研磨浆料、制备研磨浆料的方法、氮化物晶体材料以及氮化物晶体材料的表面研磨方法

专利名称：：研磨浆料、制备研磨浆料的方法、氮化物晶体材料以及氮化物晶体材料的表面研磨方法
技术领域：
：本发明涉及一种可适用于氮化物晶体的表面研磨的研磨浆料，以及其制备方法。
背景技术：
：可用于例如发动机的滑动零件等的氮化物陶瓷部件的类型包括由Si3N4晶体、A1N晶体、TiN晶体、GaN晶体等组成的烧结体。在本发明中，术语"晶体"包括单晶体和多晶体，并且以下同样适用。这些由晶体组成的烧结体形成具有所期望的形状。所形成的物体被研磨以具有平坦、光滑的表面。由此制成滑动零件。形成用作半导体器件衬底的晶片的晶体类型包括绝缘性晶体(如Si02晶体)及半导体晶体(如硅晶体和氮化物晶体)。这些晶体都被切割成具有所期望的形状。切割后的晶体被研磨以具有平坦、光滑的表面。由此制成衬底。例如，已公布的日本专利申请特开2003-306669(专利文献l)提出了用于氧化物晶体(如Si02晶体)的表面研磨的研磨浆料。一种由水、研磨粒子以及研磨促进剂组成的研磨浆料被提议作为上述浆料。该研磨促进剂由有机酸或有机酸的盐制成，并且所述浆料呈酸性。已公布的日本专利申请特开2001-035819(专利文献2)提出了用于硅晶体的表面研磨的研磨浆料。一种研磨浆料被提出作为上述浆料，在所述研磨浆料中，分别由磨粒和粘结剂组成的结合体粒子分散在液体中。然而，至于上述的氮化物晶体，因为该晶体很大程度上是化学稳定的，所以还未获得用于有效地研磨该晶体表面的研磨浆料。专利文献1:已公布的日本专利申请特开2003-306669专利文献2:已公布的日本专利申请特开2001-035819。
发明内容本发明要解决的问题考虑到上面描述的目前的情况，本发明的目的是不仅提供一种用于有效地研磨氮化物晶体表面的研磨浆料以及其制备方法，而且提供一种通过使用上述研磨浆料研磨氮化物晶体表面的方法。解决问题的手段本发明提供了一种用于氮化物晶体表面研磨的研磨浆料。所述研磨浆料包括氧化物磨粒，选自阴离子性有机分散剂和无机分散剂的至少一种分散剂，以及氧化剂。该研磨浆料具有小于7的pH值。本发明的研磨浆料可既包含阴离子性有机分散剂又包含无机分散剂作为分散剂。氧化物磨粒可具有高于研磨浆料的pH值的等电点。氧化物磨粒可由选自Ti02、Fe203、Fe304、NiO、CuO、Cr203、Si02、A1203、Mn02和Zr02的至少一种氧化物组成。阴离子性有机分散剂可具有-COOM基团，其中M代表H、NEU或金属元素。无机分散剂可为选自Ca(N03)2、NaN03、A1(N03)3、Mg(N03)2、Ni(N03)2、Cr(N03)3、Cu(N03)2、Fe(N03)2、Zn(N03)2、Mn(N03)2、Na2S04、A12(S04)3、MgS04、NiS04、Cr2(S04)3、CuS04、FeS04、ZnS04、MnS04、Na2C03、NaHC03、Na3P04、CaCl2、NaCl、A1C13、MgCl2、NiCl2、CuCl2、FeCl2、ZnCl2和MnCl2的至少一种。本发明提供了一种制备上述研磨浆料的方法。该方法具有以下步骤(a)首先，向水性液体中至少添加所述氧化物磨粒和选自阴离子性5有机分散剂和无机分散剂的至少一种分散剂；以及(b)接着，机械地分散所述氧化物磨粒。本发明提供了一种研磨氮化物晶体表面的方法。该方法通过使用上述的研磨浆料以化学机械方式对氮化物晶体的表面进行研磨。本发明提供了一种氮化物晶体，其通过上述表面研磨方法获得并且具有2nm以下的表面粗糙度Ra。本发明的效果本发明不仅能提供一种用于有效地研磨氮化物晶体表面的研磨浆料以及其制备方法，而且能提供一种通过使用上述研磨浆料研磨氮化物晶体表面的方法。图1A所示为评估磨粒在研磨浆料中的分散性的方法的示意图，该图显示了正好在摇动样品瓶后的研磨桨料的状态。图1B所示为评估磨粒在研磨浆料中的分散性的方法的示意图，该图显示了在维持样品瓶不动后的研磨浆料的状态。图2所示为通过使用所述研磨浆料研磨多晶体(III族氮化物)或单晶体Si3N4的方法的示意性剖视图。附图标记说明1:样品瓶2:盖子10:研磨浆料10a:其中存在氧化物磨粒的相10b:其中不存在氧化物磨粒的相21:晶体保持器21c和25c:转动轴24:重物25-平台(surfaceplate)28:研磨垫29:研磨浆料供给口30:氮化物晶体具体实施例方式本发明的实施方案解释如下。在中，相同的元件具有相同的附图标记以避免重复说明。附图中尺寸的比例不一定要与说明中的比例一致。本发明的研磨浆料为用于氮化物晶体表面研磨的浆料。所述浆料包含氧化物磨粒，选自阴离子性有机分散剂和无机分散剂的至少一种分散剂，以及氧化剂。该浆料具有小于7的pH值。在本发明的研磨桨料中，氧化物磨粒被选自阴离子性有机分散剂和无机分散剂的至少一种分散剂稳定地分散。上述氧化物磨粒和氧化剂共同使有效研磨稳定地进行。如上所述，取决于所用分散剂的类型，本发明的研磨浆料可具有下列三种类型的实施方案(a)分散剂为阴离子性有机分散剂的情况，(b)分散剂为无机分散剂的情况，以及(c)分散剂由阴离子性有机分散剂和无机分散剂组成的情况。各个实施方案在下面具体地说明。实施方案1本发明的研磨浆料的一个实施方案为用于氮化物晶体表面研磨的浆料。该浆料包含氧化物磨粒、阴离子性有机分散剂以及氧化剂，并且具有小于7的pH值。在本发明中，只要氮化物为晶体氮化物，则对氮化物晶体没有特别的限制。例如，该氮化物晶体的类型包括氮化物单晶体以及氮化物多晶体。该实施方案的研磨浆料包含氧化物磨粒以及氧化剂，并且具有小于7的pH值。因此，其可通过氧化表面而研磨化学稳定的氮化物晶体的表面。更具体地说，氮化物晶体表面被存在于pH值小于7的酸性液体中的氧化剂氧化。接着，被氧化的部分被氧化物磨粒研磨掉。在上文的描述中，术语"氧化剂"用于指氧化氮化物晶体表面的化合物。对该氧化剂没有特别的限制。然而，从增大研磨速率的观点看，期望使用氯代异氰脲酸(如三氯异氰脲酸)、氯代异氰脲酸盐(如二氯异氰脲酸钠以及三氯异氰脲酸钠)、高锰酸盐(如高锰酸钾)、重铬酸盐(如重铬酸钾)、溴酸盐(如溴酸钾)、硫代硫酸盐(如硫代硫酸钠)、过硫酸盐如过硫酸铵以及过硫酸钾)、次氯酸、硝酸、过氧化氢水、臭氧等等。这些氧化剂可单独或两种以上试剂组合使用。研磨浆料中氧化剂的含量取决于氧化剂的类型。对该含量没有特别的限制。然而，为了促进氮化物晶体表面的氧化，抑制研磨设备(研磨装置、研磨垫等，并且以下同样适用)的腐蚀，从而进行稳定研磨，期望上述含量为0.01重量％以上和5重量％以下，更期望为0.05重量%以上和重量1%以下。术语"氧化物磨粒"用于指由氧化物形成的磨粒。氧化物磨粒的表面是存在大量的羟基的地方。在这种氧化物磨粒分散在水性液体中的情况下，当该水性液体为酸性时，液体中的氢离子与磨粒表面上的羟基结合，磨粒表面带正电荷。另一方面，当该水性液体为碱性时，液体中的氢氧根离子从磨粒表面上的羟基中吸取氢离子，磨粒表面带负电荷。术语"水性液体"用于指包含主要由水组成的溶剂的液体。在该实施方案的研磨浆料中，氧化物磨粒被阴离子性有机分散剂稳定地分散。因为研磨浆料呈酸性，其pH值小于7，所以氧化物磨粒趋向于带正电荷。因此，与阴离子性有机分散剂间的静电吸引力增加了在水性液体中的分散性。对氧化物磨粒没有特别的限制。然而，期望氧化物磨粒具有高于研磨浆料pH值的等电点。术语"等电点"指在研磨浆料中氧化物磨粒的电荷的代数和变为零的点。换句话说，在该点，氧化物磨粒呈现的正电荷与负电荷相等。以研磨浆料pH值的方式来表示该点。当氧化物磨粒具有高于研磨浆料pH值的等电点时，浆料中的氧化物磨粒毫无例外地均带正电荷。因此，与阴离子性有机分散剂间的静电吸引力进一步增加了氧化物磨粒在水性液体中的分散性，使能够进行更稳定的研磨。对用于形成氧化物磨粒的氧化物没有特别的限制。然而，为了提高研磨的效率，期望氧化物具有的莫氏硬度高于氮化物晶体的莫氏硬度。然而，为了抑制研磨缺陷，期望氧化物具有的莫氏硬度低于氮化物晶体的莫氏硬度。期望氧化物由选自例如Ti02、Fe203、Fe304、NiO、CuO、Cr203、Mn02、Si02、A1203和Zr02的至少一种组成。上述成分具有下列等电点Ti02:4.8-6.7Fe203(通常用作磨粒材料的a-Fe203):8.3Fe304:6.5NiO:10.3CuO:9.5Cr203:6.5-7.4MnO2:6.0-8.4Si02:l-2.8八1203(通常用作磨粒材料的a-A1203):9.1-9.2Zr02:4。9期望这些氧化物磨粒分散在pH值低于其等电点的研磨浆料中。为了促进氮化物晶体表面的研磨、抑制研磨缺陷的形成以及从而进行稳定的研磨，期望研磨浆料中的氧化物磨粒的含量为1重量％以上和20重量％以下，更期望为5重量％以上和10重量％以下。为了在保持高研磨速率的同时抑制研磨缺陷，期望氧化物磨粒具有的莫氏硬度与待研磨的氮化物晶体的莫氏硬度的差为3以下。另外，为了促进氮化物晶体表面的研磨、抑制研磨缺陷的形成以及从而进行稳定的研磨，期望氧化物磨粒具有的平均粒径为0.1Mm以上和3/rni以下，更期望为0.4/mi以上和以下。在该实施方案的研磨浆料中，对阴离子性有机分散剂没有特别的限制。例如，该类型的阴离子性有机分散剂包括具有基团例如-COOM基团(其中M代表H、NH4或金属元素，并且以下同样适用)、-COO-基团、-S03M基团、-OS03M基团、(-0)28=0基团、-OPOOM基团、(-0)2PO(OM)2基团或(-OhPO基团的阴离子性有机化合物。期望阴离子性有机分散剂具有-COOM基团，因为当满足该条件时，分散剂带负电荷，从而增加了氧化物磨粒的分散性。例如，期望阴离子性有机分散剂具有聚丙烯酸或聚丙烯酸盐。为了在保持高研磨速率的同时增加氧化物磨粒的分散性以及进行稳定的研磨，期望研磨浆料中的阴离子性有机分散剂具有的平均分子量为1000以上和50000以下，更期望为2000以上和35000以下。研磨浆料中的阴离子性有机分散剂的含量取决于氧化物磨粒的类型、含量等。然而，为了在保持高研磨速率的同时增加氧化物磨粒的分散性以及进行稳定的研磨，期望上述含量为0.001重量％以上和10重量％以下，更期望为0.01重量％以上和5重量%以下。另外，期望阴离子性有机分散剂具有大量的亲水基以及仅有少量的疏水基，并且期望存在的疏水基具有侧链和分支以使分散剂可具有低的起泡倾向。当研磨浆料包括气泡时，不仅磨粒的分散性降低而且研磨性能也减小了。为了增加研磨速率，期望在该实施方案的研磨浆料中，其pH值"x"与其以mV表示的氧化还原电位(以下縮写为ORP)的值"y"具有由下列公式(1)和(2)表示的关系y^-50x+1000…(1)y^-50x+1900'.-(2)。在上面的描述中，术语"ORP"指由共存在溶液中的氧化剂以及还原剂之间的平衡条件确定的能级(氧化还原电位)。通过测量获得的ORP为相对于参考电极的值。因此，当参考电极的类型不同时，即使在同一溶液中的测量值显示也会不同。许多一般的学术论文使用标准氢电极(NHE)作为参考电极。在本发明中，ORP显示为通过使用标准氢电极(NHE)作为参考电极而获得的值。在该实施方案的研磨浆料中，当其pH的值"x"与其ORP的值"y"(mV)具有表示为y<-50x+1000的关系时，研磨浆料具有低氧化能力。结果，氮化物晶体表面的研磨速率减小了。另一方面，当上述关系为y〉-50x+1900时，研磨浆料具有过高的氧化能力。结果，对研磨设备(如研磨垫以及平台)的腐蚀作用上增强了。因此，稳定地进行化学机械研磨(以下简称为CMP)变得困难了。另外，为了进一步增加研磨速率，期望上述关系进一步满足-50x+1300。换句话说，期望在研磨浆料中，其pH的值"x"与其ORP的值"y"(mV)具有由下列公式(2)和(3)表示的关系。yS-50x+1900"'(2)y^-50x+1300...(3)。该实施方案的研磨浆料具有小于7的pH值。为了增加研磨速率，期望研磨浆料具有小于3的pH值。为了调节其pH值，研磨浆料单独或组合包含酸、碱以及盐(以下称为pH调节剂)。对用于研磨桨料的pH调节剂没有特别的限制。该pH调节剂可例如，不仅由无机酸(如盐酸、硝酸、硫酸、磷酸以及碳酸)，有机酸(如甲酸、乙酸、柠檬酸、苹果酸、酒石酸、琥珀酸、酞酸以及富马酸)，以及碱(如KOH、NaOH、NH4OH以及胺)组成，而且可由包含这些酸或碱的盐组成。此外，上述pH值也可通过添加上述的氧化剂来调节。实施方案2本发明的研磨浆料的另一个实施方案为用于氮化物晶体表面研磨的浆料。该浆料包含氧化物磨粒、无机分散剂以及氧化剂，并且具有小于7的pH值。如上所述，除了无机分散剂替换阴离子性有机分散剂作为分散剂外，该实施方案的研磨浆料与实施方案1的研磨浆料相同。在该实施方案的研磨浆料中，在pH小于7的酸性条件下，无机分散剂被桨料中的水性液体溶解。接着，无机分散剂悬浮在浆料中以被分散。已溶解的悬浮并分散在浆料中的无机分散剂带负电荷。因此，在pH小于7的酸性条件下，可能带正电荷的氧化物磨粒在与带负电荷的悬浮的无机分散剂间的静电吸引力的帮助下增强了其在水性液体中的分散性。只要无机分散剂在pH小于7的酸性条件下能够充当悬浮性分散剂，则对用于该实施方案的研磨浆料中的无机分散剂没有特别的限制。然而，期望使用硝酸盐、硫酸盐、磷酸盐、氯化物等，因为它们具有高的在浆料中的悬浮性以及分散性。例如，期望无机分散剂为选自Ca(N03)2、NaN03、A1(N03)3、Mg(N03)2、Ni(N03)2、Cr(N03)3、Cu(N03)2、Fe(N03)2、Zn(N03)2、Mn(N03)2、Na2S04、A12(S04)3、MgS04、NiS04、Cr2(S04)3、CuS04、FeS04、ZnS04、MnS04、Na2C03、NaHC03、Na3P04、CaCl2、NaCl、A1C13、MgCl2、NiCl2、CuCl2、FeCl2、ZnCl2禾口MnCl2的至少一种。为了在保持高研磨速率的同时增加金属氧化物磨粒的分散性以及进行稳定的研磨，期望该实施方案的研磨浆料中的无机分散剂的含量为0.001重量％以上和0.5重量％以下，更期望为0.005重量°/。以上和0.2重量％以下。在该实施方案中，用于研磨浆料中的氧化物磨粒和氧化剂以及研磨浆料的pH值与实施方案1中的相同。实施方案3本发明研磨浆料的又一个实施方案为用于氮化物晶体表面研磨的浆料。该浆料包含氧化物磨粒、阴离子性有机分散剂、无机分散剂以及氧化剂，并且具有小于7的pH值。因为该实施方案的研磨浆料包含阴离子性有机分散剂和无机分散剂作为氧化物磨粒的分散剂，所以该研磨浆料既不同于包含阴离子性有机分散剂作为分散剂的实施方案1的研磨浆料，又不同于包含无机分散剂作为分散剂的实施方案2的研磨浆料。因为该实施方案的研磨浆料包含阴离子性有机分散剂和无机分散剂作为氧化物磨粒分散剂，所以这两种类型分散剂之间的相互作用进一步增强了氧化物磨粒的分散性。更具体地说，在实施方案1中，赋予氧化物磨粒的正电荷被阴离子性有机分散剂的负电荷抵消。因此，氧化物磨粒之间的静电排斥力减小了，使得由于磨粒的絮凝而使氧化物磨粒的沉降易于发生。另一方面，在本实施方案中，作为悬浮性分散剂的无机分散剂阻碍了氧化物磨粒的沉降，进一步增强了氧化物磨粒的分散性。同理，在实施方案2中，赋予氧化物磨粒的正电荷被无分散剂的负电荷抵消。因此，氧化物磨粒之间的静电排斥力减小了，使得氧化物磨粒的絮凝易于发生。另一方面，在本实施方案中，由阴离子性有机分散剂拥有的负电13荷引起的静电排斥力抑制氧化物磨粒的絮凝，进一步增强氧化物磨粒的分散性。在该实施方案的研磨浆料中，氧化物磨粒、阴离子性有机分散剂、氧化剂以及pH值与实施方案1相同，并且无机分散剂与实施方案2相同。本发明研磨桨料的又一个实施方案具有与上述三个实施方案中的一个相同的氧化物磨粒、分散剂、氧化剂以及pH值。另外，该实施方案中的研磨浆料还包含作为沉降抑制剂的勃姆石。因为该研磨浆料还包含作为沉降抑制剂的勃姆石，所以固体的粘度和体积增加了。结果，研磨浆料的分散性能够增强，并且粘度能够变得可控制。为了增强研磨浆料的分散性以及制备抑制粘度过分增加的研磨浆料，期望研磨浆料具有的勃姆石的含量为o.l重量％以上且小于8重量％，更期望为1重量％以上和3重量％以下。实施方案4本发明用于制备研磨浆料的方法的一个实施方案为实施方案1-3的研磨浆料的制备方法。该制备方法具有以下步骤首先，向水性液体中至少添加氧化物磨粒以及阴离子性有机分散剂和无机分散剂的至少一种；以及然后，机械地分散氧化物磨粒。在水性液体中的氧化物磨粒的机械以及强有力分散不仅减小了研磨浆料中的氧化物磨粒的粒径，而且增强了氧化物磨粒与阴离子性有机分散剂、无机分散剂间或两者之间的静电耦合。结果，氧化物磨粒被稳定地分散从而抑制其絮凝。对机械地分散氧化物磨粒的方法没有特别的限制。然而，期望使用一种通过将至少包含氧化物磨粒以及阴离子性有机分散剂和无机分散剂的至少一种的水性液体放入珠磨机等中从而机械地分散氧化物磨粒的方法。当至少包含氧化物磨粒以及阴离子性有机分散剂和无机分散剂的至少一种的水性液体放入珠磨机等中，并且接着氧化物磨粒被机械地、强有力地分散在水性液体中时，研磨浆料中氧化物磨粒的粒径减小了，并且氧化物磨粒与阴离子性有机分散剂、无机分散剂或两者之间的静电耦合增强了。其结果，氧化物磨粒的分散被稳定，从而抑制其絮凝。对用于珠磨机中的珠子没有特别的限制。然而，为了增强氧化物磨粒的分散性，期望所述珠子为由Zr02、A1203、Ti02、Si02、Si3N4等制成的硬质珠子，并且所述珠子具有约100/mi-lOmm的直径。使用珠磨机机械地分散氧化物磨粒的处理(该处理称为机械分散处理)可在任何时间进行，只要该时间为在至少氧化物磨粒以及阴离子性有机分散剂和无机分散剂的至少一种被添加到水性液体中之后。该实施方案的表面研磨方法能够有效地制备表面粗糙度Ra为2nm以下的氮化物晶体。表面粗糙度Ra为通过下列程序获得的值。首先，确定出在一个区域中显示粗糙度的曲面(该曲面被称为粗糙度曲面)。然后，获取代表厚度位置变化平均值的面(该面被称为平均面)。从该平均面中仅抽样出用于测量的区域(该区域被称为基准面积)。在该抽样的区域中，将粗糙度曲面中从平均面到待测量曲面的各个偏差表示为单个量值。将所述各单个量值的绝对值求和。上述总和值除以基准面积，获得平均值，该平均值为表面粗糙度Ra。表面粗糙度Ra可通过使用光学粗糙度测量仪、阶跃位移计(stepdisplacementmeter)、原子力显微镜(AFM)等测得。实施例实施例1(a)研磨浆料的制备通过将5重量％的平均粒径为2.5/mi的八1203磨粒作为氧化物磨粒和0.1重量％的数均分子量为2000的聚丙烯酸钠(以下称为PAA)作为阴离子性有机分散剂添加到水中，制备浆料。将浆料放入装有珠子的珠磨机中，该珠子由Nikkato公司(日本)制造，平均直径为500/mi。浆料在100rpm的转速下经受5小时的对磨粒的机械分散处理。经过机械分散处理的桨料通过向其中添加0.2-g/L的二氯异氰脲酸钠(以下称为DCIA)作为氧化剂和苹果酸作为pH调节剂而扩充。(在上面的描述中，单位"g/L"用于指l升浆料中含有的克数，并且以下同样适用。)然后，混合所添加的成分。因此，获得含有平均粒径为lMm的磨粒、pH值为5并且ORP为1200mV的研磨桨料。磨粒的平均粒径用粒度分布计测里。(b)研磨桨料中氧化物磨粒分散性的评估如图1A所示，将如上面(a)中的描述制备的并且体积为30cmS的研磨浆料IO放入容积为50cn^的样品瓶1中。然后，盖上盖子2。摇动样品瓶至少1分钟。目视确定氧化物磨粒均匀地分散在研磨漿料10中。样品瓶在室温下(例如，在25。C下)静置三小时。这时，如图1B所示，研磨浆料分成了二个相；一个相是存在沉降的氧化物磨粒的相10a，而另一个相是不存在氧化物磨粒的相10b。利用下列公式(4)计算研磨浆料中氧化物磨粒的分散性(％):分散性(。/。)-100xIVH()...(4)，其中He:样品瓶1中研磨浆料IO的高度，以及H1:其中存在沉降的氧化物磨粒的相10a的高度。如下所述，当通过利用上面公式计算的分散性小于20%时(当磨粒的量为5重量％时)，由于磨粒的沉降，稳定地研磨氮化物晶体变得困难。实施例1的研磨浆料中氧化物磨粒的分散性为17%。(c)使用研磨浆料对氮化物晶体的研磨测试图2示出了一种通过使用上述(a)中描述获得的研磨浆料10，对其为Si3N4多晶体的氮化物晶体30的表面进行CMP的方法。该CMP按如下所述进行。首先，使用蜡将Si3N4多晶体(氮化物晶体30)连接到陶瓷晶体保持器21上。接着，将研磨垫28放在具有300mm直径的平台25上，该平台25设置在研磨装置(未示出)中。含有已分散的氧化物磨粒的研磨浆料10从研磨浆料供给口29供给研磨垫28。在供给研磨浆料10的同时，研磨垫28围绕转动轴25c旋转。同时，将重物24放在晶体保持器21上以将Si3N4多晶体(氮化物晶体30)挤压到研磨垫28上。保持该条件的同时，Si3N4多晶体(氮化物晶体30)围绕晶体保持器21的转动轴21c旋转。这样，进行对Si3N4多晶体表面的CMP。在上面的描述中，研磨垫28由聚氨酯磨光垫(buffmgpad)(SupremeRN-R，由NittaHaas公司(日本)制造)形成。平台25为不锈钢平台。研磨压力为200-1000g/cm2。Si3N4多晶体(氮化物晶体30)与研磨垫28的转数对二者均为20rpm-90rpm。研磨时间为180分钟。通过Si3N4多晶体(氮化物晶体30)在研磨之前的厚度与其研磨后的厚度之间的差除以研磨时间，计算出Si3N4多晶体的研磨速率。计算出的研磨速率高达3.7/mi/小时。Si3N4多晶体研磨后的表面粗糙度Ra非常低，达到1.7tim。Si3N4多晶体研磨后的表面粗糙度Ra用光学粗糙度测量仪在80X80/mi的基准面积下测量。结果归纳在表I中。实施例2研磨浆料通过与实施例1中使用的相同的方法制备，所不同的是，添加0.1重量％的数均分子量为6000的PAA作为阴离子性有机分散剂。然后，评估氧化物磨粒的分散性并对Si3N4多晶体进行CMP。实施例2的研磨浆料含有平均粒径为lMm的磨粒、pH值为5以及ORP为1200mV。氧化物磨粒的分散性为25%。Si3N4多晶体的研磨速率高达3.3Mm/小时。Si3N4多晶体研磨后的表面粗糙度Ra非常低，达到1.4nm。结果归纳在表I中。实施例317研磨浆料通过与实施例1中使用的相同的方法制备，所不同的是，还添加0.2重量％的A1(N03)3作为无机分散剂。然后，评估氧化物磨粒的分散性并对Si3N4多晶体进行CMP。实施例3的研磨浆料含有平均粒径为1/im的磨粒、pH值为4以及ORP为1250mV。氧化物磨粒的分散性为22%。Si3N4多晶体的研磨速率高达3.1/mi/小时。313^[4多晶体研磨后的表面粗糙度Ra极低，达到1.2nm。结果归纳在表I中。实施例4研磨浆料通过与实施例3中使用的相同的方法制备，所不同的是，添加0.1重量％的数均分子量为6000的PAA作为阴离子性有机分散剂。然后，评估氧化物磨粒的分散性并对Si3N4多晶体进行CMP。实施例4的研磨浆料含有平均粒径为1/mi的磨粒、pH值为4以及ORP为1250mV。氧化物磨粒的分散性为31%。Si3N4多晶体的研磨速率高达2.8Mm/小时。Si3N4多晶体研磨后的表面粗糙度Ra极低，达到l.lnm。结果归纳在表I中。实施例5研磨浆料通过与实施例3中使用的相同的方法制备，所不同的是，添加0.1重量％的数均分子量为10000的PAA作为阴离子性有机分散剂。然后，评估氧化物磨粒的分散性并对Si3N4多晶体进行CMP。实施例5的研磨桨料含有平均粒径为1/mi的磨粒、pH值为4.5以及ORP为1150mV。氧化物磨粒的分散性为39%。Si3N4多晶体的研磨速率高达2.4/mi/小时。Si3N4多晶体研磨后的表面粗糙度Ra极低，达到l.Onm。结果归纳在表I中。实施例6研磨浆料通过与实施例3中使用的相同的方法制备，所不同的是，添加0.1重量％的数均分子量为5000的萘磺酸和福尔马林的縮合产物(以下该縮合产物称为NSH)作为阴离子性有机分散剂。然后，评估氧化物磨粒的分散性并对Si3N4多晶体进行CMP。实施例6的研磨浆料含有平均粒径为lpm的磨粒、pH值为4.5以及ORP为1150mV。氧化物磨粒的分散性高达29%。Si3N4多晶体的研磨速率为2.9/mi/小时。Si3N4多晶体研磨后的表面粗糙度Ra极低，达到1.2mn。结果归纳在表I中。实施例7研磨浆料通过与实施例3中使用的相同的方法制备，所不同的是，添加0.1重量％的数均分子量为10000的NSH作为阴离子性有机分散剂。然后，评估氧化物磨粒的分散性并对Si3N4多晶体进行CMP。实施例7的研磨浆料具有平均粒径为1/mi的磨粒、pH值为4.5以及ORP为1150mV。氧化物磨粒的分散性高达40%。Si3N4多晶体的研磨速率为2.2/mi/小时。Si3N4多晶体研磨后的表面粗糙度Ra极低，达到l.lnm。结果归纳在表I中。实施例8研磨浆料通过与实施例3中使用的相同的方法制备，所不同的是，添加0.1重量％的数均分子量为805的十六垸基三磷酸酯(以下称为HDTP)作为阴离子性有机分散剂。然后，评估氧化物磨粒的分散性并对Si3N4多晶体进行CMP。实施例8的研磨浆料具有平均粒径为1/mi的磨粒、pH值为4.5以及ORP为U50mV。氧化物磨粒的分散性低至12%。Si3N4多晶体的研磨速率为1.2pm/小时。Si3N4多晶体研磨后的表面粗糙度Ra极低，达至lj1.3nm。结果归纳在表I中。实施例9研磨浆料通过与实施例3中使用的相同的方法制备，所不同的是，添加0.1重量％的数均分子量为320的作为阳离子性有机分散剂的十六烷基三甲基铵氯化物(以下称为HDTMAC)代替作为阴离子性有机分散剂的PAA。然后，评估氧化物磨粒的分散性并对Si3N4多晶体进行CMP。实施例9的研磨浆料含有平均粒径为lMm的磨粒、pH值为4以及ORP为1200mV。氧化物磨粒的分散性为15%。Si3N4多晶体的研磨速率为0.5Mm/小时。Si3N4多晶体研磨后的表面粗糙度Ra极低，达到1.4nm。结果归纳在表I中。实施例10研磨浆料通过与实施例3中使用的相同的方法制备，所不同的是，pH值由4改变成10。然后，评估氧化物磨粒的分散性并对Si3N4多晶体进行CMP。实施例10的研磨浆料含有平均粒径为lpm的磨粒、pH值为10以及ORP为1150mV。氧化物磨粒的分散性低至7%。S^N4多晶体的研磨速率为2.6/mi/小时。Si3N4多晶体研磨后的表面粗糙度Ra极低，达到L9nm。结果归纳在表I中。对比例1研磨浆料通过与实施例9中使用的相同的方法制备，所不同的是，未添加无机分散剂。然后，评估氧化物磨粒的分散性并对Si3lsU多晶体进行CMP。对比例1的研磨浆料含有平均粒径为lpm的磨粒、pH值为5以及ORP为1100mV。氧化物磨粒的分散性低至6%。SisN4多晶体的研磨速率为0.2Mm/小时。Si3N4多晶体研磨后的表面粗糙度Ra为2.2nm。结果归纳在表I中。对比例2研磨浆料通过与对比例1中使用的相同的方法制备，所不同的是，添加0.1重量％的数均分子量为645的作为非离子性有机分散剂的聚氧乙烯(10)辛基苯基醚(以下称为POE(10))代替作为阳离子性有机分散剂的HDTMAC。在上文描述中，"(10)"这一表述指代的是分子的重复数。然后，评估氧化物磨粒的分散性并对Si3N4多晶体进行CMP。对比例2的研磨浆料含有平均粒径为lpm的磨粒、pH值为5以及ORP为1100mV。氧化物磨粒的分散性低至7%。Si3N4多晶体的研磨速率为0.3/xm/小时。Si3N4多晶体研磨后的表面粗糙度Ra为2.4nm。结果归纳在表I中。实施例1120研磨浆料通过与实施例3中使用的相同的方法制备，所不同的是，添加5重量％的平均粒径为2.5/mi的Zr02磨粒作为氧化物磨粒以及0.4重量％的Ca(N03)2作为无机分散剂，而不添加阴离子性有机分散剂。然后，评估氧化物磨粒的分散性并对Si3N4多晶体进行CMP。实施例11的研磨浆料含有平均粒径为0.5/rni的磨粒、pH值为3.5以及ORP为1250mV。氧化物磨粒的分散性为18%。Si3N4多晶体的研磨速率为2.6/mi/小时。Si3N4多晶体研磨后的表面粗糙度Ra极低、达到1.8nm。结果归纳在表II中。实施例12研磨桨料通过与实施例11中使用的相同的方法制备，所不同的是，添加0.4重量％的A1(N03)3作为无机分散剂。然后，评估氧化物磨粒的分散性并对Si3N4多晶体进行CMP。实施例12的研磨浆料含有平均粒径为0.5/mi的磨粒、pH值为3.5以及ORP为1250mV。氧化物磨粒的分散性为18%。Si3N4多晶体的研磨速率为2.8/im/小时。SisN4多晶体研磨后的表面粗糙度Ra极低，达到1.7nm。结果归纳在表II中。实施例13研磨浆料通过与实施例ll中使用的相同的方法制备，所不同的是，还添加0.1重量％的数均分子量为2000的作为阴离子性有机分散剂的PAA。然后，评估氧化物磨粒的分散性并对Si3N4多晶体进行CMP。实施例13的研磨浆料含有平均粒径为0.5pm的磨粒、pH值为4.2以及ORP为1200mV。氧化物磨粒的分散性高达28%。Si3N4多晶体的研磨速率为1.7/mi/小时。Si3N4多晶体研磨后的表面粗糙度Ra极低，达到0.9nm。结果归纳在表II中。实施例14研磨浆料通过与实施例13中使用的相同的方法制备，所不同的是，添加0.1重量％的数均分子量为6000的PAA作为阴离子性有机分散剂、0.4重量％的NaN03代替Ca(N03)2作为无机分散剂以及0.1g/L的三氯异氰脲酸钠(以下称为TCIA)作为氧化剂。然后，评估氧化物磨粒的分散性并对Si3N4多晶体进行CMP。实施例14的研磨浆料含有平均粒径为0.5/mi的磨粒、pH值为1.8以及ORP为1400mV。氧化物磨粒的分散性为30%。Si3N4多晶体的研磨速率高达2.2/mi/小时。Si3N4多晶体研磨后的表面粗糙度Ra极低，达到0.7nm。结果归纳在表II中。实施例15研磨浆料通过与实施例13中使用的相同的方法制备，所不同的是，添加0.1重量％的数均分子量为10000的NSH作为阴离子性有机分散剂、0.4重量％的Mg(N03)2作为无机分散剂以及0.4g/L的DCIA作为氧化剂。然后，评估氧化物磨粒的分散性并对Si3N4多晶体进行CMP。实施例15的研磨浆料含有平均粒径为0.5/rni的磨粒、pH值为3.8以及ORP为1250mV。氧化物磨粒的分散性为41%。Si3N4多晶体的研磨速率高达1.8/mi/小时。Si3N4多晶体研磨后的表面粗糙度Ra极低，达到0.8nm。结果归纳在表II中。实施例16研磨浆料通过与实施例15中使用的相同的方法制备，所不同的是，添加0.4重量y。的Fe(N03)2作为无机分散剂。然后，评估氧化物磨粒的分散性并对Si3N4多晶体进行CMP。实施例16的研磨浆料含有平均粒径为0.5/mi的磨粒、pH值为3.8以及ORP为1250mV。氧化物磨粒的分散性为39%。Si3N4多晶体的研磨速率高达1.9/mi/小时。313&多晶体研磨后的表面粗糙度Ra极低，达到0.7nm。结果归纳在表II中。实施例17研磨浆料通过与实施例16中使用的相同的方法制备，所不同的是，添加0.4重量％的A1(N03)3作为无机分散剂。然后，评估氧化物磨粒的分散性并对Si3N4多晶体进行CMP。实施例17的研磨浆料含有平均粒径为0.5]um的磨粒、pH值为3.8以及ORP为1250mV。氧化物磨粒的分散性为49%。Si3N4多晶体的研磨速率高达2.0/xm/小时。Si3!vU多晶体研磨后的表面粗糙度Ra极低，达到0.7nm。结果归纳在表II中。实施例18研磨桨料通过与实施例16中使用的相同的方法制备，所不同的是，添加0.4重量y。的Ni(N03)2作为无机分散剂。然后，评估氧化物磨粒的分散性并对Si3N4多晶体进行CMP。实施例18的研磨浆料含有平均粒径为0.5/mi的磨粒、pH值为3.7以及ORP为1250mV。氧化物磨粒的分散性为43%。Si3N4多晶体的研磨速率高达1.8/tm/小时。Si3N4多晶体研磨后的表面粗糙度Ra极低，达到0.7nm。结果归纳在表II中。实施例19研磨浆料通过与实施例16中使用的相同的方法制备，所不同的是，添加0.4重量％的Cr(N03)3作为无机分散剂。然后，评估氧化物磨粒的分散性并对Si3N4多晶体进行CMP。实施例19的研磨浆料含有平均粒径为0.5]um的磨粒、pH值为3.6以及ORP为1250mV。氧化物磨粒的分散性为35%。Si3N4多晶体的研磨速率高达1.7/mi/小时。&3^[4多晶体研磨后的表面粗糙度Ra极低，达到0.6nm。结果归纳在表II中。实施例20研磨浆料通过与实施例16中使用的相同的方法制备，所不同的是，添加0.4重量％的Cu(N03)2作为无机分散剂。然后，评估氧化物磨粒的分散性并对Si3N4多晶体进行CMP。实施例20的研磨桨料含有平均粒径为0.5/xm的磨粒、pH值为3.8以及ORP为1250mV。氧化物磨粒的分散性为36%。Si3N4多晶体的研磨速率高达1.7pm/小时。Si3N4多晶体研磨后的表面粗糙度Ra极低，达到0.6nm。结果归纳在表II中。实施例21研磨浆料通过与实施例16中使用的相同的方法制备，所不同的是，添加0.4重量％的Zn(N03)2作为无机分散剂。然后，评估氧化物磨粒的分散性并对SisN4多晶体进行CMP。实施例21的研磨浆料含有平均粒径为0.5pm的磨粒、pH值为3.8以及ORP为1250mV。氧化物磨粒的分散性为46%。Si3N4多晶体的研磨速率高达1.9/mi/小时。Si3N4多晶体研磨后的表面粗糙度Ra极低，达到0.7nm。结果归纳在表II中。实施例22研磨浆料通过与实施例16中使用的相同的方法制备，所不同的是，添加0.4重量％的Mn(N03)2作为无机分散剂。然后，评估氧化物磨粒的分散性并对Si3N4多晶体进行CMP。实施例22的研磨浆料含有平均粒径为0.5/mi的磨粒、pH值为3.7以及ORP为1250mV。氧化物磨粒的分散性为39%。Si3N4多晶体的研磨速率高达1.8/mi/小时。&3&多晶体研磨后的表面粗糙度Ra极低，达到0.7nm。结果归纳在表II中。实施例23研磨浆料通过与实施例16中使用的相同的方法制备，所不同的是，添加0.4重量％的Na2S04作为无机分散剂。然后，评估氧化物磨粒的分散性并对Si3N4多晶体进行CMP。实施例23的研磨浆料含有平均粒径为0.5/mi的磨粒、pH值为3.8以及ORP为1250mV。氧化物磨粒的分散性为38%。Si3N4多晶体的研磨速率高达1.7/mi/小时。SisN4多晶体研磨后的表面粗糙度Ra极低，达到0.6nm。结果归纳在表II中。实施例24研磨桨料通过与实施例16中使用的相同的方法制备，所不同的是，添加0.1重量％的数均分子量为5000的NSH作为阴离子性有机分散剂、0.4重量％的Mg(N03)2作为无机分散剂以及2.0g/L的&02作为氧化剂。然后，评估氧化物磨粒的分散性并对Si3N4多晶体进行CMP。实施例24的研磨浆料含有平均粒径为0.5/mi的磨粒、pH值为4.0以及ORP为750mV。氧化物磨粒的分散性为30%。Si3N4多晶体的研磨速率高达0.9/mi/小时。Si3N4多晶体研磨后的表面粗糙度Ra极低，达到1.4nm。结果归纳在表m中。实施例25研磨浆料通过与实施例16中使用的相同的方法制备，所不同的是，添加5重量％的平均粒径为2.5/mi的0"203磨粒作为氧化物磨粒、0.4重量％的Al2(S04)3作为无机分散剂以及0.1g/L的TCIA作为氧化剂。然后，评估氧化物磨粒的分散性并对Si3N4多晶体进行CMP。实施例25的研磨浆料含有平均粒径为0.5pm的磨粒、pH值为2.2以及ORP为1400mV。氧化物磨粒的分散性为40%。Si3N4多晶体的研磨速率高达3.0/rni/小时。Si3N4多晶体研磨后的表面粗糙度Ra极低，达到1.Onm。结果归纳在表III中。实施例26研磨浆料通过与实施例25中使用的相同的方法制备，所不同的是，添加0.4重量。/。的NiSO4作为无机分散剂。然后，评估氧化物磨粒的分散性并对Si3N4多晶体进行CMP。实施例26的研磨浆料含有平均粒径为0.5/mi的磨粒、pH值为2.2以及ORP为1400mV。氧化物磨粒的分散性为39%。Si3N4多晶体的研磨速率高达2.9/mi/小时。Si3N4多晶体研磨后的表面粗糙度Ra极低，达到l.Onm。结果归纳在表III中。实施例27研磨浆料通过与实施例25中使用的相同的方法制备，所不同的是，添加0.4重量％的Cr2(S04)3作为无机分散剂。然后，评估氧化物磨粒的分散性并对Si3N4多晶体进行CMP。实施例27的研磨浆料含有平均粒径为0.5pm的磨粒、pH值为2.2以及ORP为1400mV。氧化物磨粒的分散性为36%。Si3N4多晶体的研磨速率高达2.8/mi/小时。&3、多晶体研磨后的表面粗糙度Ra极低，达到0.9nm。结果归纳在表III中。实施例28研磨浆料通过与实施例25中使用的相同的方法制备，所不同的是，添加0.4重量。/。的QiSO4作为无机分散剂。然后，评估氧化物磨粒的分散性并对Si3N4多晶体进行CMP。实施例28的研磨浆料含有平均粒径为0.5pm的磨粒、pH值为2.2以及ORP为1400mV。氧化物磨粒的分散性为41%。Si3N4多晶体的研磨速率高达2.8/mi/小时。Si3N4多晶体研磨后的表面粗糙度Ra极低，达到0.9nm。结果归纳在表III中。实施例29研磨浆料通过与实施例25中使用的相同的方法制备，所不同的是，添加0.4重量。/。FeS04作为无机分散剂。然后，评估氧化物磨粒的分散性并对Si3N4多晶体进行CMP。实施例29的研磨浆料含有平均粒径为0.5Mm的磨粒、pH值为2.2以及ORP为1400mV。氧化物磨粒的分散性为40%。Si3N4多晶体的研磨速率高达2.7pm/小时。&3&多晶体研磨后的表面粗糙度Ra极低，达到1.0nm。结果归纳在表III中。实施例30研磨浆料通过与实施例25中使用的相同的方法制备，所不同的是，添加0.4重量。/。的ZnSO4作为无机分散剂。然后，评估氧化物磨粒的分散性并对Si3N4多晶体进行CMP。实施例30的研磨浆料含有平均粒径为0.5/rni的磨粒、pH值为2.2以及ORP为1400mV。氧化物磨粒的分散性为40%。Si3N4多晶体的研磨速率高达2.9iam/小时。Si3N4多晶体研磨后的表面粗糙度Ra极低，达到1.0nm。结果归纳在表III中。实施例31研磨浆料通过与实施例25中使用的相同的方法制备，所不同的是，添加0.4重量％的MnS04作为无机分散剂。然后，评估氧化物磨粒的分散性并对SisN4多晶体进行CMP。实施例31的研磨浆料含有平均粒径为0.5/xm的磨粒、pH值为2.2以及ORP为1400mV。氧化物磨粒的分散性为39%。Si3N4多晶体的研磨速率高达2.8/mi/小时。&3&多晶体研磨后的表面粗糙度Ra极低，达到0.9nm。结果归纳在表III中。实施例32研磨浆料通过与实施例24中使用的相同的方法制备，所不同的是，26添加5重量％的平均粒径为2.5]wn的八1203磨粒作为氧化物磨粒、0.1重量％的数均分子量为805的HDTP作为阴离子性有机分散剂以及0.4重量c/。的NaHC03作为无机分散剂。然后，评估氧化物磨粒的分散性并对Si3N4多晶体进行CMP。实施例32的研磨浆料含有平均粒径为0.5/mi的磨粒、pH值为4.5以及ORP为700mV。氧化物磨粒的分散性为13%。Si3N4多晶体的研磨速率为0.6/mi/小时。Si3N4多晶体研磨后的表面粗糙度Ra极低，达到0.6nm。结果归纳在表III中。实施例33研磨浆料通过与实施例32中使用的相同的方法制备，所不同的是，添加0.4重量％的Na2C03作为无机分散剂。然后，评估氧化物磨粒的分散性并对Si3N4多晶体进行CMP。实施例33的研磨浆料含有平均粒径为0.5/mi的磨粒、pH值为4.5以及ORP为700mV。氧化物磨粒的分散性为14%。Si3N4多晶体的研磨速率为0.6/mi/小时。Si3N4多晶体研磨后的表面粗糙度Ra极低，达到0.6nm。结果归纳在表III中。实施例34研磨浆料通过与实施例14中使用的相同的方法制备，所不同的是，添加0.1重量％的数均分子量为805的HDTP作为阴离子性有机分散剂以及0.4重量％的Na3P04作为无机分散剂。然后，评估氧化物磨粒的分散性并对Si3N4多晶体进行CMP。实施例34的研磨浆料含有平均粒径为0.5Mm的磨粒、pH值为2.5以及ORP为1350mV。氧化物磨粒的分散性为14%。Si3N4多晶体的研磨速率为0.9/mi/小时。研磨后的Si3N4多晶体的表面粗糙度Ra极低，达到0.8nm。结果归纳在表IV中。实施例35研磨桨料通过与实施例34中使用的相同的方法制备，所不同的是，添加0.4重量％的CaCl2作为无机分散剂。然后，评估氧化物磨粒的分散性并对Si3N4多晶体进行CMP。实施例35的研磨浆料含有平均粒径为0.5/mi的磨粒、pH值为2.5以及ORP为1350mV。氧化物磨粒的分散性为13%。Si3N4多晶体的研磨速率为0.9/mi/小时。Si3N4多晶体研磨后的表面粗糙度Ra极低，达到0.8nm。结果归纳在表IV中。实施例36研磨浆料通过与实施例34中使用的相同的方法制备，所不同的是，添加0.4重量％的NaCl作为无机分散剂。然后，评估氧化物磨粒的分散性并对Si3N4多晶体进行CMP。实施例36的研磨浆料含有平均粒径为0.5/mi的磨粒、pH值为2.5以及ORP为1350mV。氧化物磨粒的分散性为14%。Si3N4多晶体的研磨速率为0.8/mi/小时。Si3N4多晶体研磨后的表面粗糙度Ra极低，达到0.8mn。结果归纳在表IV中。实施例37研磨浆料通过与实施例34中使用的相同的方法制备，所不同的是，添加0.4重量％的AlCl3作为无机分散剂。然后，评估氧化物磨粒的分散性并对S^N4多晶体进行CMP。实施例37的研磨桨料含有平均粒径为0.5/mi的磨粒、pH值为2.5以及ORP为1350mV。氧化物磨粒的分散性为14%。Si3N4多晶体的研磨速率为0.9/mi/小时。Si3N4多晶体研磨后的表面粗糙度Ra极低，达到0.8nm。结果归纳在表IV中。实施例38研磨浆料通过与实施例34中使用的相同的方法制备，所不同的是，添加0.4重量。/。的MgCl2作为无机分散剂。然后，评估氧化物磨粒的分散性并对Si3N4多晶体进行CMP。实施例38的研磨浆料含有平均粒径为0.5/mi的磨粒、pH值为2.5以及ORP为1350mV。氧化物磨粒的分散性为14%。Si3N4多晶体的研磨速率为0.8/mi/小时。Si3N4多晶体研磨后的表面粗糙度Ra极低，达到0.9nm。结果归纳在表IV中。实施例39研磨浆料通过与实施例34中使用的相同的方法制备，所不同的是，添加0.4重量％的NiCl2作为无机分散剂。然后，评估氧化物磨粒的分28散性并对SisN4多晶体进行CMP。实施例39的研磨浆料含有平均粒径为0.5/mi的磨粒、pH值为2.5以及ORP为1350mV。氧化物磨粒的分散性为15%。Si3N4多晶体的研磨速率为0.8pm/小时。Si3N4多晶体研磨后的表面粗糙度Ra极低，达到0.8nm。结果归纳在表IV中。实施例40研磨浆料通过与实施例34中使用的相同的方法制备，所不同的是，添加0.4重量％的CuCl2作为无机分散剂。然后，评估氧化物磨粒的分散性并对Si3N4多晶体进行CMP。实施例40的研磨浆料含有平均粒径为0.5pm的磨粒、pH值为2.5以及ORP为1350mV。氧化物磨粒的分散性为14%。Si3N4多晶体的研磨速率为0.9/mi/小时。&3&多晶体研磨后的表面粗糙度Ra极低，达到0.8nm。结果归纳在表IV中。实施例41研磨浆料通过与实施例34中使用的相同的方法制备，所不同的是，添加0.4重量％的FeCl2作为无机分散剂。然后，评估氧化物磨粒的分散性并对Si3N4多晶体进行CMP。实施例41的研磨浆料含有平均粒径为0.5/xm的磨粒、pH值为2.5以及ORP为1350mV。氧化物磨粒的分散性为14%。Si3N4多晶体的研磨速率为0.8/mi/小时。Si3N4多晶体研磨后的表面粗糙度Ra极低，达到0.8nm。结果归纳在表IV中。实施例42研磨浆料通过与实施例34中使用的相同的方法制备，所不同的是，添加0.4重量％的ZnCl2作为无机分散剂。然后，评估氧化物磨粒的分散性并对Si3N4多晶体进行CMP。实施例42的研磨浆料含有平均粒径为0.5jrai的磨粒、pH值为2.5以及ORP为1350mV。氧化物磨粒的分散性为13%。Si3N4多晶体的研磨速率为0.9/mi/小时。&3&多晶体研磨后的表面粗糙度Ra极低，达到0.9nm。结果归纳在表IV中。实施例43研磨浆料通过与实施例34中使用的相同的方法制备，所不同的是，添加0.4重量y。的MnCl2作为无机分散剂。然后，评估氧化物磨粒的分散性并对Si3N4多晶体进行CMP。实施例43的研磨浆料含有平均粒径为0.5/mi的磨粒、pH值为2.5以及ORP为1350mV。氧化物磨粒的分散性为14%。Si3N4多晶体的研磨速率为0.9/mi/小时。Si3N4多晶体研磨后的表面粗糙度Ra极低，达到0.8nm。结果归纳在表IV中。对比例3研磨浆料通过与实施例43中使用的相同的方法制备，所不同的是，添加0.1重量％的数均分子量为320的作为阳离子性有机分散剂的HDTMAC代替作为阴离子性有机分散剂的HDTP、不添加无机分散剂以及添加0.4g/L的DCIA作为氧化剂。然后，评估氧化物磨粒的分散性并对Si3N4多晶体进行CMP。对比例3的研磨浆料含有平均粒径为0.5/xm的磨粒、pH值为2.5以及ORP为1350mV。氧化物磨粒的分散性低至6%。Si3N4多晶体的研磨速率为O.lpm/小时。Si3N4多晶体研磨后的表面粗糙度Ra为2.4nm。结果归纳在表IV中。对比例4研磨桨料通过与实施例25中使用的相同的方法制备，所不同的是，添加0.1重量％的数均分子量为645的作为非离子性有机分散剂的POE(10)代替作为阴离子性有机分散剂的NSH，且不添加无机分散剂。然后，评估氧化物磨粒的分散性并对Si3N4多晶体进行CMP。对比例4的研磨浆料含有平均粒径为lpm的磨粒、pH值为2.5以及ORP为1350mV。氧化物磨粒的分散性低至8%。Si3N4多晶体的研磨速率为0.2jum/小时。Si3N4多晶体研磨后的表面粗糙度Ra为2.3nm。结果归纳在表IV中。实施例44研磨浆料通过添加10重量％的八1203作为氧化物磨粒、0.1重量％的数均分子量为2000的PAA作为阴离子性有机分散剂、0.4重量％的NaN03作为无机分散剂以及0.1g/L的TCIA作为氧化剂而制备。然后，评估氧化物磨粒的分散性并对Si3N4多晶体进行CMP。实施例44的研磨浆料含有平均粒径为0.5Mm的磨粒、pH值为1.8以及ORP为1400mV。氧化物磨粒的分散性为40%。Si3N4多晶体的研磨速率为3.4/mi/小时。Si3N4多晶体研磨后的表面粗糙度Ra极低，达到l.lnm。结果归纳在表V中。实施例45研磨浆料通过与实施例44中使用的相同的方法制备，所不同的是，添加10重量％的0"203磨粒作为氧化物磨粒以及0.1重量％的数均分子量为6000的PAA作为阴离子性有机分散剂。然后，评估氧化物磨粒的分散性并对Si3N4多晶体进行CMP。实施例45的研磨浆料含有平均粒径为的磨粒、pH值为2.5以及ORP为1350mV。金属氧化物磨粒的分散性高达55%。Si3N4多晶体的研磨速率为3.3/xm/小时。Si3N4多晶体研磨后的表面粗糙度Ra极低，达到l.Onm。结果归纳在表V中。实施例46研磨浆料通过与实施例45中使用的相同的方法制备，所不同的是，添加10重量％的Fe203磨粒作为氧化物磨粒。然后，评估氧化物磨粒的分散性并对Si3N4多晶体进行CMP。实施例46的研磨浆料含有平均粒径为的磨粒、pH值为2.5以及ORP为1350mV。金属氧化物磨粒的分散性高达61%。Si3N4多晶体的研磨速率为0.8/xm/小时。Si3N4多晶体研磨后的表面粗糙度Ra极低，达到0.3nm。结果归纳在表V中。实施例47研磨浆料通过与实施例46中使用的相同的方法制备，所不同的是，添加5重量％的&02磨粒作为氧化物磨粒以及0.1重量％的数均分子量为5000的NSH作为阴离子性有机分散剂。然后，评估氧化物磨粒的分散性并对Si3N4多晶体进行CMP。实施例47的研磨浆料含有平均粒径为0.3/mi的磨粒、pH值为2.5以及ORP为1350mV。金属氧化物磨粒的分散性为27%。Si3N4多晶体的研磨速率为1.5/mi/小时。SisN4多晶体研磨后的表面粗糙度Ra极低，达到0.6nm。结果归纳在表V中。实施例48研磨浆料通过与实施例47中使用的相同的方法制备，所不同的是，添加10重量％的Ti02磨粒作为氧化物磨粒以及0.1重量％的数均分子量为10000的NSH作为阴离子性有机分散剂。然后，评估氧化物磨粒的分散性并对Si3N4多晶体进行CMP。实施例48的研磨浆料含有平均粒径为0.1/mi的磨粒、pH值为2.5以及ORP为1350mV。氧化物磨粒的分散性高达88%。Si3N4多晶体的研磨速率为0.6Mm/小时。S^N4多晶体研磨后的表面粗糙度Ra极低，达到0.4nm。结果归纳在表V中。实施例49研磨浆料通过与实施例48中使用的相同的方法制备，所不同的是，添加5重量％的NiO磨粒作为氧化物磨粒以及0.1重量％的数均分子量为805的HDTP作为阴离子性有机分散剂。然后，评估氧化物磨粒的分散性并对Si3Ht多晶体进行CMP。实施例49的研磨桨料含有平均粒径为0.5/mi的磨粒、pH值为2.5以及ORP为1350mV。金属氧化物磨粒的分散性为12%。Si3N4多晶体的研磨速率为1.3jam/小时。SisN4多晶体研磨后的表面粗糙度Ra极低，达到0.5nm。结果归纳在表V中。实施例50研磨浆料通过与实施例49中使用的相同的方法制备，所不同的是，添加10重量％的Si02磨粒作为氧化物磨粒。然后，评估氧化物磨粒的分散性并对Si3N4多晶体进行CMP。实施例50的研磨浆料含有平均粒径为0.2/mi的磨粒、pH值为2.5以及ORP为1350mV。氧化物磨粒的分散性为29%。Si3N4多晶体的研磨速率为0.4/xm/小时。SbN4多晶体研磨后的表面粗糙度Ra极低，达到0.4nm。结果归纳在表V中。实施例5132研磨浆料通过与实施例44中使用的相同的方法制备，所不同的是，添加0.1重量％的数均分子量为35000的PAA作为阴离子性有机分散剂。然后，评估氧化物磨粒的分散性并对Si3N4多晶体进行CMP。实施例51的研磨浆料含有平均粒径为2/mi的磨粒、pH值为3.0以及ORP为1000mV。氧化物磨粒的分散性为91%。Si3N4多晶体的研磨速率为2.8/xm/小时。Si3N4多晶体研磨后的表面粗糙度Ra极低，达到1.6nm。结果归纳在表V中。实施例52研磨浆料通过与实施例51中使用的相同的方法制备，所不同的是，添加5重量％的(^203磨粒作为氧化物磨粒。然后，评估氧化物磨粒的分散性并对SbN4多晶体进行CMP。实施例52的研磨浆料含有平均粒径为2jttm的磨粒、pH值为3.0以及ORP为1000mV。氧化物磨粒的分散性为46%。Si3N4多晶体的研磨速率为2.7/mi/小时。Si3N4多晶体研磨后的表面粗糙度Ra极低，达到1.5nm。结果归纳在表V中。实施例53研磨浆料通过与实施例51中使用的相同的方法制备，所不同的是，添加10重量％的Fe304磨粒作为氧化物磨粒。然后，评估氧化物磨粒的分散性并对Si3N4多晶体进行CMP。实施例53的研磨浆料含有平均粒径为0.5/mi的磨粒、pH值为3.0以及ORP为1000mV。氧化物磨粒的分散性为90%。Si3N4多晶体的研磨速率为0.8/mi/小时。Si3N4多晶体研磨后的表面粗糙度Ra极低，达到0.4nm。结果归纳在表V中。实施例54研磨浆料通过与实施例51中使用的相同的方法制备，所不同的是，添加5重量％的CuO磨粒作为氧化物磨粒。然后，评估氧化物磨粒的分散性并对Si3N4多晶体进行CMP。实施例54的研磨浆料含有平均粒径为0.5/rni的磨粒、pH值为3.0以及ORP为1000mV。氧化物磨粒的分散性为48%。&3&多晶体的研磨速率为0.5pim/小时。Si3N4多晶体研磨后的表面粗糙度Ra极低，达到0.3nm。结果归纳在表V中。实施例55研磨浆料通过与实施例51中使用的相同的方法制备，所不同的是，添加5重量y。的Mn02磨粒作为氧化物磨粒。然后，评估氧化物磨粒的分散性并对Si3N4多晶体进行CMP。实施例55的研磨浆料含有平均粒径为0.5/mi的磨粒、pH值为3.0以及ORP为1000mV。氧化物磨粒的分散性为52%。Si3N4多晶体的研磨速率为0.9jwn/小时。SisN4多晶体研磨后的表面粗糙度Ra极低，达到0.4nm。结果归纳在表V中。对比例5研磨浆料通过与实施例48中使用的相同的方法制备，所不同的是，添加5重量％的八1203磨粒作为氧化物磨粒，以及不添加氧化剂。然后，评估氧化物磨粒的分散性并对Si3N4多晶体进行CMP。对比例5的研磨浆料含有平均粒径为0.5pm的磨粒、pH值为4.5以及ORP为700mV。氧化物磨粒的分散性为50%。Si3N4多晶体的研磨速率为0.2/mi/小时。Si3N4多晶体研磨后的表面粗糙度Ra为2.1nm。结果归纳在表V中。对比例6研磨浆料通过与实施例49中使用的相同的方法制备，所不同的是，添加5重量y。的Zr02磨粒作为氧化物磨粒，以及不添加氧化剂。然后，评估氧化物磨粒的分散性并对Si3N4多晶体进行CMP。对比例6的研磨浆料含有平均粒径为0.5/mi的磨粒、pH值为4.5以及ORP为700mV。氧化物磨粒的分散性为14%。Si3N4多晶体的研磨速率为0.1/mi/小时。Si3N4多晶体研磨后的表面粗糙度Ra为1.9nm。结果归纳在表V中。实施例56研磨浆料通过与实施例3中使用的相同的方法制备，所不同的是，添加0.1重量％的勃姆石作为磨粒沉降抑制剂。然后，评估氧化物磨粒的分散性并对Si3N4多晶体进行CMP。该研磨浆料含有平均粒径为lpm的磨粒、pH值为4以及ORP为1250mV。氧化物磨粒的分散性为31%。Si3N4多晶体的研磨速率高达3.2/mi/小时。Si3N4多晶体研磨后的表面粗糙度Ra极低，达到l.lnm。结果归纳在表VI中。实施例57研磨浆料通过与实施例3中使用的相同的方法制备，所不同的是，添加1重量％的勃姆石作为磨粒沉降抑制剂。然后，评估氧化物磨粒的分散性并对Si3N4多晶体进行CMP。该研磨浆料含有平均粒径为lpm的磨粒、pH值为4以及ORP为1250mV。氧化物磨粒的分散性为49%。Si3lvU多晶体的研磨速率高达3.7Mm/小时。Si3N4多晶体研磨后的表面粗糙度Ra极低，达到0.9nm。结果归纳在表VI中。实施例58研磨浆料通过与实施例3中使用的相同的方法制备，所不同的是，添加2重量％的勃姆石作为磨粒沉降抑制剂。然后，评估氧化物磨粒的分散性并对SisN4多晶体进行CMP。该研磨浆料含有平均粒径为1/mi的磨粒、pH值为4以及ORP为1250mV。氧化物磨粒的分散性为62%。Si3N4多晶体的研磨速率高达4.lMm/小时。Si3N4多晶体研磨后的表面粗糙度Ra极低，达到0.8nm。结果归纳在表VI中。实施例59研磨浆料通过与实施例3中使用的相同的方法制备，所不同的是，添加3重量％的勃姆石作为磨粒沉降抑制剂。然后，评估氧化物磨粒的分散性并对Si3N4多晶体进行CMP。该研磨浆料含有平均粒径为的磨粒、pH值为4以及ORP为1250mV。氧化物磨粒的分散性为75%。Si3N4多晶体的研磨速率高达4.5^n/小时。Si3N4多晶体研磨后的表面粗糙度Ra极低，达到0.7nm。结果归纳在表VI中。实施例60研磨浆料通过与实施例3中使用的相同的方法制备，所不同的是，35沉降抑制剂。然后，评估氧化物磨粒的分散性并对SbN4多晶体进行CMP。该研磨浆料含有平均粒径为1/mi的磨粒、pH值为4以及ORP为1250mV。氧化物磨粒的分散性为96%。Si3N4多晶体的研磨速率高达3.4/xm/小时。Si3N4多晶体研磨后的表面粗糙度Ra极低，达到l.lnm。结果归纳在表VI中。实施例61研磨浆料通过与实施例58中使用的相同的方法制备，所不同的是，添加2重量％的A1(N03)3作为无机分散剂。然后，评估氧化物磨粒的分散性并对Si;N4多晶体进行CMP。该研磨浆料含有平均粒径为的磨粒、pH值为4以及ORP为1250mV。氧化物磨粒的分散性为84%。Si3N4多晶体的研磨速率高达3.9/xm/小时。Si3N4多晶体研磨后的表面粗糙度Ra极低，达到0.6nm。结果归纳在表VI中。对比例7研磨桨料通过与实施例3中使用的相同的方法制备，所不同的是，添加8重量％的勃姆石作为磨粒沉降抑制剂。然后，进行氧化物磨粒的分散性的评估。该研磨浆料含有平均粒径为lMm的磨粒、pH值为4以及ORP为1250mV。氧化物磨粒的分散性高达98%。然而，研磨液被凝胶化，使得不可能对Si3N4多晶体进行CMP。结果归纳在表VI中。实施例62研磨浆料通过与实施例14中使用的相同的方法制备，所不同的是，添加0.1重量％的勃姆石作为磨粒沉降抑制剂。然后，评估氧化物磨粒的分散性并对Si3N4多晶体进行CMP。该研磨浆料含有平均粒径为0.5/xm的磨粒、pH值为1.8以及ORP为1400mV。氧化物磨粒的分散性为39%。Si3N4多晶体的研磨速率高达2.3/mi/小时。Si3N4多晶体研磨后的表面粗糙度Ra极低，达到0.6nm。结果归纳在表VH中。实施例63研磨浆料通过与实施例14中使用的相同的方法制备，所不同的是，添加1重量％的勃姆石作为磨粒沉降抑制剂。然后，评估氧化物磨粒的分散性并对Si3N4多晶体进行CMP。该研磨浆料含有平均粒径为0.5/xm的磨粒、pH值为1.8以及ORP为1400mV。氧化物磨粒的分散性为53%。Si3N4多晶体的研磨速率高达2.6/rni/小时。Si3N4多晶体研磨后的表面粗糙度Ra极低，达到0.5nm。结果归纳在表W中。实施例64研磨浆料通过与实施例14中使用的相同的方法制备，所不同的是，添加2重量％的勃姆石作为磨粒沉降抑制剂。然后，评估氧化物磨粒的分散性并对Si3N4多晶体进行CMP。该研磨浆料含有平均粒径为0.5/im的磨粒、pH值为1.8以及ORP为1400mV。氧化物磨粒的分散性为69%。Si3N4多晶体的研磨速率高达2.9Mm/小时。Si3N4多晶体研磨后的表面粗糙度Ra极低，达到0.5nm。结果归纳在表W中。实施例65研磨浆料通过与实施例14中使用的相同的方法制备，所不同的是，添加3重量％的勃姆石作为磨粒沉降抑制剂。然后，评估氧化物磨粒的分散性并对Si3N4多晶体进行CMP。该研磨浆料含有平均粒径为0.5/mi的磨粒、pH值为1.8以及ORP为1400mV。氧化物磨粒的分散性为83%。Si3N4多晶体的研磨速率高达3.2/mi/小时。Si3N4多晶体研磨后的表面粗糙度Ra极低，达至lj0.4nm。结果归纳在表VD中。实施例66研磨浆料通过与实施例14中使用的相同的方法制备，所不同的是，添加7重量％的勃姆石作为磨粒沉降抑制剂。然后，评估氧化物磨粒的分散性并对Si3N4多晶体进行CMP。该研磨浆料含有平均粒径为0.5/mi的磨粒、pH值为1.8以及0RP为1400mV。氧化物磨粒的分散性为97。/。。Si3N4多晶体的研磨速率高达2，5/mi/小时。Si3N4多晶体研磨后的表面粗糙度Ra极低，达到0.6nm。结果归纳在表W中。37实施例67研磨浆料通过与实施例64中使用的相同的方法制备，所不同的是，添加2重量％的NaN03作为无机分散剂。然后，评估氧化物磨粒的分散性并对S"N4多晶体进行CMP。该研磨浆料含有平均粒径为0.5/mi的磨粒、pH值为1.8以及ORP为1400mV。氧化物磨粒的分散性为90%。Si3N4多晶体的研磨速率高达2.8/mi/小时。Si3N4多晶体研磨后的表面粗糙度Ra极低，达到0.3nm。结果归纳在表W中。对比例8研磨浆料通过与实施例14中使用的相同的方法制备，所不同的是，添加8重量％的勃姆石作为磨粒沉降抑制剂。然后，进行氧化物磨粒的分散性的评估。该研磨浆料含有平均粒径为0.5/mi的磨粒、pH值为1.8以及ORP为1400mV。氧化物磨粒的分散性高达99%。然而，研磨液被凝胶化，使得不可能对Si3N4多晶体进行CMP。结果归纳在表VII中。实施例68研磨浆料通过与实施例25中使用的相同的方法制备，所不同的是，添加0.1重量％的勃姆石作为磨粒沉降抑制剂。然后，评估氧化物磨粒的分散性并对Si3N4多晶体进行CMP。该研磨浆料含有平均粒径为0.5/mi的磨粒、pH值为2.2以及ORP为1400mV。氧化物磨粒的分散性为47%。Si3N4多晶体的研磨速率高达3.lMm/小时。Si3T^多晶体研磨后的表面粗糙度Ra极低，达到0.9nm。结果归纳在表WI中。实施例69研磨浆料通过与实施例25中使用的相同的方法制备，所不同的是，添加1重量％的勃姆石作为磨粒沉降抑制剂。然后，评估氧化物磨粒的分散性并对Si3N4多晶体进行CMP。该研磨浆料含有平均粒径为0.5mhi的磨粒、pH值为2.2以及ORP为1400mV。氧化物磨粒的分散性为65%。Si3N4多晶体的研磨速率高达3.7Mm/小时。Si3N4多晶体研磨后的表面粗糙度Ra极低，达到0.8nm。结果归纳在表VII1中。实施例70研磨浆料通过与实施例25中使用的相同的方法制备，所不同的是，添加2重量％的勃姆石作为磨粒沉降抑制剂。然后，评估氧化物磨粒的分散性并对Si3N4多晶体进行CMP。该研磨浆料含有平均粒径为0.5/rni的磨粒、pH值为2.2以及ORP为1400mV。氧化物磨粒的分散性为81%。Si3N4多晶体的研磨速率高达4.1/mi/小时。Si3N4多晶体研磨后的表面粗糙度Ra极低，达到0.7nm。结果归纳在表VEI中。实施例71研磨浆料通过与实施例25中使用的相同的方法制备，所不同的是，添加3重量％的勃姆石作为磨粒沉降抑制剂。然后，评估氧化物磨粒的分散性并对Si3N4多晶体进行CMP。该研磨浆料含有平均粒径为0.5/rni的磨粒、pH值为2.2以及ORP为1400mV。氧化物磨粒的分散性为91%。Si3N4多晶体的研磨速率高达4.3/mi/小时。Si3N4多晶体研磨后的表面粗糙度Ra极低，达到0.6nm。结果归纳在表VBI中。实施例72研磨浆料通过与实施例25中使用的相同的方法制备，所不同的是，添加7重量％的勃姆石作为磨粒沉降抑制剂。然后，评估氧化物磨粒的分散性并对SigN4多晶体进行CMP。该研磨浆料含有平均粒径为0.5/mi的磨粒、pH值为2.2以及ORP为1400mV。氧化物磨粒的分散性为97%。Si3N4多晶体的研磨速率高达3.3pm/小时。Si3N4多晶体研磨后的表面粗糙度Ra极低，达到0.9nm。结果归纳在表Vffl中。实施例73研磨桨料通过与实施例70中使用的相同的方法制备，所不同的是，添加2重量％的Al2(S04)3作为无机分散剂。然后，评估氧化物磨粒的分散性并对Si3N4多晶体进行CMP。该研磨浆料含有平均粒径为0.5Mm39的磨粒、pH值为2.2以及ORP为1400mV。氧化物磨粒的分散性为92%。Si3N4多晶体的研磨速率高达3.9/mi/小时。Si3N4多晶体研磨后的表面粗糙度Ra极低，达到0.5nm。结果归纳在表VE1中。对比例9研磨浆料通过与实施例25中使用的相同的方法制备，所不同的是，添加8重量％的勃姆石作为磨粒沉降抑制剂。然后，进行氧化物磨粒的分散性的评估。该研磨浆料含有平均粒径为0.5/im的磨粒、pH值为2.2以及ORP为1400mV。氧化物磨粒的分散性高达99%。然而，研磨液被凝胶化，使得不可能对Si3N4多晶体进行CMP。结果归纳在表Vffl中。<table>tableseeoriginaldocumentpage41</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage42</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage43</column></row><table>表IV<table>tableseeoriginaldocumentpage44</column></row><table>注意HDTP:十六垸基三磷酸酯HDTMAC:十六烷基三甲基铵氯化物POE(10):聚氧乙烯(IO)辛基苯基醚TCIA:三氯异氰脲酸钠DCIA:二氯异氰脲酸钠<table>tableseeoriginaldocumentpage45</column></row><table>注PAA:聚丙烯酸钠NSH:萘磺酸和福尔马林的缩合产物HDTP:十六烷基三磷酸酷TCIA:三氯异氰脲酸钠表VI<table>tableseeoriginaldocumentpage46</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage47</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage48</column></row><table>在表I中，实施例1与2显示了即使未添加无机分散剂分散性也很高。可能的原因是覆盖氧化物磨粒的阴离子性有机分散剂充当衬垫，使得氧化物磨粒彼此分离。在表I中，实施例3-5显示出随着作为具有-COOH基团的阴离子性有机分散剂的PAA增加了其数均分子量或增加了其含量，分散性增强，但Si3N4多晶体的研磨速率减小。该现象可能的原因是随着覆盖氧化物磨粒的分散剂的量增加，在水性液体中的分散能力增强，但磨粒表面的研磨能力减小。相反地，随着作为具有-COOH基团的阴离子性有机分散剂的PAA降低其数均分子量或降低其含量，分散性减小，但S^N4多晶体的研磨速率增大。在表II中，实施例11与12显示出即使当未添加阴离子性有机分散剂时，分散性也高。这可归因于以下事实因为浆料的pH值不高于等电点，所以氧化物磨粒表面带正电荷，以致排斥力使氧化物磨粒彼此分离。如表I至V所示，当氧化物磨粒为Ti02、Fe203、Fe304、NiO、CuO、Mn02、Cr203、Si02、A1203和Zr02中任何一种时，获得期望的研磨浆料。在表I中，实施例9与对比例1和2显示出当阳离子性有机分散剂或非离子性有机分散剂被用作分散剂时，磨粒具有低的分散性，以致不能获得期望的研磨浆料。在表I中，实施例3与9显示出即使在阴离子性有机分散剂和无机分散剂同时存在于研磨浆料中的情况下，当pH值高于等电点时，悬浮物质未形成，使得磨粒的分散性低于当pH值低于等电点时的磨粒的分散性。如表VI至VIII所示，当研磨浆料包含作为沉降抑制剂的勃姆石时，可获得具有增强的分散性的研磨浆料。然而，在对比例7至9中，研磨浆料被凝胶化。因此，为了增强研磨浆料的分散性以及制备抑制粘度过度增加的研磨浆料，期望研磨浆料具有的勃姆石的含量为0.1重量%以上且小于8重量％，更期望为1重量％以上和3重量％以下。当满足上述条件时，可获得期望的研磨浆料或更期望的研磨浆料。应该认为上面公开的实施方案和实施例在所有方面都是示例性的，而不是限制性的。本发明的范围由所附权利要求书的范围示出，而不是由上述公开的内容示出。因此，本发明旨在涵盖包括在与权利要求书的范围等同的含义和范围内的全部修正和更改。产业实用性本发明用于制备研磨浆料的方法使适用于氮化物晶体表面研磨的研磨浆料的生产成为可能。本发明的研磨浆料包含选自阴离子性有机分散剂和无机分散剂的至少一种分散剂，使得氧化物磨粒被稳定地分散。该特征使得能够稳定并有效地研磨用于形成晶片的晶体，该晶片用作半导体器件的衬底。权利要求1.一种用于氮化物晶体表面研磨的研磨浆料，该研磨浆料包括氧化物磨粒，选自阴离子性有机分散剂和无机分散剂的至少一种分散剂，以及氧化剂；该研磨浆料具有小于7的pH值。2.根据权利要求l所述的研磨浆料，其中所述至少一种分散剂同时包含阴离子性有机分散剂和无机分散剂。3.根据权利要求1或2所述的研磨桨料，其中所述氧化物磨粒具有的等电点高于所述研磨浆料的pH值。4.根据权利要求l-3中任一项所述的研磨浆料，其中所述氧化物磨粒由选自Ti20、Fe203、Fe304、NiO、CuO、Cr203、Si02、A1203、Mn02和Zr02的至少一种氧化物构成。5.根据权利要求l-4中任一项所述的研磨浆料，其中所述阴离子性有机分散剂具有-COOM基团，其中M代表H、NH4或金属元素。6.根据权利要求l-4中任一项所述的研磨浆料，其中所述无机分散剂为选自Ca(N03)2、NaN03、A1(N03)3、Mg(N03)2、Ni(N03)2、Cr(N03)3、Cu(N03)2、Fe(N03)2、Zn(N03)2、Mn(N03)2、Na2S04、A12(S04)3、MgS04、NiS04、Cr2(S04)3、CuS04、FeS04、ZnS04、MnS04、Na2C03、NaHC03、Na3P04、CaCl2、NaCl、A1C13、MgCl2、NiCl2、CuCl2、FeCl2、ZnCl2和MnCl2的至少一种。7.根据权利要求l-6中任一项所述的研磨浆料，所述研磨浆料还包含由勃姆石构成的沉降抑制剂。8.—种制备权利要求l-7中任一项所述的研磨浆料的方法，该方法包括下列步骤(a)首先，向水性液体中至少添加所述氧化物磨粒和选自阴离子性有机分散剂与无机分散剂的至少一种分散剂；以及(b)然后，机械地分散所述氧化物磨粒。9.一种研磨氮化物晶体表面的方法，所述方法通过使用权利要求l-7中任一项所述的研磨浆料以化学机械方式对所述氮化物晶体的表面进行研磨。10.—种氮化物晶体，其通过权利要求9所述的方法获得并且具有2nm以下的表面粗糙度Ra。全文摘要本发明提供了一种用于氮化物晶体表面研磨的浆料。所述研磨浆料包括氧化物磨粒，选自阴离子性有机分散剂和无机分散剂的至少一种分散剂，以及氧化剂。所述研磨浆料具有小于7的pH值。所述浆料有效地研磨氮化物晶体的表面。文档编号B24B37/00GK101541476SQ20088000016公开日2009年9月23日申请日期2008年2月13日优先权日2007年2月20日发明者中山茂吉,川端计博,石桥惠二申请人:住友电气工业株式会社