1.铝表面电沉积制备低吸收率与高半球发射率氧化膜的方法，其特征在于，所述的制备方法包括以下步骤：
(1)对铝合金进行阳极氧化处理：所述铝合金为6063铝合金，在电解液中进行氧化，其中，氧化工艺为：电流密度为0.5-2.5A/dm2，氧化槽液的温度为2-26℃，氧化时间为10-120min；
(2)超声脉冲电沉积制备热控涂层：将经步骤(1)预处理后的铝合金浸入电解液中进行超声脉冲电沉积制备二氧化硅，电沉积的工艺为：电压为3-5V，电沉积时间300-1200s。
2.根据权利要求1所述的铝表面电沉积制备低吸收率与高半球发射率氧化膜的方法，其特征在于，所述步骤(1)中对铝合金进行阳极氧化处理的电解液为H2SO4，质量浓度为16-18％。
3.根据权利要求1所述的铝表面电沉积制备低吸收率与高半球发射率氧化膜的方法，其特征在于，所述步骤(2)中超声脉冲电沉积制备二氧化硅的电解液的组分为：正硅酸乙酯0.1-0.3L，无水乙醇0.4-0.6L，表面活性剂0.2-5g，硝酸钾5-10g，蒸馏水0.5-1L，H2SO4调节pH到2-5。
4.根据权利要求3所述的铝表面电沉积制备低吸收率与高半球发射率氧化膜的方法，其特征在于，所述表面活性剂为十六烷基三甲基溴化胺或者十二烷基苯磺酸钠。
5.根据权利要求1所述的铝表面电沉积制备低吸收率与高半球发射率氧化膜的方法，其特征在于，所述超声脉冲电沉积的电源频率为500-2000Hz，占空比为40-80％，搅拌超声波频率为10kHz-40kHz，功率为50W-350W。