技术总结
本发明提供了一种高密度孪晶金属材料的制备方法，包括如下步骤，S1：选取具有良好导电性能的金属片，除油、除锈、抛光处理后，用砂纸在所述金属片表面打磨出若干相互平行的凹槽，任意两个凹槽之间为平整凸条，所述凹槽和所述凸条呈周期间隔排列；S2：使用直流电沉积方法，电解液选择高纯水或者金属盐溶液，阴极和阳极皆选用S1中打磨后的金属片，进行电沉积，得到高密度孪晶金属材料。本发明提供的制备方法，工艺简单，成本低，能够获得生长晶界间距为2‑5nm，且分布均匀的高密度孪晶金属材料。
技术研发人员：田翠锋;王萍;刘红梅;
受保护的技术使用者：山西大同大学;
文档号码：201610144142
技术研发日：2016.03.08
技术公布日：2016.07.27