该图形包括具有第一亚光刻尺寸 的至少一条第一线和具有第二亚光刻尺寸的第二线的周期性重复，其中所述至少一条第一 线与所述第二线的每一个相邻对被相同的亚光刻间隔所分隔。在本发明的又一方面中，提供了一种包括衬底的结构，所述衬底具有从基本上平 面的表面突起或凹陷的图形，其中所述图形包括单位图形的六边形阵列，其中所述六边形 阵列具有光刻尺寸的最小周期性，其中所述单位图形具有正六边形的形状并包括相同直径 的圆形，其中来自所述单位图形的两个相邻例元的所述圆形的集合不具有六边形周期性。在一个实施例中，所述相同直径为亚光刻的。在另一实施例中，所述图形是突起的图形，其中所述结构还包括具有所述相同直 径的多个圆柱体，所述多个圆柱体含有非光敏性聚合物抗蚀剂的聚合物成分且直接位于所 述突起的图形的每一个上，其中所述圆形的边缘与所述多个圆柱体的圆柱体表面相符。在另一实施例中，所述图形为凹陷的图形，其中所述结构还包括非光敏性聚合物 抗蚀剂的聚合物成分的基体，其中所述基体含有圆柱体开口，其中所述圆形的边缘与所述 圆柱体开口的圆柱体表面相符。在本发明的又一方面中，提供了一种包括衬底的结构，所述衬底具有单位图形的 一维周期性重复，其中所述单位图形包括在基本上平面的表面上的第二线和至少一条第一 线的突起或凹陷，其中所述至少一条第一线中的每一条具有第一亚光刻宽度，其中所述第 二线具有第二亚光刻宽度，其中所述至少一条第一线与所述第二线的每个相邻的对被相同 的亚光刻间隔所分隔。在一个实施例中，所述第一亚光刻宽度与所述第二亚光刻宽度不同。在另一实施例中，所述图形是突起的图形，其中所述结构还包括多条聚合物线，所 述多条聚合物线含有非光敏性聚合物抗蚀剂的聚合物成分且直接位于所述至少一条第一 线和所述第二线中的每一条线上，其中所述聚合物线的每个边缘与所述至少一条第一线或 所述第二线的边缘垂直相符。在又一实施例中，所述图形是凹陷的图形，其中所述结构还包括多条聚合物线，所 述多条聚合物线含有非光敏性聚合物抗蚀剂的聚合物成分且直接位于所述基本上平面的 表面上，其中所述聚合物线的每一个边缘与所述至少一条第一线或所述第二线的边缘垂直 相符。


具有相同数字标示的图对应于相同的制造阶段。具有后缀“A”的图是自顶向下视 图。具有后缀“B”或“C”的图分别为具有相同数字标示且具有后缀“A”的对应图的沿着平 面B-B’或C-C’的垂直截面视图。图1A-16B为根据本发明第一实施例的第一示例性纳米尺寸结构的顺序视图；图17A-18B为根据本发明第一实施例的第一示例性纳米尺寸结构的变化例的顺 序视图；图19A-23B为根据本发明第二实施例的第二示例性纳米尺寸结构的变化例的顺 序视图；图24A和24B为根据本发明第二实施例的第二示例性纳米尺寸结构的变化例的顺 序视图；以及图25A-33B为根据本发明第三实施例的第三示例性纳米尺寸结构的顺序视图。
具体实施例方式如上所述，本发明涉及规则周期性阵列中的自组装亚光刻纳米尺寸结构及其制造 方法，现在参考附图对其进行详细说明。应注意，相同或相应的要素以相同的参考标号表
7J\ ο参照图1，根据本发明第一实施例的第一示例性纳米尺寸结构包括形成于衬底10 上的第一模板层20A。第一模板层20A和衬底10的横向范围可超过随后采用的非光敏性 聚合物抗蚀剂的横向有序范围。衬底10可以是半导体衬底、绝缘体衬底、金属衬底、或其组 合。半导体衬底可为硅衬底、其它IV族元素半导体衬底、或化合物半导体衬底。半导体衬底 也可为体衬底、绝缘体上半导体(SOI)衬底、或具有体部分和SOI部分的复合衬底。第一模 板层20A可包含半导体材料或绝缘体材料。示例的半导体材料包括多晶硅、非晶硅、含有多 晶硅的合金(其包含锗或碳)、或者含有非晶硅的合金(其包含锗或硅)。示例性的绝缘体 材料包括介电氧化物、介电氮氧化物、介电氮化物、以及多孔性或非多孔性低介电常数的绝 缘体材料(其介电常数低于氧化硅的介电常数3. 9)。此外，第一模板层20A可包括非晶碳 或类金刚石碳，例如无氢非晶碳、四面体无氢非晶碳、含有金属的无氢非晶碳、氢化非晶碳、 四面体氢化非晶碳、含有金属的氢化非晶碳、以及改性的氢化非晶碳。第一模板层20A首先形成为覆盖衬底10的整个顶表面的覆盖层(blanket layer)，接着利用光致抗蚀剂(未示出)的施加、光致抗蚀剂的构图、以及将光致抗蚀剂中 的图形转移至第一模板层20A中的各向异性蚀刻的光刻方法进行构图。该图形包含第一模 板层20A中的第一开口 01，在第一开口 01之下，衬底10的顶表面暴露。每一个第一开口 01 具有相同大小的正六边形的形状。由于第一开口 01是通过光刻方法所形成，特征尺寸(例 如正六边形的边长)为光刻尺寸。尺寸是光刻尺寸或亚光刻尺寸取决于该尺寸是否通过光刻构图方法形成。通过光 刻构图方法形成的最小尺寸在本文中即称为“光刻最小尺寸”或“临界尺寸”。尽管光刻最小 尺寸被定义为仅与给定的光刻工具有关，且其通常随半导体技术的世代而改变，但应理解， 光刻最小尺寸与亚光刻尺寸被定义为与在半导体制造时可用的光刻工具的最佳性能有关。在2007年，光刻最小尺寸为约45nm且预期未来会缩小。小于光刻最小尺寸的尺寸为亚光 刻尺寸，而等于或大于光刻最小尺寸的尺寸为光刻尺寸。通过用正六边形的假想六边形阵列填充通过覆盖沉积或覆盖施加含有第一模板 层20A的材料且不含任何图形的刚形成的第一模板层20A的顶表面，确定第一开口 01的 位置。正六边形填充第一模板层20A的顶表面，其方式与采用六边形瓦片填充预定区域相 同。正六边形的边界由图IA中的虚线表示，三分之一正六边形的组包括第一开口 01，以便 该组中的每一个正六边形都与同一组中的其它正六边形分隔，并形成另一六边形阵列，该 另一六边形阵列的单位六边形由图IA中的双点划线示出。在本文中，第一开口的该六边形 阵列称为“第一六边形阵列”。由此，第一开口 01的面积约为在构图前第一模板层20A的顶 表面的整体面积的三分之一。该正六边形的边长为光刻尺寸，例如，其可大于45nm。在2007年可实用的正六边 形的边长的典型范围为从约45nm至约lOOOnm，更典型地，从约45nm至约lOOnm。参照图2A与图2B，通过本领域中公知的方法(例如旋涂)在每一个第一开口 01 内施加第一非光敏性聚合物抗蚀剂，以形成第一非光敏性聚合物抗蚀剂部分30A。优选地， 第一非光敏性聚合物抗蚀剂部分30A的顶表面与第一模板层20A的顶表面共面，或凹陷为 低于第一模板层20A的顶表面。第一非光敏性聚合物抗蚀剂包括能够自组织成纳米尺寸图 形的自组装嵌段共聚物。第一非光敏性聚合物抗蚀剂包括彼此不混溶的第一聚合物嵌段成分与第二聚合 物嵌段成分。该非光敏性聚合物抗蚀剂可自平面化。可替代地，可通过化学机械平面化、凹 陷蚀刻、或其组合而使该非光敏性聚合物抗蚀剂平面化。在2006年6月19日提交的共同受让、共同待审的美国专利申请No. 11/424，963 中，描述了第一聚合物嵌段成分和第二聚合物嵌段成分的示例性材料，通过引用将其内容 并入本文中。可用于形成本发明的结构单位的非光敏性聚合物抗蚀剂的自组装嵌段共聚 物的具体实例包括但不限于聚苯乙烯-聚甲基丙烯酸甲酯嵌段共聚物(PS-b-PMMA)、聚苯 乙烯-聚异戊二烯嵌段共聚物(PS-b-PI)、聚苯乙烯-聚丁二烯嵌段共聚物(PS-b-PBD)、 聚苯乙烯-聚乙烯吡啶嵌段共聚物(PS-b-PVP)、聚苯乙烯-聚环氧乙烷嵌段共聚物 (PS-b-PE0)、聚苯乙烯-聚乙烯嵌段共聚物(PS-b-PE)、聚苯乙烯-聚有机硅酸盐嵌段共聚 物(PS-b-P0S)、聚苯乙烯-聚二茂铁二甲基硅烷嵌段共聚物(PS-b-PFS)、聚环氧乙烷-聚 异戊二烯嵌段共聚物(ΡΕΟ-b-PI)、聚环氧乙烷-聚丁二烯嵌段共聚物(PE0-b-PBD)、聚环 氧乙烷-聚甲基丙烯酸甲酯嵌段共聚物(PS-b-PMMA)、聚环氧乙烷-聚乙基乙烯嵌段共聚 物(PE0-b-PEE)、聚丁二烯-聚乙烯吡啶嵌段共聚物(PBD-b-PVP)、以及聚异戊二烯-聚甲 基丙烯酸甲酯嵌段共聚物(PI-b-PMMA)。自组装的嵌段共聚物首先被溶解在适当溶剂系统 中以形成嵌段共聚物溶液，该嵌段共聚物溶液接着被施加到第一示例性结构的表面上以形 成非光敏性聚合物抗蚀剂。用于溶解嵌段共聚物且形成嵌段共聚物溶液的溶剂系统可包括 任何适当溶剂，该溶剂包括但不限于甲苯、丙二醇单甲醚乙酸酯(PGMEA)、丙二醇单甲醚 (PGME)、以及丙酮。非光敏性聚合物抗蚀剂并非在暴露至紫外光或可见光(optical light) 时可显影的传统光致抗蚀剂，并且，非光敏性聚合物抗蚀剂也不是传统的低k介电材料。参照图3A与图3B，通过利用退火引起自组装嵌段共聚物的交联，在每一个第一开 口 01内形成第一纳米尺寸自组装自对准结构。具体而言，通过紫外光处理或在升高的温度
10下进行热退火而退火第一非光敏性聚合物抗蚀剂，以形成含有第一聚合物嵌段成分的第一 柱状聚合物结构40A以及含有第二聚合物嵌段成分且横向邻接第一柱状聚合物结构40A的 侧壁的第一聚合物基体50A。^t Nealey ^ 人 ^ "Self-assembling resists for nanolithography", IEDM Technical Digest，Dec.，2005，Digital Object Identifier 10. 1109/IEDM. 2005. 1609349 中描述了对嵌段共聚物层中的自组装嵌段共聚物进行退火以形成两组聚合物嵌段的示例 性处理，通过引用将其内容并入本文中。可采用’ 963申请案中所描述的退火方法。例如， 可在约200°C至约300°C的温度下进行从小于约1小时至约100小时的退火。第一柱状聚合物结构40A包括至少一个圆形圆柱体和六个部分圆形圆柱体，每一 个部分圆形圆柱体对应于至少一个圆形圆柱体中的一个的三分之一且含有跨过基本等于 120度(或2π/3)的角度的圆弧。换言之，六个部分圆形圆柱体中的每一个是通过三个径 向切面(radial cut)将至少一个圆形圆柱体中的一个细分为三个相等部分而获得的，每个 径向切面相隔120度并源自该一个圆形圆柱体的中央轴。因此，该六个部分圆形圆柱体中 的每一个都具有两个矩形表面，这两个矩形表面交会于120度角的边缘处的脊部处。部分 圆形圆柱体的脊部位于形成第一纳米尺寸自组装自对准结构(40A，50A)之一的正六边形 的拐角处。通过选择第一模板层20A以及第一和第二聚合物嵌段成分的材料以使第一聚合 物嵌段成分通过表面张力“润湿”第一模板层20A的壁，实现六个部分圆形圆柱体的形成。 例如，第一聚合物嵌段成分的组成和平均分子量被控制为使第一聚合物嵌段成分更加润湿 或更不润湿被选择用于第一模板层20A的材料的表面。第一纳米尺寸自组装自对准结构(40A，50A)被“自组装”。第一非光敏性聚合物抗 蚀剂的化学组成使得第一和第二聚合物嵌段成分的不混溶性能够将第一聚合物嵌段成分 自组装为第一柱状聚合物结构40A，即，所述至少一个圆形圆柱体和六个部分圆形圆柱体。 第二聚合物嵌段成分组装为第一聚合物嵌段基体50A。第一纳米尺寸自组装自对准结构(40A，50A)与第一模板层20A的限定第一开口 01的壁“自对准”。具体而言，每一个第一纳米尺寸自组装自对准结构(40A，50A)被限制在 与其中一个第一开口 01(见图1A)对应的正六边形的区域中。此外，由于自组装与润湿特 性，所述至少一个圆形圆柱体和六个部分圆形圆柱体中的每一个相对于该正六边形而自对 准。所述至少一个圆形圆柱体可包括单个圆柱体、七个圆柱体或与每一个第一开口 01内的 圆柱体的六边形阵列的形成相兼容的任意多个圆柱体。当在每一个第一开口 01中所述至 少一个圆形圆柱体的总数超过七个时，可在每一个第一开口 01内形成半圆柱体(未示出)， 所述半圆柱体中的每一个等同于所述至少一个圆形圆柱体之一的一半且含有第一聚合物 嵌段成分，以便通过所述至少一个圆形圆柱体、所述六个部分圆形圆柱体以及所述半圆柱 体而满足六边形周期性。在一种示例性情况下，在聚甲基丙烯酸甲酯-b-苯乙烯(PMMA-b-S)嵌段共聚物中 形成“蜂窝式”结构。在圆柱相双嵌段的情况下，PMMA-b-S嵌段可分离以在热退火时在聚苯 乙烯嵌段的衬底内形成垂直取向的圆柱体。参照图4A与图4B，相对于第一纳米尺寸自组装自对准结构(40A，50A)和衬底10 而选择性去除第一模板层20A。可采用湿式蚀刻或干式蚀刻。第一纳米尺寸自组装自对准 结构(40A，50A)的集合构成六边形阵列，其中单位单元包括第一纳米尺寸自组装自对准结构(40A，50A)的一个例元和不含任何第一纳米尺寸自组装自对准结构(40A，50A)的间隔， 所述间隔的体积等于第一纳米尺寸自组装自对准结构(40A，50A)的两个例元的体积。参照图5A与图5B，在第一纳米尺寸自组装自对准结构(40A，50A)和衬底10之上 形成第二模板层20B。第二模板层20B可选自可用作第一模板层20A的材料。第二模板层 20B可包括与第一模板层20A相同或不同的材料。第二模板层20B被形成为覆盖层，且覆盖 第一纳米尺寸自组装自对准结构(40A，50A)的顶表面。参照图6A与图6B，随后通过利用施加光致抗蚀剂(未示出)、构图光致抗蚀剂、以 及将光致抗蚀剂中的图形转移至第二模板层20B中的各向异性蚀刻的光刻方法，构图第二 模板层20B。该图形包含第二模板层20B中的第二开口 02，在第二开口 02之下，衬底10的 顶表面暴露。每一个第二开口 02具有正六边形的形状，即第一开口 01的形状(见图1A)。 由于第二开口 02是由光刻方法形成，特征尺寸(例如正六边形的边长)为光刻尺寸。每一个第二开口 02的大小和方向都与每一个第一开口 01的大小相同。第二开口 02的位置是通过将第一开口 01的图形在与正六边形的一个边垂直的方向上偏移第一开口 01之一的大小的一个正六边形而获得的。因此，第二开口 02的每一个例元并不与任何一 个第一开口 01或第二开口 02的任何其它例元重迭。图IA中的三分之一正六边形的组包 括第二开口 02，因而该组中的每一个正六边形与同一组中的其它正六边形分隔。第二开口 02形成另一个六边形阵列，其单位六边形由图6A中的双点划线表示。在本文中，该六边形 阵列也称为“第二六边形阵列”。第二六边形阵列从第一六边形阵列偏移了正六边形的一例 元。第二开口 02的面积约等于构图之前的第二模板层20B的顶表面的总面积的三分之一。参照图7A与图7B，通过本领域中公知的方法(例如旋涂)在每一个第二开口 02 内施加第二非光敏性聚合物抗蚀剂，以形成第二非光敏性聚合物抗蚀剂部分30B。优选地， 第二非光敏性聚合物抗蚀剂部分30B的顶表面被凹陷为低于第二模板层20B的顶表面。同 样优选地，第二非光敏性聚合物抗蚀剂部分30B的顶表面与第一纳米尺寸自组装自对准结 构(40A，50A)的顶表面共面。第二非光敏性聚合物抗蚀剂还可被施加为与第二模板层20B 的顶表面共面、或高于第二模板层20B的顶表面，然后通过凹陷蚀刻(recess etch)或通过 采用随后溶剂从其中蒸发而引起各第二开口 02内的体积收缩的稀释溶液，将第二非光敏 性聚合物抗蚀剂凹陷至第一纳米尺寸自组装自对准结构(40A，50A)的顶表面高度。第二非光敏性聚合物抗蚀剂包括能够自组织成纳米尺寸图形的自组装嵌段共聚 物。因此，上面列出的用于第一非光敏性聚合物抗蚀剂的任何材料可被用于第二非光敏性 聚合物抗蚀剂。第二非光敏性聚合物抗蚀剂可包括与第一非光敏性聚合物抗蚀剂相同或不 同的材料。为了示例本发明，假设第一非光敏性聚合物抗蚀剂与第二非光敏性聚合物抗蚀 剂采用相同的材料。参照图8A与图8B，通过利用退火引起自组装嵌段共聚物的交联，在每一个第二开 口 02内形成第二纳米尺寸自组装自对准结构。可采用与用于形成第一纳米尺寸自组装自 对准结构(40A，50A)的形成方法相同的方法来形成第二纳米尺寸自组装自对准结构。每一个第二纳米尺寸自组装自对准结构包括第二柱状聚合物结构40B和第二聚 合物嵌段基体50B。第二柱状聚合物结构40B包括至少一个圆形圆柱体和六个部分圆形圆 柱体，每一个部分圆形圆柱体对应于所述至少一个圆形圆柱体之一的三分之一且含有跨过 基本等于120度(或2 π/3)的角度的圆弧。因此，每一个第二柱状聚合物结构40Β具有与
12上述第一柱状聚合物结构40A之一相同的结构，且由相同的方法形成。第二聚合物基体50B 包括第二聚合物嵌段成分并横向邻接每一个第二柱状聚合物结构40B。由于相同的机制被用于第二纳米尺寸自组装自对准结构(40B，50B)的不同成分 的自组装和自对准，因此第二纳米尺寸自组装自对准结构(40B，50B)是以与第一纳米尺寸 自组装自对准结构(40A，50A)的自组装和自对准相同的方式自组装和自对准而成。因此， 第二柱状聚合物结构40B的每一个例元包括相同成分且与第一柱状聚合物结构40A的例元 一致，且第二聚合物基体50B的每一个例元包括相同材料并与第一聚合物基体50A的例元 一致。参照图9A与图9B，相对于第一纳米尺寸自组装自对准结构(40A，50A)、第二纳米 尺寸自组装自对准结构(40B，50B)和衬底10而选择性去除第二模板层20B。可采用湿式蚀 刻或干式蚀刻。参照图10A-10C，在第一纳米尺寸自组装自对准结构(40A，50A)、第二纳米尺寸自 组装自对准结构(40B，50B)和衬底10之上形成第三模板层20C。第三模板层20C可选自 可用作第一模板层20A的材料。第三模板层20C可包括与第一模板层20A相同或不同的材 料。第三模板层20C覆盖第一纳米尺寸自组装自对准结构(40A，50A)和第二纳米尺寸自组 装自对准结构(40B，50B)的顶表面。参照图1IA-11C，随后通过利用施加光致抗蚀剂(未示出)、构图光致抗蚀剂、以及 将光致抗蚀剂中的图形转移至第三模板层20C中的各向异性蚀刻的光刻方法，构图第三模 板层20C。该图形包含第三模板层20C的第三开口 03，在第三开口 03之下，衬底10的顶表 面暴露。每一个第三开口 03具有正六边形的形状，即第一开口 01的形状(见图1A)。由于 第三开口 03是由光刻方法形成，特征尺寸(例如正六边形的边长)为光刻尺寸。每一个第三开口 03的大小和方向都与每一个第一开口 01的大小相同。第三开口 03的位置是通过将第一开口 01的图形在与正六边形的一个边垂直的方向上偏移第一开口 01之一的大小的一个正六边形而获得的，以便该偏移方向从用于偏离第一开口 01产生第 二开口 02而偏移的方向分开60度。因此，第三开口 03的每一个例元并不与任何一个第一 开口 01、第二开口 02、或第三开口 03的任何其它例元重迭。图IA中的三分之一正六边形 的组包括第三开口 03，因而该组中的每一个正六边形与同一组中的其它正六边形分隔。第 三开口 03形成另一个六边形阵列，其单位六边形由图IlA中的双点划线示出。在本文中， 该六边形阵列也称为“第三六边形阵列”。第三六边形阵列从第一六边形阵列偏移了正六边 形的一例元。第三六边形阵列也从第二六边形阵列偏移了正六边形的另一例元。第三开口 03的面积约等于构图之前的第三模板层20C的顶表面的总面积的三分之一。参照图12A与图12B，通过本领域中公知的方法(例如旋涂)在每一个第三开口 03内施加第三非光敏性聚合物抗蚀剂，以形成第三非光敏性聚合物抗蚀剂部分30C。优选 地，第三非光敏性聚合物抗蚀剂部分30C的顶表面被凹陷为低于第三模板层20C的顶表面。 同样优选地，第三非光敏性聚合物抗蚀剂部分30C的顶表面与第一纳米尺寸自组装自对准 结构(40A，50A)和第二纳米尺寸自组装自对准结构(40B，50B)的顶表面共面。第三非光敏 性聚合物抗蚀剂还可被施加为与第三模板层20C的顶表面共面、或高于第三模板层20C的 顶表面，然后通过凹陷蚀刻或通过采用随后溶剂从其中蒸发而引起各第三开口 03内的体 积收缩的稀释溶液，将第三非光敏性聚合物抗蚀剂凹陷至第一纳米尺寸自组装自对准结构(40A, 50A)的顶表面高度。第三非光敏性聚合物抗蚀剂包括能够自组织成纳米尺寸图形的自组装嵌段共聚 物。因此，上面列出的用于第一非光敏性聚合物抗蚀剂的任何材料可被用于第三非光敏性 聚合物抗蚀剂。第三非光敏性聚合物抗蚀剂可包括与第一非光敏性聚合物抗蚀剂相同或不 同的材料。为了示例本发明，假设第一非光敏性聚合物抗蚀剂与第三非光敏性聚合物抗蚀 剂采用相同的材料。参照图13A与图13B，通过利用退火引起自组装嵌段共聚物的交联，在每一个第三 开口 03内形成第三纳米尺寸自组装自对准结构。可采用与用于形成第一纳米尺寸自组装 自对准结构(40A，50A)的形成方法相同的方法来形成第三纳米尺寸自组装自对准结构。每一个第三纳米尺寸自组装自对准结构包括第三柱状聚合物结构40C和第三聚 合物嵌段基体50C。第三柱状聚合物结构40C包括至少一个圆形圆柱体和六个部分圆形圆 柱体，每一个部分圆形圆柱体对应于所述至少一个圆形圆柱体之一的三分之一且含有跨过 基本等于120度(或2 π/3)的角度的圆弧。因此，每一个第三柱状聚合物结构40C具有与 上述第一柱状聚合物结构40Α之一相同的结构，且由相同的方法形成。第三聚合物基体50C 包括第二聚合物嵌段成分并横向邻接每一个第三柱状聚合物结构40C。由于相同的机制被用于第三纳米尺寸自组装自对准结构(40C，50C)的不同成分 的自组装和自对准，因此第三纳米尺寸自组装自对准结构(40C，50C)是以与第一纳米尺寸 自组装自对准结构(40A，50A)的自组装和自对准相同的方式自组装和自对准而成。因此， 第三柱状聚合物结构40C的每一个例元包括相同成分且与第一柱状聚合物结构40A的例元 一致，且第三聚合物基体50C的每一个例元包括相同材料并与第三柱状聚合物基体50A的 例元一致。参照图14A-14C，相对于第一纳米尺寸自组装自对准结构(40A，50A)、第二纳米尺 寸自组装自对准结构(40B，50B)和第三纳米尺寸自组装自对准结构(40C，50C)而选择性去 除第三模板层20C。可采用湿式蚀刻或干式蚀刻。各个部分圆形圆柱体和半圆柱体(如果存在)组合而形成完整圆柱体，该完整圆 柱体的圆形水平截面区域的直径与各个圆形圆柱体的截面区域的直径相同。无论含有第一 聚合物嵌段成分的任何圆柱体是仅由第一、第二和第三非光敏性聚合物抗蚀剂中的一种形 成或是由第一、第二和第三非光敏性聚合物抗蚀剂中的至少两种形成，所有的这种圆形圆 柱体在本文中合称为圆形聚合物圆柱体。换言之，第一、第二和第三柱状聚合物结构(40A， 40B，40C)共同构成圆形聚合物圆柱体。参照图15A与图15B，通过相对于第一聚合物嵌段成分而选择性去除第二聚合物 嵌段成分的蚀刻，来相对于第一、第二和第三柱状聚合物结构(40A，40B，40C)而选择性去 除第一、第二和第三聚合物嵌段基体(50A，50B，50C)。该蚀刻可以为各向同性或各向异性 的。在去除第一、第二和第三聚合物嵌段基体(50A，50B，50C)之后，在衬底10上形成圆形 聚合物圆柱体40的六边形阵列，即，圆形聚合物圆柱体40被排列而形成六边形阵列，其中 该六边形阵列的周期性与圆形聚合物圆柱体40的相邻的轴对之间的距离相同。参照图16A与图16B，通过相对于圆形聚合物圆柱体40而选择性去除衬底10的 暴露部分的各向异性蚀刻，将圆形聚合物圆柱体40的六边形阵列的图形转移到衬底10中。 衬底10的凹陷表面11被暴露于衬底10与圆形聚合物圆柱体40的六边形阵列之间的界面下方。凹陷表面11含有多个孔，所述多个孔与圆形聚合物圆柱体40的六边形阵列的位置 相符。由于圆形聚合物圆柱体40的直径为亚光刻的，因此凹陷表面11的图形含有亚光刻 的单位图形。通过相对于衬底10而选择性去除圆形聚合物圆柱体40的六边形阵列，提供了包 括衬底10的结构，其中衬底10具有从基本上平面的表面(即凹陷的表面11)的突起图形。 该图形包括单位图形的六边形阵列，该单位图形是具有与圆形聚合物圆柱体40之一的直 径基本相同的直径的圆形圆柱体。该六边形阵列具有亚光刻尺寸的最小周期性。参照图17A与图17B，通过相对于第一、第二和第三聚合物嵌段基体(50A，50B， 50C)的组合(本文中合称为组合的聚合物嵌段基体50)而选择性去除第一、第二和第三柱 状聚合物结构(40A，40B，40C)，由图14A-14C的第一示例性纳米尺寸结构形成第一示例性 纳米尺寸结构的变型。可采用相对于第二聚合物嵌段成分而选择性去除第一聚合物嵌段成 分的蚀刻。该蚀刻可为各向同性或各向异性的。在去除第一、第二和第三柱状聚合物结构(40A，40B，40C)之后，在组合的聚合物 嵌段基体50中形成了圆柱状腔的六边形阵列。换言之，在组合的聚合物嵌段基体50中的 圆柱状腔被排列为形成六边形阵列，在该六边形阵列中，六边形阵列的周期性与圆柱状腔 的相邻的轴对之间的距离相同。参照图18A与图18B，通过相对于组合的聚合物嵌段基体50而选择性去除衬底10 的暴露部分的各向异性蚀刻，将圆柱状腔的六边形阵列的图形转移到衬底10中。通过从组 合的聚合物嵌段基体50内的圆柱状腔内去除衬底材料，形成衬底10的凹陷的沟槽底表面 12。衬底10内的圆柱状沟槽被排列为六边形阵列。由于圆柱状沟槽的直径为亚光刻的，因 此圆柱状沟槽的图形含有亚光刻的单位图形。通过相对于衬底10而选择性去除组合的聚合物嵌段基体50的六边形阵列，提供 了包括衬底10的结构，其中衬底10具有从基本上平面的表面(即凹陷的沟槽底表面12) 的凹陷图形。该图形包括单位图形的六边形阵列，该单位图形是具有与圆形聚合物圆柱体 40之一的直径基本上相同的直径的圆形沟槽)。该六边形阵列具有亚光刻尺寸的最小周期 性。根据本发明的第二实施例，第二示例性纳米尺寸结构始于图1A-2B的第一示例性 纳米尺寸结构。然而，为了形成第二示例性纳米尺寸结构，第一和第二聚合物嵌段成分的润 湿特性被修改为使得第一聚合物嵌段成分不润湿第一模板层20A的表面，而第二聚合物嵌 段成分润湿第一模板层20A的表面。参照图19A与图19B，通过利用退火而引起自组装嵌段共聚物的交联，在每一个第 一开口 01(见图IA和图1B)内形成第一纳米尺寸自组装自对准结构。可采用与第一实施 例中相同的退火工艺。通过利用退火而引起自组装嵌段共聚物的交联，在每一个第一开口 01内形成第一纳米尺寸自组装自对准结构。具体而言，通过进行紫外光处理或通过在升高 的温度下进行热退火，退火第一非光敏性聚合物抗蚀剂，以形成含有第一聚合物嵌段成分 的第一柱状聚合物结构40A以及含有第二聚合物嵌段成分且横向邻接第一柱状聚合物结 构40A的侧壁的第一聚合物基体50A。第一柱状聚合物结构40A不接触第一开口 01的侧 壁，而第一聚合物基体50A邻接每一个第一开口 01中的第一模板层20A的侧壁。由于与第 一实施例中相同的机制，第一纳米尺寸自组装自对准结构(40A，50A)被“自组装”和“自对
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参照图20A与图20B，相对于第一纳米尺寸自组装自对准结构(40A，50A)和衬底 10而选择性去除第一模板层20A。可使用湿式蚀刻或干式蚀刻。第一纳米尺寸自组装自对 准结构(40A，50A)的集合构成六边形阵列，其中单位单元包括第一纳米尺寸自组装自对准 结构(40A，50A)的一个例元和不含任何第一纳米尺寸自组装自对准结构(40A，50A)的间 隔，所述间隔的体积等于第一纳米尺寸自组装自对准结构(40A，50A)的两个例元的体积。参照图21A与图21B，在第一纳米尺寸自组装自对准结构(40A，50A)和衬底10之 上形成第二模板层20B。第二模板层20B可选自可用作第一模板层20A的材料。第二模板 层20B可包括与第一模板层20A相同或不同的材料。第二模板层20B被形成为覆盖层，且 覆盖第一纳米尺寸自组装自对准结构(40A，50A)的顶表面。执行与第一实施例的图6A-13B对应的处理步骤，以形成第二纳米尺寸自组装自 对准结构(40B，50B)和第三纳米尺寸自组装自对准结构(40C，50C)。通过调整第一和第二 聚合物嵌段成分的润湿特性，第二柱状聚合物结构40B不接触第二开口 02的侧壁，而每一 个第二聚合物基体50B邻接每一个第二开口 02中的第二模板层20B的侧壁。同样地，第三 柱状聚合物结构40C不接触第三开口 03的侧壁，而每一个第三聚合物基体50C邻接每一个 第三开口 03中的第三模板层20C的侧壁。参照图22A与图22B，相对于第一纳米尺寸自组装自对准结构(40A，50A)、第二纳 米尺寸自组装自对准结构(40B，50B)和第三纳米尺寸自组装自对准结构(40C，50C)而选择 性去除第三模板层20C。可使用湿式蚀刻或干式蚀刻。参照图23A与图23B，通过相对于第一聚合物嵌段成分而选择性去除第二聚合物 嵌段成分的蚀刻，来相对于第一、第二和第三柱状聚合物结构(40A，40B，40C)而选择性去 除第一、第二和第三聚合物嵌段基体(50A，50B，50C)。该蚀刻为各向同性或各向异性的。第 一、第二和第三柱状聚合物结构(40A，40B，40C)共同构成圆形聚合物圆柱体40。圆形聚合 物圆柱体40被排列为形成六边形阵列。然而，该六边形阵列的周期性与圆形聚合物圆柱体 40的相邻轴对之间的距离不同。相反地，该六边形阵列所具有的单位单元具有与第一开口 01、第二开口 02和第三开口 03(分别见图1A、图6A和图11A)中的每一者的尺寸相同的尺 寸，且含有多个圆形聚合物圆柱体40。该六边形阵列的两个示例性单位单元被标示为“G1” 和 “G2”。通过相对于圆形聚合物圆柱体40而选择性去除衬底10的暴露部分的各向异性蚀 刻，将圆形聚合物圆柱体40的六边形阵列的图形转移到衬底10中。衬底10的凹陷表面11 被暴露于衬底10与圆形聚合物圆柱体40的六边形阵列之间的界面下方。凹陷表面11含 有多个孔，所述多个孔与圆形聚合物圆柱体40的六边形阵列的位置相符。由于圆形聚合物 圆柱体40的直径为亚光刻的，因此凹陷表面11的图形含有亚光刻的单位图形。通过相对于衬底10而选择性去除圆形聚合物圆柱体40的六边形阵列，提供了包 括衬底10的结构，其中衬底10具有从基本上平面的表面(即凹陷的表面11)的突起图形。 该图形包括单位图形(例如Gl或G2)的六边形阵列，该六边形阵列包括具有与衬底10成 整体结构的多个圆柱体，即，作为衬底10的一部分并具有与圆形聚合物圆柱体40之一基本 上相同的直径。该六边形阵列具有光刻尺寸的最小周期性。单位图形(例如Gl或G2)具 有正六边形的形状且包括相同直径(即每一个圆形聚合物圆柱体40的直径)的圆形。然而，来自单位图形的两个相邻例元的圆形的集合并不具有六边形周期性。例如，Gl与G2的 单位组中的圆形的集合并不具有六边形周期性，这是因为圆形聚合物圆柱体40的任何六 边形周期性的连贯性都不延伸超出第一、第二和第三开口(01，02，03)之一的区域。参照图24A与图24B，通过相对于第一、第二和第三聚合物嵌段基体(50A，50B， 50C)的组合(本文中称为组合的聚合物嵌段基体50)而选择性去除第一、第二和第三柱状 聚合物结构(40A，40B，40C)，由图22A-22B的第二示例性纳米尺寸结构形成第二示例性纳 米尺寸结构的变型。可采用相对于第二聚合物嵌段成分而选择性去除第一聚合物嵌段成分 的蚀刻。该蚀刻可为各向同性或各向异性的。在去除第一、第二和第三柱状聚合物结构(40A，40B，40C)之后，在组合的聚合物 嵌段基体50中形成了圆柱状腔的阵列。通过相对于组合的聚合物嵌段基体50而选择性去 除衬底10的暴露部分的各向异性蚀刻，将该圆柱状腔的阵列的图形转移到衬底10中。通 过从组合的聚合物嵌段基体50内的圆柱状腔中去除衬底材料，形成衬底10的凹陷的沟槽 底表面12。衬底10内的圆柱状沟槽被排列为形成六边形阵列。然而，该六边形阵列的周期 性与圆柱状沟槽的相邻轴对之间的距离不同。相反地，该六边形阵列所具有的单位单元具 有与第一开口 01、第二开口 02和第三开口 03 (分别见图1A、图6A和图11A)中的每一者的 尺寸相同的尺寸，且含有多个圆柱状沟槽。该六边形阵列的两个示例性单位单元被标示为 “G3” 和 “G4，，。通过相对于衬底10而选择性去除组合的聚合物嵌段基体50，提供了包括衬底10 的结构，其中衬底10具有从基本上平面的表面(即衬底10的顶表面，即，衬底10与组合的 聚合物嵌段基体50之间的先前界面)的凹陷图形。该图形含有单位图形(例如G3或G4) 的六边形阵列，该六边形阵列包括多个具有衬底10的圆柱状沟槽(即具有与圆形聚合物圆 柱体40之一基本上相同的直径)。该六边形阵列具有光刻尺寸的最小周期性。单位图形 (例如G3或G4)具有正六边形的形状且包括相同直径(即每一个圆柱状沟槽的直径)的圆 形。然而，来自单位图形的两个相邻例元的圆形的集合并不具有六边形周期性。例如，G3与 G4的单位组中的圆形的集合并不具有六边形周期性，这是因为圆柱状沟槽的任何六边形周 期性的连贯性都不延伸超出第一、第二和第三开口(01，02，03)之一的区域。参照图25A与图25B，其示出了根据本发明第三实施例的第三示例性纳米尺寸结 构，该结构包括衬底10和第一模板层20A。第一模板层20A和衬底10的横向范围可超过随 后所采用的非光敏性聚合物抗蚀剂的横向有序范围。衬底10和第一模板层20A可包括与 第一实施例相同的材料，且可通过与第一实施例相同的方法形成。第一模板层20A被构图为具有第一矩形开口以暴露衬底10。每一个第一矩形开口 的横向宽度为光刻尺寸。此外，相邻的第一矩形开口之间的间隔也同样为光刻尺寸。尽管 第一矩形开口的宽度可在不同开口之间变化，但为了说明本发明，假设第一矩形开口具有 相同的横向宽度，在本文中将其称为第一横向宽度LW1。同样地，为了说明本发明，假设相邻 的第一矩形开口之间具有相同的间隔，在本文中将其称为第二横向宽度LW2。本文中还明确 地预期其中第一矩形开口具有不同的横向宽度和/或相邻的第一矩形开口具有不同的间 隔的实施例。每一个第一矩形开口的长度方向充分地大于第一横向宽度LW1，而足以在随后沿 着第一矩形开口的长度方向(即，在与第一矩形开口的横向宽度的方向垂直的方向上)形成自对准图形。参照图26A与图26B，通过本领域中公知的方法(例如旋涂)在每一个第一矩形开 口内施加第一非光敏性聚合物抗蚀剂，以形成第一非光敏性聚合物抗蚀剂部分30A。优选 地，第一非光敏性聚合物抗蚀剂部分30A的顶表面与第一模板层20A的顶表面共面，或凹陷 为低于第一模板层20A的顶表面。第一非光敏性聚合物抗蚀剂包括能够自组织成纳米尺寸 图形的自组装嵌段共聚物。第一非光敏性聚合物抗蚀剂包括彼此不混溶的第一聚合物嵌段成分与第二聚合 物嵌段成分。该非光敏性聚合物抗蚀剂可自平面化。可替代地，可通过化学机械平面化、凹 陷蚀刻、或其组合而使该非光敏性聚合物抗蚀剂平面化。可使用与第一实施例中用于第一 聚合物嵌段成分和第二聚合物嵌段成分相同的材料。并且，可使用与第一实施例相同的施 加方法。参照图27A与图27B，通过利用退火引起自组装嵌段共聚物的交联，在每一个第一 矩形开口内形成第一纳米尺寸自组装自对准结构NSl。具体而言，通过紫外光处理或在升高 的温度下进行热退火而退火第一非光敏性聚合物抗蚀剂，以形成含有第一聚合物嵌段成分 的第一主片状结构(primary lamellar structure) 43A以及含有第二聚合物嵌段成分的第 一补片状结构(complementary lamellar structure) 53A。第一主片状结构43A和第一补 片状结构53A在第一横向宽度LWl的方向上周期性交替。调整第一非光敏性聚合物抗蚀剂的组成和润湿特性，以使得部分第一主片状结构 43A邻接第一模板层20A的侧壁，而第一补片状结构53则与第一模板层20A的侧壁分离。 第一聚合物嵌段成分的润湿特性被调整为使得第一主片状结构43A的宽度取决于第一主 片状结构43是否接触第一模板层20A的侧壁。在此将不接触第一模板层20A的侧壁的第 一主片状结构43A的宽度称为第一宽度Wl。在此将与第一模板层20A的侧壁接触的第一主 片状结构43A的宽度称为第二宽度W2。第一宽度Wl和第二宽度W2都为亚光刻的，例如，在 约Inm至约40nm的范围内，典型地在约5nm至约30nm的范围内。第一宽度Wl大于第二宽 度W2。第一宽度Wl可以大于、等于或小于第二宽度W2的两倍。第一补片状结构53A的宽 度相同，在此将其称为片状间隔S，其也是亚光刻的。第一宽度Wl与片状间隔S之和也是亚 光刻的。第一纳米尺寸自组装自对准结构NSl被“自组装”。第一非光敏性聚合物抗蚀剂的 化学组成使得第一和第二聚合物嵌段成分的不混溶性能够将第一聚合物嵌段成分自组装 为第一主片状结构43A且将第二聚合物嵌段成分组装为第一补片状结构53A。第一纳米尺寸自组装自对准结构NSl与第一模板层20A的限定矩形开口的壁“自 对准”。第一主片状结构43A和第一补片状结构53A沿着第一模板层20A中的矩形开口的 长度方向延伸。随后相对于第一纳米尺寸自组装自对准结构NSl和衬底10而选择性去除第一模 板层20A。可使用湿式蚀刻或干式蚀刻。参照图28A与图28B，在第一纳米尺寸自组装自对准结构NSl和衬底10之上形成 第二模板层20B。第二模板层20B可选自可用作第一模板层20A的材料。第二模板层20B 可包括与第一模板层20A相同或不同的材料。第二模板层20B被形成为覆盖层，且覆盖第 一纳米尺寸自组装自对准结构NSl的顶表面。
通过施加光致抗蚀剂(未示出)、光刻构图光致抗蚀剂、以及借助于各向异性蚀刻 将光致抗蚀剂中的图形转移到第二模板层中，对第二模板层20B光刻构图。在第二模板层 20B中形成第二矩形开口的组，其覆盖第一矩形开口的互补区域。因此，第二矩形开口形成 在第一纳米尺寸自组装自对准结构NSl之间，且第二矩形开口的边界与第一纳米尺寸自组 装自对准结构NSl的边界实质上相符。每一个第二矩形开口的宽度为第二横向宽度LW2，其 为光刻尺寸且可与第一横向宽度LWl相同或不同。参照图29A与图29B，通过本领域中公知的方法(例如旋涂)在每一个第二矩形开 口内施加第二非光敏性聚合物抗蚀剂，以形成第二非光敏性聚合物抗蚀剂部分30B。优选 地，第二非光敏性聚合物抗蚀剂部分30B的顶表面被凹陷为低于第二模板层20B的顶表面。 同样优选地，第二非光敏性聚合物抗蚀剂部分30B的顶表面与第一纳米尺寸自组装自对准 结构NSl的顶表面共面。第二非光敏性聚合物抗蚀剂可被施加为与第二模板层20B的顶表 面共面、或高于第二模板层20B的顶表面，然后通过凹陷蚀刻或通过采用随后溶剂从其中 蒸发而引起各第二矩形开口内的体积收缩的稀释溶液，将第二非光敏性聚合物抗蚀剂凹陷 至第一纳米尺寸自组装自对准结构NSl的顶表面高度。第二非光敏性聚合物抗蚀剂包括能够自组织成纳米尺寸图形的自组装嵌段共聚 物。因此，上面列出的用于第一非光敏性聚合物抗蚀剂的任何材料可被用于第二非光敏性 聚合物抗蚀剂。第二非光敏性聚合物抗蚀剂可包括与第一非光敏性聚合物抗蚀剂相同或不 同的材料。为了示例本发明，假设第一非光敏性聚合物抗蚀剂与第二非光敏性聚合物抗蚀 剂采用相同的材料。参照图30A与图30B，通过利用退火引起自组装嵌段共聚物的交联，在每一个第二 矩形开口内形成第二纳米尺寸自组装自对准结构NS2。可采用与用于形成第一纳米尺寸自 组装自对准结构NSl的形成方法相同的方法来形成第二纳米尺寸自组装自对准结构NS2。具体而言，通过紫外光处理或通过在升高的温度下进行热退火而退火第二非光敏 性聚合物抗蚀剂，以形成含有第一聚合物嵌段成分的第二主片状结构43B以及含有第二聚 合物嵌段成分的第二补片状结构53B。第二主片状结构43B和第二补片状结构53B在第二 横向宽度LW2的方向上周期性交替。调整第二非光敏性聚合物抗蚀剂的组成和润湿特性，以使得部分第二主片状结构 43B邻接第一主片状结构43A的暴露侧壁，而第二补片状结构53B与第一主片状结构43A的 侧壁分离。调整第一聚合物嵌段成分的润湿特性，以使得第二主片状结构43B的宽度取决 于第二主片状结构43B是否接触第一主片状结构43A的侧壁。优选地，不接触第一主片状 结构43A的侧壁的第二主片状结构43B的宽度与第一宽度Wl相同。与第一主片状结构43A 的侧壁接触的第二主片状结构43B的宽度可与第二宽度W2相同或不同。第二补片状结构 53B的宽度在它们之间是相同的，其可与第一补片状结构53A的宽度(片状间隔S)相同或 不同。由于相同的机制被用于第二纳米尺寸自组装自对准结构NS2的不同成分的自组 装和自对准，因此第二纳米尺寸自组装自对准结构NS2是以与第一纳米尺寸自组装自对准 结构NSl的自组装和自对准相同的方式自组装和自对准而成。参照图31A与图31B，相对于第一纳米尺寸自组装自对准结构NSl、第二纳米尺寸 自组装自对准结构NS2和衬底10而选择性去除第二模板层20B。可使用湿式蚀刻或干式蚀
19刻。参照图32A与图32B，通过相对于第一聚合物嵌段成分而选择性去除第二聚合物 嵌段成分的各向异性蚀刻，相对于第一和第二主片状结构(43A，43B)而选择性去除第一和 第二补片状结构(53A，53B)。来自相同第一矩形开口的第一片状结构43A的组构成了第 一一维阵列Al，阵列Al具有的间隔为片状间隔S。同样地，来自相同第二矩形开口的第二片 状结构43B的组构成了第二一维阵列A2，阵列A2具有的间隔为片状间隔S。然而，第一一 维阵列Al与第二一维阵列A2的相邻对可彼此一致或不一致，即，它们构成另一个具有周期 性的一维阵列。如果第二宽度W2为第一宽度的一半时，第一一维阵列Al与第二一维阵列 A2的集合构成一扩展的一维阵列，其周期性为第一宽度Wl与片状间隔S之和。然而，当第 二宽度W2不等于第一宽度Wl的一半时，该扩展的一维阵列(包括多个第一一维阵列Al和 第二一维阵列A2)具有的周期性为第一横向宽度LWl与第二横向宽度LW2之和。因此，最 小周期性为光刻尺寸。参照图33A与图33B，通过相对于第一和第二主片状结构(43A，43B)而选择性去除 衬底10的暴露部分的各向异性蚀刻，将包括第一一维阵列Al和第二一维阵列A2的扩展的 阵列的图形转移到衬底10中。在衬底内形成线性沟槽，以在线性沟槽的底部处暴露出沟槽 底表面13。随后去除第一和第二主片状结构(43A，43B)。第三示例性纳米尺寸结构包括具有单位图形的一维周期性重复的衬底10。该单位 图形包括位于基本上平面的表面(即沟槽底表面13的集合)上的第二线和至少一条第一 线的突起。所述至少一条第一线中的每一个被形成为直接在不邻接第二主片状结构43B的 第一主片状结构43A下方，或者直接在不邻接第一片状结构43A的第二主片状结构43B下 方。第二线被形成为直接在邻接第二主片状结构43B的第一主片状结构43A下方。所述至 少一条第一线中的每一个都具有第一亚光刻宽度(即第一宽度Wl)，且第二线具有第二亚 光刻宽度(即第二宽度W2的两倍)。第二线与所述至少一条第一线的每个相邻的对被相同 的亚光刻间隔(即片状间隔S)分隔。如果第一宽度Wl是第二宽度W2的两倍，则第一亚光刻宽度与第二亚光刻宽度相 同。该一维单位图形具有的最小周期性等于第一宽度Wl与片状间隔S之和。然而，如果第 一宽度Wl不等于第二宽度W2的两倍，第一亚光刻宽度与第二亚光刻宽度则不同。如果第 一横向宽度LWl与第二横向宽度LW2相同，则该一维单位图形具有的最小周期性等于第一 横向宽度LWl，其为光刻尺寸。如果第一横向宽度LWl与第二横向宽度LW2不同，则该一维 单位图形具有的最小周期性等于第一横向宽度LWl与第二横向宽度LW2之和，其为光刻尺 寸。在去除第一和第二主片状结构(43A，43B)之前，第三示例性纳米尺寸结构还包括 多条聚合物线，所述多条聚合物线为第一和第二主片状结构(43A，43B)，含有非光敏性聚合 物抗蚀剂的聚合物成分且直接位于第二线和所述至少一条第一线的每一条线上。聚合物线 的每一个边缘都与第二线或所述至少一条第一线的边缘垂直相符。替代从图31A和图31B的第三示例性纳米尺寸结构相对于第一和第二主片状结构 (43A，43B)而选择性去除第一和第二补片状结构(53A，53B)，可以相对于第一和第二补片 状结构(53A，53B)而选择性去除第一和第二主片状结构(43A，43B)。接着将第一和第二主 片状结构(43A，43B)的图形转移到衬底10中，以形成具有与图33A和图33B的结构相反极性的另一个纳米尺寸结构。所产生的图形是一凹陷图形而非突起图形，其中该结构还包括 多条聚合物线，所述多条聚合物线含有非光敏性聚合物抗蚀剂的聚合物成分并直接位于基 本上平面的表面上，且聚合物线的每一个边缘都与第二线或所述至少一条第一线的边缘垂 直相符。还可预期瓦片或开口的几何形状的变化。瓦片或开口可包括一种形状(例如六边 形、矩形、菱形、平行四边形、三角形或正多边形)，或者可包括至少两种不同形状的集合。虽然关于具体实施例说明了本发明，但很明显，鉴于前述说明，对于本领域技术人 员而言，众多替代例、修饰例和变化例是显而易见的。因此，本发明旨在涵盖所有落入本发 明的范围和精神以及下述权利要求内的所有这样的替代例、修饰例和变化例。工业适用性本发明对在半导体衬底上设计和制造纳米尺寸图形具有工业适用性，尤其适合在 各种电子和电学装置中使用的集成电路芯片，尤其可用于计算机和通信领域。
2权利要求
一种在衬底上形成纳米尺寸图形的方法，所述方法包括以下步骤形成第一模板层(20A)，其包围衬底上的预定区域；在所述第一模板层(20A)中构图第一开口(O1)，每个第一开口(O1)具有正六边形的形状，其中所述第一开口(O1)被排列为第一六边形阵列；在所述第一开口(O1)中形成第一纳米尺寸自组装自对准结构(40A，50A)；在所述第一纳米尺寸自组装自对准结构(40A，50A)上形成包围所述区域的第二模板层(20B)；在所述第二模板层(20B)中构图第二开口(O2)，每个第二开口(O2)具有所述正六边形的形状，其中所述第二开口(O2)被排列为第二六边形阵列；在所述第二开口(O2)中形成第二纳米尺寸自组装自对准结构(40B)；在所述第一和第二纳米尺寸自组装自对准结构(40A，50A，40B)上形成包围所述区域的第三模板层(30C)；在所述第三模板层(30C)中构图第三开口(O3)，每个第三开口(O3)具有所述正六边形的形状，其中所述第三开口(O3)被排列为第三六边形阵列；以及在所述第三开口(O3)中形成第三纳米尺寸自组装自对准结构(40C，50C)。
2.根据权利要求1的方法，其中所述第一开口、所述第二开口和所述第三开口中的每 一个不与任何其它的所述第一开口、所述第二开口和所述第三开口重迭。
3.根据权利要求2的方法，其中所述预定区域与所述第一开口的组合区域、所述第二 开口的组合区域和所述第三开口的组合区域的并集相同。
4.根据权利要求1的方法，其中所述第二六边形阵列从所述第一六边形阵列偏移所述 正六边形的一个例元，其中所述第三六边形阵列从所述第一六边形阵列偏移所述正六边形 的另一个例元，且其中所述第三六边形阵列从所述第二六边形阵列偏移所述正六边形的再 一个例元。
5.根据权利要求1的方法，其中所述第一、第二和第三纳米尺寸自组装自对准结构中 的每一个与所述第一、第二和第三纳米尺寸自组装自对准结构中的另一个一致。
6.根据权利要求1的方法，还包括以下步骤在所述形成第一纳米尺寸自组装自对准结构之前，在每一个所述第一开口内施加非光 敏性聚合物抗蚀剂，所述非光敏性聚合物抗蚀剂含有第一聚合物嵌段成分与第二聚合物嵌 段成分；在所述形成第二纳米尺寸自组装自对准结构之前，在每一个所述第二开口内施加所述 非光敏性聚合物抗蚀剂；以及在所述形成第三纳米尺寸自组装自对准结构之前，在每一个所述第三开口内施加所述 非光敏性聚合物抗蚀剂。
7.根据权利要求1的方法，其中每一个所述第一、第二和第三纳米尺寸自组装自对准 结构包括聚合物基体和至少一个圆形圆柱体，所述至少一个圆形圆柱体含有所述第一聚合 物嵌段成分，所述聚合物基体含有所述第二聚合物嵌段成分并横向邻接所述至少一个圆形 圆柱体。
8.根据权利要求7的方法，其中每一个所述第一、第二和第三纳米尺寸自组装自对准 结构还包括三分之一圆形圆柱体的六个例元，每一个例元具有所述至少一个圆形圆柱体的总体积的三分之一的体积且在脊部处具有120度的角。
9.根据权利要求8的方法，其中所述六个例元和所述聚合物基体横向邻接所述第一、 第二和第三开口中的一个的边界。
10.根据权利要求7的方法，其中每一个所述第一、第二和第三纳米尺寸自组装自对准 结构包括聚合物基体和多个圆形圆柱体，所述多个圆形圆柱体含有所述第一聚合物嵌段成 分，所述聚合物基体含有所述第二聚合物嵌段成分并横向邻接所述至少一个圆形圆柱体， 其中所述多个圆形圆柱体中的每一个从所述第一、第二和第三开口的边界分离。
11.根据权利要求7的方法，还包括相对于所述圆形圆柱体的组和所述聚合物基体的 组中的一者而选择性地蚀刻所述圆形圆柱体的所述组和所述聚合物基体的所述组中的另 “"者 ο
12.根据权利要求11的方法，还包括利用所述圆形圆柱体和所述聚合物基体的剩余部 分作为蚀刻掩模，在所述衬底中形成具有亚光刻尺寸的图形。
13.一种在衬底上形成纳米尺寸图形的方法，所述方法包括以下步骤形成第一模板层，其包围衬底上的预定区域；在所述第一模板层中构图第一开口，每个第一开口具有矩形形状和光刻宽度；在所述第一开口中形成第一纳米尺寸自组装自对准结构；直接在所述第一纳米尺寸自组装自对准结构上形成第二模板层；在所述第一模板层中构图第二开口，每个第二开口具有矩形形状和光刻宽度，其中在 所述预定区域内所述第二开口与所述第一开口互补；以及在所述第一开口中形成第一纳米尺寸自组装自对准结构。
14.根据权利要求13的方法，还包括以下步骤在所述形成第一纳米尺寸自组装自对准结构之前，在每一个所述第一开口内施加非光 敏性聚合物抗蚀剂，所述非光敏性聚合物抗蚀剂含有第一聚合物嵌段成分和第二聚合物嵌 段成分；以及在所述形成第二纳米尺寸自组装自对准结构之前，在每一个所述第二开口内施加所述 非光敏性聚合物抗蚀剂。
15.根据权利要求14的方法，其中所述第一和第二纳米尺寸自组装自对准结构中的每 一个包括至少一条标称宽度线和两条边缘线，这些线中的每一条都含有所述第一聚合物成 分，其中所述两条边缘线中的每一条邻接所述第一开口中的一个的边界，其中所述至少一 条标称宽度线与所述两条边缘线分离，其中所述至少一条标称宽度线具有标称线宽且所述 两条边缘线具有边缘线宽，其中所述标称线宽为亚光刻的且大于所述边缘线宽。
16.根据权利要求15的方法，其中所述第一和第二纳米尺寸自组装自对准结构中的每 一个还包括补线，所述补线含有所述第二聚合物成分，其中每一条所述补线横向邻接所述 至少一条标称宽度线和所述两条边缘线中的两条线并具有亚光刻的另一宽度。
17.根据权利要求16的方法，还包括以下步骤相对于所述第一聚合物成分和所述第二聚合物成分中的一者而选择性地蚀刻另一者；以及在所述衬底中形成具有亚光刻尺寸的图形，其中所述图形包括具有第一亚光刻尺寸的 至少一条第一线和具有第二亚光刻尺寸的第二线的周期性重复，其中所述至少一条第一线与所述第二线的每一个相邻的对被相同的亚光刻间隔所分隔。
18.—种包括衬底的结构，所述衬底具有从基本上平面的表面突起或凹陷的图形，其中 所述图形包括单位图形的六边形阵列，其中所述六边形阵列具有光刻尺寸的最小周期性， 其中所述单位图形具有正六边形的形状并包括相同直径的圆形，其中来自所述单位图形的 两个相邻例元的所述圆形的集合不具有六边形周期性。
19.根据权利要求18的结构，其中所述相同直径为亚光刻的。
20.根据权利要求18的结构，其中所述图形是突起的图形，其中所述结构还包括具有 所述相同直径的多个圆柱体，所述多个圆柱体含有非光敏性聚合物抗蚀剂的聚合物成分且 直接位于所述突起的图形的每一个上，其中所述圆形的边缘与所述多个圆柱体的圆柱体表 面相符。
21.根据权利要求18的结构，其中所述图形为凹陷的图形，其中所述结构还包括非光 敏性聚合物抗蚀剂的聚合物成分的基体，其中所述基体含有圆柱体开口，其中所述圆形的 边缘与所述圆柱体开口的圆柱体表面相符。
22.一种包括衬底的结构，所述衬底具有单位图形的一维周期性重复，其中所述单位图 形包括在基本上平面的表面上的第二线和至少一条第一线的突起或凹陷，其中所述至少一 条第一线中的每一条具有第一亚光刻宽度，其中所述第二线具有第二亚光刻宽度，其中所 述至少一条第一线与所述第二线的每个相邻的对被相同的亚光刻间隔所分隔。
23.根据权利要求22的结构，其中所述第一亚光刻宽度与所述第二亚光刻宽度不同。
24.根据权利要求22的结构，其中所述图形是突起的图形，其中所述结构还包括多条 聚合物线，所述多条聚合物线含有非光敏性聚合物抗蚀剂的聚合物成分且直接位于所述至 少一条第一线和所述第二线中的每一条线上，其中所述聚合物线的每个边缘与所述至少一 条第一线或所述第二线的边缘垂直相符。
25.根据权利要求22的结构，其中所述图形是凹陷的图形，其中所述结构还包括多条 聚合物线，所述多条聚合物线含有非光敏性聚合物抗蚀剂的聚合物成分且直接位于所述基 本上平面的表面上，其中所述聚合物线的每一个边缘与所述至少一条第一线或所述第二线 的边缘垂直相符。
全文摘要
在一个实施例中，包围大区域的六边形瓦片被分为三个群组，每个群组含有彼此分离的所有六边形瓦片的三分之一。在模板层(2OA，2OB，20C)中形成每个群组(01，02，03)中的六边形瓦片的开口，且在每个开口内施加并构图自组装嵌段共聚物的组。重复该过程三次以涵盖所有三个群组，产生遍布宽广区域的自对准图形。在另一实施例中，该大区域被分为两个不重迭且互补的群组的矩形瓦片。每个矩形区域的宽度小于自组装嵌段共聚物的有序范围。以顺序方式在每一群组中形成自组装自对准的线与间隔结构(4OA，5OA；4OB，5OB；4OC，50C)，从而线与间隔图形形成为遍及了延伸超出有序范围的大区域。
文档编号B82B3/00GK101939253SQ200980104087
公开日2011年1月5日 申请日期2009年2月3日 优先权日2008年2月5日
发明者B·B·多里斯, C·T·布莱克, C·拉登斯, T·J·达尔顿 申请人:国际商业机器公司