一种深紫外led封装结构的制作方法
【技术领域】
[0001 ]本实用新型涉及LED领域，尤其是一种深紫外LED封装结构。
【背景技术】
[0002]深紫外LED的封装其中一个要求是需要将深紫外LED置于密封无氧的环境内。现有封装条件下，受到环境的制约或封装设备的制约，不可能做到封装腔体内完全无氧，所以在深紫外LED封装完成后，总会在封装的腔体内存在少量的氧气，这些氧气被紫外线长期照射会变成臭氧，臭氧能够引起LED的光衰，加速LED的老化。为去除封装腔体内的氧气，现有技术如中国专利公开号为104269497的一种有机发光二极管封装结构及显示装置，其中该封装结构包括:一有机发光二极管基板，有机发光二极管基板表面设置有有机发光二极管器件;一封装基板，封装基板表面设置有用于吸收封装结构内部氧气的活泼金属膜层;有机发光二极管基板和封装基板的边缘通过密封胶相粘合固定以形成密封腔，有机发
[0003]光二极管器件和所述活泼金属膜层位于密封腔内，活泼金属膜层吸收密封腔内残留的或者外部渗入的氧气。该技术用于OLED上，且是在封装基板上设有金属层，而金属膜层的形成工艺相对比较复杂，从材料和工艺看，增加的成本较多；另外金属膜层通过与氧气化学反应来吸收氧气的，该化学反应需要比较长的过程才能将封装腔体内的氧气完全吸收。
【发明内容】
[0004]本实用新型所要解决的技术问题是提供一种深紫外LED封装结构，能够吸收密封腔体内的氧气，封装成本相对较低，工艺简单，而且吸收氧气的速度相对较快。
[0005]为解决上述技术问题，本实用新型的技术方案是:一种深紫外LED封装结构，包括密封腔体和设于所述密封腔体内的深紫外LED;其特征在于:所述密封腔体的内壁设有有机硅胶层。硅胶是一种高活性材料，属非晶态物质，除强碱、氢氟酸外不与任何物质发生反应，不溶于水和任何溶剂，无毒无味，化学性质稳定;本实用新型利用硅胶的吸附性能，将其加入到深紫外LED封装结构内，可以将封装完成后封存在密封腔体内的氧气吸收，由于硅胶通过吸附方式吸收氧气的，所以其吸收氧气的速度较快;硅胶的成本相对较低，而且在密封腔体内加入硅胶层的工艺简单。
[0006]作为改进，所述密封腔体由LED基板、设于所述LED基板上且包围所述深紫外LED的围坝和覆盖在所述围坝顶部的透明盖板构成。
[0007]作为改进，所述深紫外LED设于所述LED基板上，所述有机硅胶层设于所述LED基板上，有机硅胶层上设有供深紫外LED通过的避让孔。
[0008]作为改进，所述深紫外LED设于所述LED基板上，所述深紫外LED设于所述LED基板上，所述有机硅胶层涂覆在LED基板上且位于所述深紫外LED的周围位置。
[0009]作为改进，所述LED基板和围坝为一体化结构，可采用陶瓷基板或金属基板。
[0010]作为改进，所述有机硅胶层上设有若干穿孔，增加有机硅胶层的吸附面积。
[0011]作为改进，所述有机硅胶层通过UV胶固定。
[0012]本实用新型与现有技术相比所带来的有益效果是:
[0013]本实用新型利用硅胶的吸附性能，将其加入到深紫外LED封装结构内，可以将封装完成后封存在密封腔体内的氧气吸收，由于硅胶通过吸附方式吸收氧气的，所以其吸收氧气的速度较快;硅胶的成本相对较低，而且在密封腔体内加入硅胶层的工艺简单。
【附图说明】
[0014]图1为本实用新型剖视图。
【具体实施方式】
[0015]下面结合说明书附图对本实用新型作进一步说明。
[0016]如图1所示，一种深紫外LED封装结构，包括密封腔体4和设于所述密封腔体4内的深紫外LED 6，所述密封腔体4的内壁设有有机硅胶层5。所述密封腔体4由LED基板1、设于所述LED基板I上且包围所述深紫外LED 6的围坝2和覆盖在所述围坝2顶部的透明盖板3构成；所述LED基板I和围坝2为一体化结构，可采用陶瓷或金属材料。所述深紫外LED 6设于所述LED基板I上，所述有机硅胶层5涂覆在LED基板的深紫外LED周围，这种方式能便于实现，另外有机硅胶层5也可以通过UV胶固定在所述LED基板I上，有机硅胶层5能将密封腔体4的装个底部覆盖，有机硅胶层5上设有供深紫外LED 6通过的避让孔，深紫外LED 6的周边为白色有机硅胶层5，具有一定的反射作用，增加出光率。所述有机硅胶层5上设有若干穿孔51，增加有机硅胶层5的吸附面积。
[0017]硅胶是一种高活性吸附材料，属非晶态物质，除强碱、氢氟酸外不与任何物质发生反应，不溶于水和任何溶剂，无毒无味，化学性质稳定;本实用新型利用硅胶的吸附性能，将其加入到深紫外LED 6封装结构内，可以将封装完成后封存在密封腔体4内的氧气吸收，由于硅胶通过吸附方式吸收氧气的，所以其吸收氧气的速度较快;硅胶的成本相对较低，而且在密封腔体4内加入硅胶层的工艺简单。
【主权项】
1.一种深紫外LED封装结构，包括密封腔体和设于所述密封腔体内的深紫外LED;其特征在于:所述密封腔体的内壁设有有机硅胶层。2.根据权利要求1所述的一种深紫外LED封装结构，其特征在于:所述密封腔体由LED基板、设于所述LED基板上且包围所述深紫外LED的围坝和覆盖在所述围坝顶部的透明盖板构成。3.根据权利要求1所述的一种深紫外LED封装结构，其特征在于:所述深紫外LED设于所述LED基板上，所述有机硅胶层设于所述LED基板上，有机硅胶层上设有供深紫外LED通过的避让孔。4.根据权利要求1所述的一种深紫外LED封装结构，其特征在于:所述深紫外LED设于所述LED基板上，所述深紫外LED设于所述LED基板上，所述有机硅胶层涂覆在LED基板上且位于所述深紫外LED的周围位置。5.根据权利要求2所述的一种深紫外LED封装结构，其特征在于:所述LED基板和围坝为一体化结构。6.根据权利要求1所述的一种深紫外LED封装结构，其特征在于:所述有机硅胶层上设有若干穿孔。7.根据权利要求1所述的一种深紫外LED封装结构，其特征在于:所述有机硅胶层通过UV胶固定。
【专利摘要】一种深紫外LED封装结构，包括密封腔体和设于所述密封腔体内的深紫外LED；所述密封腔体的内壁设有有机硅胶层。硅胶是一种高活性吸附材料，属非晶态物质，除强碱、氢氟酸外不与任何物质发生反应，不溶于水和任何溶剂，无毒无味，化学性质稳定；本实用新型利用硅胶的吸附性能，将其加入到深紫外LED封装结构内，可以将封装完成后封存在密封腔体内的氧气吸收，由于硅胶通过吸附方式吸收氧气的，所以其吸收氧气的速度较快；硅胶的成本相对较低，而且在密封腔体内加入硅胶层的工艺简单。
【IPC分类】H01L33/56
【公开号】CN205248307
【申请号】CN201520904014
【发明人】吕天刚, 王跃飞, 李坤锥
【申请人】广州市鸿利光电股份有限公司
【公开日】2016年5月18日
【申请日】2015年11月13日