专利名称：镀膜玻璃的除膜工艺及设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及除去玻璃镀膜生产中出现的镀膜质量不合格的镀膜基片上的镀膜膜层的工艺方法及其设备。
随着玻璃镀膜技术的兴起，镀膜玻璃的应用领域越来越广，对镀膜质量的要求也越来越高，在镀膜玻璃的生产中出现废品在所难免，在这些废品的镀膜玻璃基片上，由于这层膜层的存在，既不能被用来重新镀膜，也不能将其回窑重新熔制玻璃基片而被利用。目前，通常的处理办法是将其砸碎后，埋入地下。而除去这层质量不合格的膜层后，再在其玻璃基片上进行重新镀膜的除膜工艺及设备，目前在国内外尚未见有文献记载与报导，在国内尚未见有人使用过。
本发明的任务是提供一种成本低廉、操作简单、除膜质量可靠的镀膜玻璃除膜工艺方法及其设备。
目前，各种镀膜玻璃的膜层材料大体有单质膜、反应膜和复合膜三种。本发明采作下列方法对镀膜质量不合格的镀膜玻璃基片进行除膜将镀有不同膜层材料的膜层的玻璃基片浸入不同的酸溶液或碱溶液或盐溶液中，然后加热煮沸一定时间，即可除去膜层。例如将镀有Cu单质膜的玻璃基片浸入18%的硝酸溶液中，加热煮沸40分钟，即可除去膜层;将镀有CrO2反应膜的玻璃基片浸入18%的氢氧化钠溶液中，加热煮沸32分钟，即可除去膜层;将镀有Cr单质膜的玻璃基片浸入18%的硝酸钠溶液中，加热煮沸20分钟，即可除去膜层。
将镀有不同膜层材料的膜层的玻璃基片，浸泡在酸性溶液或者碱性溶液中，其膜层就可开始脱落，长时间浸泡，直至膜层全部脱掉。例如将镀有Cu单质膜的玻璃基片浸泡在酸性溶液中24小时，膜层逐渐脱落，直至膜层全部脱掉;将镀有CrO2反应膜的玻璃基片浸泡在碱性(PH＞8.4)溶液中47小时，膜层逐渐脱落，直至膜层全部脱掉。
一种除掉玻璃基片上(镀膜层质量不合格的)镀膜膜层的工艺方法，是将带有镀膜膜层的玻璃基片放入酸溶液中，或者放入碱溶液中，或者放入盐溶液中，以镀膜膜层接触阳极，并接通直流电流。于是玻璃基片上的镀膜膜层被全部除掉。再经清洗、风干后，玻璃基片恢复到原来状态。除去镀膜膜层的玻璃基片完全符合重新进行镀膜的质量要求。
一种除掉玻璃基片(镀膜层质量不合格的)镀膜膜层的专用设备，主要是由提升机构、介质槽和电源组成，提升机构位于介质槽上方，介质槽用以盛装介质溶液。所谓介质溶液是指酸溶液，或者碱溶液，或者盐溶液。介质槽可增设包括槽隔板的介质溶液循环系统;还可增设超声波换能器。以得到更佳的除膜效果。
本发明的优点在于镀膜玻璃质量不合格的玻璃基片全部可以回收利用，从而产生很好的经济效益和社会效益，而且效率高、成本低、操作简便。
图1除膜设备示意图最佳实施例除膜设备由提升机构(1)、介质槽(2)和控制电源(3)组成。提升机构(1)位于介质槽(2)的上方。控制电源(3)为介质槽电源(18)、提升机构(1)的电机和介质溶液循环系统电机(1)的电源。提升机构(1)由支承架(01)、链条(02)、链轮(03)、柱杆(04)、导向架(05)、支架(06)和托板(16)组成。介质槽(2)由槽体(14)、盖板(07)、阳极(15)和阴极(16)组成。附加的介质溶液循环系统由槽隔板(08)、电机(10)、叶片泵(11)、过滤器(12)、单向阀(09)和压力表(13)组成。以及附加的超声波换能器(19)。
将浓度为22%的NaCl溶液加入介质槽(2)内，并在其中加入少许，例如10克的KMnO4。溶液介质温度为25℃，启动介质溶液循环系统，使其流量为100L/min。将欲除膜的玻璃基片(20)(其膜层材料为Cu单质膜)在提升机构(1)上加固好后，向下以0.5m/min的速度置于介质溶液中。并应接通介质槽电源(18)，其直流电压为30V，直流电流为3A。当玻璃基片(20)运动到最后位置时，除膜工作即已完成。除膜后的玻璃基片(20)还要进行冲洗和热风烘干，然后就可重新进行镀膜。
权利要求
1.一种除掉玻璃基片上镀膜膜层的工艺方法，其特征是将带有镀膜膜层的玻璃基片放入酸溶液中、或者放入碱溶液中、或者放入盐溶液中，以镀膜膜层接触阳极，并接通直流电流。即可将玻璃基片上的镀膜膜层除掉。
2.一种除掉玻璃基片上镀膜膜层的设备，其特征是同提升机构、介质槽和电源组成，提升机构位于介质槽的上方。
全文摘要
在玻璃镀膜生产中的废品的玻璃基片上，由于这层镀膜的存在既不能来重新镀膜，也不能回窑重新熔制玻璃基片，只好全部丢弃。本发明提供一种除膜工艺和设备将带有镀膜膜层的玻璃基片放入酸溶液、碱溶液或盐溶液中，以镀膜膜层为阳极，并接通直流电流，即可除去玻璃基片的镀膜膜层；除膜设备由提升机构、介质槽和电源组成，提升机构位于介质槽的上方。除膜后再经过清洗、风干，玻璃基片就可重新进行镀膜。
文档编号C25F5/00GK1078506SQ92106180
公开日1993年11月17日 申请日期1992年5月14日 优先权日1992年5月14日
发明者高霁, 王毓民 申请人:高霁, 王毓民