磁检测装置制造方法

磁检测装置制造方法
【专利摘要】本发明提供一种磁检测装置，其在使多个传感器差动来进行磁场检测的情况下能够进行高精度的检测。在磁检测装置（10）中，一对传感器（12）的感磁部通过耦合部件（14）在磁路上串联耦合，所述耦合部件（14）由相对磁导率为100以上的磁性材料、具有构成所述感磁部的磁性材料的相对磁导率的1/100以上的相对磁导率的磁性材料、或者与磁传感器的感磁部材料相同的磁性材料构成，因此在两个传感器中被相等地施加环境磁场、磁背景噪声等外部磁场，并能够对其进行检测。另外，使测定用传感器（12）检测测定对象物（50）产生的磁场，使参照用传感器（12b）的输出进行差动，由此能够降低外部磁场的影响，仅高精度地检测测定对象物（50）产生的磁场。
【专利说明】磁检测装置
【技术领域】
[0001]本发明涉及磁检测装置，特别涉及能够高精度地检测微小磁场的磁检测装置。
【背景技术】
[0002]近年来，如检测活体细胞产生的磁信号(磁场)那样，要求能够高精度、例如通过高分辨率检测磁场的磁检测装置。在这样的状况中，例如提出了利用在对通电了高频率电流的非晶丝(丝状的非晶态合金)施加外部磁场时其阻抗发生变化的磁阻(MI ；Magneto-1mpedance)效果的磁阻传感器。例如，专利文献I所记载的磁传感器就是这样。根据这样的磁阻传感器，能够将微小的磁场变化捕捉为所述非晶丝的阻抗变化，所以能够进行分辨率高的磁场检测。
[0003]另一方面，在对产生微小磁场的测定对象物进行测定的情况下，除了使用上述那样的分辨率高的传感器之外，还需要降低地磁等外部磁场的影响。为了降低外部磁场的影响，使多个传感器的输出差动来进行检测。即，在一方的传感器中检测测定对象物产生的磁场和外部磁场这两者，在另一方中只检测外部磁场。然后，通过两者的输出之差，能够仅得到所述测定对象物产生的磁场。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献1:国际公开第2005/019851号
【发明内容】

[0006]发明要解决的问题
[0007]但是，如上所述，在使多个传感器工作的情况下，为了高精度地检测测定对象物产生的磁场，需要该多个传感器检测的外部磁场共同，同时需要一方的传感器检测测定对象物产生的磁场和外部磁场这两者而另一方的传感器只检测外部磁场。多个传感器只要接近就能够检测共同的外部磁场，但是在该情况下存在如下问题:在无论多个传感器的哪一个都有可能检测了测定对象物产生的磁场。
[0008]如此，在使多个传感器差动来进行磁场检测的情况下，依然存在应改善的问题。
[0009]本发明是以上述的情况为背景而完成的发明，其目的在于，提供一种磁检测装置，其在使多个传感器差动来进行磁场检测的情况下能够高精度地进行检测。
[0010]用于解决问题的手段
[0011]用于达到这样的目的的本申请第I发明是一种磁检测装置，具有:(a)—对磁传感器，其分别包含用于检磁的感磁部；和(13)长条状的稱合部件,其与该一对感磁部一起构成磁路，(C)该一对感磁部的感磁方向和该f禹合部件的长度方向一致到能够相等地检测在该一对感磁部共同施可的磁场，(d)该稱合部件由相对磁导率为100以上的磁性材料、具有构成所述感磁部的磁性材料的相对磁导率的I/100以上的相对磁导率的磁性材料、或者与磁传感器的感磁部材料相同的磁性材料构成，(e )使所述一对传感器的输出进行差动来测定磁。[0012]发明的效果
[0013]根据所述第I发明，所述一对传感器的感磁部与由相对磁导率为100以上的磁性材料(具体而言，例如铁酸盐、坡莫合金、非晶态合金等矫顽力小的磁性材料等)、具有构成所述感磁部的磁性材料的相对磁导率的1/100以上的相对磁导率的磁性材料(具体而言，例如钴-铁-娃-硼合金(Co-Fe-S1-B合金)等)、或者与磁传感器的感磁部材料相同的磁性材料构成的所述耦合部件一起构成磁路，所以能够在所述一对传感器的两方中相等地施加环境磁场和/或磁背景噪声等外部磁场，并对其进行检测。另外，仅使所述一对传感器的一方检测测定对象物产生的磁场，使所述一对传感器的输出差动，由此能够降低外部磁场的影响，仅高精度地检测所述测定对象物产生的磁场。
[0014]另外，本申请的第2发明的特征在于，在所述第I发明涉及的磁检测装置中，(a)所述耦合部件由多个耦合部件片构成，(b)该多个耦合部件片隔着所述耦合部件的接合部的截面积径以下的间隙或者紧贴地配设。如此一来，在所述耦合部件由多个耦合部件片构成，且没有将所述一对磁传感器在磁路上严密地串联的情况下，也能够使施加于这一对传感器的外部磁场平均化，能获得与所述第I发明相同的效果。另外，如此一来，在构成所述I个磁路的耦合部件由多个耦合部件片构成的情况下，能够选择性地设计该多个耦合部件片是否电连接。此外，在本说明书中，将“构成磁路的要素设为在一条磁路上磁通量连续”称为“在磁路上串联”。
[0015]另外，本申请的第3发明的特征在于，在所述第2发明涉及的磁检测装置中，在所述间隙配设有相对磁导率为100以上的磁性体。如此一来，在所述耦合部件由多个耦合部件片构成，且没有将所述一对磁传感器在磁路上严密地串联的情况下，也能获得与所述第2发明相同的效果。
[0016]另外，本申请的第4发明的特征在于，在所述第I发明涉及的磁检测装置中，所述一对传感器的感磁部和所述稱合部件由相同的材料一体构成。如此一来，因为在所述感磁部和所述耦合部件的特性上没有批次间的不均，均匀性增加，并且感磁部和耦合部件一体成形，所以易于制造。
[0017]另外，本申请的第5发明的特征在于，在所述第I至第4发明涉及的磁检测装置中，所述一对传感器的感磁部隔着该感磁部的接合部的截面积径以下的间隙或者紧贴地配设。如此一来，因为I对传感器的间隔小，所以能够减小磁检测装置整体的大小。
[0018]另外，本申请的第6发明的特征在于，在所述第I至第5发明涉及的磁检测装置中，具有通过磁蔽来屏蔽测定对象物和所述一对传感器的屏蔽单元。如此一来，因为将测定对象物和所述一对传感器通过磁蔽而屏蔽，所以外部磁场对一对传感器和测定对象物产生的磁场施加的影响进一步降低，能够进行更高精度的磁场检测。
[0019]另外，本申请的第7发明的特征在于，在所述第I至第5发明涉及的磁检测装置中，具有由非磁性体的导电体构成、至少覆盖所述一对传感器的感磁部、且接地的覆盖部。如此一来，能够降低在感磁部带电的情况下产生的噪声等对测定结果的影响。
[0020]另外，本申请的第8发明的特征在于，在所述第I至第5发明涉及的磁检测装置中，(a)所述一对传感器是磁阻传感器，(b)所述磁传感器的感磁部是非晶丝，(C)所述耦合部件是导电体，Cd)具有与该耦合部件电并联连接的由非磁性体的导电材料构成的并列导体。如此一来，能够增大在由非晶丝构成的感磁部中流动的电流量。[0021]另外，本申请的第9发明的特征在于，在所述第I至第5发明涉及的磁检测装置中，(a)所述一对传感器是磁阻传感器，(b)所述磁传感器的感磁部是多条非晶丝，(C)该多条非晶丝电并联连接。如此一来，因为耦合部件由多条非晶丝构成，所以能够增大在耦合部件中流动的电流量。
[0022]另外，本申请的第10发明的特征在于，在所述第I至第5发明涉及的磁检测装置中，Ca)所述一对传感器是具有检测线圈的磁阻传感器，(b)所述磁传感器的感磁部是非晶丝，(C)在所述一对传感器的至少一方，与该非晶丝电绝缘且沿着该非晶丝配设有结晶金属丝。如此一来，因为能够使用所述结晶金属丝仅将电噪声分离来检测，所以通过从磁传感器的输出减去该电噪声，能够进行从磁传感器的输出除去了电噪声的高精度的测量。
[0023]另外，本申请的第11发明的特征在于，在所述第I至第5发明涉及的磁检测装置中，Ca)所述一对传感器是具有检测线圈的磁阻传感器，(b)所述磁传感器的感磁部是非晶丝，(c)所述检测线圈的寄生电容设定成使由于该非晶丝的通电电流的通电开始而在所述检测线圈产生的感应电压的变动和由于该非晶丝的通电电流的通电切断而在所述检测线圈产生的感应电压的变动连续地产生。如此一来，磁阻传感器的输出波形广域化，能够进行不易受噪声影响的测定。
[0024]另外，本申请的第12发明的特征在于，在所述第I至第5发明涉及的磁检测装置中，Ca)所述一对传感器是具有检测线圈的磁阻传感器，(b)所述磁传感器的感磁部是非晶丝，(c)测量对由于非晶丝的通电电流的通电开始而在所述检测线圈产生的感应电压的变动在包含该变动的峰值的范围内进行累计的值、对由于该非晶丝的通电电流的通电切断而在所述检测线圈产生的感应电压的变动在包含该变动的峰值的范围内进行累计的值、或者从对由于该非晶丝的通电电流的通电开始而在所述检测线圈产生的感应电压的变动在包含该变动的峰值的范围内进行累计的值减去对由于该非晶丝的通电电流的通电切断而在所述检测线圈产生的感应电压的变动在包含该变动的峰值的范围内进行累计的值而得到的值。如此一来，在使用了磁阻传感器的磁信号的检测中，能够提高灵敏度同时降低噪声的影响。
[0025]另外，本申请的第13发明的特征在于，在所述第I至第5发明涉及的磁检测装置中，(a)所述一对传感器是磁阻传感器，(b)所述磁传感器的感磁部是非晶丝，(c)该非晶丝的通电电流的脉冲宽度具有所述磁阻传感器的相对于磁场的阻抗变化显著的频率的倒数的一半左右的值。如此一来，磁阻传感器灵敏度成为高灵敏度。
[0026]另外，本申请的第14发明的特征在于，在所述第I至第5发明涉及的磁检测装置中，(a)所述一对传感器是磁阻传感器，(b)所述磁传感器的感磁部是非晶丝，(C)对该非晶丝通电的脉冲的重复频率为IOkHz以上。如此一来，磁阻传感器的灵敏度成为高灵敏度。
[0027]另外，本申请的第15发明的特征在于，在所述第I至第5发明涉及的磁检测装置中，Cr)所述一对传感器是分别具有检测线圈的磁阻传感器，Cm)所述磁传感器的感磁部是非晶丝，(y)将该一对检测线圈电串联布线以在对该非晶丝通电了脉冲时使在所述一对检测线圈产生的电动势反相。如此一来，因为所述一对检测线圈连接成在对该非晶丝通电了脉冲时在所述一对检测线圈产生的电动势反相，所以不需要用于取两个检测线圈的输出之差的电路。【专利附图】

【附图说明】
[0028]图1是放大表示本发明的磁检测装置的传感器头的结构的一例的图。
[0029]图2是对在本实施例的磁检测装置中，输入用于驱动传感器头的电信号，并且用于处理来自传感器头的输出信号的电路部的结构的主要部分进行说明的图。
[0030]图3是对施可于非晶丝的脉冲信号的重复频率和传感器的灵敏度之间的关系进行说明的图。
[0031]图4是对比表示施加于非晶丝的脉冲信号和在检测线圈产生的感应电压的波形的图。
[0032]图5是对本实施例的磁检测装置中的电路部的结构的与图2不同的主要部分进行说明的图。
[0033]图6是说明通过本实施例的磁检测装置进行细胞组织的磁检测的情况的方式的图，是放大说明磁检测装置的传感器头周边的结构的图。
[0034]图7是表示通过本发明的磁检测装置得到的磁场强度的时间变化的图。图7 (a)是没有设置测定对象物的情况下的图，图7 (b)是将实验鼠的膀胱的平滑肌细胞组织作为测定对象物的情况下的图。
[0035]图8是对图7 (a)的实验结果进行了傅里叶解析的图。图8 (b)是对图8 (a)的一部分频率进行了放大的图。
[0036]图9是对图7 (b)的实验结果进行了傅里叶解析的图。图9 (b)是对图9 (a)的一部分频率进行了放大的图。
[0037]图10是对本发明的磁检测装置中的耦合部件的另一方式进行说明的图。
[0038]图11是通过模拟表示在对金属丝施可了磁场的情况下的金属丝内的磁场的强度的图。
[0039]图12是表示间隙与截面积径之比和磁场强度的下降之间的关系的图。
[0040]图13是通过模拟表示在仅将位于耦合部件的中央的耦合部件片由与两端的耦合部件片不同的磁性体构成的情况下的金属丝内的磁场的强度的图，是与图11对应的图。
[0041]图14是对耦合部件的另一实施方式进行说明的图，是与图10对应的图。
[0042]图15是对传感器以及耦合部件的又一方式进行说明的图，是与图10对应的图。
[0043]图16是对传感器以及耦合部件的又一方式进行说明的图，是与图10对应的图。
[0044]图17是说明在传感器中作为耦合部件而设置有多条非晶丝的方式的图。
[0045]图18是说明在传感器中作为耦合部件而设置有非晶丝和结晶金属丝的方式的图。
[0046]图19是对包含图18所示的检测线圈而构成的磁检测装置的结构的主要部分进行说明的图，是与图2对应的图。
[0047]图20是对本发明的磁检测装置的另一实施例的结构进行说明的图，是与图2对应的图。
[0048]附图标记说明
[0049]10、100、110 磁检测装置
[0050]11、101传感器头
[0051]12磁传感器[0052]13检测部(检测线圈)
[0053]14耦合部件(非晶丝)
[0054]16覆盖部
[0055]18并列导体
[0056]20屏蔽部件
[0057]50测定对象物
【具体实施方式】
[0058]以下，参照附图对本发明的一个实施例进行详细说明。
[0059]实施例1
[0060]图1是表示本发明的磁检测装置10的结构的一例的图。如图1所示，磁检测装置10构成为具有用于检测磁场的传感器头11、和用于供给用于驱动该传感器头11的电流、并且处理从传感器头11输出的电信号的电路部21。其中传感器头11构成为包含一对磁传感器12a及12b (以下，在不区分它们的情况下称为“磁传感器12”。)。磁传感器12中，一个磁传感器12a是用于检测测定对象物50 (参照图5等)产生的磁场的测定用传感器12a，另一个磁传感器12b是不检测来自该测定对象物50的磁场而检测由地磁等除测定对象物50以外所产生的磁场即外部磁场的参照用传感器12b。两个磁传感器12以实现相关目的、即参照用磁传感器12b不检测来自测定对象物50的磁场的方式配设。在本实施例中，例如测定用传感器12a及参照用传感器12b以两者之间相距50mm的方式配设。
[0061]在本实施例中，这些磁传感器12是磁阻传感器，分别构成为包含检测感磁部的磁通量变化的检测线圈13 (在不区分后述的检测线圈13a和13b的情况下称为“检测线圈13”。)、和作为后述的耦合部件的非晶丝14。另外，检测线圈13分别设为中空的线圈状，能够使用后述的电路检测线圈两端的电压，在本实施例中其一方接地。具体而言，能够检测设于测定用传感器12a的检测线圈13a的两端的电位差Vwt a以及设于参照用传感器12b的检测线圈13b的两端的电位差Vrat b。这些设于测定用传感器12a的检测线圈13a和设于参照用传感器12b的检测线圈13b为同一形状、例如是线径60 μ m、内径0.2mm、匝数500、长度IOmm的线圈。
[0062]另外，在检测线圈13的中空部分穿过非晶丝14。在本实施例中，如图1所示，非晶丝14具有在长度方向上延伸的棒状的形状，以一条非晶丝14穿过(贯通)检测线圈13a的中空部分和检测线圈13b的中空部分的方式配设。即，本实施例的非晶丝14也作为将两个磁传感器12在磁路上耦合的耦合部件而发挥功能。
[0063]此外，在本实施例中，作为耦合部件使用了非晶丝14，但是为了使耦合部件将两个磁传感器12磁串联耦合，作为耦合部件，优选由相对磁导率为100以上的磁性材料、具有构成感磁部的材料的相对磁导率的1/100以上的相对磁导率的磁性材料、或者与感磁部相同的磁性材料构成。
[0064]在本实施例中，非晶丝14例如使用长度72mm、线径30 μ m的非晶丝。在非晶丝14的两端以能够对该非晶丝14施加电流iin的方式设有布线。在图1的例子中，对非晶丝14的一端施加来自后述的振荡器22的电流iin，另一端接地。即，在本实施例中，非晶丝14中的位于磁传感器12的检测线圈13内的部分作为感磁部发挥功能。[0065]另外在本实施例中，在非晶丝14中的由两个检测线圈13夹着的内侧，由导电体构成的并列导体18与非晶丝14电并联。如此一来，包含该并列导体18的非晶丝14的两端的电阻，与非晶丝14单独的情况、即没有并列导体18的情况相比减小，因此能够流过更多电流。即，像本实施例那样，在作为磁传感器12使用了磁阻传感器的情况下，若能够通过非晶丝14流过更大电流，则能够提高磁传感器12的分辨率(检测性能)。具体而言，例如作为所述并列导体18，使用线径0.7mm、长度45mm的铜线。在此，并列导体18是非磁性的，所以对磁传感器12的检测不产生影响。
[0066]另外在本实施例中，在传感器头11中，设有覆盖磁传感器12的表面以及背面的覆盖部16。该覆盖部16由导电体构成、并接地。由此，能够降低周围的电场的变动对磁传感器12产生的影响。具体而言在本实施例中，覆盖部16由导电性薄膜构成。该覆盖部在磁传感器12设于基板上的情况下也可以覆盖该基板的表面以及背面。另外，也可以设为除了表面和背面以外还覆盖侧面。另外，也可以设为至少覆盖表面。
[0067]另外，在本实施例中，传感器头11设有用于降低外部磁场的影响的屏蔽部20，磁传感器12和/或测定对象物50配设于该屏蔽部20内。该屏蔽部20构成为通过具有较大磁导率的物质、例如坡莫合金等包围传感器头11。
[0068]图2是对图1所示的本实施例的磁检测装置10中的传感器头11、和电路部21的结构的一部分即进行与传感器头11的输入输出的部分进行说明的图。电路部21输入用于驱动所述传感器头11的电信号iin，并且处理来自传感器头11的输出信号Vrat a、V0uo, #出与在传感器头11中检测到的磁场强度相关的信息。另外，在本实施例中，在电路部21连接有具体而言例如监视器等作为显示装置的输出装置90，显示所算出的与传感器头11中的磁场强度相关的信息。此外，输出装置90对本发明的磁检测装置10而言不是必需的，例如也可以将所算出的与传感器头11中的磁场强度相关的信息作为电子信息传递给其他设备。
[0069]图2所示的电路部21中，从振荡器22生成作为向非晶丝14通电的电流iin等的基础的脉冲信号即矩形波。该矩形波通过放大器24进行预定的增幅并施加到非晶丝14。在本实施例中，例如以使脉冲信号的振幅成为2?3V的方式进行增幅。图3是对施可于非晶丝的脉冲信号的重复频率和传感器的灵敏度之间的关系的一例进行说明的图。选择使该图3所示的传感器的灵敏度良好的重复频率。具体而言在图3的例子中，当重复频率为IOkHz以上时传感器的灵敏度大致恒定，所以重复频率设为10kHz。另外，脉冲宽度设为预先通过实验或者模拟得到的值，以使磁阻传感器为高灵敏度。具体而言，在非晶丝14的阻抗变化最显著的频率为IOMHz的情况下，脉冲宽度为50ns，占空比为0.0005。
[0070]采样保持电路26、30分别被输入检测线圈13a、13b的两端电位差、即两端的电压之差(电动势)。在该采样保持电路26、30中，对于由于施加于非晶丝14的脉冲信号的上升(通电开始)而在线圈产生的感应电压，在从该上升(图4的时刻tl)到包含峰值(图4的时刻t2)的时间范围内进行积分并输出。具体而言，例如所述时间范围设定为IOns?50ns。因此，向采样保持电路26、30输入由所述的振荡器22输出的脉冲信号，采样保持电路26、30将该脉冲信号的上升作为开关(触发)来进行工作。另外，缓冲放大器28、32分别使采样保持电路26、30的输出流向差动放大器34。
[0071]此外，在检测线圈13中，如图4所示，使由于施加于非晶丝14的脉冲信号的上升(通电开始)而在检测线圈13产生的感应电压的波形和由于脉冲信号的下降(通电切断)而在检测线圈13产生的感应电压的波形的变动连续地产生，即以使在由于脉冲信号的上升(通电开始)而在检测线圈13产生的感应电压的波形和由于脉冲信号的下降(通电切断)而在检测线圈13产生的感应电压的波形之间没有感应电压停留在例如O的时间。作为上述的检测线圈13的形状而例示的线径60 μ m、内径0.2mm、阻数500、长度IOmm的线圈,在本实施例中满足该条件。
[0072]返回图2，差动放大器34将经由这些缓冲放大器28、32输出的采样保持电路26、30各自的输出之差进行增幅并作为Vwt来输出。具体而言，算出与测定用传感器12a的检测线圈13a关联的经由缓冲放大器28的采样保持电路26的输出、和与参照用传感器12b的检测线圈13b关联的经由缓冲放大器32的采样保持电路30的输出之间的差并输出。
[0073]图5是对本实施例的磁检测装置10中的电路部21的结构的别外的重要部分进行说明的图。具体而言，是对图2的差动放大器34的输出Vwt进行进一步处理的部分进行说明的图。即，电路部21构成为包括图2所示的电路和图5所示的电路。此外，差动放大器34重复绘制在图2和图5这两方中。
[0074]具体而言，差动放大器34的输出Vrat通过高通滤波器36截断比预定的频率、例如0.3Hz低的频率成分。另外，通过放大器38进行预定的增幅。接着通过低通滤波器截断比预定的频率、例如30Hz高的频率成分。进而在通过陷波滤波器42截断了特定的频率、例如60Hz的频率成分之后，进行由放大器44实现的预定的增幅，进而通过陷波滤波器46截断另外的特定的频率、例如180Hz的频率成分，输出Erat (V)。通过利用预先得到的换算方法将该输出Etjut (V)变换为磁场强度，能够得到测定对象物50产生的磁场强度。
[0075]图6是对通过本实施例的磁检测装置10进行细胞组织的磁检测的情况的方式进行说明的图，是放大说明磁检测装置10的传感器头11周边的结构的图。图6 (a)是将传感器头11放置于平面而从侧面水平地观察磁传感器12的长度方向的图，图6 (b)是将传感器头11放置于平面而朝向磁传感器12的长度方向水平地观察到的图。
[0076]图6的例子是测定对象物50为活体细胞组织的情况的例子。即，在测定用传感器12a的上方，为了将作为测定对象物50的活体细胞组织维持在生存状态而配设有树脂容器52。此外，在图6中磁传感器12安装于基板60，在该基板60上为了支撑树脂容器52而从基板60延伸设置有树脂板56。另外，测定对象物50和测定用传感器12a之间的距离，通过树脂容器52的底板的厚度和/或树脂板56调整成使该测定对象物50产生的磁场成为能够通过测定用传感器12a测定的程度。此外，传感器头11也可定义为包括所述基板60。
[0077]在树脂容器52注入有用于保存作为测定对象物50的活体细胞组织的Krebs液(克雷布斯液)54，测定对象物50通过浸入到Krebs液54中而维持生存状态。此外，虽然在图6中未图示，但Krebs液54设为适于维持测定对象物50的温度，另外，也可设置用于保持该温度的加热装置和/或Krebs液54的循环装置等。
[0078](实验例)
[0079]以下，对用于通过上述的本发明的磁检测装置10测定作为测定对象物50的实验鼠的膀胱的平滑肌细胞组织的活动电流的实验例进行说明。图7是表示通过本发明的磁检测装置10得到的磁场强度的时间变化的图。其中，图7 (a)表示未设置测定对象物50的情况下、即仅外部磁场的磁场强度的时间变化。另外，图7 (b)表示将实验鼠的膀胱的平滑肌细胞组织作为测定对象物50的情况下的磁场强度的时间变化。在该情况下，非晶丝14与测定对象物50之间的距离设为I?3mm。另外，Krebs液设为30?35°C。
[0080]在本发明的磁检测装置10中，其输出设为测定用传感器12a的检测输出和参照用传感器12b的检测输出之间的差，所以本来在理想情况下其输出为0，在图7 Ca)的情况下检测的磁场强度成为噪声。可知:图7 (a)的磁场强度与后述的图7 (b)的情况、即对测定对象物50进行测定的情况相比，成为十分小的噪声水平。另一方面，根据图7 (b)，可知测定对象物50产生的磁场强度能通过足够的分辨率来检测。
[0081]图8及图9分别是对作为上述的图7 (a)及图7 (b)而得到的实验结果进行傅里叶解析的图，图8 (b)及图9 (b)分别是对图8 (a)及图9 (a)的一部分频率进行了放大的图。特别是，当比较图8 (b)和图9 (b)时，可知:根据本发明的磁检测装置10，能够通过IOpT以下的分辨率进行磁场强度的检测。
[0082]根据上述的实施例，在本发明的磁检测装置10中，磁传感器12的感磁部通过作为耦合部件14的非晶丝在磁路上串联耦合，所述耦合部件14由相对磁导率为100以上的磁性材料、具有构成感磁部的磁性材料的相对磁导率的1/100以上的相对磁导率的磁性材料、或者与磁传感器12的感磁部相同的磁性材料构成，因此在磁传感器12的两方中被相等地施加环境磁场、磁背景噪声等外部磁场，能够对其进行检测。另外，通过使测定用传感器12a检测测定对象物产生的磁场，并使参照用传感器12b的输出进行差动，能够降低外部磁场的影响，仅高精度地检测测定对象物50产生的磁场。
[0083]另外，根据上述的实施例，具有由非磁性体的导电体构成、覆盖磁传感器12的检测线圈13、且接地的覆盖部16，因此能够降低磁传感器12带电的情况下产生的电场噪声等对测定结果产生的影响。
[0084]另外，根据上述的实施例，磁传感器12是磁阻传感器(MI传感器)，耦合部件14是非晶丝，具有与耦合部件14电并联连接的由非磁性体的导电材料构成的并列导体18，因此能够增大在非晶丝14中流动的电流量。
[0085]另外，根据上述的实施例，磁传感器12是具有检测线圈13的磁阻传感器，耦合部件14是非晶丝，检测线圈13的寄生电容被设定成使由于非晶丝14的通电电流的通电开始而在检测线圈产生的感应电压和由于该非晶丝的通电电流的通电切断而在检测线圈产生的感应电压的变动连续地产生，因此磁阻传感器的输出波形广域化，能够进行不易受噪声影响的测定。
[0086]另外，根据上述的实施例，磁传感器12是具有检测线圈13的磁阻传感器，耦合部件14是非晶丝，测量在包含检测线圈的感应电压的峰值的范围进行累计得到的值，因此在磁阻传感器中，脉冲状的电流被施加于感磁部时，能够检测与该脉冲的上升相应的感磁部的磁场变化。在该感磁部的磁场中，包括感磁部本身产生的磁场和感磁部中的外部磁场。
[0087]另外，根据上述的实施例，磁传感器12是磁阻传感器，耦合部件14是非晶丝，非晶丝的通电电流的脉冲宽度具有所述磁阻传感器的相对于磁场的阻抗变化显著的频率的倒数的一半左右的值，因此磁阻传感器的灵敏度成为高灵敏度。
[0088]另外，根据上述的实施例，磁传感器12是磁阻传感器，耦合部件14是非晶丝，对该非晶丝通电的脉冲的重复频率为IOkHz以上，因此磁阻传感器的灵敏度成为高灵敏度。
[0089]接着，对本发明的另一实施例进行说明。在以下的说明中，对实施例相互共同的部分附注相同的附图标记而省略说明。
[0090]实施例2
[0091]图10是说明本发明的磁检测装置中的耦合部件14的另一方式的图。在上述的实施例I中，耦合部件14具有在长度方向上延伸为一根棒状的形状，而在图10的例子中，耦合部件14由3个耦合部件片14a、14b、14c构成。另外，在耦合部件片14a、14b之间设有间隙Tl，在耦合部件片14b、14c之间设有间隙T2。此时，以贯通磁传感器12的检测线圈13的方式配设的耦合部件片14a、14c作为感磁部发挥功能。
[0092]在此，间隙Tl及T2设为所述耦合部件的截面积径以下的长度，或者耦合部件片14a、14b以及14b、14c紧贴地配设。如此一来，能够减小从间隙的磁通量泄漏，并且减少从外部向间隙的磁通量侵入。此外，“截面积径”在截面不是圆形的情况下是具有与该截面相等的截面面积的圆的直径。另外，间隙Tl和T2优选设为相同值，不过只要满足上述条件也可不同。此外，在耦合部件片14a、14b间以及14b、14c间没有紧贴的情况下，通过未图示的导体将隔着所述间隙Tl相对的耦合部件片14a和14b的各端部间、以及隔着所述间隙T2相对的稱合部件片14b、14c的各端部间电连接,使脉冲电流在稱合部件片14a至14c中流动。此外，因为不需要在不作为磁传感器12的感磁部发挥功能的耦合部件片14b中流动所述脉冲电流，所以也可以通过未图示的导体将隔着耦合部件片14b相对的耦合部件片14a、14c的端部间电连接。
[0093]图11是通过模拟表示在对长度20mm、直径40 μ m的金属丝施可了与金属丝的长度方向并行的50μ T的磁场的情况下的金属丝内的金属丝的长度方向上的磁场的强度的图。图11 (a)是实施例1中的耦合部件14的情况、即耦合部件14由一根棒状的部件构成的情况。磁场强度以耦合部件14 (金属丝)的中央为中心对称分布。因此，通过将测定用传感器12a和参照用传感器12b配设于以金属丝的中央为中心而对称的位置，能够测定相等的环境磁场。
[0094]图11 (b)是本实施例中的耦合部件14的情况、即耦合部件14由耦合部件片14a、14b、14c构成的情况。耦合部件片14a、14c的长度分别为2mm，耦合部件片14b的长度为16mm。另外，间隙Tl及T2分别为与金属丝的截面积径相等的0.04mm (40 μ m)。在该情况下，在间隙的位置即+ 8_和一 8_的位置分别可看到磁场强度下降，但该下降小，磁通量的泄露小。另外，与图11 (a)的情况同样，磁场强度以耦合部件14 (金属丝)的中央为中心对称分布。因此，通过将测定用传感器头12a和参照用传感器12b配设于以金属丝的中央为中心而对称的位置，能够测定相等的环境磁场。
[0095]另一方面，图11 (C)与图11 (b)的情况相同，是耦合部件14由耦合部件片14a、14b、14c构成的情况。耦合部件片14a、14c的长度分别为2mm、耦合部件片14b的长度为16mm这点也与图11 (b)相同。另一方面，间隙Tl及T2分别为比金属丝的截面积径大的
0.1mm (100 μ m)0在该情况下，在间隙的位置即+ 8mm和一8mm的位置分别可看到磁场的强度下降，但该下降大，下降接近至零。即，磁通量的泄露大，另外从外部的磁通量侵入也大。因此，在这样的金属丝中，难以通过分别与耦合部件片14a、14c对应设置的测定用传感器12a和参照用传感器12b测定相等的环境磁场。
[0096]图12是间隙与截面积径之比和该间隙中的磁场强度的下降之间的关系的图。如图12所示，当间隙与截面积径之比小于I时，该间隙中的磁场强度的下降急剧变大。即，当间隙的大小大于截面积径的大小时，磁场强度的下降变大，可知已经无法得到与隔着该间隙的2个耦合部件片在磁路上串联的情况同等的效果。
[0097]此外，在本实施例中磁传感器12也使用了磁阻传感器的情况下，穿过测定用传感器12a的中空部分的耦合部件14a和穿过参照用传感器12b的中空部分的耦合部件14b通过导电体18电连接。由此对由非晶丝构成的耦合部件14a以及耦合部件14b施可电流。
[0098]另外，在上述的实施例中，可以是耦合部件片14a、14b、14c均为相同的磁性体，也可以是仅位于中央的耦合部件片14b由与耦合部件片14a、14c不同的磁性体构成。此外，耦合部件片的数量并不如本实施例所示限为3个，在如上述那样将耦合部件14看作整体的情况下，磁场强度以中心而对称分布，由此能够通过测定用传感器12a和参照用传感器12b检测相等的外部磁场(环境磁场)，因此耦合部件片的结构也优选为以耦合部件14的长度方向中央为中心而对称的形状。
[0099]另外，与磁传感器12对应的耦合部件片14a及14c以外的耦合部件片14b优选是相对磁导率为100以上的磁性体。在不满足该条件的情况下，有可能会在耦合部件14中的磁场强度的分布上产生拐点，相对于长度方向的位置而产生急剧的磁场强度的变动。
[0100]图13是通过与图11相同的条件进行模拟来表示在仅将位于中央的耦合部件片14b由与I禹合部件片14a、14c不同的磁性体构成的情况下的金属丝的长度方向的磁场的强度的图。其中在图13 (a)至(c)中，耦合部件片14a、14c的相对磁导率设为15000。另外，在图13 Ca)中对应于耦合部件片14b的相对磁导率为5000，在图13 (b)中对应于耦合部件片14b的相对磁导率为1000，在图13(c)对应于耦合部件片14b的相对磁导率中为100。
[0101]将图13 (a)至图13 (C)进行比较，在耦合部件片14b的相对磁导率为100以上的图13 Ca)以及图13 (b)的情况下，耦合部件14中的磁场强度的分布都以耦合部件14的长度方向的中央为中心而对称，并且平滑地变化。另一方面，在耦合部件片14b的相对磁导率为100的图13 (c)的情况下，虽然耦合部件14中的磁场强度的分布以耦合部件14的长度方向的中央为中心而对称，但是在该分布上产生拐点，若是比这更急剧的变化，则难以通过测定用传感器12a和参照用传感器12b进行相等的外部磁场(环境磁场)的检测。
[0102]另外，在图11的例子中，间隙Tl以及T2仅为间隙，但是也可如图14所示，在间隙Tl以及T2夹入与构成耦合部件14的磁性体不同的磁性体62a、62b。在该情况下，由于与上述的情况相同的理由，也优选是相对磁导率为100以上的磁性体。
[0103]根据上述的实施例2，在耦合部件14由多个耦合部件片14a、14b、14c构成、且磁传感器12不是在磁路上严密地串联的情况下，也能够将施加于这些磁传感器12的外部磁场平均化，能得到与实施例1相同的效果。
[0104]另外，根据上述的实施例2，在间隙T1、T2配设有相对磁导率为100以上的磁性体，所以在耦合部件14由多个耦合部件片14a、14b、14c构成，且没有将所述测定用传感器12a和检测用传感器12b在磁路上严密地串联的情况下，也能够得到与实施例1相同的效果。
[0105]实施例3
[0106]图15是说明本发明的磁检测装置中的磁传感器12以及耦合部件14的又一方式的图。在上述的实施例1以及实施例2中，测定用传感器12a以及参照用传感器12b分别将贯通作为检测部的检测线圈13的中心的非晶丝用作耦合部件14。然而，在磁传感器12是磁阻传感器的情况下，通过检测被施可脉冲电流的非晶丝本身的两端电压，也能够检测磁场。
[0107]在图15所示的本实施例的磁传感器12以及耦合部件14中，两者由非晶态素材一体形成。即，测定用传感器12a的感磁部、参照用传感器12b的感磁部、以及耦合部件14作为一个部件而设置。在该情况下，施可于耦合部件的电流和/或磁传感器12的两端电压根据图15所例示的位置被输入或者被检测。即使在这样的情况下，因为测定用传感器12a以及参照用传感器12b通过耦合部件14在磁路上串联，所以也能得到与实施例1相同的效果O
[0108]根据上述的实施例3，磁传感器12的感磁部和耦合部件14由相同的材料一体构成，所以易于制造。
[0109]实施例4
[0110]图16是说明本发明的磁检测装置中的磁传感器12以及耦合部件14的又一方式的图。在上述的实施例中，测定用传感器12a检测测定对象物50产生的磁场，另一方面，参照用磁传感器12b不检测来自该测定对象物50的磁场，以此为目的配设成相距预定的间隔。另一方面，在本实施例中，例如，如图16所示，在如上述那样磁传感器12是磁阻传感器、且不具有检测线圈、非晶丝14兼任检测部的结构的情况下，在参照用磁传感器12b不检测来自测定对象物50的磁场的范围中，将两者接近配置。在该情况下，如实施例2中说明的那样，为了得到与测定用传感器12a和参照用传感器12b磁串联的情况相同的效果，测定用传感器12a和参照用传感器12b之间的间隙被设为作为耦合部件的非晶丝14的截面积径以下的间隙。
[0111]根据上述的实施例4，其特征在于，磁传感器12的感磁部隔着耦合部件14的截面积径以下的间隙或者紧贴地配设。如此一来，磁传感器12的间隔减小，能够减小磁检测装置整体的大小。
[0112]实施例5
[0113]图17是说明本发明的磁检测装置的磁传感器12的另一方式的图。在上述的实施例中，以贯通磁传感器12的检测线圈13的中空部分的方式，作为耦合部件设有一条非晶丝14，而在图17的例子中，在设有多条非晶丝14这一点上不同。在图17中，在设于检测线圈13的两端的绕线筒(bobbin)62设有多个孔，多条非晶丝14以一孔一根的方式穿过这些孔，由此多条非晶丝14以不接触的方式贯通检测线圈13之中。
[0114]如此一来，通过多条非晶丝，能够增大耦合部件14整体的表皮电流，磁阻传感器的分辨率得到提高。
[0115]实施例6
[0116]另外，图18是说明检测线圈13的又一方式的图。在图18的例子中，与图17的情况相同，在检测线圈13的两端安装有绕线筒62，在该绕线筒62设有多个孔。除了作为耦合部件14的非晶丝14以外，与该非晶丝14绝缘的结晶金属丝64分别穿过绕线筒62的多个孔。作为该结晶金属丝64，使用与非晶丝相同的电特性、具体而言例如电阻值近似的金属丝，例如使用镍铬合金线等。
[0117]在磁传感器12周围的物体的阻抗变化时产生电噪声，当对非晶丝通电并进行磁场强度的检测时所检测到的磁场强度包含所述电噪声。另一方面，当对结晶金属丝进行通电并进行磁场强度的检测时能够检测该电的噪声。因此，在使用这样结构的磁传感器12的情况下，对非晶丝通电并进行了磁场检测后，对结晶金属丝通电并同样地检测磁场，算出两者之差并将其作为检测到的磁场强度，由此能够进行更高精度的检测。这样的结构特别是在将活体作为检测对象的情况下有效。
[0118]图19是对磁检测装置100的结构的主要部分进行说明的图，该磁检测装置100构成为包括电路部71和使用图18所示的检测线圈13而构成的传感器头101。图19是与上述的实施例的图2对应的图。在图19中，电路部71是与图2的磁检测装置10中的电路部21对应的电路部。即，图19所示的电路部71是其一部分即进行与传感器头101的输入输出的部分。图19所示的电路部71中，振荡器72、73分别与图2的振荡器22对应。从该振荡器72、73生成作为分别对非晶丝14以及结晶金属丝64通电的电流iin等的基础的脉冲信号、即矩形波。另外，从振荡器72、73发送的脉冲信号(矩形波)通过与图2的放大器24对应的放大器74、75分别进行预定的增幅，并分别施加于非晶丝14以及结晶金属丝64。由振荡器72以及放大器74进行的对非晶丝14施加脉冲信号和由振荡器73以及放大器75进行的对结晶金属丝64施加脉冲信号，例如按预先设定的预定时间而交替地进行。
[0119]在与图2的采样保持电路26对应的采样保持电路76、77分别被输入检测线圈13a的两端电位差(电动势)。采样保持电路76用于检测所述振荡器72对非晶丝14施加了电流的情况下的检测线圈13a的电压，采样保持电路77用于检测所述振荡器73对结晶金属丝64施加了电流的情况下的检测线圈13a的电压。另外，缓冲放大器78、79与图2的缓冲放大器28对应，分别使来自采样保持电路76、77的输出流向后级。
[0120]在与图2的采样保持电路30对应的采样保持电路80、81分别被输入检测线圈13b的两端电位差(电动势)。采样保持电路80用于检测所述振荡器72对非晶丝14施加了电流的情况下的检测线圈13b的电压，采样保持电路81用于检测所述振荡器73对结晶金属丝64施加了电流的情况下的检测线圈13b的电压。另外，缓冲放大器82、83与图2的放大器32对应，分别使来自采样保持电路80、81的输出流向后级。
[0121]差动放大器84以及85与图2的差动放大器34对应。其中差动放大器84将采样保持电路76、80的输出之差进行增幅，作为Vwt」输出。具体而言，算出与测定用传感器12a的检测线圈13a关联的缓冲放大器78的输出和与参照用传感器12b的检测线圈13b关联的缓冲放大器82的输出之差并输出。另一方面，差动放大器85将采样保持电路77、81的各输出之差进行增幅，作为Vwt 2输出。具体而言，算出与测定用传感器12a的检测线圈13a关联的缓冲放大器79的输出和与参照用传感器12b的检测线圈13b关联的缓冲放大器83的输出之差并输出。
[0122]这样，输出Vratl是对非晶丝14施可了电流时的输出，但是当在磁检测装置10的周围存在电噪声(电场噪声)时包含该电噪声的影响。另一方面，输出V——2是对结晶金属丝64施可了电流的差异的输出，不包含周围磁场的影响，包含所述电噪声的影响。因此，将利用未图示的差动放大器等从输出Vtjut」减去输出Vtjut 2而得到的值作为输出Vtjut,由此能够实现降低了电噪声影响的更高精度的磁场检测。
[0123]实施例7
[0124]图20是说明本发明涉及的磁检测装置的又一实施例的图。在上述的实施例中，如上述的图2、图19所示，通过差动放大器等得到测定用磁传感器12a的输出和参照用磁传感器12b的输出之差，由此降低了环境磁场的影响。在本实施例的磁检测装置110中，测定用磁传感器12a的检测线圈13a和参照用磁传感器12b的检测线圈13b被设为在对非晶丝14施加(通电)了脉冲电流时使在这些检测线圈13a以及13b所产生的电动势相互反相，并且这些检测线圈13a以及13b电串联连接。具体而言例如，以如下方式进行布线:在检测线圈13a和13b中线圈的绕线方向相同，并且连接检测线圈13a和13b的相同侧(例如在图20中为检测线圈13a的右端和检测线圈13b的右端),对检测线圈13a和13b的端部中没有用于两者连接的2个端部(在图20中为检测线圈13a的左端和检测线圈13b的左端)之间的电压进行检测。
[0125]在图20中，振荡器122与图2的振荡器22对应，生成作为对非晶丝14通电的电流iin等的基础的脉冲信号、即矩形波。另外，从振荡器122发送的脉冲信号(矩形波)通过放大器124进行预定的增幅，施加于非晶丝14。该放大器124与图2的放大器24对应。
[0126]采样保持电路126进行与图2的采样保持电路26或30同样的动作，被输入如上述那样串联连接的检测线圈13a和13b的两端电位差。另外，采样保持电路126的输出经由缓冲放大器128作为输出Vout而输出。
[0127]这样，根据本实施例的磁检测装置110，测定用磁传感器12a的检测线圈13a和参照用磁传感器12b的检测线圈13b被设为在对非晶丝14施加(通电)了脉冲电流时使在这些检测线圈13a和13b所产生的电动势相互反相，并且这些检测线圈13a和13b电串联连接，因此检测线圈13a和13b共同检测的由地磁等外部磁场产生的电动势互相抵消，作为串联连接的检测线圈13a和13b的两端电位差而检测的只有基于测定对象物50产生的磁场的电动势。因此，对检测线圈13a和13b的输出分别进行检测，不需要算出差的差动放大器(图2的34)，能够通过2个传感器12的差动作用进行磁信号的检测。
[0128]以上，对本发明的实施例基于附图进行了详细说明，但是本发明在其他的方式中也适用。
[0129]在上述的实施例中作为磁传感器12使用了磁阻传感器，但是不限于此。例如，SP使是霍尔元件等磁传感器，本发明也同样能够适用。
[0130]另外，在如上述那样作为耦合部件14设有多条非晶丝的情况下，优选这些多条非晶丝电并列连接。如此一来，能够增大在耦合部件14中流动的电流量，耦合部件14的表皮电流变大。
[0131]在上述的实施例6中，金属丝64设于测定用传感器12a和参照用传感器12b这两方，但是不限于此。这样的结晶金属丝64只要对磁传感器12中的至少测定用传感器12a的检测线圈13a设置就产生一定的效果。
[0132]此外，在上述的实施例7中，以如下方式进行布线:在检测线圈13a和13b中线圈的绕线方向相同，并且连接检测线圈13a和13b的相同侧(例如在图20中为检测线圈13a的右端和检测线圈13b的右端)，对检测线圈13a和13b的端部中的没有用于两者连接的2个端部(在图20中为检测线圈13a的左端和检测线圈13b的左端)之间的电压进行检测，但是不限于这样的方式。例如也可以以如下方式进行布线:在检测线圈13a和13b中线圈的绕线方向互相反向，并且连接检测线圈13a和13b的不同侧(在例如图20中为检测线圈13a的右端和检测线圈13b的左端)，对检测线圈13a和13b的端部中的没有用于两者连接的2个端部(例如在图20中为检测线圈13a的左端和检测线圈13b的右端)之间的电压进行检测。即，在一对检测线圈13a以及13b中，只要以使由于共同检测的磁场分别产生的电动势彼此抵消的方式串联连接，并检测该串联连接的一对检测线圈13a和13b的两端电位差即可。
[0133]另外，在上述的实施例中，例如如图10、14所示，在磁传感器是具有线圈的磁阻传感器的情况下，贯通磁传感器12a、12b的中空部的耦合部件片14a、14c分别从磁传感器12a、12b在长度方向上向耦合部件14b侧突出设置，但是不限于这样的方式。S卩，耦合部件片14a、14c的长度可以设为与磁传感器头12a、12b的长度、更具体而言与检测线圈13a、13b的长度相同，也可延长耦合部件14b而进入到检测线圈13a、13b的内部。
[0134]另外，在上述的实施例中，在传感器头11设有屏蔽部件20、覆盖部16，但是这些对传感器头11来说不是必需的要件，即使在没有它们中的一方或两方都没有的情况下也能够得到一定的效果。
[0135]另外，在上述的实施例2中，耦合部件片14a至14c都由非晶丝构成，但是不限于这样的方式。即也可以:所述耦合部件片14a至14c中的贯通磁传感器12的耦合部件片(相当于磁传感器12的感磁部。在图10的例子中为耦合部件片14a以及14c)由非晶丝构成，另一方面，其以外的耦合部件片(在图10的例子中为耦合部件片14b)由例如铁酸盐、坡莫合金、非晶态合金等矫顽力小的磁性材料、即相对磁导率为100以上的磁性材料或具有构成所述感磁部的磁性材料的相对磁导率的1/100以上的相对磁导率的磁性材料构成。即使在耦合部件片14a至14c这样构成的情况下，也能够得到与上述的实施例2相同的效果。
[0136]另外，在上述的实施例1中，在由两个检测线圈13夹着的内侧，由导电体构成的并列导体18以与非晶丝14电并列的方式连接，但是这样的并列导体18不是必需的要件，即使没有该并列导体18也能够得到一定的效果。
[0137]其他不进行一一例示，本发明可以在不脱离其主旨的范围内进行各种变更来实施。
【权利要求】
1.一种磁检测装置，具有: 一对磁传感器，其分别包含用于检磁的感磁部；和 长条状的耦合部件，其与该一对感磁部一起构成磁路， 该一对感磁部的感磁方向和该I禹合部件的长边方向一致到能够相等地检测在该一对感磁部共同施可的磁场的程度， 该耦合部件由相对磁导率为100以上的磁性材料、具有构成所述感磁部的磁性材料的相对磁导率的1/100以上的相对磁导率的磁性材料、或者与磁传感器的感磁部材料相同的磁性材料构成， 使所述一对传感器的输出进行差动来测定磁。
2.根据权利要求1所述的磁检测装置，其特征在于， 所述耦合部件由多个耦合部件片构成， 该多个耦合部件片隔着所述耦合部件的接合部的截面积径以下的间隙或紧贴地配设。
3.根据权利要求2所述的磁检测装置，其特征在于， 在所述间隙配设有相对磁导率为100以上的磁性体。
4.根据权利要求1所述的磁检测装置，其特征在于， 所述一对传感器的感磁部和所述耦合部件由相同的材料一体构成。
5.根据权利要求1~4的 任一项所述的磁检测装置，其特征在于， 所述一对传感器的感磁部隔着该感磁部的接合部的截面积径以下的间隙或紧贴地配设。
6.根据权利要求1~5的任一项所述的磁检测装置，其特征在于， 具有通过磁蔽将测定对象物和所述一对传感器屏蔽的屏蔽单元。
7.根据权利要求1~5的任一项所述的磁检测装置，其特征在于， 具有由非磁性体的导电体构成、至少覆盖所述一对传感器的感磁部、且接地的覆盖部。
8.根据权利要求1~5的任一项所述的磁检测装置，其特征在于， 所述一对传感器是磁阻传感器， 所述磁传感器的感磁部是非晶丝， 所述耦合部件是导电体， 所述磁检测装置具有与该耦合部件电并联连接的由非磁性体的导电材料构成的并列导体。
9.根据权利要求1~5的任一项所述的磁检测装置，其特征在于， 所述一对传感器是磁阻传感器， 所述磁传感器的感磁部是多条非晶丝， 该多条非晶丝电并联连接。
10.根据权利要求1~5的任一项所述的磁检测装置，其特征在于， 所述一对传感器是具有检测线圈的磁阻传感器， 所述磁传感器的感磁部是非晶丝， 在该第一对传感器的至少一方，与该非晶丝电绝缘且沿着该非晶丝配设有结晶金属丝。
11.根据权利要求1~5的任一项所述的磁检测装置，其特征在于，所述一对传感器是具有检测线圈的磁阻传感器， 所述磁传感器的感磁部是非晶丝， 所述检测线圈的寄生电容被设定成使由于该非晶丝的通电电流的通电开始而在所述检测线圈产生的感应电压的变动和由于该非晶丝的通电电流的通电切断而在所述检测线圈产生的感应电压的变动连续地产生。
12.根据权利要求1~5的任一项所述的磁检测装置，其特征在于， 所述一对传感器是具有检测线圈的磁阻传感器， 所述磁传感器的感磁部是非晶丝， 测量对由于该非晶丝的通电电流的通电开始而在所述检测线圈产生的感应电压的变动在包含该变动的峰值的范围内进行累计的值、对由于该非晶丝的通电电流的通电切断而在所述检测线圈产生的感应电压的变动在包含该变动的峰值的范围内进行累计的值、或者从对由于该非晶丝的通电电流的通电开始而在所述检测线圈产生的感应电压的变动在包含该变动的峰值的范围内进行累计的值减去对由于该非晶丝的通电电流的通电切断而在所述检测线圈产生的感应电压的变动在包含该变动的峰值范围内进行累计的值而得到的值。
13.根据权利要求1~5的任一项所述的磁检测装置，其特征在于， 所述一对传感器是磁阻传感器， 所述磁传感器的感磁部是非晶丝， 该非晶丝的通电电流的脉冲宽度具有所述磁阻传感器的相对于磁场的阻抗变化显著的频率的倒数的一半左右的值。`
14.根据权利要求1~5的任一项所述的磁检测装置，其特征在于， 所述一对传感器是磁阻传感器， 所述磁传感器的感磁部是非晶丝， 对该非晶丝通电的脉冲的重复频率为IOkHz以上。
15.根据权利要求1~5的任一项所述的磁检测装置，其特征在于， 所述一对传感器是分别具有检测线圈的磁阻传感器， 所述磁传感器的感磁部是非晶丝， 将所述一对检测线圈电串联布线以在对该非晶丝通电了脉冲时使在该一对检测线圈产生的电动势反相。
【文档编号】G01R33/02GK103492895SQ201280011982
【公开日】2014年1月1日 申请日期:2012年3月5日 优先权日:2011年3月7日
【发明者】内山刚, 中山晋介, 热田谕志 申请人:国立大学法人名古屋大学, 富士设计科技有限公司