一种微电容测试连接装置制造方法

文档序号:6243850阅读:213来源:国知局
一种微电容测试连接装置制造方法
【专利摘要】本发明公开一种微电容测试连接装置,包括金属底座(1),所述金属底座(1)顶面设有背面共地结构的共面波导(2),共面波导(2)的导电金属带(4)上设有用于放置电容的卡槽(13),导电金属带(4)的两端分别设有与电容测试仪连接的SMA接口;共面波导(2)及SMA接口的特征阻抗与电容测试仪的特征阻抗相匹配;共面波导及SMA接口的特征阻抗与电容测试仪器的特征阻抗相匹配,相当于把被测电容直接连接于电容测试仪的两个端口,消除了传统测试连接方法中,由于测量仪与被测电容之间接有不匹配连接线而引起的寄生电容与杂散电容,提高检测精度,适应各种微电容的连接测试。
【专利说明】—种微电容测试连接装置

【技术领域】
[0001 ] 本发明涉及电子测试装置领域,具体是一种微电容测试连接装置。

【背景技术】
[0002]公知的,在半导体微电子、材料、生物医药、微机电系统领域的科学研究和生产制造中,广泛涉及微弱电容的检测问题。目前,采用电容测量仪器对微电容进行检测,但是由于测量仪器与被测电容之间的连接上存在寄生电容与杂散电容,导致小容值电容的测量误差大,多次测试结果的重复性差。现有的测试连接装置中很少考虑寄生电容、杂散电容对小容值电容测量精度的影响,通常针对一种电容设计连接装置用于这种电容的大批量测试,而没有适用于各种电容的连接装置。


【发明内容】

[0003]本发明的目的在于提供一种微电容测试连接装置,该连接装置能够消除寄生电容与杂散电容对微电容测试的影响,提高检测精度,适应各种微电容的连接测试。
[0004]本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:
一种微电容测试连接装置,包括金属底座,所述金属底座顶面设有背面共地结构的共面波导,共面波导的导电金属带上设有用于放置电容的卡槽,导电金属带的两端分别设有与电容测试仪连接的SMA接口 ;共面波导及SMA接口的特征阻抗与电容测试仪器的特征阻抗相匹配。
[0005]进一步的,所述共面波导的顶面沿卡槽的两侧分别设有固定柱,固定柱沿导电金属带垂直方向设有与其螺纹配合的调节螺栓,调节螺栓的头部朝向卡槽并设有绝缘压头。
[0006]进一步的,所述卡槽设置在导电金属带的中心。
[0007]本发明的有益效果是,共面波导及SMA接口的特征阻抗与电容测试仪器的特征阻抗相匹配,相当于把被测电容直接连接于电容测试仪的两个端口,消除了传统测试连接方法中,由于测量仪与被测电容之间接有不匹配连接线而引起的寄生电容与杂散电容,提高检测精度,适应各种微电容的连接测试。

【专利附图】

【附图说明】
[0008]下面结合附图和实施例对本发明进一步说明:
图1是本发明的结构示意图;
图2是图1的俯视图;
图3是图1中共面波导的结构示意图;
图4是图3的俯视图;
图5是传统电容测试连接的集总参数等效模型示意图。

【具体实施方式】
[0009]结合图1与图2所示,本发明提供一种微电容测试连接装置,包括金属底座I,金属底座I顶面设有背面共地结构的共面波导2 ;结合图3与图4所示,共面波导2的导电金属带4上设有用于放置电容的卡槽13,卡槽13设置在导电金属带4的中心,导电金属带4的两端分别设有与电容测试仪连接的第一 SMA接口 3与第二 SMA接口 9 ;共面波导2、第一 SMA接口 3与第二 SMA接口 9的特征阻抗与电容测试仪器的特征阻抗相匹配。共面波导2上设有通孔阵列15,通孔阵列15内壁镀有锡,使得共面波导2的顶面与底面相接,共面波导2还设有安装孔14,固定螺栓8穿过安装孔14将金属底座I与共面波导2固定连接;由于金属底座I接地,所以共面波导2的顶面与底面也接地,形成背面共地结构;第一 SMA接口 3的外壳通过第一螺栓16与金属底座I相连,第二 SMA接口 9的外壳通过第二螺栓17与金属底座I相连,从而使第一 SMA接口 3的外壳与第二 SMA接口 9的外壳接地;第一 SMA接口 3与第二 SMA接口 9的导电针分别与共面波导2的导电金属带4相连。
[0010]共面波导2的顶面沿卡槽13的两侧分别设有第一固定柱6与第二固定柱11,第一固定柱6沿导电金属带4的垂直方向设有与其螺纹配合的第一调节螺栓5,第二固定柱11沿导电金属带4的垂直方向设有与其螺纹配合的第二调节螺栓10,第一调节螺栓5与第二调节螺栓10的头部均朝向卡槽13,并且分别设有第一绝缘压头7与第二绝缘压头12,第一绝缘压头7与第二绝缘压头12为圆形。
[0011]将电容置于卡槽13后,分别调节第一调节螺栓5与第二调节螺栓10,使第一绝缘压头7与第二绝缘压头12压在电容上,对电容起到固定作用,防止在测试过程中电容发生晃动,第一 SMA接口 3与第二 SMA接口 9与电容测试仪连接后即可对电容进行测试。
[0012]结合图5所示,传统的微电容测试连接方法中,在被测微电容17与电容测试仪16之间是通过第一连接线18与第二连接线19来实现其电学连接的,由于连接线未与电容测试仪进行端口匹配,那么第一连接线18的集总参数等效电路模型为图5中R1、L1、C1的连接结构,第二连接线19的集总参数等效电路模型为图5中R2、L2、C2的连接结构,在测试时就会引入两段连接线的寄生参数R1、L1、C1与R2、L2、C2,产生寄生电容与杂散电容,导致测量结果不准确,尤其对微小容值的电容测量误差大。
[0013]采用本发明的测试连接装置后,由于SMA接口及共面波导与电容测试仪的阻抗相匹配,就相当于把被测微电容直接连接于电容测试仪的两个端口,消除了传统测试连接方法中,由于电容测试仪与被测微电容之间有一段不匹配连接线而引起的附加测量电容与电感,从而提高了被测电容的测量精度。对于大多数电容测试仪来说,其两测量端口的特性阻抗为50 Ω,所以采用50 Ω的SMA接口与50 Ω的共面波导与电容测试仪进行连接,就能够满足大多数情况的测量需要,适应各种微电容的连接测试,无需针对各种电容单独设计连接
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[0014]以上所述,仅是本发明的较佳实施例而已,并非对本发明作任何形式上的限制;任何熟悉本领域的技术人员,在不脱离本发明技术方案范围情况下,都可利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案做出许多可能的变动和修饰,或修改为等同变化的等效实施例。因此,凡是未脱离本发明技术方案的内容,依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同替换、等效变化及修饰,均仍属于本发明技术方案保护的范围内。
【权利要求】
1.一种微电容测试连接装置,包括金属底座(I),其特征在于,所述金属底座(I)顶面设有背面共地结构的共面波导(2),共面波导(2)的导电金属带(4)上设有用于放置电容的卡槽(13),导电金属带⑷的两端分别设有与电容测试仪连接的SMA接口 ;共面波导(2)及SMA接口的特征阻抗与电容测试仪的特征阻抗相匹配。
2.根据权利要求1所述的一种微电容测试连接装置,其特征在于,所述共面波导(2)的顶面沿卡槽(13)的两侧分别设有固定柱,固定柱沿导电金属带(4)垂直方向设有与其螺纹配合的调节螺栓,调节螺栓的头部朝向卡槽(13)并设有绝缘压头。
3.根据权利要求1或2所述的一种微电容测试连接装置,其特征在于,所述卡槽(13)设置在导电金属带(4)的中心。
【文档编号】G01R15/00GK104267229SQ201410537738
【公开日】2015年1月7日 申请日期:2014年10月13日 优先权日:2014年10月13日
【发明者】朱小燕, 陈计学, 潘结斌 申请人:华东光电集成器件研究所
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