专利名称：晶圆中芯片的测试方法
技术领域：
本发明涉及半导体器件的测试，特别是涉及一种晶圆中芯片的测试方法。
背景技术：
参见图I,传统对晶圆(wafer)上的芯片(die)进行中测(Circuit Prober, CP)的方法是将晶圆10固定放置于承载台上，然后探针卡于规定的测试区域20内对晶圆10上的die进行测试，将测试得到的芯片合格率与标准合格率进行比较，进而判断产品是否合格。之所以要规定测试区域20，是因为晶圆10的边缘会产生不完整的无效图形，在测试时需要将其排除，因此测试区域20的尺寸要小于晶圆10，等于晶圆的有效区域，以避免将晶圆10边缘的无效图形纳入测试区域20内。注意图I中的测试区域20仅是一示意，实际测试中可以是其它形状，例如圆形。另外晶圆10中的槽口(notch)未画出。然而，这种传统的测试方法如果出现了晶圆10固定于承载台上的位置偏离了预定位置的情况时，就会产生测试区域20偏离的问题，导致一部分不完整的无效图形进入测试区域20，同时一部分有效芯片偏出了测试区域20而无法被检测到，使得抽测良率不能客观真实地反映该被测晶圆的实际情况，从而不能准确筛选出符合标准的产品。
发明内容
基于此，有必要针对传统的芯片测试方法不能准确筛选出符合标准的产品的问题，提供一种晶圆中芯片的测试方法。一种晶圆中芯片的测试方法，包括下列步骤设置一面积大于待测晶圆有效区域的测试区域，使测试区域能够完全覆盖所述有效区域；将所述待测晶圆置于承片台上，按照所述测试区域对所述待测晶圆进行测试；将测试得到的合格芯片数与标准合格数进行比较，若大于或等于所述标准合格数，则该待测晶圆符合标准。在其中一个实施例中，所述测试区域为圆形区域，所述测试区域的直径大于所述有效区域的对角线长度。在其中一个实施例中，所述标准合格数为所述待测晶圆的理论有效图形数减去合理不良芯片数，所述合理不良芯片数为一经验值。在其中一个实施例中，所述测试为晶圆中测。上述晶圆中芯片的测试方法，采取放大测试面积的方法进行测试，能够遍测待测晶圆上的有效图形，虽然因为测试区域的放大导致对部分无效图形也进行了测试，但由于是比较合格芯片数量与标准合格数，不同于传统的采用合格率进行判定的方式，因此可以剔除掉因无效图形引入的干扰，依据此方法可以准确地筛选出符合标准的产品。
图I是一种传统的中测方法中测试区域的示意图；图2是一实施例中晶圆中芯片的测试方法的流程图3是一实施例中晶圆中芯片的测试方法的测试区域的示意图。
具体实施例方式为使本发明的目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式
做详细的说明。图2是一实施例中晶圆中芯片的测试方法的流程图，图3是一实施例中晶圆中芯片的测试方法的测试区域的示意图，该测试方法包括下列步骤S110，设置一面积大于待测晶圆10的有效区域的测试区域30，使测试区域30能够
完全覆盖有效区域。有效区域是指待测晶圆10上所有完整的芯片(die)组合而成的区域，也就是排除了位于待测晶圆10边缘的无效图形后剩下的芯片组成的区域。S120，将待测晶圆10置于承片台上，按照测试区域30对待测晶圆10进行测试。对待测晶圆10进行中测(CP)，通过探针卡遍测待测晶圆10位于测试区域30内的所有芯片，并记录通过测试的芯片数量。参见图3，即使在步骤S 120中待测晶圆10放置在承片台上的位置略微偏离的预定位置，测试区域30也能够完全覆盖有效区域。需要指出的是，图3仅是一示意图，实际测试中测试区域30不一定要那么大。在其中一个实施例中，测试区域30为圆形区域，测试区域30的直径大于有效区域的对角线长度。S130，将测试得到的合格芯片数与标准合格数进行比较，若大于或等于标准合格数，则该待测晶圆10符合标准。由于相同型号芯片在相同尺寸晶圆上的有效图形(即完整的芯片)数目是一定的，因此可以通过计算或测试一个标准片上的理论有效图形数来得到标准合格数。由于在实际生产中通常难以做到一块晶圆上的芯片100%通过测试，在本实施例中，标准合格数为待测晶圆10的理论有效图形数减去合理不良芯片数，所述合理不良芯片数为一经验值。上述晶圆中芯片的测试方法，采取放大测试面积的方法进行测试，能够遍测待测晶圆上的有效图形，虽然因为测试区域的放大导致对部分无效图形也进行了测试，但由于是比较合格芯片数量与标准合格数，不同于传统的采用合格率进行判定的方式，因此可以剔除掉因无效图形引入的干扰，依据此方法可以准确地筛选出符合标准的产品。以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
权利要求
1.一种晶圆中芯片的测试方法，包括下列步骤设置一面积大于待测晶圆有效区域的测试区域，使测试区域能够完全覆盖所述有效区域；将所述待测晶圆置于承片台上，按照所述测试区域对所述待测晶圆进行测试；将测试得到的合格芯片数与标准合格数进行比较，若大于或等于所述标准合格数，则该待测晶圆符合标准。
2.根据权利要求I所述的晶圆中芯片的测试方法，其特征在于，所述测试区域为圆形区域，所述测试区域的直径大于所述有效区域的对角线长度。
3.根据权利要求I或2所述的晶圆中芯片的测试方法，其特征在于，所述标准合格数为所述待测晶圆的理论有效图形数减去合理不良芯片数，所述合理不良芯片数为一经验值。
4.根据权利要求I所述的晶圆中芯片的测试方法，其特征在于，所述测试为晶圆中测。
全文摘要
本发明涉及一种晶圆中芯片的测试方法，包括下列步骤设置一面积大于待测晶圆有效区域的测试区域，使测试区域能够完全覆盖所述有效区域；将所述待测晶圆置于承片台上，按照所述测试区域对所述待测晶圆进行测试；将测试得到的合格芯片数与标准合格数进行比较，若大于或等于所述标准合格数，则该待测晶圆符合标准。本发明采取放大测试面积的方法进行测试，能够遍测待测晶圆上的有效图形，虽然因为测试区域的放大导致对部分无效图形也进行了测试，但由于是比较合格芯片数量与标准合格数，不同于传统的采用合格率进行判定的方式，因此可以剔除掉因无效图形引入的干扰，依据此方法可以准确地筛选出符合标准的产品。
文档编号G01R31/26GK102981114SQ201210528268
公开日2013年3月20日 申请日期2012年12月10日 优先权日2012年12月10日
发明者王云锋, 任炜强 申请人:深圳深爱半导体股份有限公司