电子装置、盖结构及封装结构的制作方法

本发明涉及电子装置、盖结构及封装结构的领域，且更具体来说涉及具有供空气流动穿过的孔隙的电子装置、盖结构及封装结构。

背景技术：

气体传感器可具有用于感测待测试气体的浓度的感测区域。然而，水分或微粒物质可能影响气体传感器的灵敏度。

技术实现要素：

在一或多个实施例中，一种电子装置包含：信号转换器，其包含感测区域；及覆盖结构，其覆盖所述信号转换器。所述覆盖结构包含护罩部分且界定至少一个孔隙。所述护罩部分覆盖所述感测区域。所述孔隙包含第一弯曲表面及较所述第一弯曲表面远离所述感测区域的第二弯曲表面，且所述第一弯曲表面的第一曲率的第一中心与所述第二弯曲表面的第二曲率的第二中心位在不同位置处。

在一或多个实施例中，一种盖结构包含主体，其包含护罩部分且界定围绕所述护罩部分的至少一个孔隙。各孔隙具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面，且所述第一表面的第一曲率的第一中心与所述第二表面的第二曲率的第二中心位在不同位置处。

在一或多个实施例中，一种封装结构包含：载体；裸片，其包含邻近于所述裸片的表面而安置的感测区域；及覆盖结构，其附接到所述载体。所述覆盖结构形成容纳所述裸片的容纳空间。所述覆盖结构包含护罩部分且界定至少一个孔隙。所述护罩部分覆盖所述感测区域。所述孔隙包含第一弯曲表面及较所述第一弯曲表面远离所述感测区域的第二弯曲表面，且所述第一弯曲表面的第一曲率大于所述第二弯曲表面的第二曲率。

附图说明

图1说明根据本发明的一或多个实施例的电子装置的顶部立体图。

图2说明沿着图1的线a-a截取的截面视图。

图3说明根据本发明的一或多个实施例的图2中所描绘的载体及信号转换器的顶部立体图。

图4说明根据本发明的一或多个实施例的图1及2中所描绘的覆盖结构的底部立体图。

图5说明根据本发明的一或多个实施例的图1中所描绘的电子装置的俯视图。

图6说明根据本发明的一或多个实施例的图1中所描绘的电子装置的底部立体图。

图7说明根据本发明的一或多个实施例的电子装置的横截面图。

图8说明根据本发明的一或多个实施例的电子装置的横截面图。

图9说明根据本发明的一或多个实施例的电子装置的俯视图。

图10说明根据本发明的一或多个实施例的电子装置的俯视图。

图11说明根据本发明的一或多个实施例的电子装置的俯视图。

图12说明根据本发明的一或多个实施例的电子装置的俯视图。

图13说明根据本发明的一或多个实施例的电子装置的俯视图。

图14说明根据本发明的一或多个实施例的电子装置的俯视图。

图15说明根据本发明的一或多个实施例的电子装置的俯视图。

图16说明根据本发明的一或多个实施例的电子装置的俯视图。

图17说明根据本发明的一或多个实施例的电子装置的俯视图。

图18说明根据本发明的一或多个实施例的电子装置的俯视图。

图19、20、21、22、23及24说明一种用于制造根据本发明的一或多个实施例的电子装置的方法。

具体实施方式

为了保护气体传感器装置的衬底上的传感器的感测区域，顶盖或盖可用以覆盖传感器及接触衬底以形成容纳空间。顶盖或盖可界定传感器上方的孔隙，使得待测试的气体经由孔隙进入容纳空间且接着接触感测区域，且接着传感器的感测区域可感测待测试气体的浓度。然而，单个孔隙可由于(例如)低气流而引起低灵敏度。此外，当单个孔隙在传感器区域的中心上方时，周围环境中的微粒物质可接触且染污感测区域。

为了解决这些问题，顶盖或盖经设计以界定不同种类的图案或不同类型的孔隙。然而，在不同设计中，进入容纳空间的气体经由各种孔隙遵循的路径长度可不同，此可引起感测区域的低反应效率。此外，复杂图案或复杂的类型孔隙可使制造更困难。

为了解决上述问题，本发明提供一种具有含有护罩部分及至少一个孔隙的顶盖或盖的改良型电子装置。在一或多个实施例中，护罩部分可覆盖(cover)或上覆(overlie)于感测区域，且孔隙可具有接近感测区域的第一弯曲表面、及较第一弯曲表面远离感测区域的第二弯曲表面。第一弯曲表面的第一曲率(curvature)的第一中心与第二弯曲表面的第二曲率的第二中心在不同位置处。护罩部分可覆盖感测区域以便保持传感器区域不被污染。此外，孔隙可具有凸面边界及凹面边界(例如，大体上呈现肾状)，其可对应于大孔隙空间，且此配置可相比其它配置使制造更简单或更加成本低。此外，可使进入容纳空间的气体的路径长度大体上相等，借此可导致感测区域的高反应效率。

图1说明根据本发明的一或多个实施例的电子装置1的顶部立体图。图2说明沿着图1的线a-a截取的电子装置1的截面视图。在图1及2的说明中，电子装置1可为封装结构，且可包含至少一个信号转换器(transducer)12、载体2及覆盖结构(coveringstructure)3。信号转换器12可为例如传感器裸片的半导体裸片，且可安置于载体2上且电连接到载体2。信号转换器12具有第一表面121、感测区域14及一层金属氧化物141。感测区域14在此实施例中邻近于信号转换器12的第一表面121而安置，且金属氧化物141在此实施例中安置于感测区域14上。在一或多个实施例中，电子装置1可包含多个信号转换器12，例如四个信号转换器12。

在图1及图2中所说明的实施例中，可通过涂覆具有散布于感测区域14上的金属氧化物颗粒(例如，氧化锡(sno2)颗粒)的粘着剂，且接着固化粘着剂以便形成金属氧化物141的层来形成金属氧化物141。此外，电子装置1可进一步包含加热器(图中未示)。以下描述信号转换器12的操作的实例。当待测试气体(例如，二氧化碳(co2)气体)接触金属氧化物141时，化学反应可发生。金属氧化物141的负氧离子可离开金属氧化物141，且气体的正离子可附接到感测区域14的金属离子。同时，可增大感测区域14中的电子密度且可减小感测区域14的电阻。因此，将增大感测区域14的导电性。待测试气体的浓度可影响感测区域14的导电性。待测试气体的特定浓度可对应于感测区域14的导电性的特定量。因此，可从对应于感测区域14的导电性的值(例如，信号转换器12的输出电压)确定待测试气体的浓度。应注意，感测区域14的导电性的改变可反映待测试气体的浓度，且可调整信号转换器12的配置以检测待测试气体的组合物或种类。不同种类的金属氧化物141可以不同方式适合于感测不同种类的待测试气体。当移除待测试气体后，可通过加热器将感测区域14加热到约200℃至约300℃范围内的温度。因此，周围空气中的氧气可与感测区域14的金属离子组合以形成金属氧化物141。即，金属氧化物141再次呈现初始状态。

载体2可承载信号转换器12。载体2可为引线框(leadframe)且可包含裸片脚座(diepaddle)21、引线(lead)22、连接杆23及密封体24。密封体24的第一部分241可安置于裸片脚座21与引线22之间，使得裸片脚座21与引线22自彼此绝缘。密封体24的第二部分242可安置于引线22上以形成支撑壁。如图2中所示，裸片脚座21的第一表面211、密封体24的第一部分241的第一表面2411与引线22的第一表面221可大体上共平面。裸片脚座21的第一表面211及引线22的第一表面221可自密封体24的第一部分241的第一表面2411暴露。裸片脚座21的第二表面212、密封体24的第一部分241的第二表面2412与引线22的第二表面222可大体上共平面。裸片脚座21的第二表面212及引线22的第二表面222可从密封体24的第一部分241的第二表面2412暴露。信号转换器12可安置于裸片脚座21的第一表面211(例如，黏附到第一表面211)，且可经由一或多个接合线16电连接到引线22的第一表面221。密封体24的第二部分242(支撑壁)可从引线22突起，使得支撑壁242支撑覆盖结构3。第二部分242(支撑壁)的至少一部分的厚度t1可(例如)大于或等于约0.1毫米(mm)，例如大于或等于约0.15mm、大于或等于约0.18mm或大于或等于约0.2mm。

连接杆23可(例如)在制造制程期间连接电子装置1的引线22与相邻电子装置(图中未示)的引线，且可在单体化制程(例如，切割制程)之后仍然为电子装置1的部分。连接杆23可从密封体24的第一部分241的外表面2413暴露。在一或多个实施例中，密封体24的第一部分241的外表面2413可与密封体24的第二部分242(支撑壁)的外表面2421大体上共平面。第一部分241的外表面2413及第二部分242(支撑壁)的外表面2421可形成载体2的最外周边表面。在一或多个实施例中，裸片脚座21、引线22及连接杆23可包含类似或相同材料(例如，金属，例如铜)；且密封体24可包含模制化合物(moldingcompound)，例如环氧树脂(epoxy)。

覆盖结构3可附接到载体2以形成容纳空间10用于容纳信号转换器12，且可覆盖信号转换器12。如图1及2中所说明，覆盖结构3可为盖结构(lidstructure)或顶盖结构(capstructure)，且可包含主体30及至少一个支撑壁32。主体30可具有护罩部分34且可界定至少一个孔隙36，孔隙36邻近于护罩部分34、或可能结合另外一或多个孔隙界定护罩部分34、或可能结合另外一或多个孔隙围绕护罩部分34。护罩部分34大体上由一或多个孔隙36界定。护罩部分34可安置于感测区域14上方且可有助于覆盖及保护感测区域14免于污染。护罩部分34的大小可大于感测区域14的大小(例如，护罩部分34的最大表面可具有比感测区域14的表面积大的表面积)。孔隙36可允许待测试的气体穿过，使得待测试气体可经由孔隙36进入容纳空间10且接着接触感测区域14。

孔隙36可贯穿主体30，且可具有第一弯曲表面361及第二弯曲表面362。第一弯曲表面361可比第二弯曲表面362更接近感测区域14。如图1及图2中所描绘，主体30可界定可安置于护罩部分34的不同侧上的两个孔隙36。两个孔隙36可彼此对称，且两个孔隙36的第一弯曲表面361可界定护罩部分34的至少一部分。

支撑壁32可自主体30的周边垂直地延伸。支撑壁32的至少一部分的厚度t2大于或等于约0.1mm，例如大于或等于约0.15mm、大于或等于约0.18mm或大于或等于约0.2mm。支撑壁32可具有为覆盖结构3的最外周边表面的外表面321。支撑壁32的外表面321可与密封体24的第一部分241的外表面2413及密封体24的第二部分242(支撑壁)的外表面2421(载体2的最外周边表面)大体上共平面。覆盖结构3及载体2可在制造制程期间通过同时切割二侧而形成，或可通过单个切割制程而形成。电子装置1的最外周边表面可为大体上平坦表面。在一或多个实施例中，覆盖结构3(主体30及支撑壁32)的材料可为塑胶，且可通过射出模制(injectionmolding)而形成。

如图1及2中所说明，覆盖结构3的支撑壁32可附接到载体2的密封体24的第二部分242(支撑壁)，使得支撑壁32及第二部分242界定容纳空间10。然而，在一或多个实施例中，容纳空间10可由支撑壁32界定且并不由第二部分242界定，或由第二部分242界定且并不由支撑壁32界定。

图3说明根据本发明的一或多个实施例的图2中所描绘的载体2及信号转换器12的顶部立体图。在图3中，覆盖结构3(图1及2)被描绘为已移除。载体2可包含四个第二部分242(支撑壁)、及在各两个第二部分242之间的弯曲腔室部分(curvedchamberportion)26。此可有利于密封体24的制造。弯曲腔室部分26可安置于密封体24的第二部分242的转角处。

图4说明根据本发明的一或多个实施例的图1及2中所描绘的覆盖结构3的底部立体图。如图4中所示，覆盖结构3可具有四个支撑壁32，及在各两个支撑壁32之间的弯曲腔室部分38。此可有利于覆盖结构3的制造。弯曲腔室部分38可安置于覆盖结构3的转角处。

图5说明图1中所描绘的电子装置1的俯视图。如图5中所示，电子装置1自俯视观之可大体上为矩形。覆盖结构3的主体30也自俯视观之可为大体上矩形。然而，在一些实施例中，电子装置1或覆盖结构3的主体30自俯视观之可具有不同形状，例如椭圆形。如图5中所展示，孔隙36可具有不同形状的边界。在图5的实例中，孔隙36各自具有凸面边界及凹面边界(例如，肾状)，且第一弯曲表面361的第一曲率(curvature)大于第二弯曲表面362的第二曲率。更一般来说，第一弯曲表面361的第一曲率可不同于第二弯曲表面362的第二曲率。此外，第一弯曲表面361的第一曲率的第一中心c1可与第二弯曲表面362的第二曲率的第二中心c2在不同位置处。即，第一曲率的第一中心c1与第二曲率的第二中心c2可为不同点，且在第一弯曲表面361的第一曲率的第一中心c1与第二弯曲表面362的第二曲率的第二中心c2之间存在一段距离。在一或多个实施例中，第一曲率的第一中心c1位于第一弯曲表面361与第二曲率的第二中心c2之间。

孔隙36的形状(例如，图5的肾状)可对应于大孔隙空间。此配置相比于其它形状可减小制造复杂性。此外，进入容纳空间10中及至感测区域14的气体的路径长度可横跨感测区域14的宽度大体上相等，此可导致感测区域14的高反应效率。此外，间隙g可在两个孔隙36之间，且间隙的最小宽度可大于或等于约0.1mm，此可便于制造覆盖结构3。

图6说明图1的电子装置1的底部立体图。如图6中所示，裸片脚座21的第二表面212及引线22的第二表面222可从密封体24的第一部分241的第二表面2412暴露(例如，用于外部连接)。

图7说明根据本发明的一或多个实施例的电子装置1a的横截面图。电子装置1a在某些方面类似于图2中所展示的电子装置1，且并不进一步描述相同编号的组件。在图7中，载体2a可包含可承载信号转换器12的衬底20(例如有机衬底、无机衬底或陶瓷衬底)，且可具有第一表面201、与第一表面相对的第二表面202、及在第一表面201与第二表面202之间延伸的最外周边表面203。一或多个接合线16可接合到载体2a的第一表面201，且覆盖结构3的支撑壁32可附接到载体2a的第一表面201。此外，覆盖结构3的最外周边表面321可与载体2a的最外周边表面203大体上共平面。容纳空间10可由覆盖结构3的支撑壁32所界定。

图8说明根据本发明的一或多个实施例的电子装置1b的横截面图。电子装置1b在某些方面类似于图2中所展示的电子装置1，且并不进一步描述相同编号的组件。在图8中，覆盖结构3b可为均一厚度的板，且可具有第二表面302及最外周边表面303。密封体24的第二部分242(支撑壁)可延伸于接合线16的最高部分上方，且可附接到第二表面302以便支撑覆盖结构3。此外，覆盖结构3b的最外周边表面303可与密封体24的第一部分241的外表面2413及载体2的第二部分242(支撑壁)的外表面2421大体上共平面。容纳空间10可由载体2的第二部分242所界定。

图9说明根据本发明的一或多个实施例的电子装置1c的俯视图。电子装置1c在某些方面类似于图5中所展示的电子装置1，且并不进一步描述相同编号的组件。在图9中，孔隙36比图5中的电子装置1的孔隙36更接近彼此，使得电子装置1c的总体尺寸(例如，表面积或总体积)小于电子装置1的相对应尺寸。在图9中，孔隙36中的每一者的一部分安置于信号转换器12的一部分上方，使得自俯视观之，信号转换器12的所述部分暴露。即，覆盖结构3的护罩部分34可能并不完全地覆盖整个信号转换器12。

图10说明根据本发明的一或多个实施例的电子装置1d的俯视图。电子装置1d在某些方面类似于图9中所展示的电子装置1c，且并不进一步描述相同编号的组件。在图10中，孔隙36比图9中所描绘的电子装置1c的孔隙36更接近彼此，使得电子装置1d的尺寸小于电子装置1c的相对应尺寸。如图10中所示，孔隙36中的每一者的一部分可安置于信号转换器12的一部分及感测区域14的一部分上方，使得自俯视观之，信号转换器12的所述部分及感测区域14的所述部分暴露。即，覆盖结构3的护罩部分34可能不完全地覆盖整个信号转换器12及整个感测区域14。另外，借助于非限制性说明，图10说明电子装置1d及覆盖结构3的主体30自俯视观之可为大体上圆形或椭圆形。

图11说明根据本发明的一或多个实施例的电子装置1e的俯视图。电子装置1e在某些方面类似于图9中所展示的电子装置1c，且并不进一步描述相同编号的组件。在图11中，电子装置1e包含四个信号转换器12，具有相对应四个覆盖结构3及框架35。框架35可包含彼此交错的多个连接杆351。覆盖结构3中的每一者的周边可连接四个连接杆351。另外，各覆盖结构3的主体30作为非限制性实例自俯视观之为大体上圆形或椭圆形。

图12说明根据本发明的一或多个实施例的电子装置1f的俯视图。电子装置1f在某些方面类似于图5中所展示的电子装置1，且并不进一步描述相同编号的组件。在图12中，孔隙36a具有相比于图5中所描绘及上文所描述的孔隙36的不同形状。如图12中所示，覆盖结构3可包含具有环圈的一部分的形状的一个孔隙36。

图13说明根据本发明的一或多个实施例的电子装置1g的俯视图。电子装置1g在某些方面类似于图5中所展示的电子装置1，且并不进一步描述相同编号的组件。在图13中，电子装置1g的孔隙36b的第一表面361b可为大体上平坦表面而非弯曲表面。

图14说明根据本发明的一或多个实施例的电子装置1h的俯视图。电子装置1h在某些方面类似于图13中所展示的电子装置1g，且并不进一步描述相同编号的组件。在图14中，电子装置1h的孔隙36c的第一表面361c可为具有弯曲末端的大体上平坦表面。

图15说明根据本发明的一或多个实施例的电子装置1i的俯视图。电子装置1i在某些方面类似于图13中所展示的电子装置1g，且并不进一步描述相同编号的组件。在图15中，图15中的电子装置1i的孔隙36d的第一表面361d及第二表面362d为大体上平坦的表面，而非弯曲的。如图15中所示，第二表面362d可与第一表面361d大体上平行。

图16说明根据本发明的一或多个实施例的电子装置1j的俯视图。电子装置1j在某些方面类似于图15中所展示的电子装置1i，且并不进一步描述相同编号的组件。在图16中，电子装置1j的孔隙36e的第一表面361e及第二表面362e可各为具有弯曲末端的大体上平坦表面。

图17说明根据本发明的一或多个实施例的电子装置1k的俯视图。电子装置1k在某些方面类似于图15中所展示的电子装置1i，且并不进一步描述相同编号的组件。在图17中，除了第一表面361f及第二表面362f以外，孔隙36f还包含两个第三表面363及两个第四表面364。第三表面363可大体上垂直于第二表面362f。第四表面364可为弯曲表面且可连接第一表面361f与第三表面363。如图17中所示，第四表面364可大体上为半圆，且孔隙36f可界定大体上"b"状周边。

图18说明根据本发明的一或多个实施例的电子装置1m的俯视图。电子装置1m在某些方面类似于图17中所展示的电子装置1k，且并不进一步描述相同编号的组件。在图18中，除了第一表面361g及第二表面362g以外，孔隙36还进一步包含第五表面365。第五表面365可大体上垂直于第三表面363，且可大体上平行于第二表面362g。第五表面365可连接第一表面361g与第三表面363。如图18中所示，孔隙36g的第一表面361g可大体上呈u形状。

图19至24说明一种用于制造根据本发明的一或多个实施例的电子装置的方法。参考图19，设置载体条4。载体条4可包含多个载体单元2'。载体单元2'中的每一者可类似于图2中所展示的载体2。载体单元2'可通过连接杆23连接到彼此。

参考图20，展示载体条4的俯视图。可以阵列方式配置载体单元2'。在载体单元2'中，密封体24的第二部分242的转角2422可不同于其它转角，例如具有平坦部分且转角2422可用于定位。

参考图21，设置信号转换器12于载体单元2'上。应注意，在一个载体单元2'上可能存在一个信号转换器12，或在一个载体单元2'上可能存在多个(例如，四个)信号转换器12。接着，信号转换器12可通过接合线16电连接到载体单元2'。

参考图22，附接(例如，黏附)覆盖结构条5至载体条4。覆盖结构条5包含以阵列方式配置的覆盖结构单元3'。覆盖结构单元3'中的每一者可类似于图2中所展示的覆盖结构3。在一或多个实施例中，可通过射出模制形成覆盖结构条5。覆盖结构单元3'的支撑壁32可附接到载体单元2'的密封体24的第二部分242(支撑壁)。

参考图23，显示附接于载体条4上的覆盖结构条5的俯视图。可以阵列方式配置覆盖结构单元3'。

参考图24，可进行单体化制程以获得多个电子装置1，例如图1中所展示的所述装置。在一个实施例中，可通过沿着切割线50切割(例如，刀片切割或激光切割)来进行单体化制程。可沿着切割线50一起(例如，连续的垂直方向切割动作)切割覆盖结构条5及载体条4，使得如图1及2的实例中所示，支撑壁32的外表面321可大体上与密封体24的第一部分241的外表面2413及密封体24的第二部分242(支撑壁)的外表面2421(载体2的最外周边表面)共平面。

除非另外规定，否则例如“上面”、“下方”、“向上”、“左边”、“右边”、“向下”、“顶部”、“底部”、“垂直”、“水平”、“侧”、“较高”、“下部”、“上部”、“上方”、“下面”等空间描述相对于图中所示的定向加以指示。应理解，本文中所使用的空间描述仅出于说明的目的，且本文中所描述的结构的实际实施可以任何定向或方式在空间上予以配置，其限制条件为本发明的实施例的优点不因此配置而有偏差。

如本文中所使用，词语“近似地”、“大体上”、“大体的”及“约”用以描述及说明小变化。当与事件或情形结合使用时，术语可指代事件或情形明确发生的情况及事件或情形极近似于发生的情况。举例而言，当结合数值使用时，所述词语可指小于或等于那个数值的±10％的变化范围，例如小于或等于±5％、小于或等于±4％、小于或等于±3％、小于或等于±2％、小于或等于±1％、小于或等于±0.5％、小于或等于±0.1％、或小于或等于±0.05％。举例而言，如果两个数值之间的差小于或等于所述值的平均值的±10％(例如，小于或等于±5％、小于或等于±4％、小于或等于±3％、小于或等于±2％、小于或等于±1％、小于或等于±0.5％、小于或等于±0.1％、或小于或等于±0.05％)，那么可认为所述两个数值“大体上”相同。

如果两个表面之间的移位不大于5μm、不大于2μm、不大于1μm或不大于0.5μm，那么可认为两个表面共平面或大体上共平面。关于两个边缘或表面的术语“大体上平行”可指沿着线或沿着平面放置，其中两个边缘或表面之间的角度移位小于或等于10°，例如小于或等于5°、小于或等于3°、小于或等于2°或小于或等于1°。指两个组件的术语“大体上垂直”可指两个组件之间的小于或等于90°的±10°的变化范围，例如小于或等于±5°、小于或等于±3°、小于或等于±2°，小于或等于±1°。

另外，有时在本文中按范围格式呈现量、比率及其它数值。应理解，此类范围格式为便利及简洁起见而使用，且应灵活地理解为不仅包含明确指定为范围限制的数值，而且包含涵盖于那个范围内的所有个别数值或子范围，如同明确指定每一数值及子范围一般。

尽管已参考本发明的特定实施例描述且说明本发明，但这些描述及说明并不限制本发明。所属领域的技术人员应理解，在不脱离如由所附申请专利范围界定的本发明的真实精神及范围的情况下，可作出各种改变且可取代等效物。说明可不必按比例绘制。归因于制造程序及容限，本发明中的艺术再现与实际设备之间可能存在区别。可存在并未特定说明的本发明的其它实施例。应将本说明书及图式视为说明性而非限制性的。可作出修改，以使特定情形、材料、物质组成、方法或制程适应于本发明的目标、精神及范围。所有此类修改均意欲处于此处所附的申请专利范围的范围内。尽管已参考按特定次序所执行的特定操作描述本文中所揭示的方法，但应理解，可在不脱离本发明的教示的情况下组合、细分，或重新定序这些操作以形成等效方法。因此，除非本文中具体指示，否则操作的次序及分组并非本发明的限制。

符号说明

1电子装置

1a电子装置

1b电子装置

1c电子装置

1d电子装置

1e电子装置

1f电子装置

1g电子装置

1h电子装置

1i电子装置

1j电子装置

1k电子装置

1m电子装置

2载体

2'载体单元

2a载体

3覆盖结构

3'覆盖结构单元

3b覆盖结构

4载体条

5覆盖结构条

10容纳空间

12信号转换器

14感测区域

16接合线

20衬底

21裸片脚座

22引线

23连接杆

24密封体

26弯曲腔室部分

30主体

32支撑壁

34护罩部分

35框架

36孔隙

36a孔隙

36b孔隙

36c孔隙

36d孔隙

36e孔隙

36f孔隙

36g孔隙

38弯曲腔室部分

50切割线

121第一表面

141金属氧化物

201第一表面

202第二表面

203最外周边表面

211第一表面

212第二表面

221第一表面

222第二表面

241第一部分

242第二部分

302第二表面

303最外周边表面

321最外周边表面

351连接杆

361第一弯曲表面

361b第一表面

361c第一表面

361d第一表面

361e第一表面

361f第一表面

361g第一表面

362第二弯曲表面

362d第二表面

362e第二表面

362f第二表面

362g第二表面

363第三表面

364第四表面

365第五表面

2411第一表面

2412第二表面

2413外表面

2421外表面

2422转角

c1第一中心

c2第二中心

g间隙

t1厚度

t2厚度