一种mems器件及其制备方法、电子装置的制造方法_4

文档序号:9573333阅读:来源:国知局
)和震荡膜(Membrane)的接触面更加柔和,保护了震荡膜(Membrane)。
[0110](2)保持了震荡膜(Membrane)的性能。
[0111]图3为本发明一【具体实施方式】中所述MEMS器件的制备工艺流程图,具体包括以下步骤:
[0112]步骤S1:提供基底,在所述基底上形成有第一牺牲材料层和位于所述第一牺牲材料层上的支撑材料层,其中,在所述支撑材料层上还形成有间隔设置的晶核种子;
[0113]步骤S2:图案化所述支撑材料层和所述晶核种子,以在所述第一牺牲材料层上形成间隔设置的至少两个支撑材料叠层;
[0114]步骤S3:对所述晶核种子进行退火,以将所述晶核种子转变成凸起;
[0115]步骤S4:在所述支撑材料叠层以及所述第一牺牲材料层上形成震荡膜材料层,以在所述凸起上形成震荡膜锚部,同时在所述震荡膜锚部之间形成震荡膜。
[0116]实施例2
[0117]本发明还提供了一种MEMS器件,如图2h所示,所述MEMS器件包括:
[0118]基底;
[0119]牺牲材料层,位于所述基底上;
[0120]震荡膜结构,包括震荡膜和位于所述震荡膜两端的震荡膜锚部,其中,所述震荡膜锚部呈凸起形状,嵌于所述牺牲材料层中;
[0121]定极板206,包括若干相互间隔的部分,位于所述震荡膜的上方;
[0122]空腔,位于所述震荡膜和所述定极板206之间。
[0123]可选地,所述震荡膜锚部呈球面凸起形状。
[0124]可选地,所述震荡膜锚部至少包括两个相互连接的所述凸起形状。
[0125]可选地,所述MEMS器件还进一步包括位于所述震荡膜下方的传感开口,用于实现压力的传感。
[0126]本发明所述震荡膜锚部位于所述凸起的上方,所述震荡膜锚部呈球面凸起,位于所述震荡膜的两端,通过所述改变,使得震荡膜锚部(Anchor)和震荡膜(Membrane)的抓握更加柔和,减少了对震荡膜(Membrane)的损伤,进一步提高了 MEMS器件的性能和良率。
[0127]实施例3
[0128]本发明还提供了一种电子装置,包括实施例2所述的MEMS器件。其中,半导体器件为实施例2所述的MEMS器件,或根据实施例1所述的制备方法得到的MEMS器件。
[0129]本实施例的电子装置,可以是手机、平板电脑、笔记本电脑、上网本、游戏机、电视机、V⑶、DVD、导航仪、照相机、摄像机、录音笔、MP3、MP4、PSP等任何电子产品或设备,也可为任何包括所述MEMS器件的中间产品。本发明实施例的电子装置,由于使用了上述的MEMS器件,因而具有更好的性能。
[0130]本发明已经通过上述实施例进行了说明,但应当理解的是,上述实施例只是用于举例和说明的目的,而非意在将本发明限制于所描述的实施例范围内。此外本领域技术人员可以理解的是,本发明并不局限于上述实施例,根据本发明的教导还可以做出更多种的变型和修改,这些变型和修改均落在本发明所要求保护的范围以内。本发明的保护范围由附属的权利要求书及其等效范围所界定。
【主权项】
1.一种MEMS器件的制备方法,包括: 步骤S1:提供基底,在所述基底上形成有第一牺牲材料层和位于所述第一牺牲材料层上的支撑材料层,其中,在所述支撑材料层上还形成有间隔设置的晶核种子; 步骤S2:图案化所述支撑材料层和所述晶核种子,以在所述第一牺牲材料层上形成间隔设置的至少两个支撑材料叠层; 步骤S3:对所述晶核种子进行退火,以将所述晶核种子转变成凸起; 步骤S4:在所述支撑材料叠层以及所述第一牺牲材料层上形成震荡膜材料层,以在所述凸起上形成震荡膜锚部,同时在所述震荡膜锚部之间形成震荡膜。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述步骤S1中,所述支撑材料层选用无定型石圭。3.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,在所述步骤S1中,所述晶核种子选用无定型石圭。4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤S4包括: 步骤S41:在所述支撑材料叠层上和所述第一牺牲材料层上沉积震荡膜材料层,以覆盖所述支撑材料叠层和所述第一牺牲材料层; 步骤S42:图案化所述震荡膜材料层,以去除所述支撑材料叠层外侧的所述震荡膜材料层,以形成所述震荡膜锚部和所述震荡膜。5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述步骤S3中,在每个所述支撑材料叠层中至少形成有两个间隔设置的所述凸起。6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法还包括以下步骤: 步骤S5:继续沉积所述第一牺牲材料层并图案化,以形成开口 ; 步骤S6:沉积第二牺牲材料层,以填充所述开口并覆盖所述第一牺牲材料层,同时在所述开口的上方形成凹槽; 步骤S7:在所述凹槽之间的所述第二牺牲材料层上形成若干定极板; 步骤S8:沉积限制层,以覆盖所述定极板和所述第二牺牲材料层; 步骤S9:图案化所述基底的背面,以露出所述第一牺牲材料层; 步骤S10:去除所述震荡膜中间部位上方和下方的所述第一牺牲材料层和所述第二牺牲材料层,以形成空腔。7.—种MEMS器件,包括: 基底; 牺牲材料层,位于所述基底上; 震荡膜结构,包括震荡膜和位于所述震荡膜两端的震荡膜锚部,其中,所述震荡膜锚部呈凸起形状,嵌于所述牺牲材料层中; 定极板,包括若干相互间隔的部分,位于所述震荡膜的上方; 空腔,位于所述震荡膜和所述定极板之间。8.根据权利要求7所述的MEMS器件,其特征在于,所述震荡膜锚部与牺牲材料层之间还形成有支撑材料叠层,所述支撑材料叠层包括支撑材料层以及位于其上的凸起。9.根据权利要求8所述的MEMS器件,其特征在于,所述凸起通过对无定型硅的晶核种子进行退火得到。10.根据权利要求8所述的MEMS器件,其特征在于,所述支撑材料层选用无定型硅,并对其退火。11.根据权利要求7所述的MEMS器件,其特征在于,所述震荡膜锚部包括至少两个相互连接的所述凸起形状。12.根据权利要求7所述的MEMS器件,其特征在于,所述MEMS器件还进一步包括位于所述震荡膜下方的传感开口,用于实现压力的传感。13.一种电子装置,包括权利要求7-12之一所述的MEMS器件。
【专利摘要】本发明涉及一种MEMS器件及其制备方法、电子装置,所述制备方法包括:步骤S1:提供基底,在所述基底上形成有第一牺牲材料层和位于所述第一牺牲材料层上的支撑材料层,其中,在所述支撑材料层上还形成有间隔设置的晶核种子;步骤S2:图案化所述支撑材料层和所述晶核种子,以在所述第一牺牲材料层上形成间隔设置的至少两个支撑材料叠层;步骤S3:对所述晶核种子进行退火,以将所述晶核种子转变成凸起;步骤S4:在所述支撑材料叠层以及所述第一牺牲材料层上形成震荡膜材料层,以在所述凸起上形成震荡膜锚部,同时在所述震荡膜锚部之间形成震荡膜。本发明的优点在于:使震荡膜锚部(Anchor)和震荡膜(Membrane)的接触面更加柔和,保护了震荡膜(Membrane)。
【IPC分类】B81C1/00, B81B7/02
【公开号】CN105329839
【申请号】CN201410377487
【发明人】郑超, 刘炼, 李卫刚
【申请人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
【公开日】2016年2月17日
【申请日】2014年8月1日
当前第4页1 2 3 4 
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1