一种晶片厚度检测仪的制作方法

文档序号:14038262阅读:439来源:国知局
一种晶片厚度检测仪的制作方法

本实用新型属于一种晶片检测领域,具体涉及一种晶片厚度检测仪。



背景技术:

随着电子工业的快速发展,对晶片的产量、质量和性能提出了更高的要求,这就相应的要求晶片生产行业加速生产设备和质量检测设备的研究和开发。晶片的厚度是否合格,不仅对产品的质量有着直接的影响,而且也影响到原材料的消耗和企业经济效益。目前大多采用仪器设备进行电参数测量或人工检测晶片的谐振频率,然后根据其谐振频率通过分选设备或人工把晶片按频率段细分出来,最后再进行成品检测,应用仪器设备进行电参数测量,存在受电磁干扰大,测量不够精确的问题。



技术实现要素:

本实用新型所要解决的技术问题是针对上述现有技术的不足提供一种晶片厚度检测仪,其结构简单、操作方便、性能稳定可靠、精确度高等特点,应用广泛。

为实现上述技术目的,本实用新型采取的技术方案为:

一种晶片厚度检测仪,其中:包括复位电路、单片机、电源模块、液晶显示驱动电路、LCD显示模块、LVDT传感器、信号调理转换电路和按键接口电路,所述的复位电路由复位芯片MC33064、电阻R7、电容C10和复位按键S组成,所述的电阻R7上端与电源引脚+5V连接,所述的电阻R7下端、电容C10上端和复位按键S上端都与复位芯片MC33064的引脚1连接,所述的电容C10下端和复位按键S下端都接地,所述的复位电路、电源模块和按键接口电路都与单片机连接,所述的LVDT传感器与信号调理转换电路连接,所述的信号调理转换电路与单片机连接,所述的LCD显示模块与液晶显示驱动电路连接,所述的液晶显示驱动电路与单片机连接,所述的液晶显示驱动电路中安装有驱动芯片HT1621。

为优化上述技术方案,采取的具体措施还包括:

上述的电源模块由插头J1、变压器B1、桥式整流电路D1、电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电阻R1、稳压芯片LM7815和发光二极管D3组成,所述的发光二极管D3与电阻R1串联后分别接在电容C4两端,所述的电容C4与电容C3并联后分别接在稳压芯片LM7815的输出引脚和接地引脚上,所述的电容C1和电容C2并联后分别接在稳压芯片LM7815的输入引脚和接地引脚上。

上述的信号调理转换电路由芯片AD2S93、电容C5、电容C6、电容C7、电容C8、电容C9、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5和电阻R6组成,所述的电阻R2一端接地且电阻R2另一端与芯片AD2S93的引脚4连接,所述的电容C5和电阻R3串联后分别接在芯片AD2S93的引脚22和引脚23上,所述的电阻R4左端与芯片AD2S93的引脚20连接,所述的电阻R4与电容C6左端连接,所述的电容C6右端、电阻R5左端和电容C7左端都与芯片AD2S93的引脚19连接,所述的电阻R5右端和电容C7右端都接地,所述的电阻R6两端分别接在芯片AD2S93的引脚18和引脚23上,所述的电容C8上端与芯片AD2S93的引脚17连接,所述的电容C8下端和电容C9上端都接地,所述的电容C9下端与芯片AD2S93的引脚16连接。

上述的单片机采用芯片AT89C52且单片机上安装有存储器。

本实用新型利用差动位移传感器(LVDT)将晶片厚度变化信号转化成传感器内部铁芯的位移变化,在初级线圈激磁电压的作用下引起次级线圈的互感反应,产生互感电动势,经次级线圈进行反相连接输出,即可将晶片厚度信息转换为LVDT的互感电压信号。再利用信号调理电路对LVDT电压信号进行信号放大、相敏检波等处理将交流电压信号变换为标准模拟直流电压信号,然后利用单片机对标准模拟直流电压进行采样、A/D转换、数据处理等转化为晶片厚度信号,最后在LCD液晶显示屏进行晶片厚度测量结果显示输出。电源模块完成外接22V交流电压到单片机5V直流电压的转换。按键接口电路完成工作状态选择与工作参数标定。当厚度检测仪运行出现故障或受到干扰出现不能正常工作时,由复位电路完成系统复位,进入正常运行状态。

系统进入监控主程序后,首先进行系统初始化与状态自检,如果自检没有发现系统故障,则进行按键不间断状态扫描,以决定是否进行系统参数标定,然后根据按键扫描状态进入厚度检测运行工作模式,进行数据采集、转换与输送处理,结果送LCD显示模块显示。

本实用新型的优点在于以下几点:结构简单、操作方便、性能稳定可靠、精确度高等特点,应用广泛。

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图;

图2是本实用新型复位电路的电路图;

图3是本实用新型电源模块的电路图;

图4是本实用新型信号调理转换电路的电路图;

图5是本实用新型的工作流程图。

其中的附图标记为:复位电路1、单片机2、电源模块3、液晶显示驱动电路4、LCD显示模块5、LVDT传感器6、信号调理转换电路7、按键接口电路8。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型的具体实施方式作出进一步说明:

一种晶片厚度检测仪,其中:包括复位电路1、单片机2、电源模块3、液晶显示驱动电路4、LCD显示模块5、LVDT传感器6、信号调理转换电路7和按键接口电路8,所述的复位电路1由复位芯片MC33064、电阻R7、电容C10和复位按键S组成,所述的电阻R7上端与电源引脚+5V连接,所述的电阻R7下端、电容C10上端和复位按键S上端都与复位芯片MC33064的引脚1连接,所述的电容C10下端和复位按键S下端都接地,所述的复位电路1、电源模块3和按键接口电路8都与单片机2连接,所述的LVDT传感器6与信号调理转换电路7连接,所述的信号调理转换电路7与单片机2连接,所述的LCD显示模块5与液晶显示驱动电路4连接,所述的液晶显示驱动电路4与单片机2连接,所述的液晶显示驱动电路4中安装有驱动芯片HT1621。

实施例中,电源模块3由插头J1、变压器B1、桥式整流电路D1、电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电阻R1、稳压芯片LM7815和发光二极管D3组成,所述的发光二极管D3与电阻R1串联后分别接在电容C4两端,所述的电容C4与电容C3并联后分别接在稳压芯片LM7815的输出引脚和接地引脚上,所述的电容C1和电容C2并联后分别接在稳压芯片LM7815的输入引脚和接地引脚上。

实施例中,信号调理转换电路7由芯片AD2S93、电容C5、电容C6、电容C7、电容C8、电容C9、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5和电阻R6组成,所述的电阻R2一端接地且电阻R2另一端与芯片AD2S93的引脚4连接,所述的电容C5和电阻R3串联后分别接在芯片AD2S93的引脚22和引脚23上,所述的电阻R4左端与芯片AD2S93的引脚20连接,所述的电阻R4与电容C6左端连接,所述的电容C6右端、电阻R5左端和电容C7左端都与芯片AD2S93的引脚19连接,所述的电阻R5右端和电容C7右端都接地,所述的电阻R6两端分别接在芯片AD2S93的引脚18和引脚23上,所述的电容C8上端与芯片AD2S93的引脚17连接,所述的电容C8下端和电容C9上端都接地,所述的电容C9下端与芯片AD2S93的引脚16连接。

实施例中,单片机2采用芯片AT89C52且单片机2上安装有存储器。

以上仅是本实用新型的优选实施方式,本实用新型的保护范围并不仅局限于上述实施例,凡属于本实用新型思路下的技术方案均属于本实用新型的保护范围。应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型原理前提下的若干改进和润饰,应视为本实用新型的保护范围。

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