本实用新型属于碳化硅检验技术领域，具体涉及一种碳化硅品质检验装置。
背景技术：
当碳化硅表面不够光滑时，在观测过程中会造成漫反射，对观察碳化硅内部结构造成了干扰。另一方面，过亮的光照强度往往对肉眼造成晕眩感而影响对碳化硅的观测，而过低的光照强度则无法对细小结构进行观测，所以光照强度调整得不合适，难以达到理想的观测效果。
同时，由于碳化硅成色复杂，所承载的技术也需进行提高，而目前对于碳化硅品质检验，由于受其表面环境的影响，图像采集无法获得比较稳定或可以代表整体效果的数据，致使此方面质量检测一直没有一种较为有效的检测手段和技术，至于复杂的珍贵碳化硅检验更是对质量检测造成极大的困难。因此，需要设计一种能够提高碳化硅检验效率和精度的碳化硅品质检验装置来解决上述提到的问题。
技术实现要素：
本实用新型的目的在于提供一种碳化硅品质检验装置，以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种碳化硅品质检验装置，包括电源、存储器、MCU处理器和计算机控制装置，所述电源和存储器均与MCU处理器电性连接，所述计算机控制装置通过数据采集与处理装置和MCU处理器信号连接，所述MCU处理器电性连接有电子显微镜、LED显示屏和控制按钮，所述MCU处理器还电性连接有CCD扫描装置。
优选的，所述MCU处理器还电性连接有CMOSC摄像装置，且CMOS摄像装置内设有CMOSC传感器。
优选的，所述MCU处理器通过A/D转换器连接有前置放大器，所述前置放大器通过光电滤波器连接有光电耦合器。
优选的，所述MCU处理器还电性连接有超声波检测仪，所述超声波检测仪 信号连接有超声激励电源。
本实用新型的技术效果和优点：该碳化硅品质检验装置，通过超声波检测仪的振荡能够检测碳化硅的密度和硬度等，通过电子显微镜能够分析碳化硅分子的形态，通过CCD扫描装置能够实现全方位扫描被测碳化硅的质量，CMOSC摄像装置能够时刻拍摄被测碳化硅的照片，而且CMOSC摄像装置通过CMOSC传感器能够使拍摄画面清晰，通过CCD扫描装置对被测碳化硅进行分析，然后将结果拍摄下来并保存到MCU处理器的存储器中，然后通过数据采集与处理装置传递给计算机控制装置处理，并根据软件分析其结果，从而得到最终检测结果；本实用新型智能化程度高，设计合理，操作简单，很好地解决了现有技术对碳化硅检测效率低和精度低的问题。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
本实用新型提供了如图1所示的一种碳化硅品质检验装置，包括电源、存储器、MCU处理器和计算机控制装置，所述电源和存储器均与MCU处理器电性连接，所述计算机控制装置通过数据采集与处理装置和MCU处理器信号连接，所述MCU处理器电性连接有电子显微镜、LED显示屏和控制按钮，MCU处理器，所述MCU处理器还电性连接有CCD扫描装置，所述MCU处理器还电性连接有CMOSC摄像装置，且CMOS摄像装置内设有CMOSC传感器，通过CCD扫描装置能够实现全方位扫描被测碳化硅的质量，CMOSC摄像装置能够时刻拍摄被测碳化硅的照片，而且CMOSC摄像装置通过CMOSC传感器能够使拍摄画面清晰，通过CCD扫描装置对被测碳化硅进行分析，然后将结果拍摄下来并保存到MCU处理器的存储器中，然后通过数据采集与处理装置传递给计算机控制装置处理，并根据软 件分析其结果，从而得到最终检测结果；所述MCU处理器通过A/D转换器连接有前置放大器，所述前置放大器通过光电滤波器连接有光电耦合器，所述MCU处理器还电性连接有超声波检测仪，所述超声波检测仪信号连接有超声激励电源，通过超声波检测仪的振荡能够检测碳化硅的密度和硬度等；本实用新型智能化程度高，设计合理，操作简单，很好地解决了现有技术对碳化硅检测效率低和精度低的问题。
本实施例中的其他部分均采用已有技术，在此不再赘述。
最后应说明的是：以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换,凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。