技术特征：
技术总结
本发明属于纳米复合材料合成技术领域，具体涉及一种可控制备复合型纳米图纹阵列的方法。在有序纳米图纹化结构模板表面溅射一层Ag膜后形成Ag纳米帽子阵列以及Ag纳米三角形阵列；再将Ag纳米帽子阵列倒置转移到另一个Si衬底上，得到二次模板；将PS小球完全刻蚀，得到Ag纳米碗阵列；对PS小球进行刻蚀不同时间，并在其表面溅射沉积一层TiO2膜分别得到Ag‑TiO2‑FON阵列、Ag‑TiO2纳米帽‑星阵列以及Ag‑TiO2纳米环‑粒子阵列。本发明克服了现有技术中的有序纳米结构活性基底的构筑步骤繁琐、有序性与致密度较低，同时制备周期长、费用昂贵、试验条件要求苛刻等缺陷，因而具有均匀性好、有序度高、可重复性强、构筑步骤简单、制备周期较短以及成本较低的优点。
技术研发人员：温嘉红;赵晓宇;王雅新;张永军
受保护的技术使用者：杭州电子科技大学
技术研发日：2019.01.22
技术公布日：2019.04.09