技术特征：
技术总结
本发明公开基于硅‑氧化钨纳米线异质结构的气敏元件及其制备方法和应用，以金属辅助化学刻蚀法在单晶硅片上刻蚀形成硅纳米线，使用磁控溅射在硅纳米线上沉积钨薄膜材料层并进行一维氧化钨纳米线的结晶生长，形成硅—钨纳米线异质结构的气敏元件，本发明克服以往基于单纯一维多孔硅纳米线的气敏元器件在灵敏度方面的缺点，结合异质结在结构上具有的纳米协同效应和异质结效应，在发展低工作温度以及快速响应恢复的NO2传感器方面具有非常重要的研究价值与应用前景。
技术研发人员：秦玉香;王泽峰;刘雕;崔震
受保护的技术使用者：天津大学
技术研发日：2017.03.08
技术公布日：2018.09.25