1.一种在MEMS传感器上形成过滤网的方法，其特征在于，包括以下步骤：
在基材(14)上设置可解离胶带，在可解离胶带的粘接面上形成过滤网(11)；
将所述过滤网(11)转印到薄膜(14)上，以形成自粘卷材(15)；
将位于所述自粘卷材(15)上的所述过滤网(11)转移粘接到MEMS传感器的采集孔(16)上。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述过滤网(11)的网孔采用黄光微影方法或者纳米压印方法形成。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成过滤网(11)步骤中包括：
在所述可解离胶带的粘接面上设置光刻胶；
采用黄光微影方法对所述光刻胶进行刻蚀，以形成与所述过滤网(11)的骨架相匹配的第一镂空图形；
在所述第一镂空图形内沉积结构材料；
移除光刻胶以形成所述过滤网(11)。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成过滤网(11)步骤中包括：
在所述可解离胶带的粘接面上沉积结构材料；
在所述结构材料的表面上设置光刻胶；
采用黄光微影方法对所述光刻胶进行刻蚀，以形成与所述过滤网(11)的网孔相匹配的第二镂空图形；
根据第二镂空图形对所述结构材料进行刻蚀，以形成网孔；
移除光刻胶以形成所述过滤网(11)。
5.根据权利要求1-4中的任意一项所述的方法，其特征在于，形成所述过滤网(11)的结构材料为金属、陶瓷或者高分子材料。
6.根据权利要求3或者4所述的方法，其特征在于，采用低温真空溅镀方法沉积所述结构材料。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述过滤网(11)的网孔的尺寸小于等于30μm。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成过滤网(11)步骤中包括：
在所述可解离胶带的粘接面上设置光刻胶；
采用黄光微影方法对所述光刻胶进行刻蚀，以形成所述过滤网(11)；
加热刻蚀形成的所述过滤网(11)，以使其固化。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成过滤网(11)步骤中包括：
在所述可解离胶带的粘接面上设置光刻胶；
采用纳米压印方法对所述光刻胶进行压印，以形成所述过滤网(11)；
加热刻蚀形成的所述过滤网(11)，以使其固化。
10.一种MEMS传感器，其特征在于，包括由基板和外壳(19)围合形成的外部封装结构，以及设置在所述外部封装结构的内部的MEMS芯片(18)，所述外部封装结构具有连通所述MEMS芯片(18)和外部空间的采集孔(16)，在所述采集孔(16)上根据如权利要求1-9中的任意之一所述的方法设置有所述过滤网(11)。