技术特征：
技术总结
本发明属于MEMS器件核心结构设计领域，并具体公开了一种基于SOI‑MEMS的温控隔振平台，其从下至上依次设置有锚定结构层、隔振悬臂结构层、温控平台层和MEMS振荡器连接层，隔振悬臂结构层与温控平台层之间、温控平台层和MEMS振荡器连接层之间设置有绝缘层；温控平台层包括加热单元、温度传感单元、焊盘及互连导线，MEMS振荡器连接层包括MEMS振荡器结合焊盘、焊盘以及两者之间的输出互连导线。本发明适用于MEMS振荡器等器件的温度控制与隔振，具有整体体积小、频率输出稳定、功耗低、结构简单、适用性强等优点，特别适合小型化、高稳定频率基准的应用领域。
技术研发人员：刘炎
受保护的技术使用者：华中科技大学
技术研发日：2017.09.21
技术公布日：2018.02.16