专利名称：接近头加热方法和设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及半导体晶片处理系统，更具体地，涉及对接近头中的流体进行加热。
背景技术：
半导体晶片加工通常包括多个重复的加工步骤，例如注入、材料淀积、平坦化、以及刻蚀。在每个加工步骤之后，残渣可能残留在半导体晶片的表面上。因此在加工步骤之间，通常使用清洁步骤来去除残留在半导体晶片的表面上的微粒和其它不希望的材料。示例性的微粒可以包括硅尘、硅石(silica)、浆渣(slurry residue)、金属屑以及硅酸盐颗粒。
清洁步骤可以包括清洗步骤、旋转步骤以及干燥步骤。在清洗步骤期间，诸如喷射装置或者浸入装置的流体提供装置可以施加清洁流体以使半导体晶片的表面变湿。例如，可以利用喷射装置将清洁流体喷射到半导体晶片的表面上。另选地，可以将半导体晶片浸入浸入装置中的清洁流体中。在清洗步骤之后，可以旋转半导体晶片以将微粒连同清洁流体一起甩掉。随后，干燥步骤可以干燥残留在半导体晶片表面上的小滴。在清洁步骤或者其它半导体晶片加工步骤期间，可能希望对施加到半导体晶片表面的流体进行加热。
用于半导体晶片处理系统的典型加热机构包括有连接到流体源的加热器。该流体源将诸如清洁流体的流体提供给加热器，该加热器将清洁流体加热到某个希望温度。随后，将经加热的流体传送到喷射装置或者浸入装置。
然而，使用当前半导体晶片处理系统中的前述步骤可能效率很低。例如，经加热的清洁流体在从加热器前进到流体供给设备时可能遭受热损耗。因此，当经加热的清洁流体接触到半导体晶片的表面时，经加热的清洁流体的温度可能低于希望的温度。
鉴于前述情况，需要一种用于加热半导体晶片处理系统中的流体的设备和方法，其使得可以将经加热的流体以希望的温度提供给半导体晶片。
发明内容
总的来说，本发明是一种用于加热接近头中的流体的设备和方法。应该理解，可以按许多方式，如工艺、装置、系统、或者设备，来实施本发明。下面描述本发明的几个创造性实施例。
用于半导体晶片处理的方法的一个实施例包括如下步骤向接近头提供流体，并对接近头内的流体进行加热。该方法还包括将经加热的流体提供至半导体晶片的表面以用于晶片处理操作。
在用于半导体晶片处理的接近头的实施例中，接近头包括被构成为提高流经其的流体的温度的加热部分。接近头还包括设置在接近头中的传感器，用于测量流过加热部分的流体的温度；以及设置在加热部分的通道，该通道被构成为引导流体经过加热部分。此外，接近头包括具有至少一个出口和至少一个入口的底面，使得所述至少一个出口与设置在加热部分的通道流动连通。
在半导体晶片处理系统的实施例中，该系统包括流体源和与流体源流动连通的接近头。此外，接近头包括加热部分，被构成为提高流经其的流体的温度；设置在接近头内的传感器，用于测量流过加热部分的流体的温度。接近头还包括设置在加热部分中的通道，该通道被构成为引导流体经过加热部分。接近头进一步包括具有至少一个出口和至少一个入口的底面，所述至少一个出口与设置在加热部分的通道处于流动连通状态。该系统的实施例还包括连接到接近头的第一部件，该第一部件被构成以操纵接近头；以及第二部件，被构成以支承晶片。第二部件能够将半导体晶片放置得接近接近头的底面。
根据以下结合附图以示例方式说明本发明原理的详细描述，本发明的其它方面将显易。
通过结合附图参照以下详细说明，可以最佳地理解本发明的实施例，在附图中图1A是示出根据本发明实施例的具有加热部分的接近头的侧视图；图1B是示出根据本发明实施例的具有加热部分的另一接近头的侧视图；图1C是示出根据本发明实施例的具有双接近头的半导体晶片处理系统的侧视图；图1D是示出根据本发明实施例的具有与能量源(power source)相连接的接近头的半导体晶片处理系统的侧视图；图2是示出根据本发明实施例的具有阻性加热元件的接近头的侧视图；图3是示出根据本发明实施例的具有阻性加热元件的另一接近头的侧视图；图4是示出根据本发明实施例的具有导线(wire)的接近头的加热部分的俯视图；图5是示出根据本发明实施例的具有循环流体的接近头的加热部分的侧视图；图6是示出根据本发明实施例的具有循环流体的另一接近头的加热部分的另一侧视图；图7A是示出根据本发明实施例的接近头扫描方法的俯视图；图7B是示出根据本发明实施例的另一接近头扫描方法的俯视图；图7C是示出根据本发明实施例的与接近头的加热部分一起使用的晶片区域的俯视图；以及图8是示出根据本发明实施例的用于加热接近头中的流体的操作的流程图。
具体实施例方式
下面的实施例描述了用于对提供给半导体晶片处理系统中的半导体晶片的表面的流体进行加热的设备和方法。示例性的半导体晶片处理系统包括，如在2002年9月30提交的题为“Method and Apparatus for DryingSemiconductor Wafer Surfaces Using a Plurality of Inlets and Outlets Held inClose Proximity to the Wafer Surfaces”的第10/261839号美国专利申请(通过引用并入其全部内容)中所公开的接近头。在此通过附图示出的接近头是示例性的，并且，其它实施例可包括具有任何形状的接近头，只要该接近头能够加热流体。
然而，对于本领域技术人员，很明显可以在无需一些或者全部具体细节的情况下实现本发明。在其它示例中，不对公知的处理操作进行详细描述，以避免不必要地使本发明模糊。此外，这里描述的实施例是示例性的。本领域技术人员应该理解，基于阅读说明书和研究附图，可以实现其各种更改、增加、互换以及等同物。因此，所有这些更改、增加、互换以及等同物都将落入所公开的实施例的实际精神和范围内。
图1A是示出根据本发明实施例的具有加热部分190的接近头110的侧视图。在示例性的半导体晶片处理系统100中，接近头110通过连接器130连接到流体源120。流体源120提供半导体晶片加工操作中使用的流体。示例性流体可以包括水、去离子水(DIW)、化学物质(chemistry)、化学物质与DIW的组合、以及化学物质与水的组合。然而，对于本技术领域的技术人员，很明显可以在半导体晶片处理系统100中使用任何适用于半导体晶片处理的流体。
虽然图1A示出的流体源120具有连接器130以将流体导向接近头110，但是另一实施例可以将流体源120直接连接到接近头110。在接近头110接收到流体之后，流体流入加热部分190中。加热部分190将流体加热到设定温度。此外，接近头110通过施加热量或者等待来控制流体的温度，直到加热部分190中的流体达到设定温度。流体当达到设定温度时流过接近头110底面上的一个或者多个出口。随后，经加热的流体接触到由晶片保持部140定位的晶片150的表面。晶片保持部140能够将晶片150支承得接近接近头110的底面。
在一些实施例中，可以在半导体晶片制造操作期间处理衬底(substrate)。例如，衬底可以采用不同的形状，例如平板衬底中采用的正方形或者长方形的形状。然而，为了简化，对诸如晶片150的圆形晶片进行说明。此外，晶片150可以相对于接近头110旋转或者直线移动。晶片150的实际直径可以变化。本示例包括200mm晶片和300mm晶片。然而，对于本领域普通技术人员，很明显，只要可以将晶片150放置得接近接近头100的底面，则任何晶片尺寸和形状都是可以的。
可以将通过第一出口192提供给晶片150的经加热流体与通过第二出口191提供的未加热流体相混合。相应地，第三出口196可以提供异丙醇(IPA)，而真空入口194从晶片150的表面去除所有流体。在一些实施例中，第三出口196可以不提供IPA。因此，在一些实施例中，真空入口194仅去除经加热的流体和未经加热的流体。任何提供给晶片150的表面的流体可以具有任意的覆盖面(footprint)。例如，流体覆盖面可以是大约两平方英寸。然而，任何流体覆盖面都是可以的，只要可以通过真空口194将该流体从晶片150的表面去除即可。
在一些实施例中，晶片150可以是固定的，而接近头110相对于晶片150移动。例如，图1B是示出根据本发明实施例的具有加热部分190的另一接近头110的侧视图。该接近头110可以在晶片150的表面上方沿方向160运动。在移动期间，接近头通过设置在接近头110的底面上的多个开口(port)来提供由加热部分190加热的流体。当然，对于本领域普通技术人员，很明显，只要接近头110不与晶片150发生碰撞，接近头110就可以沿任意方向移动。
尽管一个接近头110可以向晶片150的一个表面提供流体，而图1C则是示出根据本发明实施例的具有双接近头的半导体晶片处理系统100的侧视图。接近头110可以沿示出的方向(例如，方向160)移动。然而，如双接近头所示，接近头110可以有所不同。例如，绘于上方的接近头110描绘了覆盖接近头110的整个上部的加热部分190。另选地，绘于下方的接近头110描绘了覆盖接近头110的上部的一部分的加热部分190。此外，绘于下方的接近头110与预热器170相连接。预热器170能够提高要流入加热部分190的流体的温度。然后，经预热的流体流入加热部分190，以被最终加热到设定温度。因此预热器170使得流体能够达到更高的温度。此外，通过对流体进行预热，接近头110可以在较短的时间内更好地控制对经预热流体的加热。
图1D是根据本发明实施例的具有连接到能量源180的接近头110的半导体晶片处理系统100的侧视图。与具有多个用于提供经加热流体的出口的接近头不同，另一实施例可以通过一个出口192将经加热流体提供给晶片150的表面。加热部分190设置在接近头110的某部分中。如图1A到1D以及后续的附图所示，加热部分190可以具有任意尺寸和形状。此外，加热部分190可以包围接近头110的部分或者全部的区域。此外，虽然加热部分190完全设置在接近头110中，但是其它实施例可以将加热部分190部分地设置在接近头110中(未示出)。然而，只要加热部分190被构成得可以加热流体并将经加热的流体提供给晶片150，则在接近头110中可以按任何方式设置加热部分190的尺寸和形状。
流体可通过连接器(例如连接器130)流入加热部分190中。此外，一个或者多个连接器可以将多个流体传送到加热部分190中。例如，用于清洁操作的流体可以流入连接器130中，连接器130可以被称为第一连接器130。相应地，诸如用于刻蚀操作的刻蚀化学物质的流体可以流入第二连接器132中，用于镀敷操作的流体可以流入第三连接器134中。当然，对于本领域普通技术人员，很明显，可以将一个或者多个连接器用于任意数量和类型的流体。例如DIW可以流入第一连接器130中，化学物质可以流入第二连接器132中。因此只要加热部分190被构成为对流体进行加热，则可以由任意数量的连接器将流体导入加热部分190。
接近头110连接到能量源180。该能量源180将电流导入接近头110。导电材料将电流传导到加热部分190中以对流体进行加热。其它实施例可以不包括能量源180。例如，如图5和6所示，不需要能量源180来对加热部分190中的流体进行加热。如果利用能量源180来加热流体，那么能量源180可产生大约3kW来加热流体。然而，该值仅仅是示例性的，只要能量源180可以产生足够的功率来对加热部分190中的流体进行加热，则任何值都是可以的。
在其它示例性实施例中，不涉及电的任何类型的能量源180都是可行的。例如，已知激光对物体表面进行加热。因此，只要能量源180能够向加热部分190施加热量，则任何类型的能量源180都是可行的。
实施例还包括传感器185和控制器188。该传感器185设置在接近头110中，用于测量流过加热部分190的流体的温度。此外，传感器185可以设置在加热部分190中或者可以设置在加热部分190之外。对于本领域普通技术人员，很明显，只要传感器185可以测量流体的温度，传感器185就可以设置在任何位置处。在一个实施例中，传感器185是热电偶。然而，任何类型的传感器185都是可以的，只要其能够测量流体的温度即可。
与传感器185相连接的是控制器188。控制器188被构成为对加热部分190中的流体的温度进行控制。例如，比例积分微分(PID)控制器可以控制流体的温度。在设置了设定温度(其为应该到达晶片表面的流体的温度)之后，该控制器188可检测通过由传感器185的测量获得的流体的当前温度与设定温度之间的差。然后，控制器188确定从能量源180施加给加热部分190的电流量。
连接到控制器188的计算系统中的软件也可以管理控制器188。例如，在操作期间，该软件将设定温度设定在60℃。传感器185可以测量流体温度并确定流体温度是否低于60℃。该软件然后使用控制器188来检测温度差并且根据需要施加电流。如果流体温度高于60℃，那么该软件不进行处理，等待流体达到设定温度。对于本领域普通技术人员，可以将要施加的电流量和用于冷却的等待时间编写到软件中。在其它实施例中，只要接近头110中的加热部分190增加流体的温度，则任何控制流体温度的方法都是可行的，无论使用硬件或者软件。
图2是示出根据本发明实施例的具有阻性加热元件的接近头110的侧视图。加热部分190可以由阻性加热元件构成。示例性的阻性加热元件可以包括诸如碳化硅(SiC)、二硅化钼(MoSi2)、或其它导电材料的材料。诸如碳化硅的示例性材料能够被加热到大约100℃以上。然而，阻性加热元件可以是任何材料的，只要该材料能够被加热到等于或者大于设定温度即可。
如图2所示，阻性加热元件可以包括接近头110的一部分。例如，在接近头110的底面附近的部分可以在将流体提供给晶片150的表面之前对该流体加热。在其它实施例中，整个接近头110可以由阻性加热元件构成。因此，阻性加热元件的任何组成和结构都是可以的，只要该阻性加热元件能够加热流体即可。
本文描述的实施例在接近头110与晶片150的表面之间产生弯液面(fluid meniscus)210。可以使弯液面210与半导体晶片加工操作相关联地跨过晶片150移动，以清洁并干燥晶片150。例如，包括经加热流体的弯液面210可以用于刻蚀和镀敷操作。对于本领域普通技术人员，很明显，只要接近头110可以加热流体，包括经加热流体的弯液面210就可以用于任何半导体晶片加工操作。
当流体源120向加热部分190提供流体以进行加热时，传感器185测量流体的温度。一次或多次测量与控制器188相结合来控制流体的温度。从将流体提供给接近头110到将经加热流体提供给晶片150的时间量可变。例如，将流体温度提高到设定温度可能比等待流体温度降低到设定温度消耗更长的时间。因此，只要在将经加热流体提供给晶片150之前流体的温度达到设定温度，则任何时间量都是可以的。
对于温度为从大约40℃到大约95℃的弯液面210，经加热流体主要包括含水(water-based)化学物质，如DIW。然而，在其它实施例中，其它化学物质也是可以的。例如，如在2003年6月27日提交的题为“Apparatus and Method for Depositing and Planarizing Thin Filmsof Semiconductor Wafers”的第10/607,611号美国专利申请(在此通过引用并入其全部内容)所公开的镀敷操作过程中，弯液面210可以将包括镀敷化学物质的经加热流体提供给晶片150的表面。
在向加热部分190施加电流之后，电子转移(electron transfer)可能影响流体。例如，图3是示出根据本发明实施例的具有阻性加热元件330的另一接近头110的侧视图。该接近头110包括两个由阻性加热元件320和绝缘体330组成的加热部分190。当向阻性加热元件320施加电流时，绝缘体330防止电子转移到提供给晶片150表面的流体。绝缘体320的示例包括公知为Teflon的聚四氟乙烯(PTFE)和蓝宝石材料。PTFE可以是覆盖阻性加热元件320的敷层，蓝宝石材料可以是将阻性加热元件与流体隔离的镀敷层。然而，只要绝缘体330能够防止电子转移到流体，则任何类型的绝缘体就都是可以的。
如图3的实施例所示，加热部分190可以包围出口。此外，虽然示出垂直的加热部分190，但是包围引导流体的通道的水平加热部分190也是可以的，只要加热部分190对通道中的流体进行加热即可。另选实施例可以包围选择的出口，从而使得可以对流体进行选择性加热。
图4是示出根据本发明实施例的具有导线的接近头110的加热部分190的俯视图。该阻性加热元件也可以包括体电阻器(bulk resistor)，例如导线420。导线420可以是导线网，或者可以具有不一致的形状。无论导线420的构成如何，都还将导线420进行绝缘以防止电子转移到流体。例如，诸如陶瓷的绝缘体430可以将流体与导线420绝缘。当向导线420施加电流时，流过加热部分190的流体被加热到设定温度。当经加热的流体到达晶片150的表面时，接近头110形成弯液面210(参见图2)。因此，当晶片沿方向400旋转时，前导边缘(leading edge)480产生晶片150的湿区域，尾延边缘(trailing edge)490产生晶片150的干区域。湿区域是通过将经加热流体提供给晶片150而产生的。相应地，与将经加热的流体抽吸入到接近头110中相结合，晶片150和接近头110的运动产生干区域。
图5是示出根据本发明实施例的具有循环流体的接近头110的加热部分190的侧视图。在示例性实施例中，第一通道510可以将流体引导到设置在接近头110中的加热部分190。在加热部分190中，第二通道520使循环流体进行循环，从而防止第一通道510中的流体与第二通道520中的循环流体相混合。循环流体可以通过热交换来提高从第一通道510提供的流体的温度。示例性的循环流体可以是通过泵(未示出)提供的含水化学物质。然而，其它实施例可以在所述循环流体失去施加热量的能力时将所述循环流体与新循环流体进行交换。因此，只要加热部分190可以加热流体，任何引入和管理循环流体的方法就都是可以的。
在另一示例性实施例中，例如碳化硅的阻性加热元件可以与用于热交换的通道结合。在这样的实施例中，没有能量源180，因此不向SiC提供电流。碳化硅能够高导热。因此，由于将第二通道嵌入在传热性良好的材料中，所以至少一个第二通道520可以使流体循环以进行热交换。然而，如果材料(例如陶瓷)具有低导热率，那么可以能需要第二通道520的网络来进行热交换。
在图5中除了不包括能量源180，接近头110也不包括电绝缘。具体来说，因为循环流体为流体提供热量，所以不会从不存在的电流发生电子转移。当然，如果加热部分190将能量源180与用于使流体循环的通道相组合，那么接近头110可以包括绝缘。
图6是示出根据本发明实施例的具有循环流体的另一接近头110的加热部分190的另一侧视图。具体而言，与第二通道520不同，本示例性实施例的第二通道620具有不一致的形状。此外，第二通道620与第一通道510可以隔开一间隙。当流体经过第一通道510进入加热部分190时，第二通道620中的循环流体与第一通道510中的流体进行换热。因为间隙隔开两个通道，所以包围两个通道的材料可以是具有高导热率的材料。
任何加热流体的方法都是可以的。例如，图2到4示出了使用阻性加热元件来加热的方法。另选地，图5和6示出了使用换热器来加热的示例性方法。此外，阻性加热与换热的示例性结合也是可以的。因此，只要可以在接近头110的加热部分190中加热流体，任何加热流体的方法都是可以的。
为了将经加热的流体施加到晶片150的表面，接近头110可以相对于晶片150移动。例如，图7A是示出根据本发明实施例的接近头扫描方法的俯视图。该接近头110可以包括加热部分190。此外，接近头110可以连接到操纵接近头110的部件。例如，该部件可以是能够提供流体、去除流体、并使接近头110移动的臂720。例如，臂720可以使接近头110沿着径向方向712移动。另选地，臂720可以使接近头沿着光栅扫描(raster scan)方向714移动。
另选地，图7B是示出根据本发明实施例的另一接近头扫描方法的俯视图。在一个实施例中，接近头110可以比晶片150的直径长。因此，可以将循环流体提供给第二通道754，并且可以将待加热流体提供给第一通道752。因此，接近头110在将经加热流体提供给晶片150的表面时沿垂直方向740移动。当然，当接近头110具有垂直取向时，水平方向(未示出)的移动也是可以的。此外，关于图7A和7B，只要接近头110可以将经加热流体提供给晶片150的表面，则任何扫描晶片150的方法都是可以的。
图7C是根据本发明实施例的晶片150的与接近头110的加热部分190一起使用的区域的俯视图。在一个实施例中，接近头110包括多个用于提供和去除流体的开口。例如，接近头110的主体可以由碳化硅构成。碳化硅中嵌入有多个开口，如第一开口762、第二开口764、第三开口766、以及第四开口768。例如，第一开口762可以提供化学物质，而第二开口764可以提供DIW。第三开口766可以为真空，而第四开口可以提供IPA。在其它实施例中，只要多个开口可以从接近头110提供经加热流体，则开口的任意数量和组合都是可以的。
当晶片150沿方向700旋转时，接近头110提供经加热的流体以产生湿区域780。接近头110通过从晶片150的表面抽吸经加热的流体而产生干区域785。此外，当晶片150旋转时，经加热流体可以从晶片150的表面甩出。因此，只要接近头110可以按特定扫描方法与晶片150的移动相关联地移动，则任何产生湿区域780和干区域785的方法都是可以的。
图8是根据本发明实施例的用于加热接近头110中的流体的操作的流程图。可以在之前在图1D到4中公开的实施例中执行下面的示例性操作。在以操作810开始的示例性操作中，确定设定温度。接着，在操作820中，流体源120可以向接近头110提供流体。在流体到达接近头110之后，在操作830中，接近头110内的传感器185可以测量流体温度。然后，在操作840中，控制器188可以检测当前流体温度与设定温度之间的温度差。在操作850中，控制器188也可以通过施加热量或通过等待来控制温度。
例如，在阻性加热方法中，加热部分190可以包括连接到能量源180的导线420和诸如碳化硅的材料。能量源180可以向加热部分190施加电流以加热流经加热部分190的流体。另选地，具有循环流体的多个通道可以与待加热流体交换热量。不管用于加热流体的方法如何，控制器188都可以调节流体温度，直到流体温度与设定温度匹配。
接着在操作860中，接近头110通过位于接近头110底面的出口提供经加热流体。经加热流体用于多个半导体晶片加工操作，例如清洁和刻蚀操作。此后，在将经加热流体从晶片150的表面去除后，操作结束。
对于本领域普通技术人员，在此描述并通过附图示出的操作都是示例性的。此外，可以以任何顺序执行操作以使得可以对接近头110中的流体进行加热。例如，传感器185可以与提供流体并行地连续测量流体的温度。因此，操作顺序不限于特定顺序。
此外，在此描述的实施例与下列专利申请相关。具体地，通过应用并入下列相关申请的全部内容1)在2002年12月24日提交的、题目为“Meniscus，Vacuum，IPA Vapor，Drying Manifold”的第10/330,843号美国专利申请；2)在2002年12月24日提交的、题目为“System forSubstrate Processing with Meniscus，Vacuum，IPA Vapor，DryingManifold”的第10/330,897号美国专利申请；3)在2003年3月31日提交的、题目为“Vertical Proximity Processor”的第10/404,270号美国专利申请；4)在2003年3月31日提交的、题目为“Methods andSystems for Processing a Substrate Using a Dynamic Liquid Meniscus”的第10/404,692号美国专利申请；5)在2003年6月24日提交的、题目为“Methods and Systems for Processing a Bevel Edge a SubstrateUsing a Dynamic Liquid Meniscus”的第10/603,427号美国专利申请；6)在2003年6月24日提交的、题目为“System and Method forIntegrating In-Situ Metrology Within a Wafer Process”的第10/606,022号美国专利申请；7)在2003年6月30日提交的、题目为“Method and Apparatus for Cleaning a Substrate Using MegasonicPower”的第10/611,140号美国专利申请；以及8)在2003年12月18日提交的、题目为“Proximity Brush Unit Apparatus and Method”的第10/742,303号美国专利申请。
虽然为了理解的清楚，通过细节对上述发明进行了描述，但是，显然可以在所附权利要求的范围内实现某些变化和修改。因此，应该认为所述实施例是示例性的，而非限制性的，并且，本发明不限于本文给出的细节，而是可以在所附权利要求的范围和等同物之内进行变化。
权利要求
1.一种用于半导体晶片处理的方法，包括以下步骤向接近头提供流体；对接近头内的流体进行加热；以及将经加热的流体提供给半导体晶片的表面以用于晶片处理操作。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述晶片处理操作是清洁操作。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述晶片处理操作是刻蚀操作。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述晶片处理操作是镀敷操作。
5.根据权利要求2所述的方法，其中所述清洁操作中使用的流体是清洁化学物质和去离子水之一。
6.根据权利要求3所述的方法，其中所述刻蚀操作中使用的流体是刻蚀化学物质。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述对接近头内的流体进行加热的步骤进一步包括以下步骤对接近头内的流体的温度进行控制。
8.根据权利要求7所述的方法，其中所述对接近头内的流体的温度进行控制的步骤进一步包括以下步骤对接近头内的流体的温度进行监视；以及调节对流体的加热以将流体的温度保持在希望温度。
9.根据权利要求1所述的方法，进一步包括以下步骤从半导体晶片的表面去除经加热的流体。
10.一种用于半导体晶片处理的接近头，包括加热部分，被构成为提高流经该加热部分的流体的温度；设置在所述接近头内的传感器，用于测量流经加热部分的流体的温度；设置在加热部分中的通道，所述通道被构成为引导流体通过加热部分；以及底面，具有至少一个出口和至少一个入口，所述至少一个出口与设置在加热部分中的通道流动连通。
11.根据权利要求10所述的接近头，其中，所述加热部分由碳化硅组成，并连接到能量源。
12.根据权利要求10所述的接近头，其中，所述加热部分由其中散布有导电材料的绝缘材料组成，所述导电材料连接到能量源。
13.根据权利要求12所述的接近头，其中，所述绝缘材料由陶瓷材料组成。
14.根据权利要求12所述的接近头，其中，所述导电材料包括导线。
15.根据权利要求10所述的接近头，其中，所述加热部分中的所述通道是具有第一流动路径的第一通道，并且，所述加热部分还包括具有第二流动路径的第二通道，其中第一流动路径和第二流动路径是分离的。
16.根据权利要求10所述的接近头，其中，传感器连接到一控制器，该控制器被构成为对加热部分中的流体的温度进行控制。
17.一种半导体晶片处理系统，包括流体源；与流体源流动连通的接近头，该接近头包括加热部分，被构成为提高流经该加热部分的流体的温度，设置在所述接近头内的传感器，用于测量流经加热部分的流体的温度，设置在加热部分中的通道，所述通道被构成为引导流体通过加热部分，以及底面，具有至少一个出口和至少一个入口，所述至少一个出口与设置在加热部分中的通道流动连通；连接到接近头的第一部件，所述第一部件被构成以操纵接近头；以及被构成以支承晶片的第二部件，所述第二部件能够将半导体晶片放置得接近接近头的底面。
18.根据权利要求17所述的半导体晶片处理系统，其中，所述加热部分由碳化硅组成，并连接到能量源。
19.根据权利要求17所述的半导体晶片处理系统，其中，所述加热部分由其中散布有导电材料的绝缘材料组成，所述导电材料连接到能量源。
20.根据权利要求17所述的半导体晶片处理系统，其中，所述加热部分中的所述通道是具有第一流动路径的第一通道，并且，所述加热部分还包括具有第二流动路径的第二通道，其中第一流动路径与第二流动路径是分离的。
21.根据权利要求17所述的半导体晶片处理系统，其中，所述传感器连接到一控制器，该控制器被构成为对加热部分中的流体的温度进行控制。
全文摘要
提供了一种用于加热接近头中的流体的设备和方法。流体源向接近头中的通道提供流体。流体流入通道，经过接近头，流到位于接近头的底面上的出口。此外，在接近头内有对流体进行加热的加热部分。可以采用各种方法来对加热部分中的流体进行加热。例如，可以通过阻性加热和热交换来对流体进行加热。然而，任何用于加热接近头中的流体的机制都是可以的。在对流体进行加热后，接近头通过出口将经加热的流体提供给半导体晶片的表面。设置于出口附近的入口对经加热的流体进行抽吸，以从半导体晶片的表面去除经加热的流体。
文档编号C25D5/22GK1722372SQ20051006377
公开日2006年1月18日 申请日期2005年3月31日 优先权日2004年3月31日
发明者卡特里娜·米哈力成科, 约翰·德拉里奥斯 申请人:拉姆研究公司