专利名称：用于检测裸片背面缺陷的裸片缺陷检测系统及其使用方法
技术领域：
本发明涉及一种裸片缺陷检测系统及其使用方法，尤其涉及一种用于检测裸片背
面缺陷的裸片缺陷检测系统及其使用方法。
背景技术：
在半导体工艺中，往往会因为 一些无法避免的原因而生成细小的微粒或缺陷，而 随着半导体工艺中元件尺寸的不断縮小与电路密度的不断提高，这些极微小的缺陷或微粒 对集成电路品质的影响也日趋严重，因此为维持产品品质的稳定，通常在进行各项半导体 工艺的同时，也须针对所生产的半导体元件进行缺陷检测，以根据检测的结果来分析造成 这些缺陷的根本原因，之后才能进一步借由工艺参数的调整来避免或减少缺陷的产生，以 达到提升半导体工艺合格率以及可靠度的目的。 公知技术中已揭示一种缺陷检测方法，其包括下列步骤首先，进行取样，选定一 半导体裸片为样本来进行后续缺陷检测与分析工作，接着进行一缺陷检测，一般而言，大多 利用适当的缺陷探测机台以大范围扫描的方式，来探测该半导体裸片上之所有缺陷，由于 一半导体裸片上的缺陷个数多半相当大，因此在实务上不可能一一以人工的方式进行扫描 式电子显微镜再检测，因此为了方便起见，多半会先进行一人工缺陷分类，由所探测到的所 有缺陷中，抽样取出一些较具有代表性的缺陷类型，再让工程师以人工的方式对所选出的 样本来进行缺陷再检测，以一步对这些缺陷进行缺陷原因分析，以找出抑制或减少这些缺 陷的方法。 于是，本发明人有感上述缺点的可改善，且依据多年来从事此方面的相关经验，悉 心观察且研究，并配合学理的运用，而提出一种设计合理且有效改善上述缺点的本发明。
发明内容
本发明所要解决的技术问题，在于提供一种用于检测裸片背面缺陷的裸片缺陷检 测系统及其使用方法。本发明通过一裸片缺陷分析模块根据所提取到的该裸片的背面图 像，以判断该裸片背面的周围所产生的背崩值(backcrack)是否超过一预定标准值。若该 裸片背面的周围所产生的背崩值未超过该预定标准值，则将该裸片放置在一通过检测标准 的裸片置放托盘上；若该裸片背面的周围所产生的背崩值已超过该预定标准值，则将该裸 片放置在一未通过检测标准的裸片置放托盘上。 另外，本发明通过一裸片缺陷分析模块根据所提取到的该裸片的背面图像，以分 别判断该裸片背面的表面(surface)所产生的污损值(dirty mark)是否超过一预定标准 值。若该裸片背面的表面所产生的污损值未超过该预定标准值，则将该裸片放置在一通过 检测标准的裸片置放托盘上；若该裸片背面的表面所产生的污损值已超过该预定标准值， 则将该裸片放置在一未通过检测标准的裸片置放托盘上。 为了解决上述技术问题，根据本发明的其中一种方案，提供一种用于检测裸片背 面缺陷的裸片缺陷检测系统的使用方法，其包括下列步骤a :通过一晶片定位模块以定位一晶片，其中该晶片具有多个裸片；b :通过一裸片吸取模块以吸取位于该晶片定位模块上 的其中一个裸片到一裸片图像提取模块的上方；c :通过该裸片图像提取模块以进行该裸 片的背面图像(backimage)的提取；d :通过一裸片缺陷分析模块根据上述步骤c所提取到 的该裸片的背面图像，以判断该裸片背面的周围所产生的背崩值(back crack)是否超过一 预定标准值；e :若该裸片背面的周围所产生的背崩值未超过该预定标准值，则将该裸片放 置在一通过检测标准的裸片置放托盘上；若该裸片背面的周围所产生的背崩值已超过该预 定标准值，则将该裸片放置在一未通过检测标准的裸片置放托盘上；以及f :重复上述步骤 b至步骤e，直到位于该晶片定位模块上的晶片的每一个裸片全部被置放在该通过检测标 准的裸片置放托盘上或该未通过检测标准的裸片置放托盘上。 为了解决上述技术问题，根据本发明的其中一种方案，提供一种用于检测裸片背 面缺陷的裸片缺陷检测系统，其包括一晶片定位模块、一裸片图像提取模块、一裸片吸取 模块、一裸片缺陷分析模块、一裸片分类模块、及一控制模块。该晶片定位模块用以定位一 晶片，其中该晶片具有多个裸片。该裸片图像提取模块设置于该晶片定位模块的一侧，以用 于提取每一个裸片的图像。该裸片吸取模块设置于该晶片定位模块及该裸片图像提取模块 的上方，以用于依序吸取位于该晶片定位模块上的每一个裸片到该裸片图像提取模块的上 方来提取每一个裸片的背面图像。 另外，该裸片缺陷分析模块电性连接于该裸片图像提取模块，以用于根据所提取 到的每一个裸片的背面图像来判断每一个裸片是否通过检测标准。该裸片分类模块设置于 该裸片图像提取模块的一侧，以用于将通过检测标准的裸片及未通过检测标准的裸片进行 分类。该控制模块至少电性连接于该晶片定位模块、该裸片图像提取模块及该裸片吸取模 块，以用于控制该晶片定位模块进行该晶片的定位、控制该裸片图像提取模块针对每一个 裸片进行一次或分段图像提取、控制该裸片吸取模块吸取每一个裸片的时机、控制该裸片 吸取模块在该裸片图像提取模块上方的移动模式、及控制该裸片吸取模块将每一个经过检 测后的裸片放置在该裸片分类模块上。 本发明的有益效果在于若该裸片背面的周围所产生的背崩值已超过该预定标准 值，则将此超过该预定标准值的背崩值记录起来，以作为改进制作过程的参考。此外，若该 裸片背面的表面所产生的污损值已超过该预定标准值，则将此超过该预定标准值的污损值 记录起来，以作为改进制作过程的参考。 为了能更进一步了解本发明为达成预定目的所采取的技术、手段及功效，请参阅 以下有关本发明的详细说明与附图，相信本发明的目的、特征与特点，当可由此得一深入且
具体的了解，然而所附附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
图1为本发明用于检测裸片背面缺陷的裸片缺陷检测系统的功能方框图； 图2为本发明用于检测裸片背面缺陷的裸片缺陷检测系统针对每一个裸片进行
分段图像提取的示意图； 图3为本发明用于检测裸片背面缺陷的裸片缺陷检测系统的使用方法的流程图；
图4-1及图4-2为本发明用于检测裸片背面缺陷的裸片缺陷检测系统的使用方法 的步骤S106更进一步的局部流程6
图5为本发明裸片的背面图像的示意图；
图5A为本发明图5的A部分的放大示意图
图5B为本发明图5的B部分的放大示意图
图5C为本发明图5的C部分的放大示意图
图5D为本发明图5的D部分的放大示意图；以及 图6为本发明用于检测裸片背面缺陷的裸片缺陷检测系统的使用方法的步骤 S112更进一步的局部流程图。
中，附图标记说明如下 裸片缺陷检测系统 晶片定位模块
S
1
2
3
4
5
6
W C
曰t±" 裸片
裸片图像提取模块 裸片吸取模块 裸片缺陷分析模块 裸片分类模块
控制模块 上长边
BL 下长边
LS 左短边
RS 右短边
I 背面图像 P1、P2、P3、P4点
50A 50B
51
52
53
54
裸片置放托盘 裸片置放托盘
上长边基准线
容许距离
下长边基准线
容许距离
左短边基准线
容许距离
右短边基准线
容许距离
具体实施例方式
请参阅图1所示，其为本发明用于检测裸片背面缺陷的裸片缺陷检测系统的功能 方框图。由上述图中可知，本发明提供一种用于检测裸片背面缺陷的裸片缺陷检测系统S， 其至少包括一晶片定位模块1、一裸片图像提取模块2、一裸片吸取模块3、一裸片缺陷分 析模块4、一裸片分类模块5及一控制模块6。 其中，该晶片定位模块1用以定位一晶片W，其中该晶片W具有多个裸片C。该裸 片图像提取模块2设置于该晶片定位模块1的一侧，以用于提取每一个裸片C的图像。此 外，该裸片吸取模块2可为一真空吸取装置。 另外，该裸片吸取模块3设置于该晶片定位模块1、该裸片图像提取模块2及该裸 片分类模块5的上方，以用于依序吸取位于该晶片定位模块1上的每一个裸片C到该裸片 图像提取模块2的上方来提取每一个裸片C的背面图像。
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此外，该裸片缺陷分析模块4电性连接于该裸片图像提取模块2，以用于根据所提 取到的每一个裸片C的背面图像来判断每一个裸片C是否通过检测标准。例如判断每一 个裸片C是否通过背崩检测标准或污损检测标准。 另外，该裸片分类模块5设置于该裸片图像提取模块2的一侧，以用于将通过检测 标准的裸片C及未通过检测标准的裸片C进行分类。其中，该裸片分类模块5具有至少两 种裸片置放托盘50A、50B，以分别收容每一个通过检测标准的裸片C及每一个未通过检测 标准的裸片C。 另外，该控制模块6至少电性连接于该晶片定位模块1、该裸片图像提取模块2及 该裸片吸取模块3，以用于控制该晶片定位模块1进行该晶片W的定位、控制该裸片图像提 取模块2针对每一个裸片C进行一次或分段图像提取、控制该裸片吸取模块3吸取每一个 裸片C的时机、控制该裸片吸取模块3在该裸片图像提取模块2上方的移动模式、及控制该 裸片吸取模块3将每一个经过检测后的裸片C放置在该裸片分类模块5上。
另外，关于"该裸片图像提取模块2针对每一个裸片C进行一次或分段图像提取" 的技术，如果该裸片图像提取模块2可以一次就将每一个裸片C的背面图像完全提取，则进 行"一次图像提取";如果该裸片图像提取模块2无法一次就将每一个裸片C的背面图像完 全提取，则进行"分段图像提取"。请参阅图2所示，该裸片吸取模块3分成三段在移动，以 利该裸片图像提取模块2针对每一个裸片C进行"分段图像提取"的动作。
请参阅图3所示，其为本发明用于检测裸片背面缺陷的裸片缺陷检测系统的使用 方法的流程图。由上述图中可知，本发明提供一种用于检测裸片背面缺陷的裸片缺陷检测 系统的使用方法，其包括下列步骤 步骤S100为通过一晶片定位模块l以定位一晶片W，其中该晶片W具有多个裸 片C。 步骤S102为通过一裸片吸取模块3以吸取位于该晶片定位模块l上的其中一个 裸片C到一裸片图像提取模块2的上方。 步骤S104为通过该裸片图像提取模块2以进行该裸片C的背面图像(back image)的提取。其中，该裸片图像提取模块2提取该裸片C的背面图像的方式为一次图像 提取或分段图像提取。 步骤S106为通过一裸片缺陷分析模块4根据上述步骤S104所提取到的该裸片 C的背面图像，以判断该裸片C背面的周围所产生的背崩值(backcrack)是否超过一预定标 准值。 步骤S108为若该裸片C背面的周围所产生的背崩值未超过该预定标准值，则将 该裸片C放置在一通过检测标准的裸片置放托盘50A上。 步骤S110为若该裸片C背面的周围所产生的背崩值已超过该预定标准值，则将 该裸片C放置在一未通过检测标准的裸片置放托盘50B上。 步骤S112为通过一裸片缺陷分析模块4根据上述步骤S104所提取到的该裸片 C的背面图像，以分别判断该裸片C背面的表面(surface)所产生的污损值(dirty mark) 是否超过一预定标准值。 因此，若该裸片C背面的表面所产生的污损值未超过该预定标准值，则进行步骤 S108 (将该裸片C放置在一通过检测标准的裸片置放托盘50A上)；另外，若该裸片C背面
8的表面所产生的污损值已超过该预定标准值，则进行步骤SI 10 (将该裸片C放置在一未通 过检测标准的裸片置放托盘50B上)。 步骤S114为若该裸片C背面的周围所产生的背崩值已超过该预定标准值，则将
此超过该预定标准值的背崩值记录起来，以作为改进制作过程的参考。 步骤S116为若该裸片C背面的表面所产生的污损值已超过该预定标准值，则将
此超过该预定标准值的污损值记录起来，以作为改进制作过程的参考。 最后，重复上述步骤S102至步骤S116，直到位于该晶片定位模块1上的晶片W的
每一个裸片C全部被置放在该通过检测标准的裸片置放托盘50A上或该未通过检测标准的
裸片置放托盘50B上。 请参阅图4-l、图4-2及图5所示，其中图4-1及图4_2为本发明用于检测裸片背 面缺陷的裸片缺陷检测系统的使用方法的步骤S106更进一步的局部流程图；图5为本发明 裸片的背面图像的示意图。 由图5可知，一裸片C的背面图像I的周围由一上长边TL、一下长边BL、一左短边 LS及一右短边RS所组成。 由图4-1及图4-2可知，上述判断该裸片背面的周围所产生的背崩值是否超过一 预定标准值的步骤(即步骤S106所示)更进一步包括 步骤S1061为进行长边粗定位，通过两个点P1、P2以找出该背面图像I的上长边 TL的大约位置，并且通过另外两个点P3、P4以找出该背面图像I的下长边BL的大约位置。
步骤S1062为进行长边细定位，通过该背面图像I的图像颜色变化量以找出位于 该背面图像I的上长边TL上的每一个点及位于该背面图像I的下长边BL上的每一个点。
步骤S1063为针对该上长边TL设定一上长边基准线Sl并设定一超过该上长边 基准线Sl的容许距离Ll以作为一上长边背崩容许值。 步骤S1064为判断该上长边TL的每一个点的位置是否超过该上长边背崩容许 值；如果不是，则断定此点的背崩未超过该预定标准值；如果是，则断定此点的背崩已超过 该预定标准值。 例如由图5A可知，该上长边TL有两个点a、 b已超过该上长边基准线Sl的容许 距离Ll (已超过该上长边背崩容许值)，因此断定此点的背崩已超过该预定标准值。
步骤S1065为针对该下长边BL设定一下长边基准线S2并设定一超过该下长边 基准线S2的容许距离L2以作为一下长边背崩容许值。 步骤S1066为判断该下长边BL的每一个点的位置是否超过该下长边背崩容许 值；如果不是，则断定此点的背崩未超过该预定标准值；如果是，则断定此点的背崩已超过 该预定标准值。 例如由图5B可知，该下长边BL有两个点c、 d已超过该下长边基准线S2的容许 距离L2 (已超过该下长边背崩容许值)，因此断定此点的背崩已超过该预定标准值。
步骤S1067为通过该上长边TL及该下长边BL的位置以找出位于该背面图像I 的左短边LS上的每一个点及位于该背面图像I的右短边RS上的每一个点。
步骤S1068为针对该左短边LS设定一左短边基准线S3并设定一超过该左短边 基准线S3的容许距离L3以作为一左短边背崩容许值。 步骤S1069为判断该左短边LS的每一个点的位置是否超过该左短边背崩容许
9值；如果不是，则断定此点的背崩未超过该预定标准值；如果是，则断定此点的背崩已超过 该预定标准值。 例如由图5C可知，该左短边LS有两个点e、 f已超过该左短边基准线S3的容许 距离L3 (已超过该左短边背崩容许值)，因此断定此点的背崩已超过该预定标准值。
步骤S1070为针对该右短边RS设定一右短边基准线S4并设定一超过该右短边 基准线S4的容许距离L4以作为一右短边背崩容许值。 步骤S1071为判断该右短边RS的每一个点的位置是否超过该右短边背崩容许 值；如果不是，则断定此点的背崩未超过该预定标准值；如果是，则断定此点的背崩已超过 该预定标准值。 例如由图5D可知，该右短边RS有两个点g、 h已超过该右短边基准线S4的容许 距离L4 (已超过该右短边背崩容许值)，因此断定此点的背崩已超过该预定标准值。
请参阅图6所示，其为本发明用于检测裸片背面缺陷的裸片缺陷检测系统的使用 方法的步骤S112更进一步的局部流程图。由上述图中可知，上述判断该裸片背面的表面所 产生的污损值是否超过一预定标准值的步骤(即步骤S112所示)更进一步包括
步骤S1120为设定一污损面积容许值。
步骤S1121为通过该背面图像I的图像颜色变化量，以找出污损的位置。
步骤S1122为判断污损的实际面积是否大于该污损面积容许值；如果不是，则断
定该污损未超过该预定标准值；如果是，则断定该污损已超过该预定标准值。 以上所述，仅为本发明最佳之一的具体实施例的详细说明与附图，而本发明的特
征并不局限于此，并非用以限制本发明，本发明的所有范围应以所述的权利要求书的范围
为准，凡合于本发明专利保护范围的精神与其类似变化的实施例，均应包含于本发明的范
畴中，任何本领域普通技术人员在本发明的领域内，可轻易思及的变化或修饰均可涵盖在
本发明的权利要求书的范围内。
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权利要求
一种用于检测裸片背面缺陷的裸片缺陷检测系统的使用方法，其特征在于，包括下列步骤(a)通过一晶片定位模块以定位一晶片，其中该晶片具有多个裸片；(b)通过一裸片吸取模块以吸取位于该晶片定位模块上的其中一个裸片到一裸片图像提取模块的上方；(c)通过该裸片图像提取模块以进行该裸片的背面图像的提取；(d)通过一裸片缺陷分析模块根据上述步骤(c)所提取到的该裸片的背面图像，以判断该裸片背面的周围所产生的背崩值是否超过一预定标准值；(e)若该裸片背面的周围所产生的背崩值未超过该预定标准值，则将该裸片放置在一通过检测标准的裸片置放托盘上；若该裸片背面的周围所产生的背崩值已超过该预定标准值，则将该裸片放置在一未通过检测标准的裸片置放托盘上；以及(f)重复上述步骤(b)至步骤(e)，直到位于该晶片定位模块上的晶片的每一个裸片全部被置放在该通过检测标准的裸片置放托盘上或该未通过检测标准的裸片置放托盘上。
2. 如权利要求1所述的用于检测裸片背面缺陷的裸片缺陷检测系统的使用方法，其特 征在于若该裸片背面的周围所产生的背崩值已超过该预定标准值，则将此超过该预定标 准值的背崩值记录起来，以作为改进制作过程的参考。
3. 如权利要求1所述的用于检测裸片背面缺陷的裸片缺陷检测系统的使用方法，其特 征在于该背面图像的周围由一上长边、一下长边、一左短边及一右短边所组成，并且上述 判断该裸片背面的周围所产生的背崩值是否超过一预定标准值的步骤更进一步包括进行长边粗定位，通过两个点以找出该背面图像的上长边的大约位置，并且通过另外 两个点以找出该背面图像的下长边的大约位置；进行长边细定位，通过该背面图像的图像颜色变化量以找出位于该背面图像的上长边 上的每一个点及位于该背面图像的下长边上的每一个点；针对该上长边设定一上长边基准线并设定一超过该上长边基准线的容许距离以作为 一上长边背崩容许值；判断该上长边的每一个点的位置是否超过该上长边背崩容许值；如果不是，则断定此 点的背崩未超过该预定标准值；如果是，则断定此点的背崩已超过该预定标准值；针对该下长边设定一下长边基准线并设定一超过该下长边基准线的容许距离以作为 一下长边背崩容许值；判断该下长边的每一个点的位置是否超过该下长边背崩容许值；如果不是，则断定此 点的背崩未超过该预定标准值；如果是，则断定此点的背崩已超过该预定标准值；通过该上长边及该下长边的位置以找出位于该背面图像的左短边上的每一个点及位 于该背面图像的右短边上的每一个点；针对该左短边设定一左短边基准线并设定一超过该左短边基准线的容许距离以作为 一左短边背崩容许值；判断该左短边的每一个点的位置是否超过该左短边背崩容许值；如果不是，则断定此 点的背崩未超过该预定标准值；如果是，则断定此点的背崩已超过该预定标准值；针对该右短边设定一右短边基准线并设定一超过该右短边基准线的容许距离以作为 一右短边背崩容许值；以及判断该右短边的每一个点的位置是否超过该右短边背崩容许值；如果不是，则断定此 点的背崩未超过该预定标准值；如果是，则断定此点的背崩已超过该预定标准值。
4. 如权利要求1所述的用于检测裸片背面缺陷的裸片缺陷检测系统的使用方法，其特 征在于该裸片图像提取模块提取该裸片的背面图像的方式为一次图像提取或分段图像提 取。
5. 如权利要求1所述的用于检测裸片背面缺陷的裸片缺陷检测系统的使用方法，其特 征在于，上述步骤(d)更进一步包括通过一裸片缺陷分析模块根据上述步骤(C)所提取到 的该裸片的背面图像，以分别判断该裸片背面的表面所产生的污损值是否超过一预定标准 值。
6. 如权利要求5所述的用于检测裸片背面缺陷的裸片缺陷检测系统的使用方法，其 特征在于，上述步骤(e)更进一步包括若该裸片背面的表面所产生的污损值未超过该预 定标准值，则将该裸片放置在一通过检测标准的裸片置放托盘上；若该裸片背面的表面所 产生的污损值已超过该预定标准值，则将该裸片放置在一未通过检测标准的裸片置放托盘 上。
7. 如权利要求6所述的用于检测裸片背面缺陷的裸片缺陷检测系统的使用方法，其特 征在于若该裸片背面的表面所产生的污损值已超过该预定标准值，则将此超过该预定标 准值的污损值记录起来，以作为改进制作过程的参考。
8. 如权利要求5所述的用于检测裸片背面缺陷的裸片缺陷检测系统的使用方法，其特 征在于，上述判断该裸片背面的表面所产生的污损值是否超过一预定标准值的步骤更进一 步包括设定一污损面积容许值；通过该背面图像的图像颜色变化量，以找出污损的位置；以及判断污损的实际面积是否大于该污损面积容许值；如果不是，则断定该污损未超过该 预定标准值；如果是，则断定该污损已超过该预定标准值。
9. 如权利要求1所述的用于检测裸片背面缺陷的裸片缺陷检测系统的使用方法，其特 征在于该裸片图像提取模块设置于该晶片定位模块的一侧，该裸片吸取模块设置于该晶 片定位模块及该裸片图像提取模块的上方，并且该裸片缺陷分析模块电性连接于该裸片图 像提取模块。
10. 如权利要求1所述的用于检测裸片背面缺陷的裸片缺陷检测系统的使用方法，其 特征在于该裸片吸取模块为一真空吸取装置。
11. 一种用于检测裸片背面缺陷的裸片缺陷检测系统，其特征在于，包括 一晶片定位模块，其用以定位一晶片，其中该晶片具有多个裸片；一裸片图像提取模块，其设置于该晶片定位模块的一侧，以用于提取每一个裸片的图像；一裸片吸取模块，其设置于该晶片定位模块及该裸片图像提取模块的上方，以用于依 序吸取位于该晶片定位模块上的每一个裸片到该裸片图像提取模块的上方来提取每一个 裸片的背面图像；一裸片缺陷分析模块，其电性连接于该裸片图像提取模块，以用于根据所提取到的每 一个裸片的背面图像来判断每一个裸片是否通过检测标准；一裸片分类模块，其设置于该裸片图像提取模块的一侧，以用于将通过检测标准的裸 片及未通过检测标准的裸片进行分类；以及一控制模块，其至少电性连接于该晶片定位模块、该裸片图像提取模块及该裸片吸取 模块，以用于控制该晶片定位模块进行该晶片的定位、控制该裸片图像提取模块针对每一 个裸片进行一次或分段图像提取、控制该裸片吸取模块吸取每一个裸片的时机、控制该裸 片吸取模块在该裸片图像提取模块上方的移动模式、及控制该裸片吸取模块将每一个经过 检测后的裸片放置在该裸片分类模块上。
12. 如权利要求11所述的用于检测裸片背面缺陷的裸片缺陷检测系统，其特征在于 该裸片吸取模块为一真空吸取装置。
13. 如权利要求11所述的用于检测裸片背面缺陷的裸片缺陷检测系统，其特征在于 该裸片分类模块具有至少两种裸片置放托盘，以分别收容每一个通过检测标准的裸片及每 一个未通过检测标准的裸片。
全文摘要
本发明公开了一种用于检测裸片背面缺陷的裸片缺陷检测系统及其使用方法，其中该系统包括一晶片定位模块、一裸片图像提取模块、一裸片吸取模块、一裸片缺陷分析模块、一裸片分类模块及一控制模块。裸片图像提取模块设置于晶片定位模块的一侧，以用于提取每一个裸片的图像。裸片吸取模块设置于晶片定位模块及裸片图像提取模块的上方，以用于依序吸取位于晶片定位模块上的每一个裸片到裸片图像提取模块的上方来提取每一个裸片的背面图像。裸片缺陷分析模块电性连接于裸片图像提取模块，以用于根据所提取到的每一个裸片的背面图像来判断每一个裸片是否通过检测标准。本发明可作为改进制作过程的参考。
文档编号G01N21/956GK101788503SQ20091000277
公开日2010年7月28日 申请日期2009年1月22日 优先权日2009年1月22日
发明者汪秉龙, 陈信呈, 陈桂标, 黄剑麒 申请人:久元电子股份有限公司