铝表面电沉积制备低吸收率与高半球发射率氧化膜的方法与流程

文档序号:12251977阅读:来源:国知局
技术总结
本发明涉及一种铝合金表面热控涂层的超声脉冲电沉积制备方法,具体涉及一种铝合金表面制备低比值太阳吸收率/半球发射率复合氧化膜的制备方法。本发明的制备方法按以下步骤实现:一、铝合金表面前处理;二、铝合金阳极氧化;三、将氧化后的铝合金进行超声脉冲电沉积二氧化硅溶胶;然后用蒸馏水清洗铝合金表面并干燥,即在铝合金表面得到低吸收率高发射率的热控涂层,涂层的太阳吸收率在0.10‑0.20之间,半球发射率在0.80‑0.95之间,是性能优良的低太阳吸收率和高半球发射率的热控涂层。

技术研发人员:陈东初;倪磊;常萌蕾;魏红阳
受保护的技术使用者:佛山科学技术学院
文档号码:201610828244
技术研发日:2016.09.18
技术公布日:2017.02.22

当前第3页1 2 3 
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1