技术特征：
1.一种mems压力传感器封装方法，其特征在于包括如下步骤，s1、提供mems芯片、asic芯片和包含多个单元的pcb板；s2、在pcb板上的每个单元上粘结asic芯片，并将每个单元上的asic芯片与所在pcb板单元进行电连；s3、在每个单元上设置围坝，将pcb板上的单元切割分离形成均带有围坝的独立单元；s4、通过胶水将mems芯片粘结固定在围坝围成的空腔内，将mems芯片与asic芯片电连，s5、在围坝上固定带有泄压孔的上盖，完成封装。2.根据权利要求1所述的mems压力传感器封装方法，其特征在于，步骤s2中，粘结asic芯片时，使胶水溢出量不能到达pcb焊盘，且asic芯片下方胶水厚度h为0-1000μm，asic芯片四角下方的胶水厚度尺寸差值
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h≤0-500μm。3.根据权利要求1所述的mems压力传感器封装方法，其特征在于，步骤s3中，围坝的宽度为0.01—1mm，且围坝靠近pcb板单元中焊盘的一侧包裹pcb板焊盘、连接pcb板焊盘和asic芯片的金线、asic芯片焊盘。4.根据权利要求1所述的mems压力传感器封装方法，其特征在于，步骤s4中，粘结mems芯片之前，首先要将每个独立单元贴在载体上，载体为u形，在载体底部贴装耐高温膜，独立单元设置在耐高温膜围城的腔体中，且独立单元的底部与高温膜粘结固定。5.根据权利要求1所述的mems压力传感器封装方法，其特征在于，步骤s4中，通过胶水将mems芯片粘结固定在围坝围成的空腔时，mems芯片是通过胶水与asic芯片粘结固定，且胶水溢出mems芯片底部的长度l是0-1000μm。6.根据权利要求5所述的mems压力传感器封装方法，其特征在于，步骤s4中，mems芯片的焊盘与asic芯片的焊盘通过金丝连接，在围坝靠近mems芯片的焊盘的一侧设置有凸台，凸台与asic芯片固定，且凸台的高度低于或者等于asic芯片高度相同，在asic芯片与mems芯片连接的焊盘上不能有围坝的成分物质。7.根据权利要求5所述的mems压力传感器封装方法，其特征在于，mems芯片下方胶水厚度为0-1000μm，mems四角下方的胶水厚度尺寸差值小于等于500μm。8.根据权利要求1所述的mems压力传感器封装方法，其特征在于，步骤s5中，上盖与围坝通过胶水粘结固定，在围坝上划胶，胶水连贯不断开，胶水宽度0.01-1mm，胶水高度0.01-1mm。9.根据权利要求1或8所述的mems压力传感器封装方法，其特征在于，所述上盖为金属上盖或塑料上盖或陶瓷上盖，围坝为环氧树脂围坝或者塑料围坝。
技术总结
本发明涉及微机电系统领域，尤其是一种MEMS压力传感器封装方法，包括如下步骤，S1、提供MEMS芯片、ASIC芯片和包含多个单元的PCB板；S2、在PCB板上的每个单元上粘结ASIC芯片，并将每个单元上的ASIC芯片与所在PCB板单元进行电连；S3、在每个单元上设置围坝，将PCB板上的单元切割分离形成均带有围坝的独立单元；S4、通过胶水将MEMS芯片粘结固定在围坝围成的空腔内，将MEMS芯片与ASIC芯片电连，S5、在围坝上固定带有泄压孔的上盖，完成封装。本发明实现产品高度集成，实现产品的小型化。实现产品的小型化。实现产品的小型化。
技术研发人员：孙健 赵旭 倪杰 刘萌
受保护的技术使用者：山东沃迪科微电子有限公司
技术研发日：2022.07.18
技术公布日：2023/3/21