专利名称：集成电路引线框架的电镀方法
技术领域：
本发明涉及一种集成电路引线框架的制造方法，特别是涉及一种表面局部电镀的
集成电路引线框架的电镀方法。
背景技术：
集成电路引线框架(比如行业通用型号QFN—方型扁平无引脚封装、QFP—四侧 引脚扁平封装等)是制造集成电路半导体元件的基本部件。为满足制造集成电路半导体元 件的需求，集成电路引线框架的表面局部区域需要电镀金属银或镍钯金，其余部分不要求 有镀层，否则无法满足制造集成电路半导体元件的需求，所以集成电路引线框架进行电镀 时需要用电镀掩膜对其表面不需要进行电镀的部分进行保护。现有技术集成电路弓I线框架 的电镀方法(如图1所示的工序图)为贴干膜；曝光；显影；电镀；退干膜，而这种电镀方 法采用全涂干膜加曝光和显影的工艺步骤，来形成电镀掩膜，但是由于干膜的价格较高，且 在工艺过程中需要在集成电路引线框架的表面全贴干膜，在进行曝光显影去掉需电镀区对 应的干膜，则干膜的浪费量大，所以电镀的成本很高，不利于引线框架的批量生产。
发明内容
本发明的目的是为解决以上技术问题，提供一种电镀成本较低，有利于批量生产 的集成电路引线框架的电镀方法。
本发明的技术方案是一种集成电路引线框架的电镀方法，它包括以下步骤
①.根据引线框架制作丝网印版； ②.将感光油墨稀释，感光油墨与稀释剂掺和比例为7 : 3; ③.将稀释后的感光油墨铺满丝网印版的上端面后，对引线框架进行印版，在引 线框架的上下表面形成油墨膜层； .对印版后的引线框架进行烘干，烘干温度为80°C 160°C，时间为5 45分 钟； ⑤.对烘干后的引线框架进行曝光，曝光要求在无尘的环境下进行，曝光时间为 10 30秒，光照强度为100 1400MJ，环境温度为10°C 50°C ; .对曝光后的引线框架用显影液进行显影，显影时间为100 200秒，显影后用 清水冲洗并晾干； ⑦.将步骤⑥处理完的引线框架接上导线后，放入电镀液中进行电镀，完成后使 用清水进行清洗并晾干； ⑧.对电镀完的引线框架进行退膜处理，喷洒氢氧化钾溶液去除油墨膜层，喷洒 时间100 300秒，温度为40°C 80°C ; ⑨.将步骤⑧处理完的引线框架用清水清洗完，并晾干即可。
所述的感光油墨为感光绿油。 所述的步骤④中的烘干温度为100°C 140°C，时间为10 30分钟。
所述的步骤⑤中的曝光时间为15 25秒，光照强度为300 1200MJ，环境温度为 15°C 45°C。 所述的步骤⑥中的显影液为Na2C03 10H20，显影时间为120 180秒。
所述的氢氧化钾溶液的浓度为40 50g/L。 所述的步骤⑧中的喷洒时间为150 250秒，温度为50°C 70°C 。 与现有技术相比，本发明由于采用了先用感光油墨及丝网印版技术来在引线框架
上涂膜，再进行曝光显影及电镀，则丝网印版只是针对特定区域进行的印版，能够有效的节
省感光油墨的用量，感光油墨的用量要明显少于干膜的用量，再者感光油墨的价格明显低
于干膜的价格。因此本发明电镀成本较低，有利于批量生产。
图1为现有技术集成电路引线框架的电镀方法的工序示意图。
图2为本发明集成电路引线框架的电镀方法的工序示意图。
具体实施例方式
下面结合具体实施实例说明，但本发明不仅限于以下具体实施实例
实施例1 如图2所示一种集成电路引线框架的电镀方法，它包括以下步骤
①.根据引线框架制作丝网印版5，按常规的刻制丝网印版5的方法即可；
②.将感光油墨6稀释，感光油墨6与稀释剂掺和比例为7 : 3，所述的感光油墨 6为感光绿油，感光绿油和稀释剂均为市售产品，稀释剂为香港太阳油墨有限公司(Taiyo ink international limited)生产的型号为CA-40 AUS303，只需购买后按比例配制即可；
③.将稀释后的感光油墨6铺满丝网印版5的上表面后，如图2(a)所示对引线框 架1进行双面印版，则如图2 (b)在引线框架1的上下表面的局部区域形成油墨膜层7，印版 的手法与常规的印版手法相同； .对印版后的引线框架l进行烘干，烘干在常规的锯炉中进行，烘干温度为 100°C 120。C，时间为25 30分钟； ⑤.对烘干后的引线框架1进行曝光，曝光要求在无尘的环境下进行，如图2(c) 所示曝光时在引线框架1的上下表面放上玻璃掩膜3，玻璃掩膜3上设有遮光部3a，遮光部 3a用遮挡曝光时的光线防止油墨膜层7曝光，曝光时间为20 25秒，光照强度为300 1200MJ，环境温度为15°C 2(TC，其它手法同现有技术曝光的手法； .对曝光后的引线框架l用显影液进行显影，显影时间为120 140秒，所述的 显影液为Na2C03 101120，显影后用清水冲洗并晾干，则如图2(d)所示，可以除去油墨膜层7 未被光线照射到的部分，达到精密掩膜的目的； ⑦.将步骤⑥处理完的引线框架l接上导线后，放入电镀液中进行电镀，依次进行 镍Ni、钯Pd、金Au的电镀，完成后使用清水进行清洗并晾干，如图2(e)所示在引线框架1 上无油墨膜层7的部分形成镀层4，电镀方法及参数采用现有技术的方法及参数；
⑧.对电镀完的引线框架1进行退膜处理，喷洒氢氧化钾溶液去除油墨膜层7，则 可以得到如图2 (f)所示的只带镀层4的引线框架1，喷洒时间150 200秒，温度为50°C 55t:，所述的氢氧化钾溶液的浓度为40g/L ; ⑨.将步骤⑧处理完的引线框架1用清水清洗，并晾干即可。
实施例2 如图2所示的一种集成电路引线框架的电镀方法，它包括以下步骤
①.根据引线框架制作丝网印版，按常规的刻制丝网印版5的方法即可；
②.将感光油墨6稀释，感光油墨6与稀释剂掺和比例为7 : 3，所述的感光油墨 6为感光绿油，感光绿油和稀释剂均为市售产品，稀释剂为香港太阳油墨有限公司(Taiyo inkinternational limited)生产的型号为CA-40 AUS303，只需购买后按比例配制即可；
③.将稀释后的感光油墨6铺满丝网印版5的上表面后，如图2(a)所示对引线框 架1进行双面印版，则如图2 (b)在引线框架1的上下表面的局部区域形成油墨膜层7，印版 的手法与常规的印版手法相同； .对印版后的引线框架进行烘干，烘干可以在常规的锯炉中进行，烘干温度为 110°C 130。C，时间为15 25分钟; ⑤.对烘干后的引线框架1进行曝光，曝光要求在无尘的环境下进行，如图2(c) 所示曝光时在引线框架1的上下表面放上玻璃掩膜3，玻璃掩膜3上设有遮光部3a，遮光部 3a用遮挡曝光时的光线防止油墨膜层7曝光，曝光时间为18 22秒，光照强度为300 1200MJ，环境温度为25°C 35t:，其它手法同现有技术曝光的手法； .对曝光后的引线框架1用显影液进行显影，显影时间为140 160秒，所述的 显影液为Na2C03 101120，显影后用清水冲洗并晾干，则如图2(d)所示，可以除去油墨膜层7 未被光线照射到的部分，达到精密掩膜的目的； ⑦.将步骤⑥处理完的引线框架l接上导线后，放入电镀液中进行电镀，依次进行 镍Ni、钯Pd、银Ag的电镀，完成后使用清水进行清洗并晾干，如图2(e)所示在引线框架1 上无油墨膜层7的部分形成镀层4，电镀方法及参数采用现有技术的方法及参数；
⑧.对电镀完的引线框架1进行退膜处理，喷洒氢氧化钾溶液去除油墨膜层7，则 可以得到如图2(f)所示的只带镀层4的引线框架l，喷洒时间180 210秒，温度为55t: 65t:，所述的氢氧化钾溶液的浓度为45g/L。； ⑨.将步骤⑧处理完的引线框架1用清水清洗，并晾干即可。
实施例3 如图2所示的一种集成电路引线框架的电镀方法，它包括以下步骤
①.根据引线框架制作丝网印版，按常规的刻制丝网印版5的方法即可；
②.将感光油墨6稀释，感光油墨6与稀释剂掺和比例为7 : 3，所述的感光油墨 6为感光绿油，感光绿油和稀释剂均为市售产品，稀释剂为香港太阳油墨有限公司(Taiyo inkinternational limited)生产的型号为CA-40AUS303，只需购买后按比例配制即可；
③.将稀释后的感光油墨6铺满丝网印版5的上表面后，如图2(a)所示对引线框 架1进行双面印版，则如图2 (b)在引线框架1的上下表面的局部区域形成油墨膜层7，印版 的手法与常规的印版手法相同； .对印版后的引线框架进行烘干，烘干可以在常规的锯炉中进行，烘干温度为 120°C 140。C，时间为10 20分钟； ⑤.对烘干后的引线框架1进行曝光，曝光要求在无尘的环境下进行，如图2(c)
5所示曝光时在引线框架1的上下表面放上玻璃掩膜3，玻璃掩膜3上设有遮光部3a，遮光部 3a用遮挡曝光时的光线防止油墨膜层7曝光，曝光时间为15 20秒，光照强度为300 1200MJ，环境温度为35°C 45t:，其它手法同现有技术曝光的手法； .对曝光后的引线框架1用显影液进行显影，显影时间为160 180秒，所述的 显影液为Na2C03 101120，显影后用清水冲洗并晾干，则如图2(d)所示，可以除去油墨膜层7 未被光线照射到的部分，达到精密掩膜的目的； ⑦.将步骤⑥处理完的弓I线框架1接上导线后，放入电镀液中进行电镀银Ag的电 镀，完成后使用清水进行清洗并晾干，如图2(e)所示在引线框架1上无油墨膜层7的部分 形成镀层4，电镀方法及参数采用现有技术的方法及参数； ⑧.对电镀完的引线框架1进行退膜处理，喷洒氢氧化钾溶液去除油墨膜层7，则 可以得到如图2 (f)所示的只带镀层4的引线框架1，喷洒时间200 250秒，温度为60°C 7(TC，所述的氢氧化钾溶液的浓度为50g/L。； ⑨.将步骤⑧处理完的引线框架1用清水清洗，并晾干即可。
实施例4 如图2所示一种集成电路引线框架的电镀方法，它包括以下步骤
①.根据引线框架制作丝网印版5，按常规的刻制丝网印版5的方法即可；
②.将感光油墨6稀释，感光油墨6与稀释剂掺和比例为7 : 3，所述的感光油墨 6为感光绿油，感光绿油和稀释剂均为市售产品，稀释剂为香港太阳油墨有限公司(Taiyo ink international limited)生产的型号为CA-40AUS303，只需购买后按比例配制即可；
③.将稀释后的感光油墨6铺满丝网印版5的上表面后，如图2(a)所示对引线框 架1进行双面印版，则如图2 (b)在引线框架1的上下表面的局部区域形成油墨膜层7，印版 的手法与常规的印版手法相同； .对印版后的引线框架l进行烘干，烘干在常规的锯炉中进行，烘干温度为 100°C 120。C，时间为25 30分钟； ⑤.对烘干后的引线框架1进行曝光，曝光要求在无尘的环境下进行，如图2(c) 所示曝光时在引线框架1的上下表面放上玻璃掩膜3，玻璃掩膜3上设有遮光部3a，遮光部 3a用遮挡曝光时的光线防止油墨膜层7曝光，曝光时间为20 25秒，光照强度为300 1200MJ，环境温度为15°C 2(TC，其它手法同现有技术曝光的手法； .对曝光后的引线框架1用显影液进行显影，显影时间为120 140秒，所述的 显影液为Na2C03 101120，显影后用清水冲洗并晾干，则如图2(d)所示，可以除去油墨膜层7 未被光线照射到的部分，达到精密掩膜的目的； ⑦.将步骤⑥处理完的引线框架l接上导线后，放入电镀液中进行电镀，依次进行 铜Cu、镍Ni、钯Pd、金Au的电镀，完成后使用清水进行清洗并晾干，如图2(e)所示在引线框 架1上无油墨膜层7的部分形成镀层4，电镀方法及参数采用现有技术的方法及参数；
⑧.对电镀完的引线框架1进行退膜处理，喷洒氢氧化钾溶液去除油墨膜层7，则 可以得到如图2 (f)所示的只带镀层4的引线框架1，喷洒时间150 200秒，温度为50°C 55t:，所述的氢氧化钾溶液的浓度为40g/L ; ⑨.将步骤⑧处理完的引线框架1用清水清洗，并晾干即可。
以上的生产设备均采用常规技术的生产设备。
权利要求
一种集成电路引线框架的电镀方法，其特征在于它包括以下步骤①.根据引线框架(1)制作丝网印版(5)；②.将感光油墨(6)稀释，感光油墨(6)与稀释剂掺和比例为7∶3；③.将稀释后的感光油墨(6)铺满丝网印版(5)的上表面后，对引线框架(1)进行印版，在引线框架(1)的上下表面形成油墨膜层(7)；④.对印版后的引线框架(1)进行烘干，烘干温度为80℃～160℃，时间为5～45分钟；⑤.对烘干后的引线框架(1)进行曝光，曝光要求在无尘的环境下进行，曝光时间为10～30秒，光照强度为100～1400MJ，环境温度为10℃～50℃；⑥.对曝光后的引线框架(1)用显影液进行显影，显影时间为100～200秒，显影后用清水冲洗并晾干；⑦.将步骤⑥处理完的引线框架(1)接上导线后，放入电镀液中进行电镀，完成后使用清水进行清洗并晾干；⑧.对电镀后的引线框架(1)进行退膜处理，喷洒氢氧化钾溶液去除油墨膜层(7)，喷洒时间100～300秒，温度为40℃～80℃；⑨.将步骤⑧处理完的引线框架(1)用清水清洗完，并晾干即可。
2. 根据权利要求1所述的集成电路引线框架的电镀方法，其特征在于所述的感光油 墨(6)为感光绿油。
3. 根据权利要求1所述的集成电路引线框架的电镀方法，其特征在于所述的步骤④中的烘干温度为100°C 140°C，时间为10 30分钟。
4. 根据权利要求1所述的集成电路引线框架的电镀方法，其特征在于所述的步骤⑤中的曝光时间为15 25秒，光照强度为300 1200MJ，环境温度为15°C 45°C。
5. 根据权利要求1所述的集成电路引线框架的电镀方法，其特征在于所述的步骤⑥ 中的显影液为Na2C03 101120，显影时间为120 180秒。
6. 根据权利要求1所述的集成电路引线框架的电镀方法，其特征在于所述的氢氧化 钾溶液的浓度为40 50g/L。
7. 根据权利要求1所述的集成电路引线框架的电镀方法，其特征在于所述的步骤⑧ 中的喷洒时间为150 250秒，温度为50°C 70°C。
全文摘要
本发明公开了一种集成电路引线框架的电镀方法，其特征在于它包括以下步骤①制作丝网印版(5)；②稀释感光油墨(6)；③对引线框架(1)进行印版；④烘干；⑤曝光；⑥显影；⑦电镀金属层；⑧退膜；⑨清洗，并晾干。与现有技术相比，由于采用了先用感光油墨及丝网印版技术来在引线框架上涂膜，再进行曝光显影及电镀，则丝网印版只是针对特定区域进行的印版，能够有效的节省感光油墨的用量，感光油墨的用量要明显少于干膜的用量，再者感光油墨的价格明显低于干膜的价格。因此本发明电镀成本较低，有利于批量生产。
文档编号C25D7/00GK101713088SQ20091015458
公开日2010年5月26日 申请日期2009年11月10日 优先权日2009年11月10日
发明者邓道斌, 郑康定, 马叶军 申请人:宁波康强电子股份有限公司