电致发光显示装置的缺陷检查方法及装置、以及制造方法

专利名称：电致发光显示装置的缺陷检查方法及装置、以及制造方法
技术领域：
本发明涉及各像素中具有电致发光元件的显示装置的电致发光元件 所引起的缺陷、或对电致发光元件进行驱动的晶体管所引起的缺陷的检 查。
背景技术：
在各像素的显示元件中采用了作为自发光元件的电致发光元件(以下
称为EL元件)的EL显示装置，作为下一代平面显示装置而被期待，正 在进行研究开发。
这种EL显示装置，在作成了于玻璃或塑料等的基板上形成EL元件 以及按每个像素驱动该EL元件用的薄膜晶体管(TFT)等的EL面板之后， 经过几次检查，作为产品出厂。在目前的EL显示装置中，成品率的提高 非常重要，在要求EL元件和TFT等的制造工序的改良、和材料的改良等 的同时，还要求实现检査工序中的效率化。
专利文献1:特开2005-149768号
专利文献2:特开2005-149769号
在对目前的EL显示装置进行的检查中，例如，使其显示分别针对RGB 的光栅图像或单像管图形(monoscopepattern,千乂7n八。夕一y)，来检 查显示缺陷等的不良项目。作为不良项目，包括显示不均、灭点、亮点等。
对于亮点而言，大多因相应像素电路的短路等引起，在该情况下，采 用通过激光照射等使像素电路绝缘化而灭点化等方法。
另一方面，对于显示不均(DIM)和灭点而言，逐渐发现存在各种原 因。在表面上是同样的显示缺陷但其产生原因不同的情况下，需要确定其 原因后进行与原因相应的修正。但是，尚未确立与产生原因相应的有效的 检査方法。

发明内容
本发明的目的在于，正确且高效地进行EL显示装置的缺陷检査。
本发明是一种电致发光显示装置的缺陷检查方法，所述显示装置在各 像素中包括电致发光元件；和元件驱动晶体管，其与该电致发光元件连 接，用于控制该电致发光元件中流动的电流，向各像素供给使所述电致发 光元件为发光程度的检查用导通显示信号，并且，使所述元件驱动晶体管 在该晶体管的饱和区域动作，观察所述电致发光元件的发光状态，将发光 亮度小于基准亮度的像素检测为异常显示缺陷像素，向各像素供给使所述 电致发光元件为发光程度的检査用导通显示信号，并且，使所述元件驱动 晶体管在该晶体管的线性区域动作，观察所述电致发光元件的发光状态， 将不发光像素检测为由所述电致发光元件引起的灭点缺陷像素，将被检测 为所述异常显示缺陷像素的像素中的未被检测为所述灭点缺陷像素的像 素，检测为由所述元件驱动晶体管引起的暗点缺陷像素。
本发明的另一方式是一种电致发光显示装置的缺陷检查方法，所述显 示装置在各像素中包括二极管构造的电致发光元件；和元件驱动晶体管， 其与该电致发光元件连接，用于控制该电致发光元件中流动的电流，向各 像素供给使所述电致发光元件为发光程度的检査用导通显示信号，并且， 使各像素的所述元件驱动晶体管在该晶体管的线性区域动作，检测所述电 致发光元件的阴极电流，在该阴极电流的值比规定值大时，将该像素判定 为由所述电致发光元件引起的灭点缺陷像素。
此外，在本发明中，在上述缺陷检查方法中，在对各像素的所述电致 发光元件施加反向偏压之后，执行所述灭点缺陷像素的检测，从而能在使 灭点明显化之后执行该灭点缺陷检查。
本发明的另一方式是一种电致发光显示装置的缺陷检查方法，所述显 示装置在各像素中包括二极管构造的电致发光元件；和元件驱动晶体管， 其与该电致发光元件连接，用于控制该电致发光元件中流动的电流，向各 像素供给使所述电致发光元件为发光程度的检査用导通显示信号，并且， 使所述元件驱动晶体管在该晶体管的饱和区域动作，检测所述电致发光元 件的阴极电流，在该阴极电流的值比规定值小时，将该像素检测为由所述元件驱动晶体管引起的暗点缺陷像素。
本发明的另一方式是一种电致发光显示装置的缺陷检查装置，所述电 致发光显示装置在各像素中包括二极管构造的电致发光元件；和元件驱 动晶体管，其与该电致发光元件连接，用于控制该电致发光元件中流动的 电流，所述电致发光显示装置的缺陷检查装置包括电源产生部，其产生 在缺陷检查时向各像素供给的电源；检查用信号产生部，其产生检查用的
定时信号以及检查用导通显示信号；电流检测部，其检测所述电致发光元 件的阴极电流；和缺陷判定部。
这里，在本发明的方式中，根据所述电源以及所述定时信号，使各像 素的所述元件驱动晶体管在该晶体管的线性区域动作，并且，向该像素供 给使所述电致发光元件为不发光程度的检査用截止显示信号和使其为发 光程度的检查用导通显示信号，所述电流检测部对所述检查用截止显示信 号所对应的所述电致发光元件的阴极电流、与所述检査用导通显示信号所 对应的所述电致发光元件的阴极电流的导通截止电流差进行检査，缺陷判 定部将所述导通截止电流差与基准值比较，当该导通截止电流差比所述基 准值大时，可将该像素判定为由所述电致发光元件引起的灭点缺陷像素。
另外，在本发明的另一方式中，如上述的检查装置根据所述电源以及 所述定时信号，使各像素的所述元件驱动晶体管在该晶体管的饱和区域动 作，并且，向该像素供给使所述电致发光元件为不发光程度的检査用截止 显示信号、和使所述电致发光元件为发光程度的检查用导通显示信号，所 述电流检测部对所述检查用截止显示信号所对应的所述电致发光元件的 阴极电流、与所述检查用导通显示信号所对应的所述电致发光元件的阴极 电流的导通截止电流差进行检查，缺陷判定部将所述导通截止电流差与基 准值比较，当该导通截止电流差比所述基准值小时，可将该像素判定为由 所述元件驱动晶体管引起的暗点缺陷像素。 (发明效果)
根据本发明者的研究可明确，当使设置在各像素中的、对EL元件进 行驱动的元件驱动晶体管在线性区域动作，并使EL元件发光时，若EL 元件中发生短路，则可观察到不发光像素即灭点，并且与未发生短路时的 正常情况相比，该EL元件中流动的电流值大。另外，当使元件驱动晶体管在饱和区域动作，并使EL元件发光时，在发生了上述EL元件的短路 以及TFT的特性变动的情况下，该像素变为异常显示(发光亮度比正常时 低或不发光)。也可明确此时的EL元件中流动的电流值比正常时小。
因此，如本发明所述，使元件驱动晶体管在线性区域动作，通过观察 EL元件或对EL元件的阴极电流值进行测定，可高精度地检测由EL元件 的短路引起的灭点缺陷。
另外，使元件驱动晶体管在饱和区域动作，通过观察EL元件，可检 测由该元件驱动晶体管的特性偏差引起的异常显示、和由EL元件的短路 引起的异常显示。因此，如上所述，通过将使晶体管在线性区域动作时观 察到的灭点缺陷像素从判定为该异常显示缺陷像素的像素中除去，可简单 地将元件驱动晶体管的特性偏差所引起的异常显示像素确定为暗点缺陷 像素。另外，若测定EL元件的阴极电流值，则在因EL元件的短路而产 生异常显示时，与正常时的阴极电流值之差小，但在因元件驱动晶体管的 特性偏差而EL元件中的发光亮度降低时，其阴极电流值比正常情况下小。 因此，通过测定阴极电流值，能迅速且可靠地检测由元件驱动晶体管的特 性变动引起的暗点缺陷像素。
另外，由于根据检查结果能立即确定缺陷的产生原因，因此将显示装 置送到与原因对应的适当的修正工序中，可提高修正效率。
进而，在使元件驱动晶体管在线性区域或饱和区域动作的情况下，对 EL元件供给检査用的截止显示信号和导通显示信号，通过测定施加各信 号时的阴极电流值，可将与截止显示信号对应的阴极电流值作为基准，检 测与导通显示信号对应的阴极电流值，从而易于高速地执行利用了缺陷检 测装置的自动判定。
通过按每个像素执行检査但按每个像素使元件驱动晶体管以及EL元 件连续多次动作，从而，易于降低在控制信号等上叠加了噪声等后的结果 对误判定的影响。


图1是说明本发明实施方式的EL显示装置的概略电路构成的等效电 路图；图2是说明本发明实施方式的灭点显示缺陷像素的特性的图； 图3是说明本发明实施方式的暗点(DIM)显示缺陷像素的特性的图； 图4是表示详U用了 EL元件的发光状态的灭点/暗点显示缺陷检查装置 的概略构成的图5是表示利用了图4的检查装置的发光状态检查过程的一例图； 图6是表示EL元件的短路的原理以及短路(灭点)的明显化原理的
图； 图8是表示用于使灭点明显化的驱动方法的图； 图9是说明用于灭点明显化的装置构成的图IO是说明用于暗点缺陷修正的UV修复中的偏压条件与发光亮度的 关系的一例图11是说明用于暗点缺陷修正的UV修复中的偏压条件与动作阈值
Vth的偏移量之间的关系的一例图12是表示利用了 EL元件的阴极电流lev的灭点/暗点显示缺陷检査
装置的概略构成的图13是表示利用了阴极电流的灭点显示缺陷的检查过程的一例图； 图14是表示利用了阴极电流的暗点显示缺陷的检查过程的一例图； 图15是表示具备利用了阴极电流的灭点以及暗点二者的检查功能的
检查装置的电源以及驱动信号切换部的构成的图16是表示用于执行利用了阴极电流的高速检査的驱动波形的图； 图17是表示包括本发明实施方式的EL显示装置的缺陷检査以及修正
工序的整体制造过程的一例图。
图中100—EL面板；200、 300—缺陷检査装置；210、 310—控制部；
220—电源电路；222、 322—电源切换部；230、 330 —检查用信号产生电
路；240、 340—缺陷检测部；250 —发光检测部；350—阴极电流检测部。
具体实施例方式
下面，利用附图，对该发明的最佳的实施的方式(以下称为实施方式)进行说明。
在本实施方式中，显示装置具体为有源矩阵型有机EL显示装置，在
EL面板100上形成有具备多个像素的显示部。图1是表示该实施方式中 的有源矩阵型显示装置的等效电路结构的图，图2以及图3表示了本实施 方式中采用的EL显示装置的各像素的缺陷检查原理。在EL面板100的 显示部中，多个像素配置成矩阵状，在矩阵的水平扫描方向(行方向)上， 形成有依次输出选择信号的选择线GL，在垂直扫描方向(列方向)上， 形成有输出数据信号的数据线DL、和用于向被驱动元件即有机EL元件 (以下简称EL元件)供给驱动鬼源PVDD的电源线VL。
各像素大致配置在由这些线划分的区域内，各像素具备有机EL元件 作为被驱动元件，另外，设置有由n沟道TFT构成的选择晶体管Trl (以 下称选择Trl )、保持电容Cs、由p沟道TFT构成的元件驱动晶体管Tr2 (以下称元件驱动Tr2)。
选择Trl其漏极与向垂直扫描方向上排列的各像素供给数据电压 (Vsig)的数据线DL连接，栅极与选择在一条水平扫描线上排列的像素 用的栅极线GL连接，其源极与元件驱动Tr2的栅极连接。
另外，元件驱动Tr2的源极与电源线VL连接，漏极与EL元件的阳极 连接。EL元件的阴极在各像素中公共地形成，与阴极电源CV连接。
EL元件为二极管构造，在下部电极与上部电极之间具备发光元件层。 发光元件层例如具备至少包括有机发光材料的发光层，根据发光元件层中 使用的材料特性等，可采用单层构造、2层、3层或4层以上的多层构造。 在本实施方式中，下部电极按像素而被图案化为个别形状，起到上述阳极 的作用，与元件驱动Tr2连接。另外，上部电极在多个像素中公共地起到 阴极的作用。
在按每个像素具备如上电路构成的有源矩阵型EL显示装置中，在EL 元件的阳极与阴极之间发生短路(short)的情况、以及在元件驱动Tr2的 特性降低的情况下的任一像素中，EL元件变为不发光或变为其发光亮度 比正常像素低，出现称为灭点或暗点(DIM)的显示缺陷。
EL元件的发光元件层非常薄，另外其膜厚会产生偏差等，从而存在阳
极与阴极之间发生短路的缺陷。若发生短路，则即使向元件驱动Tr2的栅 极施加发光(导通)显示信号，向EL元件供给电流，空穴以及电子也不 会注入到发光元件层中，EL元件不发光，出J见灭点缺陷。
图2表示了发生这种EL元件短路后的像素的电路构成、和此时的元 件驱动Tr2以及EL元件的IV特性。在EL元件中发生了短路的情况下， 如图2 (b)所示，在电路上等效于元件驱动Tr2的漏极侧与阴极电源CV 连接。因此，在用阴极电流Icv评价EL元件中流动的电流时，该电流Icv 相对于PVDD-CV电压的特性如图2 (a)所示，发生了短路的EL元件的 电流特性比正常EL元件的电流特性倾斜度更大。
这里，在施加到元件驱动Tr2的电压满足Vgs—Vth<Vds、栅极源极间 电压小、漏极和源极间(PVDD和CV)电压大的情况下(在本实施方式 中，为与通常显示模式同样的条件)，元件驱动Tr2在饱和区域动作。此 时，发生短路的像素的EL元件变为不发光(灭点)。另外，发生短路的像 素与正常像素的EL元件的电流特性的倾斜度差异较大，但由于相当于元 件驱动Tr2的源极漏极间电流Ids特性的倾斜度小的区域，因此EL元件 中流动的电流lev之差AI小。
另一方面，在施加到元件驱动Tr2的电压满足Vgs—Vth>Vds、栅极源 极间电压大、漏极和源极间(PVDD和CV)电压小的情况下，该元件驱 动Tr2在线性区域动作。在该线性区域，在发生短路的像素(灭点像素) 与正常像素中，与饱和区域同样EL元件的电流特性的倾斜度不同。进而， 在该线性区域，元件驱动Tr2的Ids特性的倾斜度陡，灭点像素的EL元 件的阴极电流lev与正常像素的EL元件的阴极电流lev之差AI非常大。 而且，在该线性区域的动作中，发生短路的像素的EL元件仍为短路状态， 因此为不发光(灭点)，与正常像素的发光亮度差异较大。因此，在由EL 元件的短路引起的缺陷中，关于发光亮度，使元件驱动Tr2在线性区域或 饱和区域动作，都能进行检测，对于EL元件中流动的电流而言，通过在 线性区域使元件驱动Tr2动作来进行测定，能以高精度进行检测。
下面，对EL元件正常、但元件驱动Tr2的特性存在偏差而比正常晶 体管特性劣化的情况进行说明。图3表示了在产生这样的元件驱动Tr2的 特性偏差(电流供给特性的偏差。例如，动作阈值Vth降低)的情况下的
像素的等效电路、和元件驱动Tr2以及EL元件的IV特性。在元件驱动 Tr2中发生了动作阈值Vth降低的情况下，如图3 (b)所示，从电路上可 视作在元件驱动Tr2的漏极侧连接了比正常情况大的电阻。因此，EL元 件中流动的电流(在本实施方式中为阴极电流lev)特性与正常像素相比 没有变化，但实际上，EL元件中流动的电流根据元件驱动Tr2的特性偏 差而变化。
首先，在施加到元件驱动Tr2的电压满足Vgs_Vth<Vds的情况下， 与上述同样，元件驱动Tr2在饱和区域动作。如图3 (a)所示，此时，在 元件驱动Tr2的特性比正常情况下低的像素中，该晶体管的漏极源极间电 流Ids比正常的晶体管小，向EL元件供给的电流量、即EL元件中流动的 电流比正常像素小(AI大)。另外，结果，元件驱动Tr2中产生了特性偏 差的像素比正常像素发光亮度低，被识别为暗点。此外，当元件驱动Tr2 的特性劣化明显时，EL元件几乎为不发光的状态。
另一方面，在施加到元件驱动Tr2的电压满足Vgs—Vth>Vds的情况 下，该元件驱动Tr2在线性区域动作，在该线性区域，在特性降低的元件 驱动Tr2和正常的元件驱动Tr2中，Ids—Vds特性之差小，因此，向EL 元件供给的电流量之差(AI)也小。所以，EL元件无论元件驱动Tr2有无 特性偏差，都表现大致同样的发光亮度，在线性区域，难以检测到由特性 偏差引起的暗点。但是，如上所述，通过使元件驱动Tr2在饱和区域动作， 从而对于该元件驱动Tr2的特性偏差所引起的暗点缺陷，从电流值以及EL 发光亮度的任意观点出发均能检测。
此外，在以上的像素电路中，作为元件驱动晶体管，采用了p沟道TFT， 但也可采用n沟道TFT。进而，在以上的像素电路中，对于1像素，作为 晶体管以采用了具备选择晶体管和驱动晶体管这两个晶体管的构成为例 进行了说明，但晶体管并不限定于两种类型以及上述电路构成。
在任一情况下，在所采用的像素电路中，通过使向EL元件供给电流 的元件驱动晶体管在线性区域动作，观察EL元件或测定EL元件的阴极 电流值，从而能高精度地检测由EL元件的短路引起的灭点缺陷。
另外，在任一情况下，通过使元件驱动晶体管在饱和区域动作，检测 EL元件的发光亮度或阴极电流等，可检测由元件驱动晶体管的特性偏差引起的暗点缺陷。 [缺陷检查]
接着，对于基于上述原理的缺陷检查而言，分别说明作为EL元件的 特性而利用了其发光状态的检查以及利用了阴极电流的检査。 (发光状态检査)
图4是表示根据发光状态(发光亮度)的观察(亮度检测)，来检测 灭点/暗点缺陷用的检测装置的结构的一例图。
检查装置200具备控制部210，其对装置内的各部分进行控制；电 源电路220，其产生元件驱动Tr2的饱和区域检查模式、线性区域检査模 式各自所需的电源；电源切换部222，其根据上述检查模式来切换向EL 面板供给的电源；以及检査用信号产生电路230，其产生检查时所使用的 检查用信号。另外，装置200还具备发光检测部250，其可采用CCD照 相机等，观察EL面板的各像素的发光状态；以及检测部240，其利用来 自发光检测部250的检测结果，来检测缺陷。
在采用了这样的检查装置200的情况下，执行显示亮度在正常值以下 的异常显示像素的检测、以及EL元件的短路所引起的灭点像素的检测， 进而，根据异常显示像素和灭点像素的比较来判断元件驱动Tr2的特性偏 差所引起的暗点一致或不一致，从而可判定暗点像素、灭点像素。
以下，参照图5，对检测方法的一例进行具体说明。在图5的例子中， 首先，进行元件驱动Tr2的特性偏差(电流供给特性偏差。例如，动作阈 值的偏差)所引起的异常显示像素的检测。元件驱动Tr2的特性偏差所引 起的缺陷，通过使该元件驱动Tr2在饱和区域动作，将EL元件控制为发 光状态来检测。
作为使元件驱动Tr2在饱和区域动作的条件，如上所述，使 Vgs-VtlKVds即可，但当采用p沟道型TFT作为元件驱动Tr2时，作为一 例，电源电路220产生8.5V的驱动电源PVDD、 -3.0V的阴极电源CV， 供给到EL面板100的对应的端子IOOT，检查用信号产生电路230生成OV 的检查用导通显示信号，作为显示信号Vsig。另外，检査用信号产生电路 230生成为了驱动各像素所需的定时信号，这些检査用导通显示信号以及 定时信号从端子100T供给到EL面板100。
此外，在本实施方式中，该元件驱动Tr2在饱和区域的动作由于采用 了与通常显示动作相同的条件，因此，驱动电源PVDD、阴极电源CV不 仅可从检査装置的电源电路220供给，还可从EL面板100的通常时的驱 动用各种电源电路供给。
在如上条件下，电源电路220向EL面板100供给规定的驱动电源 PVDD、阴极电源CV，并且，检査用信号产生电路230依次选择各像素
(使选择Trl导通)，使元件驱动Tr2在饱和区域动作(饱和动作模式)， 另外，供给使EL元件发光用的检查用导通显示信号(Sl)。
发光检测部250如上述那样使元件驱动Tr2在饱和区域动作，对使EL 元件发光时的该发光状态(发光亮度)进行拍摄(S2)。亮度信息被供给 的到缺陷检测部240，缺陷检测部240判断各像素的发光亮度是否比规定 基准值低(S3)。该基准值是正常像素中的发光亮度的允许最小阈值，可 设定在与要求精度相对应的灰度以上的亮度偏差所对应的值(例如，相当 于1灰度 30灰度量的偏差)。
当发光亮度的判断的结果是作为检査对象的像素的发光亮度不小于 基准值时(否)，判定相应像素是正常像素(S4)。反之，当作为检査对象 的像素的发光亮度小于基准值时(是)，判断该像素为比正常像素亮度低 的异常显示(暗点)像素(S5)。另外，被判断为异常显示像素的像素在 检査装置200中存储于数据存储部(未图示)。
对于各像素，当使元件驱动Tr2在饱和区域动作而执行了异常显示检 査之后，检査装置转移到使元件驱动Tr2在线性区域动作的模式。使元件 驱动Tr2在线性区域动作的条件如上所述，需要满足Vgs-Vth〉Vds，当采 用p沟道型TFT作为元件驱动Tr2时，作为一例，向EL面板100供给8.0V 的驱动电源PVDD、 3V的阴极电源CV，供给到各像素的检查用导通显示 信号采用OV的信号。在这样的条件下，电源电路220向EL面板100供 给规定的驱动电源PVDD、阴极电源CV，并且，检査用信号产生电路230 依次选择各像素，使元件驱动Tr2在线性区域动作，并且，经由该元件驱 动Tr2供给用于使EL元件发光的检查用导通显示信号(S6)。
发光检测部250使元件驱动Tr2在线性区域动作，并拍摄使EL元件 发光时的发光状态(发光亮度)(S7)。亮度信息被供给到缺陷检测部240，缺陷检测部240判断各像素的发光亮度是否比基准值低(S8)。该基准值 是判定是否为所谓的不发光的基准值，与上述饱和模式下的测定时同样， 可设为正常像素中的发光亮度的允许最小阈值。
当发光亮度的判断的结果是作为检查对象的像素的发光亮度不小于 基准值时(否)，判定该像素是正常像素(S9)。反之，当作为检查对象的 像素的发光亮度小于基准值时(是)，判断该像素为不发光的灭点缺陷像 素(SIO)。
接着，缺陷检测部240判断在饱和区域模式下被检测为异常显示像素 的像素、与在线性区域模式下被检测为灭点缺陷像素的像素是否一致 (Sll)。由EL元件短路引起的灭点缺陷如上所述，在线性区域和饱和区 域任一个区域对元件驱动Tr2进行驱动的情况下其均不发光，被检测为灭 点。另一方面，由元件驱动Tr2的特性偏差引起的暗点缺陷，在线性区域 对元件驱动Tr2进行驱动时观察不到，只有在饱和区域进行驱动时可观察 到。因此，当在饱和区域模式下被检测为异常显示像素的像素、与在线性 区域模式下被检测为灭点缺陷像素的像素不一致时(否)，判定该像素为 暗点缺陷(S12)。另外，当二者一致时(是)，判定为灭点缺陷(S13)。
通过以上方法，根据发光状态能分别区别地判定暗点缺陷和灭点缺 陷。进而，在根据缺陷的产生数量、产生位置和要求品质判断为可修正时， 对判定为暗点缺陷的像素执行UV修复(S14)，而对判定为灭点缺陷的像 素执行激光修复(S15)。
此外，在图5中，在执行了元件驱动Tr2的饱和区域检查模式之后， 执行线性区域检查模式，但模式的顺序可以是任意顺序，可以首先执行线 性区域检查模式，存储被检测为灭点缺陷的像素，在判断其是否与被检测 为异常显示像素的像素一致或不一致后判定暗点结果。
在此，通过本发明者们的研究可以明确，灭点缺陷的产生大多情况下 不稳定。因此，在经过多个阶段的检查工序中，可能在后面的阶段中产生 灭点或灭点消失等，导致检查效率或修正效率降低。因此，在图5中，如 步骤S0所示，优选至少在灭点缺陷的检査开始前(在S6之前即可，也可 在S1之前)执行灭点缺陷的明显化处理(灭点筛选(screening))。
下面，参照图6、图7，对灭点缺陷的明显化原理进行说明。图6的
状态A表示正常EL元件的发光状态，状态B表示向EL元件的阳极与阴 极之间施加了反向偏压时的状态。状态A是在采用作为导电性透明金属氧 化物的IZO (Indium Zinc Oxide)作为阳极、采用Al作为阴极的构成中， 向该阳极与阴极之间施加了正向偏压时的状态。向有机层(发光元件层) 从阳极注入空穴，从阴极注入电子，在电路上从二极管的阳极向阴极流动 电流，根据如图7 (a)所示的二极管特性，发光元件层中的发光材料以与 电流相应的亮度发光。
即使向这样的EL元件的阳极与阴极之间施加反向偏压，正常EL元件 的发光元件层从原理上为绝缘性(整流性)，如图7 (a)所示反向耐性高， 因而也不会流动电流。作为一例，阳极阴极间电压达到-30V左右的反向偏 压，该EL元件也不会击穿(breakdown),因而不流动电流。
另一方面，如图6的状态C所示，在形成发光元件层等时异物导入到 阳极与阴极之间的情况下，形成为薄膜的发光元件层有时无法完全覆盖该 异物，在未完全覆盖的区域存在阳极与阴极短路等情况。但是，这种短路 不会稳定地发生，另外，若短路的程度小，则同一EL元件内未短路的区 域会发光，根据检查定时而发光或不发光，动作不确定。如图7 (b)所示， 若未短路则该EL元件与正常像素同样地发光，但若短路则不发光。当施 加正向偏压时，反复地发生该短路或不发生该短路，例如，在一次检查中 被判定为灭点，但在后面的二次检查中未检测到，然而在产品出厂后可能 会变为灭点。相对于此，由于异物等混入部分不能获得如正常时的发光元 件层的高耐压性，因此，如图6的状态D所示，若对不稳定的EL元件施 加规定值以上的高反向偏压，则认为如图7(b)所示，与正常EL元件相 比以更小的反向偏压就会发生击穿(迁移效果)。另外，若阳极与阴极之 间一旦击穿，则即使对该EL元件施加正向偏压，也会稳定地处于短路模 式，始终为不发光的缺陷(灭点缺陷)。
因此，在检查EL元件短路所引起的灭点缺陷之前，通过施加这种反 向偏压，执行灭点的明显化(筛选，screening),能可靠地找出存在灭点可 能性的像素。
向EL元件施加反向偏压如图8所示，例如，可按如下方式执行将 驱动电源PVDD从通常显示电压(8.0V)切换为-5V，将阴极电源CV从通常显示电压(-3.5V)变更为13.0V，将与元件驱动Tr2的栅极连接的保 持电容Cs电位固定，经选择Trl向元件驱动Tr2的栅极施加任意的显示 信号(Vsig)。
示，可通过^用如下构成来执行 在筛4装置中:按照會^i过外部电源选
择性供给筛选用电源的方式设置开关，取代向EL面板100供给显示用的 内部电源而供给上述外部电源。另外，该筛选装置可内置如图4所示的检 查装置。在该情况下，电源电路220不仅产生如上述的检査用电源，还产 生筛选用电源，另外，检查用信号产生电路230可生成筛选用信号，将这 些信号选择性提供给EL面板100。此外，在筛选时，对于像素的选择和 驱动定时，与通常显示同样地控制即可，另外，反向电压的施加时间极短 就能获得效果，例如10sec左右即可。
接着，对元件驱动Tr2的特性偏差所引起的暗点缺陷的修复进行说明。 根据本申请发明者们的研究可以明确，对于产生元件驱动Tr2的特性偏差 的动作阈值Vth，可通过在规定条件下向该元件驱动Tr2照射UV光来修 正。
具体地说，向元件驱动Tr2的栅极施加所希望的电压，并且，对元件 驱动Tr2的源极电压和漏极电压采用相等的偏压Vbias。此外，通过使驱 动电源PVDD为Vbias，使阴极电源CV同样为Vbias，可向元件驱动Tr2 的源极以及漏极施加相等的偏压Vbias。此时，将用于施加元件驱动Tr2 的栅极/沟道间所需的电压的任意电压(EL截止显示信号)施加到元件驱 动Tr2的栅极即可，例如，施加使由p沟道TFT构成的元件驱动Tr2截止 的所希望的截止显示电压(Vsig=VblaCk)。当然，并不限定于截止显示电 压，也可施加导通显示信号(Vsig=Vwhite)。
然后，根据成为元件驱动Tr2的动作阈值Vth的目的的偏移量来设定 该偏压Vbias，向元件驱动Tr2的由多晶硅等构成的有源层(沟道区域) 照射UV光，由此可修正动作阈值Vth。
此外，元件驱动Tr2的动作阈值偏移所需的UV光的波长大致在295nm 以下，按照能将这样的波长的UV光照射到元件驱动TV2的沟道区域的方 式，选择EL面板IOO的面板材料(采用针对相应波长具有透过性的面板
材料)，另外，设定在透过上述面板材料等后到达沟道区域所需的希望的 功率。
图10表示施加到上述元件驱动Tr2的源极漏极间的偏压Vbias、和在 各偏压条件下修复后的EL元件的发光状态的一例，图11表示上述偏压 Vbias与动作阈值Vth的关系的一例。
在图10中，像素的电路构成采用如图1所示的等效电路，向元件驱 动Tr2的栅极例如施加8.0V，对特性相等的元件驱动Tr2，分别施加了-lV、 -2V、 -3V、 -4V、 -5V、 -6V、 -7V、 -8V的偏压Vbias。并且，在以同一条 件照射UV光时，如图10所示，根据所施加的偏压Vbias而EL元件的发 光亮度会产生差异。更具体地说，随着偏压Vbias的绝对值增大而发光亮 度提高，元件驱动Tr2的动作阈值Vth的绝对值向减小的方向偏移，结果， 可以理解通过对应的EL元件供给较多电流，因而发光亮度上升。
如图11所示，元件驱动Tr2的动作阈值Vth的绝对值随着实际施加的 偏压Vbias的绝对值增大而减小(图11的纵轴上方向为Vth的OV方向)。
这样，通过在对元件驱动Tr2的栅极、源极漏极之间施加所希望的大 电压Vg-Vbias的情况下照射UV光，可调整元件驱动Tr2的动作阈值Vth。 因此，若按照达到对EL元件要求的发光亮度的方式设定偏压Vbias,则可 修正由元件驱动Tr2的特性偏差引起的暗点缺陷。此外，为了高精度地修 正暗点缺陷，例如，在上述图5所示的发光亮度与基准值的比较步骤(S3) 中，按每个像素来存储与基准值的差，在UV修复步骤(S14)中，可通 过施加与基准值的差相对应的偏压Vbias进行修正来应对。
接着，说明对灭点缺陷像素执行的激光修复(S14)。该激光修复是通 过向灭点缺陷像素的EL元件的短路发生区域选择性照射所希望的波长和 功率的激光，来烧断该短路区域(切断电流供给路径，使其绝缘化)，从 而消除阳极与阴极的短路状态的方法。作为修复用的激光，例如可采用 355nm 1064nm左右的波长并具有所希望的功率的激光。
这样，根据本实施方式，不仅检测为发光亮度低的缺陷，而且能正确 地检测出该缺陷的类别是暗点缺陷还是灭点缺陷，并能立即进入到与暗点 以及灭点的修正相应的修正步骤，从而可高效地执行检查以及修正。 (阴极电流检查)接着，说明根据EL元件的阴极电流lev来检查暗点缺陷、灭点缺陷
的装置以及检查方法。图12表示了测定阴极电流来检测暗点/灭点缺陷的
检査装置的概略构成。
图12所示的检査装置不具备在根据发光亮度执行缺陷检査的上述装 置中采用的发光检测部250，而具备对阴极电流lev进行检测的阴极电流 检测部350，这一点变化较大。控制部310、电源电路320、电源切换部 322和检查用信号产生电路330与上述利用了发光亮度的缺陷检查装置同 样，产生检查所需的电源、检査用的定时信号和显示信号等供给到EL面 板100。缺陷检测部340基于阴极电流检测部350所检测到的阴极电流lev 来检测灭点缺陷和暗点缺陷。
在该例中，由于对EL元件中流动的电流(在此为阴极电流Icv)进行 测定，因此对于灭点缺陷而言，如图2所示，通过测定使元件驱动Tr2在 线性区域动作时的EL元件的阴极电流来判别。对于暗点缺陷而言，如图 3所示，通过测定使元件驱动Tr2在饱和区域动作时的EL元件的阴极电 流来判别。
图13表示了 EL元件的短路所引起的灭点显示缺陷的检查过程。优选 在灭点缺陷的检查之前，首先使不稳定的EL元件的短路明显化，如上所 述，向EL元件的阴极阳极之间施加反向偏压来执行灭点筛选(S20)。
接着，使元件驱动Tr2在线性区域动作，使选择Trl导通，并且，经 由对应的像素的选择Trl向元件驱动Tr2的栅极施加检查用导通显示信号 (S21)。
此外，使元件驱动Tr2在线性区域动作的条件如上所述，设定为满足 Vgs-Vth>Vds。采用p沟道型TFT作为元件驱动Tr2时的电压与发光亮度 检测时同样，作为一例，设驱动电源PVDD为8.0V，设阴极电源CV为 3V，供给到各像素的检查用导通显示信号采用OV的信号。
阴极电流检测部350例如与EL面板100的外部连接端子IOOT中的阴 极端子连接，检测在该阴极端子获得的阴极电流Icv。在此，EL元件的阴 极如上所述在多个像素中公共地形成，因此对像素依次进行选择，将与其 选择期间对应的期间内在阴极端子处获得的阴极电流lev作为针对该像素 的阴极电流Icv。此外，可将阴极电流Icv作为与该电流值对应的电压进行检测。
接着，缺陷检测部340判断由阴极电流检测部350获得的各像素的阴
极电流Icv是否大于灭点基准遒(S23)。在EL元件中发生短路时，如上 所述，由于EL元件的IV特性的倾斜度增大，因此当使元件驱动Tr2在线 性区域动作时的阴极电流Icv比正常EL元件的阴极电流Icv大。因此，作 为灭点基准值，设定与正常EL元件的阴极电流值相应的值，当检测出的 阴极电流Icv在该灭点基准值以下时(否)，判断为正常像素(S24)。另外， 当检测出的阴极电流lev大于灭点基准值时，判断该像素为灭点缺陷像素 (S25)。
被检测到灭点缺陷的面板100进入到用于修正灭点的激光修复工序， 在此接受修正(S26)。
图14表示了元件驱动Tr2的特性偏差所引起的暗点缺陷的检测过程。 对于元件驱动Tr2的特性偏差所引起的暗点缺陷而言，如上所述，使元件 驱动Tr2在饱和区域动作，使选择Trl导通，并且，经由对应的像素的选 择Trl向元件驱动Tr2的栅极施加检查用导通显示信号(S30)。
使元件驱动Tr2在饱和区域动作的条件如上所述，设定为满足 Vgs-Vth<Vds。采用p沟道型TFT作为元件驱动Tr2时的电压与发光亮度 检测时同样，作为一例，设驱动电源PVDD为8.0V，设阴极电源CV为-3V， 供给到各像素的检查用导通显示信号采用OV的信号。
阴极电流检测部350使元件驱动Tr2在饱和区域动作，对使EL元件 发光时的阴极电流Icv进行检测(S31)。另外，缺陷检测部340判断检测 到的阴极电流Icv是否小于暗点基准值(S32)。元件驱动Tr2的动作阈值 比正常值低的像素的阴极电流Icv如上所述，在元件驱动Tr2的饱和区域， 比正常像素中的阴极电流Icv小。因此，例如，通过将产生对正常像素允 许的灰度以上(作为一例，相当于l灰度 30灰度)的偏差的阴极电流Icv 作为基准值进行比较，可区分正常像素和暗点缺陷像素。
当比较的结果是检测出的阴极电流lev不小于基准值时(否)，判定该 像素为正常像素(S33)，当比基准值小时(是)，判定该像素为暗点缺陷 像素(S34)。这样，基于阴极电流Icv的检测结果，可检测由元件驱动Tr2 的特性偏差引起的暗点缺陷像素。并且，对于该元件驱动Tr2的特性偏差，
如上所述，进入到UV修复工序，修正元件驱动Tr2的特性偏差(S35)。
如上所述，根据本实施方式，使元件驱动Tr2分别在其线性区域和饱 和区域动作，对此时的阴极电流Icv进行检测，从而对EL元件的短路所 引起的灭点缺陷和元件驱动Tr2的特性偏差所引起的暗点缺陷均能区别检 测。这样的检査都可通过图12所示的装置构成执行。
在将图12的装置作为灭点检查专用装置时，采用如下构成即可电 源电路320以及检查用信号产生电路330使元件驱动Tr2在线性区域动作， 生成使EL元件发光所需的电源、驱动信号，并施加给对应的像素。此外， 在兼用作灭点筛选装置时，电源电路320产生如图8以及图9所示的筛选 用的驱动电源PVDD以及阴极电源CV，将这些鬼源通过切换部322选择 性地施加给各像素，并且，检査用信号产生电路330产生任意的筛选用显 示信号作为数据信号Vsig，将其供给到各像素。
在将图12的装置作为暗点检查专用装置时，采用如下构成即可使 元件驱动Tr2在饱和区域动作，生成使EL元件发光所需的电源、驱动信 号，并施加给对应的像素。
在灭点检査专用、暗点检査专用的装置中，对驱动电源PVDD、阴极 电源CV分别产生单一的检査用电源即可，因此，由图12的电源电路320 产生专用电源，可省略电源切换电路322。在执行通常显示动作的基于目 测的显示检查用的装置、和兼用作灭点检查装置的情况下，由于在通常显 示时，在饱和区域对元件驱动Tr2进行驱动，因此在灭点检査时需要切换 电源。
另外，利用了阴极电流lev的灭点检查装置以及暗点检査用装置也可 构成为单一装置，在该情况下，图12所示的检査装置的各部分通过控制 部310的控制，根据检查模式(灭点检查模式、暗点检查模式)，执行各 自的检查所需的动作。即，电源电路320、电源切换部322和检查用信号 产生电路330产生各模式所需的电源、检査用信号，缺陷检测部340比较 与模式相应的基准值和阴极电流Icv，进行灭点判定、暗点判定。
图15表示了在执行多个模式或不同的检查时，图12所示的检査装置 中可采用的电源以及显示信号的切换构成的一例。切换电路322、 332通 过图12的控制部310而被切换控制。另外，电源电路320产生与模式对
应的多种电源，并通过切换电路322例如在灭点检査模式下，经端子(i) 向各电源线供给PVDD1、 CV1。同样，检查用信号产生电路330生成与 模式对应的多种检査用显示信号，并通过切换电路322经端子(i)向数据 线DL供给Vsigl。在其他模式(例如，暗点检査模式)下，切换电路322、 332经对应的端子(ii)，分别供给电源(PVDD2、 CV2)以及显示信号 (Vsig2)。
(高速检查方法)
图16表示了利用阴极电流Icv，高速地检査灭点缺陷、暗点缺陷时的 EL面板100的驱动波形。在图16所示的检查方法中，在选择l像素的期 间中(1水平时钟信号的二分之一周期)，对相应像素连续施加导通显示信 号(EL发光)和截止显示信号(EL不发光)，作为检査用显示信号Vsig。 此外，该检查用显示信号可由图12的检查用信号产生电路330通过利用 水平起始信号STH、水平时钟信号CKH等来生成。阴极电流检测部350 分别对与导通显示信号对应的EL元件的阴极电流Icv。n、以及与截止显示 信号对应的EL元件的阴极电流Icv。ff进行检测(根据需要进行电流放大)， 缺陷检测部340求取导通和截止的阴极电流的差分AIcv，通过比较该差分 数据、与例如基于正常像素中的差分数据的基准值，分别执行灭点缺陷判 定以及暗点缺陷判定。
另外，在图16所示的检查方法中还如上所述，在灭点缺陷检查模式 下，按照使元件驱动Tr2在线性区域动作的方式设定驱动电源PVDD以及 阴极电流CV，在暗点缺陷检查模式下，按照使元件驱动Tr2在饱和区域 动作的方式设定驱动电源PVDD以及阴极电流CV。另外，在图16中， 垂直时钟信号CKV是与垂直方向的像素数对应的时钟信号，使能信号 ENB是用于在1水平扫描期间的最初和最后，当未确定显示信号Vsig时 防止选择信号输出到各水平扫描线(栅极线GL)的禁止信号。
这样，测定截止显示信号时的阴极电流ICV。ff，将该Icv。ff作为基准，
相对地把握导通显示信号时的阴极电流Icv。n，从而，不需要准确判断导通
显示信号时的阴极电流ICV。n的绝对值，也不需要测定成为其它基准的截止 显示信号时的阴极电流IcV。ff，能高精度地执行高速的自动检査。
另外，在图16所示的检查方法中，确定向矩阵配置的像素的列方向、
即各数据线DL输出显示信号的期间的水平起始信号STH，被设定在两列 的选择期间内。在本实施方式中，在通常显示时，各水平扫描线上的像素 仅在对应的1H期间内被选择，向此时对应的数据线DL上，按与将1H期 间用1水平扫描方向上的像素数分割后的期间相当的期间，输出显示信号 Vsig。相对于此，在缺陷检查时，通过使用检查用的水平起始信号STH， 对1数据线DL在2像素份的显示信号输出期间供给检查用显示信号Vsig。 即，在同一水平扫描线上排列的像素中，邻接的2像素同时成为检查对象。 此外，该像素的同时检查对象数并不限定于2，例如也可将每3像素作为 检查对象。这样，通过使1像素多次连续作为检查对象，从而，即使在定 时信号或检查用显示信号Vsig等上叠加了噪声而导致像素误显示的情况 下，由于这样的噪声叠加在多个期间连续发生的概率小，因此能降低由噪 声引起的误检测。此外，对多个像素连续进行选择的方法不仅应用在利用 了阴极电流的检査方法中，还通过应用在上述利用图4以及图5说明的利 用了发光亮度的检查方法中，从而同样可降低噪声的影响。
在此，对EL面板100的显示部的各像素进行驱动用的驱动电路中的 水平方向驱动电路，具备与水平扫描方向的像素数对应级数的移位寄存 器，该移位寄存器根据水平时钟信号CKH依次传送水平起始信号STH， 并且，从寄存器的各级向采样电路输出采样保持信号，该采样保持信号确 定向对应的数据线DL输出显示信号Vsig的期间(采样期间)。并且，该 采样保持信号表示的采样保持期间对应于上述水平起始信号STH的期间
(在此为H电平期间)。因此，在缺陷检查时，作为水平起始信号STH， 对EL面板100的水平方向驱动电路供给由检查用信号产生电路330生成 的如图16所示的检查用的水平起始信号STH，另外，若向经采样保持电 路与各数据线DL连接的视频信号线输出图16所示的检查用显示信号 Vsig，则按多个像素的每一个被供给检查用显示信号Vsig,可执行检查。
此外，图16的驱动方法与供给到数据线DL的显示信号的驱动波形的 切换定时连动，在包括设定了元件驱动Tr2的导通截止(EL元件的发光、 不发光)定时的像素电路的情况下有效，作为一例，可应用于如图l所示 的像素电路构成。另外，在向用于控制各像素的保持电容Cs的电位的电 容线CL供给所希望的交流信号这样的像素电路构成中，通过在检査时添加对电容线CL的电位进行固定的电容电位控制开关等，使元件驱动Tr2 根据供给到数据线DL的显示信号的定时而动作，从而也可采用如图16 的检查方法。
下面，进一步参照图17，对EL显示装置的包括缺陷检査、缺陷修正 的制造过程的一例进行说明。对于在面板基板上形成必要的电路元件、EL 元件等后完成的EL显示装置(EL面板)，首先执行一次检查(S40)。该 一次检查涉及许多方面，例如显示光栅图像，通过目测或利用了CCD照 相机等的观察(亮度检测)来实施颜色不均、由像素电路的短路等引起 的亮度缺陷、灭点缺陷、暗点缺陷的检査。另外，显示单像管图形来执行 显示装置的分辨率检查等。此外，对于灭点缺陷、暗点缺陷而言，在本实 施方式中，如上所述，基于使元件驱动Tr2在线性区域、饱和区域动作时 的EL元件的特性(发光亮度、阴极电流)进行检查，更优选对灭点以及 暗点缺陷进行检测。
在一次检查的灭点检査中，判断是否产生了灭点(S41)，结果，若未 产生(否)，则为良品(S42)。此外，在图17中，为了便于图示，该良品 是指在其他检査项目中也被判定为良品的显示装置，该显示装置接下来进 入后述的稳定化老化(aging)工序(S53)。
在产生了灭点时(是)，例如根据该灭点缺陷数、灭点产生程度、或 产生位置等信息判断接下来是否进行灭点的修正(S43)。判断的结果若由 于产生数多于允许规格值、或即使修正后也不能达到允许的程度这样的理 由而判断为不进行修正时(否)，该显示装置将作为不良品而被废弃(S44)。
在判断为执行灭点修正时(是)，接下来，作为用于修正所产生的灭 点的前置工序，执行基于向EL元件施加反向偏压的灭点筛选(S45)。通 过该灭点筛选，灭点明显化，在下面的灭点缺陷检查(二次检查)时(S46), 能可靠地检测灭点缺陷(特别是其产生位置)。
灭点缺陷检查(S46)的结果，对确定了其产生位置的灭点缺陷接下 来执行激光修复(S47)。该激光修复如已经说明的那样，是将EL元件的 短路所引起的灭点缺陷通过向该短路区域照射激光来绝缘化从而进行修 正的方法。
这里，在一次检查中被确认的灭点缺陷但在其修正工序中消失的概 率，以往例如高至50%左右，但通过执行灭点筛选，筛选后的灭点缺陷的
产生数例如能在500小时的可靠性试验之后为0个。另外，通过在激光修
复之前进行灭点筛选，从而对于在一次检查中并不明显的灭点，也可检测 为灭点缺陷来进行修正。
接着，判断在上述一次检查中是否检测到了暗点缺陷(S48)，在未产 生的情况下(否)，判断为良品(S49)，转移到稳定化老化工序(S53)。 在检测到暗点缺陷的情况下(是)，判断该暗点缺陷是否在可修正的亮度 偏差(灰度偏差)范围内，或根据其产生位置和产生数判断是否执行暗点 缺陷的修正(S50)。在判断为不进行修正的情况下(否)，该显示装置将 作为不良品而被废弃(S51)。
在判断为进行暗点修正时(是)，如上所述，使元件驱动Tr2在饱和区 域动作，检查由元件驱动Tr2的特性偏差引起的暗点缺陷，明确缺陷产生 位置，对缺陷照射UV光来执行修复(S52)。通过这样的UV光修复，修 正元件驱动Tr2的特性偏差所引起的暗点缺陷。
如上所述，对在一次检查中被判断为良品的显示装置、或修正了灭点 和暗点后的显示装置，接下来实施稳定化老化处理(S53)。该稳定化老化 处理是使EL显示装置暴露在规定的高温、高湿度环境中的处理。 一般， 由于EL元件的特性因热、水、氧等而劣化，因此从原理上，未执行这种 老化处理的显示装置可提供更高性能的EL显示装置作为产品。但是，由 于EL元件的初始劣化速度快，所以，即使特性稍微劣化，在使其特性稳 定化之后作为产品提供也是恰当的，因而采用上述老化处理。
该老化处理如上所述使EL显示装置暴露在高温高湿环境中，因此通 过该老化处理，有时会新产生灭点缺陷或暗点缺陷等。所以，在本实施方 式中，在执行稳定化老化处理之后，再次进行如上所述的使元件驱动Tr2 在线性区域动作的灭点缺陷检査(二次检查)(S54)，在未产生灭点缺陷 时(S55:否)，将该显示装置作为良品(S56)，进而，依次执行必要的组 装工序、检查工序等。在检测到发生了灭点缺陷的情况下(S55:是)，为 了更可靠地使该灭点明显化，执行灭点筛选(S56)。
在执行筛选之后，为了确定灭点缺陷位置而执行缺陷检查，并对确定
了位置的灭点缺陷，实施激光修复(S58)。
另外，在执行老化处理之后，对暗点缺陷也再次如上述那样使元件驱
动Tr2在饱和区域动作来执行暗点缺陷检查(S59)，在未检测到暗点的情 况下(S60:否)，判定为良品(S61)。
在检测到暗点缺陷的情况下(S60:是)，对检测到的位置的暗点缺陷 执行UV光修复(S62)，通过修复修正了缺陷后的显示装置作为良品添加 到出厂用的产品中(S63)。
如上所述，在一次检查中检测到灭点缺陷的情况下，在执行灭点筛选 之后，作为二次检査，使元件驱动Tr2在线性区域动作，执行EL元件的 短路所引起的灭点缺陷的检查，从而能确定存在灭点缺陷及其位置，并能 可靠地通过激光修复来修复，削减成为不良品的显示装置数，另外，能够 实现高效的缺陷检查，有助于削减制造成本。
此外，在上述一次检查中，灭点缺陷通过将各像素的所述电致发光元 件控制在发光状态，将其发光亮度相当于小于基准值的像素作为该灭点缺 陷进行检测。对于其发光亮度相当于小于基准值的像素而言，如上所述， 不仅是指根据使其显示光栅图像后测定的各像素的发光亮度的测定而被 判断为亮度不充分的像素，还指如在本实施方式中说明的使元件驱动Tr2 在线性区域动作来使EL元件为发光状态时的发光亮度、或基于阴极电流 换算成发光亮度后小于基准值的像素。
在此，在图17所示的制造方法的例子中，对一次检查或老化处理后 的灭点缺陷检査的结果为检测到了灭点缺陷的显示装置，执行灭点筛选。 但是，例如也可在一次检査时以及稳定化老化处理之后，对所有显示装置 执行灭点筛选。通过对所有显示装置执行筛选，可大幅度降低在后面阶段 产生灭点缺陷的可能性。但是，由于处理数增大会影响到制造时间、即制 造成本，因此通过仅对在如图17所示那样先进行的灭点缺陷检查中检测 到灭点的显示装置执行，从而可实现处理时间的削减。另外，也可以是 根据在后面阶段产生灭点缺陷的概率，仅对在一次检查或在老化处理后的 缺陷检査中、检测到了与可判断为良品的产生容限接近数量的灭点缺陷的 显示装置执行筛选。这是由于在已经检测到与产生容限接近数量的灭点 缺陷的情况下，当在后面阶段该显示装置中又产生了灭点缺陷时，在该时刻其成为不良品，到此为止的检查、修正工序所花费的时间和成本都变得 无用。
另外，灭点筛选也可在灭点缺陷和暗点缺陷都被检测出规定数以上的 情况下对该显示装置执行。
权利要求
1.一种电致发光显示装置的缺陷检查方法，所述显示装置在各像素中包括电致发光元件；和元件驱动晶体管，其与该电致发光元件连接，用于控制该电致发光元件中流动的电流，向各像素供给使所述电致发光元件为发光程度的检查用导通显示信号，并且，使所述元件驱动晶体管在该晶体管的饱和区域动作，观察所述电致发光元件的发光状态，将发光亮度小于基准亮度的像素检测为异常显示缺陷像素，向各像素供给使所述电致发光元件为发光程度的检查用导通显示信号，并且，使所述元件驱动晶体管在该晶体管的线性区域动作，观察所述电致发光元件的发光状态，将不发光像素检测为由所述电致发光元件引起的灭点缺陷像素，将被检测为所述异常显示缺陷像素的像素中的未被检测为所述灭点缺陷像素的像素，检测为由所述元件驱动晶体管引起的暗点缺陷像素。
2. —种电致发光显示装置的缺陷检査方法，所述显示装置在各像素中包括二极管构造的电致发光元件；和元件 驱动晶体管，其与该电致发光元件连接，用于控制该电致发光元件中流动 的电流，向各像素供给使所述电致发光元件为发光程度的检查用导通显示信 号，并且，使各像素的所述元件驱动晶体管在该晶体管的线性区域动作， 检测所述电致发光元件的阴极电流，在该阴极电流的值比规定值大时，将该像素判定为由所述电致发光元 件引起的灭点缺陷像素。
3. 根据权利要求1或2所述的电致发光显示装置的缺陷检查方法，其 特征在于，在对各像素的所述电致发光元件施加反向偏压之后，执行所述灭点缺 陷像素的检测。
4. 一种电致发光显示装置的缺陷检查方法， 所述显示装置在各像素中包括二极管构造的电致发光元件；和元件 驱动晶体管，其与该电致发光元件连接，用于控制该电致发光元件中流动 的电流，向各像素供给使所述电致发光元件为发光程度的检査用导通显示信 号，并且，使所述元件驱动晶体管在该晶体管的饱和区域动作，检测所述 电致发光元件的阴极电流，在该阴极电流的值比规定值小时，将该像素检测为由所述元件驱动晶 体管引起的暗点缺陷像素。
5. —种电致发光显示装置的制造方法，对根据权利要求1或2所述的缺陷检査方法检测到的所述灭点缺陷像 素，向该像素的所述电致发光元件的阳极与阴极的短路区域选择性照射激 光，执行切断该短路区域的电流路径的激光修正。
6. —种电致发光显示装置的制造方法，对根据权利要求1或3所述的检査方法检测到的所述暗点缺陷像素， 在向该像素的所述元件驱动晶体管施加规定的偏压的状态下照射紫外线 光，修正所述元件驱动晶体管的电流供给特性的偏差。
7. —种电致发光显示装置的缺陷检查装置，所述电致发光显示装置在各像素中包括二极管构造的电致发光元 件；和元件驱动晶体管，其与该电致发光元件连接，用于控制该电致发光 元件中流动的电流，所述电致发光显示装置的缺陷检查装置包括 电源产生部，其产生在缺陷检查时向各像素供给的电源； 检查用信号产生部，其产生检查用的定时信号以及检查用导通显示信号；电流检测部，其检测所述电致发光元件的阴极电流；和 缺陷判定部，根据所述电源以及所述定时信号，使各像素的所述元件驱动晶体管在 该晶体管的线性区域动作，并且，向该像素供给使所述电致发光元件为发 光程度的检查用导通显示信号，所述电流检测部对根据所述检查用导通显示信号而动作的所述电致 发光元件的阴极电流进行检测，缺陷判定部将该阴极电流与基准值比较，当比所述基准值大时，将该 像素判定为由所述电致发光元件引起的灭点鴃陷像素。
8. —种电致发光显示装置的缺陷检査装置，所述电致发光显示装置在各像素中包括二极管构造的电致发光元 件；和元件驱动晶体管，其与该电致发光元件连接，用于控制该电致发光 元件中流动的电流，所述电致发光显示装置的缺陷检查装置包括 电源产生部，其产生在缺陷检查时向各像素供给的电源； 检査用驱动信号产生部，其产生检査用的定时信号以及检査用导通显示信号；电流检测部，其检测所述电致发光元件的阴极电流；和 缺陷判定部，根据所述电源以及所述定时信号，使各像素的所述元件驱动晶体管在 该晶体管的饱和区域动作，并且，向该像素供给使所述电致发光元件为发 光程度的检查用导通显示信号，所述电流检测部对根据所述检査用导通显示信号而动作的所述电致 发光元件的阴极电流进行检测，缺陷判定部将该阴极电流与基准值比较，当比所述基准值小时，将该 像素判定为由所述元件驱动晶体管引起的暗点缺陷像素。
9. 一种电致发光显示装置的缺陷检査装置，所述电致发光显示装置在各像素中包括二极管构造的电致发光元 件；和元件驱动晶体管，其与该电致发光元件连接，用于控制该电致发光 元件中流动的电流，所述电致发光显示装置的缺陷检查装置包括 电源产生部，其产生在缺陷检查时向各像素供给的多个电源； 电源切换部，其为了根据缺陷检查模式来切换并控制所述元件驱动晶 体管在饱和区域的动作和在线性区域的动作，而切换向像素供给的电源； 检查用信号产生部，其产生检査用的定时信号以及检查用导通显示信号；发光检测部，其检测所述电致发光元件的发光状态；和缺陷判定部，在异常显示检查模式下根据由所述电源切换部选择的暗点检查用的电源以及所述定时信号， 使所述元件驱动晶体管在该晶体管的饱和区域动作，并且，向对应的像素 供给使所述电致发光元件为发光程度的检査用导通显示信号，所述发光检测部检测所述电致发光元件的发光亮度，所述缺陷判定部将所述检测到的发光亮度与基准亮度比较，将该发光 亮度小于所述基准亮度的像素判定为异常显示缺陷像素， 在灭点检査模式下根据由所述电源切换部选择的灭点检查用的电源以及所述定时信号， 使所述元件驱动晶体管在该晶体管的线性区域动作，并且，向对应的像素 供给使所述电致发光元件为发光程度的灭点检查用导通显示信号，所述发光检测部检测所述电致发光元件的发光亮度，所述缺陷判定部将所述检测到的发光亮度与基准亮度比较，将该发光 亮度小于所述基准亮度的像素判定为由所述电致发光元件引起的灭点缺 陷像素，在暗点检査模式下，所述缺陷判定部将被检测为所述异常显示缺陷像 素的像素中的未被检测为所述灭点缺陷像素的像素，判定为由所述元件驱 动晶体管引起的暗点缺陷像素。
10. —种电致发光显示装置的缺陷检查装置，所述电致发光显示装置在各像素中包括二极管构造的电致发光元 件；和元件驱动晶体管，其与该电致发光元件连接，用于控制该电致发光元件中流动的电流，所述电致发光显示装置的缺陷检查装置包括 电源产生部，其产生在缺陷检査时向各像素供给的电源； 检查用信号产生部，其产生检査用的定时信号以及检查用导通显示信号；电流检测部，其检测所述电致发光元件的阴极电流；禾口 缺陷判定部，根据所述电源以及所述定时信号，使各像素的所述元件驱动晶体管在 该晶体管的线性区域动作，并且，向该像素供给使所述电致发光元件为不 发光程度的检查用截止显示信号和使所述电致发光元件为发光程度的检 查用导通显示信号，所述电流检测部检测所述检査用截止显示信号所对应的所述电致发 光元件的阴极电流和所述检查用导通显示信号所对应的所述电致发光元 件的阴极电流之间的导通截止电流差，缺陷判定部将所述导通截止电流差与基准值比较，当该导通截止电流 差比所述基准值大时，将该像素判定为由所述电致发光元件引起的灭点缺 陷像素。
11. 一种电致发光显示装置的缺陷检查装置，所述电致发光显示装置 在各像素中包括二极管构造的电致发光元件；和元件驱动晶体管，其与 该电致发光元件连接，用于控制该电致发光元件中流动的电流，所述电致发光显示装置的缺陷检査装置包括 电源产生部，其产生在缺陷检査时向各像素供给的电源；检査用信号产生部，其产生检査用的定时信号以及检查用导通显示信号；电流检测部，其检测所述电致发光元件的阴极电流；和 缺陷判定部，根据所述电源以及所述定时信号，使各像素的所述元件驱动晶体管在 该晶体管的饱和区域动作，并且，向该像素供给使所述电致发光元件为不 发光程度的检查用截止显示信号和使所述电致发光元件为发光程度的检 查用导通显示信号，所述电流检测部检测所述检查用截止显示信号所对应的所述电致发 光元件的阴极电流和所述检查用导通显示信号所对应的所述电致发光元 件的阴极电流之间的导通截止电流差，缺陷判定部将所述导通截止电流差与基准值比较，当该导通截止电流 差比所述基准值小时，将该像素判定为由所述元件驱动晶体管引起的暗点 缺陷像素。
12. 根据权利要求10或11所述的电致发光显示装置的缺陷检査装置，其特征在于，所述检查用驱动信号产生部生成使所述元件驱动晶体管以及对应的 所述电致发光元件按每个像素多次连续动作并且一个像素多次连续动作 的定时信号。
全文摘要
本发明的电致发光显示装置的缺陷检查方法，使用于控制向EL元件供给的驱动电流的元件驱动晶体管(Tr2)在其线性区域动作，基于使EL元件为发光程度时的发光亮度或阴极电流，检测由EL元件的短路引起的灭点缺陷。使元件驱动晶体管(Tr2)在其饱和区域动作，根据使EL元件为发光程度时的阴极电流，可检测由元件驱动晶体管(Tr2)的特性偏差引起的暗点缺陷，在根据发光亮度检测异常显示像素时，求出异常显示像素中在灭点检查时未被判定为灭点缺陷的像素，将该像素检测为由元件驱动晶体管(Tr2)的特性偏差引起的暗点缺陷。由此，能对EL显示装置的显示缺陷根据其原因高精度地检测。
文档编号G01N21/95GK101183079SQ20071014834
公开日2008年5月21日 申请日期2007年8月31日 优先权日2006年9月4日
发明者小川隆司 申请人:三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社