1.一种芯片单独寿命预测模块，能够单独地预测芯片的寿命以决定是否更换，其特征在于，包括：
芯片，将该芯片的一部分区域作为检测区域；
阻抗检测单元，该阻抗检测单元通过绑定线连接至所述检测区域，检测所述检测区域的阻抗作为所述芯片的阻抗；以及
判断单元，该判断单元根据所述阻抗检测单元检测到的所述芯片的阻抗，来判断所述芯片的劣化是否超过预先设定的阈值，从而决定是否更换所述芯片单独寿命预测模块。
2.如权利要求1所述的芯片单独寿命预测模块，其特征在于，
所述判断单元在所述芯片的阻抗大于规定值时，判断所述芯片的劣化超过了所述阈值。
3.如权利要求2所述的芯片单独寿命预测模块，其特征在于，
所述判断单元具备存储部，该存储部中相关联地存储有所述芯片的所述阈值和所述规定值。
4.如权利要求3所述的芯片单独寿命预测模块，其特征在于，
所述判断单元还包括：
比较部，该比较部对所述芯片的阻抗和存储在所述存储部的所述规定值进行比较；以及
判断部，该判断部在所述阻抗大于所述规定值时，判断所述芯片的劣化超过了所述阈值。
5.如权利要求1至4的任一项所述的芯片单独寿命预测模块，其特征在于，
还具备警报单元，该警报单元在所述判断单元判断所述芯片的劣化超过了所述阈值时，发出警报信息，提示操作人员该芯片单独寿命预测模块需要进行更换。
6.如权利要求1至4的任一项所述的芯片单独寿命预测模块，其特征在于，
所述阻抗检测单元通过检测所述检测区域的电流和电压来计算所述检测区域的阻抗。
7.如权利要求6所述的芯片单独寿命预测模块，其特征在于，
所述阻抗检测单元包括：
检测所述检测区域的电流的电流传感器；
检测所述检测区域的电压的电压传感器；以及
根据所述电流和所述电压计算出所述检测区域的阻抗的计算部。
8.如权利要求7所述的芯片单独寿命预测模块，其特征在于，
所述芯片为IGBT芯片。
9.如权利要求8所述的芯片单独寿命预测模块，其特征在于，
所述电流为所述IGBT芯片的发射极-集电极电流，所述电压为所述IGBT芯片的发射极-集电极电压。