技术特征：
技术总结
使用并不具有特别的功能的通常的成膜装置且无需精密的控制地制造并提供低摩擦性与耐磨耗性优异的活塞环。一种活塞环，其为在环状基材的表面上被覆有非晶碳膜的活塞环，并且非晶碳膜是使用CVD法而成膜，且自基材表面朝向膜表面交替形成有sp2键相对于sp3键的比率sp2/sp3比连续增加的增加区域以及sp2/sp3比连续减少的减少区域，并且在增加区域与减少区域的边界中sp2/sp3比连续地发生变化，由此以交替层叠的方式形成sp2/sp3比低的软质膜与sp2/sp3比高的硬质膜，且减少区域构成为与增加区域相比为相同数量或少1个区域。
技术研发人员：大城竹彦;三宅浩二;辻冈正宪;吉田聡
受保护的技术使用者：日本ITF株式会社;本田技研工业株式会社
技术研发日：2015.08.10
技术公布日：2018.04.17