1.一种基于双汉堡结构的差动式压敏元件及其研制方法，其特征在于，所述的基于双汉堡结构的差动式压敏元件包括高导电相含量单汉堡结构层和低导电相含量单汉堡结构层，高导电相含量单汉堡结构层由窗口封装膜、高导电相含量压敏膜、热固胶和小电极封装膜构成，低导电相含量单汉堡结构层由大电极封装膜、低导电相含量压敏膜、热固胶和窗口封装膜构成。
2.制备如权利要求1所述的基于双汉堡结构的差动式压敏元件的研制方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
在第一张绝缘薄膜的一侧覆合长为3.36厘米、宽为5.12厘米的电极及其引线作为大电极封装膜；在第二张绝缘薄膜的一侧覆合长为0.38厘米、宽为0.59厘米的电极及其引线作为小电极封装膜；在第三张绝缘薄膜的一侧覆合长为3.36厘米、宽为5.12厘米的电极及其引线，并在第三张绝缘薄膜未覆合电极的一侧开长为0.38厘米、宽为0.59厘米的窗口，使覆合在第三张绝缘薄膜上的电极在未覆合电极的一侧通过窗口裸露，并确保所述的窗口轴心与覆合在第三张绝缘薄膜上的电极轴心重合，进而完成窗口封装膜的制备；将小电极封装膜置于旋转平台上备用，并确保覆合有电极的一侧向上；
将平均粒径为30纳米的炭黑、室温硫化硅橡胶和正己烷按1∶8∶100的体积比混合，利用机械搅拌和超声振荡使炭黑在由室温硫化硅橡胶和正己烷构成的混合溶液中分散，待正己烷挥发后，形成高导电相含量的炭黑填充硅橡胶复合材料；将高导电相含量的炭黑填充硅橡胶复合材料滴入固定于旋转平台上的小电极封装膜的电极之上；把高导电相含量的炭黑填充硅橡胶复合材料旋涂成所需厚度，并确保高导电相含量的炭黑填充硅橡胶复合材料完全覆盖在小电极封装膜的电极之上；待高导电相含量的炭黑填充硅橡胶复合材料硫化成型后，去除小电极封装膜的电极之外的高导电相含量的炭黑填充硅橡胶复合材料，剩余的覆盖在小电极封装膜的电极之上的高导电相含量的炭黑填充硅橡胶复合材料作为高导电相含量单汉堡结构层的高导电相含量压敏膜；在小电极封装膜上的高导电相含量压敏膜周围的绝缘薄膜上涂热固胶，将窗口封装膜覆盖在高导电相含量压敏膜和热固胶之上，并确保窗口封装膜的窗口与高导电相含量压敏膜正对、且覆合在窗口封装膜上的电极在未覆合电极的一侧通过窗口裸露出的部分与高导电相含量压敏膜完全接触，利用柔性材料热压封装机对窗口封装膜、高导电相含量压敏膜、热固胶和小电极封装膜进行热压封装，进而完成由窗口封装膜、高导电相含量压敏膜、热固胶和小电极封装膜构成的高导电相含量单汉堡结构层的制备；
将高导电相含量单汉堡结构层固定在旋转平台上备用，并使覆合在窗口封装膜上的电极一侧向上；将平均粒径为30纳米的炭黑、室温硫化硅橡胶和正己烷按1∶16∶180的体积比混合，利用机械搅拌和超声振荡使炭黑在由室温硫化硅橡胶和正己烷构成的混合溶液中分散，待正己烷挥发后，形成低导电相含量的炭黑填充硅橡胶复合材料；将低导电相含量的炭黑填充硅橡胶复合材料滴入所述的固定有高导电相含量单汉堡结构层的旋转平台之上，把低导电相含量的炭黑填充硅橡胶复合材料旋涂成所需厚度，并确保低导电相含量的炭黑填充硅橡胶复合材料完全覆盖在高导电相含量单汉堡结构层的窗口封装膜的电极之上；待低导电相含量的炭黑填充硅橡胶复合材料硫化成型后，去除窗口封装膜的电极之外的部分，剩余的覆盖在窗口封装膜的电极之上的低导电相含量的炭黑填充硅橡胶复合材料作为低导电相含量单汉堡结构层的低导电相含量压敏膜；在低导电相含量压敏膜周围的窗口封装膜的绝缘薄膜上涂热固胶，将大电极封装膜覆盖在低导电相含量压敏膜和热固胶之上，并确保大电极封装膜的电极与低导电相含量压敏膜正对且完全接触，利用柔性材料热压封装机对高导电相含量单汉堡结构层、低导电相含量压敏膜、和热固胶和大电极封装膜进行热压封装，以完成由大电极封装膜、低导电相含量压敏膜、热固胶和窗口封装膜构成的低导电相含量单汉堡结构层的制备，进而完成由高导电相含量单汉堡结构层和低导电相含量单汉堡结构层构成的基于双汉堡结构的差动式压敏元件的制备。