本发明涉及一种晶体硅块表面研磨及杂质检测一体化装置，属于红外探测领域。
背景技术：
目前多晶硅块的红外杂质检测，大多采取开方后人工逐块搬动检测的方式。但是由于开方后硅块表面存在凹凸线痕，表面粗糙度大，对红外光线有较大的反射，导致红外探伤只能检测到一些尺寸较大的杂质点，尺寸较小的杂质点成为漏网之鱼。这些杂质点，由于硬度大，在后续的多线切割中容易造成线弓变大，线网震动加剧，容易在硅片表面造成划伤和线痕等损伤，严重的会造成断线，导致大量硅片报废。
对于硅块外发切片业务，外发的硅块大多已经进行了表面研磨。客户在收到硅块后，会重新进行杂质探伤等来料检测。由于表面研磨后的硅块表面光滑，对红外光的透过性好，所以可以看到更细小的杂质点。这种由于测试状态不同导致的测试结果不同，往往成为供需双方的分歧点。
针对这种磨面前后硅块检测的差异，有些工厂采取硅块磨面后再次进行红外检测的方法，但这种方法生产效率低，在人工搬动的过程中容易造成硅块表面划伤、崩缺等情形。因此，开发一种晶体硅块表面研磨及杂质检测一体化装置是十分必要的。
技术实现要素：
发明目的：为了克服现有技术中存在的不足，本发明提供一种晶体硅块表面研磨及杂质检测一体化装置，该装置节省人工，操作简单，提高了检测效率，减少了晶砖划伤、崩边的可能，增强了硅块杂质检测的清晰度。
技术方案：为实现上述目的，本发明采用的技术方案为：
一种晶体硅块表面研磨及杂质检测一体化装置，包括粗磨机、精磨设备、清洗干燥装置、红外探测装置及带轮机；
其中，所述带轮机设置有传送履带，传送履带用于放置硅块；传送履带的侧面沿着传送履带的运行方向依次设置有粗磨机、精磨设备、清洗干燥装置及红外探测装置；
所述清洗干燥装置包括清洗机、烘干机，相对设置在传送履带的两侧；
所述红外探测装置包括两个机械臂、红外光源、红外摄像头以及计算机存储设备，其中红外光源、红外摄像头相对设置在传送履带的两侧，红外摄像头通过数据线连接到所述计算机存储设备上；两个机械臂用于夹持住硅块的两端，通过伺服电机控制两个机械臂转动来完成硅块各个面的杂质检测，减少人工搬动造成的损伤，并节省人工。
进一步的，所述清洗机为喷水式清洗机，用于清洗研磨后硅块表面的杂质。
进一步的，所述烘干机为吹风式烘干机。
有益效果：本发明提供的一种晶体硅块表面研磨及杂质检测一体化装置，将原来硅块的表面研磨和红外杂质检测两道工序集合到一起，变成一道工序；原两人单独操作可变成一人操作，并且整个过程无需人工搬动硅块，节省人工，减少了硅块划伤、崩边的可能；将硅块进行研磨清洗后红外杂质检测，消除了硅块表面线痕、硅粉残留及其他杂物的影响，可以清晰检测到0.5mm以上大小的杂质，检测耗时30秒以内，提高了检测效率，增强了硅块杂质检测的清晰度。
附图说明
图1为本发明一种晶体硅块表面研磨及杂质检测一体化装置的结构示意图；
图中包括：1、晶体硅块，2、粗磨机，3、精磨设备，4、清洗机，5、烘干机，6、机械臂，7、机械臂，8、红外光源，9、红外摄像头，10、计算机操作界面，11、带轮机。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作更进一步的说明。
如图1所示为一种晶体硅块表面研磨及杂质检测一体化装置，包括粗磨机2、精磨设备3、清洗干燥装置、红外探测装置及带轮机11；
其中，所述带轮机11设置有传送履带，传送履带用于放置硅块1；传送履带的侧面沿着传送履带的运行方向依次设置有粗磨机2、精磨设备3、清洗干燥装置及红外探测装置；
所述清洗干燥装置包括清洗机4、烘干机5，相对设置在传送履带的两侧；所述清洗机4为喷水式清洗机，烘干机5为吹风式烘干机；
所述红外探测装置包括机械臂6,7、红外光源8、红外摄像头9以及计算机存储设备，其中红外光源8、红外摄像头9相对设置在传送履带的两侧，红外摄像头9通过数据线连接到所述计算机存储设备上；两个机械臂6,7用于夹持住硅块1的两端，通过伺服电机控制两个机械臂6,7转动。
本发明的具体实施方式如下：
硅块1经过粗磨及精磨后通过清洗机4冲洗并由烘干机5烘干，达到清除硅块1表面杂质的目的；然后伺服控制两个机械臂6,7转动使硅块1转动0度、90度、180度及270度以观察硅块1四个面的杂质情况；红外摄像头拍摄的具体图像传输到计算机存储设备上，经专业软件处理后呈现在计算机操作界面10上，检测模块耗时约30秒，并会把整个数据保存于计算机存储设备中。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出：对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。