专利名称：一种光阻穿透效果的简易测试方法
技术领域：
本发明涉及一种半导体制造技术领域，尤其涉及一种光阻穿透效果的简易测试方法。
背景技术：
光阻厚度造成的散射和边缘效应降低了半导体器件的特征尺寸，而随着集成电路制造工艺努力追赶摩尔定律的步伐，降低光阻高宽比在半导体工艺中所起的作用越来越明显。光阻的减薄，又带来了一系列工艺方面的问题，其中最明显的就是光阻在离子注入中的穿透性。通常，在半导体生产工艺中直接使用纵向非静态(LSQ理论和TRIM程序来计算离子注入的深度-浓度分布来选择光阻的厚度，但在实际使用中却发现计算结果与实际结果相差甚远。往往根据计算结果选择的光阻厚度，在最终的电路分析中却发现注入离子已经穿透光阻并影响了器件电性参数。随着光阻的减薄以及注入剂量的增大，这种计算结果与实验结果的偏差变的越来越频繁。目前有效的检测方法是通过建立一个精简的工艺流程来测试光阻穿透性，该流程包括浅沟道隔离、光阻覆盖、离子注入、光阻蚀刻、热退火、金属引线接入，以及最终的电性参数测试。整个周期接近一个星期，被测试的晶圆一旦被证明光阻穿透就无法重复使用，如何快速有效的测试光阻穿透效果成了我们迫切需要解决的一个难题。
发明内容
本发明提供一种光阻穿透效果的简易测试方法，用以解决现有测试光阻穿透效果所需时间长的问题。为了实现上述目的，本发明采取的技术方案为
一种光阻穿透效果的简易测试方法，其中，包括有一晶圆，首先对所述晶圆进行热波仪探测，检测所述晶圆的晶格损伤度，然后在所述晶圆上覆盖光阻，并将覆盖有所述光阻的所述晶圆送至离子注入机进行注入，最后用湿法刻蚀和干法刻蚀对所述晶圆去除表面光阻， 并用热波仪再次探测所述晶圆。上述的光阻穿透效果的简易测试方法，其中，所述光阻的厚度通过非静态理论得到一个初值。上述的光阻穿透效果的简易测试方法，其中，所述光阻直接覆盖在整个所述晶圆上，以此省去额外光罩。上述的光阻穿透效果的简易测试方法，其中，所述晶圆通过均勻的离子注入。上述的光阻穿透效果的简易测试方法，其中，如果所述晶圆的晶格损伤度明显增力口，则表面所述光阻已被穿透，重新选择光阻厚度。上述的光阻穿透效果的简易测试方法，其中，被注入离子的所述晶圆通过热退火的方式进行修复，以重新使用。
上述的光阻穿透效果的简易测试方法，其中，如果所述晶圆的晶格损伤度无明显变化，则证明所述光阻的厚度可以阻挡离子穿透。本发明由于采用了上述技术，使之具有的积极效果是
整个流程只需一天的时间即可测试出光阻穿透的效果，相比于现有技术需要一个星期的测试周期，大大缩短了开发周期。而且对于光阻穿透造成晶格损伤度增大的晶圆可以通过热退火的方法修复，从而达到了重复利用，节省了晶圆的损耗。
图1是本发明一种光阻穿透效果的简易测试方法的流程图2是本发明一种光阻穿透效果的简易测试方法中晶圆覆盖光阻的示意图； 图3是本发明一种光阻穿透效果的简易测试方法中晶圆离子注入的示意图。
具体实施例方式以下结合附图给出本发明一种光阻穿透效果的简易测试方法的具体实施方式
。图1为本发明一种光阻穿透效果的简易测试方法的流程图，图2为本发明一种光阻穿透效果的简易测试方法中晶圆覆盖光阻的示意图，图3为本发明一种光阻穿透效果的简易测试方法中晶圆离子注入的示意图，请参见图1至图3所示。本发明一种光阻穿透效果的简易测试方法，包括有一晶圆1，首先对该晶圆1进行热波仪探测，通过热波仪检测晶圆1 的晶格损伤度；然后在晶圆1的表面上覆盖电阻2，并且将覆盖有电阻2的晶圆1传送至离子注入机，通过离子注入机对覆盖有电阻2的晶圆1进行离子的注入；最后用湿法刻蚀和干法刻蚀的方法对晶圆1去除表面的电阻2，并再次使用热波仪探测晶圆1的晶格损伤度，将第一次检测的晶圆1损伤度与第二次检测的晶圆1的损伤度进行比较。本发明在上述基础还具有如下实施方式
请继续参见图1至图3所示。本发明的进一步实施例中，在晶圆1的衬底上覆盖有电阻2，电阻2在晶圆1表面会产生有厚度，该电阻2的厚度能够通过非静态(LSS)理论得到一个初值。本发明的进一步实施例中，请参见图2和图3所示。将电阻2直接覆盖在整个晶圆1上，通过此覆盖以省去在晶圆1表面添加额外光罩的设置。完成覆盖电阻2的步骤后， 接着再把覆盖有电阻2的晶圆1送至离子注入机，使得能够通过均勻的离子3注入晶圆1 上。本发明的更进一步实施例中，用湿法刻蚀和干法刻蚀的方法分别去除晶圆1表面的电阻2，将该晶圆1送到热波仪进行晶圆1的晶格损伤度检测，并且将第一次检测的晶圆 1损伤度与第二次检测的晶圆1的损伤度进行比较。如果晶圆1的晶格损伤度相比第一次检测的晶圆1损伤度明显增加，则晶圆1的表面光阻2已被穿透，重新在晶圆1衬底上覆盖电阻2，并重新选择光阻2的厚度。而被注入离子3的晶圆1通过热退火的方式进行修复后可以重新使用，从而使其能够重复利用，节省了晶圆1的损耗。如果晶圆1的晶格损伤度相比第一次检测的晶圆1的损伤度无明显变化，则证明光阻2的厚度可以阻挡离子3穿透，使得该步骤以及电阻2的厚度适合作为工艺流程使用。综上所述，使用本发明一种光阻穿透效果的简易测试方法，整个流程只需一天的时间即可测试出光阻穿透的效果，相比于现有技术需要一个星期的测试周期，大大缩短了开发周期。而且对于光阻穿透造成晶格损伤度增大的晶圆可以通过热退火的方法修复，从而达到了重复利用，节省了晶圆的损耗。 以上对本发明的具体实施例进行了描述。需要理解的是，本发明并不局限于上述特定实施方式，其中未尽详细描述的方法和处理过程应该理解为用本领域中的普通方式予以实施；本领域技术人员可以在权利要求的范围内做出各种变形或修改，这并不影响本发明的实质内容。凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
权利要求
1.一种光阻穿透效果的简易测试方法，其特征在于，包括有一晶圆，首先对所述晶圆进行热波仪探测，检测所述晶圆的晶格损伤度，然后在所述晶圆上覆盖光阻，并将覆盖有所述光阻的所述晶圆送至离子注入机进行注入，最后用湿法刻蚀和干法刻蚀对所述晶圆去除表面光阻，并用热波仪再次探测所述晶圆。
2.根据权利要求1所述光阻穿透效果的简易测试方法，其特征在于，所述光阻的厚度通过非静态理论得到一个初值。
3.根据权利要求1所述光阻穿透效果的简易测试方法，其特征在于，所述光阻直接覆盖在整个所述晶圆上，以此省去额外光罩。
4.根据权利要求1所述光阻穿透效果的简易测试方法，其特征在于，所述晶圆通过均勻的离子注入。
5.根据权利要求1所述光阻穿透效果的简易测试方法，其特征在于，如果所述晶圆的晶格损伤度明显增加，则表面所述光阻已被穿透，重新选择光阻厚度。
6.根据权利要求5所述光阻穿透效果的简易测试方法，其特征在于，被注入离子的所述晶圆通过热退火的方式进行修复，以重新使用。
7.根据权利要求1所述光阻穿透效果的简易测试方法，其特征在于，如果所述晶圆的晶格损伤度无明显变化，则证明所述光阻的厚度可以阻挡离子穿透。
全文摘要
本发明公开一种光阻穿透效果的简易测试方法，其中，包括有一晶圆，首先对所述晶圆进行热波仪探测，检测所述晶圆的晶格损伤度，然后在所述晶圆上覆盖光阻，并将覆盖有所述光阻的所述晶圆送至离子注入机进行注入，最后用湿法刻蚀和干法刻蚀对所述晶圆去除表面光阻，并用热波仪再次探测所述晶圆。使用本发明一种光阻穿透效果的简易测试方法，整个流程只需一天的时间即可测试出光阻穿透的效果，相比于现有技术需要一个星期的测试周期，大大缩短了开发周期。而且对于光阻穿透造成晶格损伤度增大的晶圆可以通过热退火的方法修复，从而达到了重复利用，节省了晶圆的损耗。
文档编号G01N25/72GK102539476SQ201110308000
公开日2012年7月4日 申请日期2011年10月12日 优先权日2011年10月12日
发明者赖朝荣, 邓建宁 申请人:上海华力微电子有限公司