一种兼容老化测试的方法及其芯片与流程

本发明涉及半导体芯片测试领域。尤其涉及一种兼容老化测试的方法及其芯片。

背景技术：

现有技术中的半导体芯片的可靠性测试等耐久性老化测试(biburnin)采用的是基础型功能测试，即芯片的工作频率会降低到较低的频率以下。这是由于成本控制，老化测试机台的输出驱动能力弱，速度低，从而造成由老化测试机台输入到被测试产品的信号上升下降速度慢，且信号噪声(noise)极大。

老化测试机台(设备)在进行某些产品的老化测试(bi)时，尤其是针对高速芯片的测试时，由于这些高速芯片的接收模块(receiver)的灵敏度很高，因为老化测试机台输入到接收模块的信号上升下降速度慢，使得被测试产品(高速芯片)无法正确操作。

对于某些高速芯片，现有的解决方法是在老化测试(bi)时使用低速接收模块(receiver)。对于高速芯片：它的低速接收模块并不是正常工作时所使用的功能模块，所以低速接收模块如果要进行使用时需要切换进入特殊模式才能被使用。而该特殊模式由于老化测试机台的上述原因无法进入，因此无法进入到特殊模式进行切换。

技术实现要素：

为解决上述问题：

根据本发明的第一方面，本发明提出了一种兼容老化测试的方法，

具体技术解决方案如下：

一种兼容老化测试的方法，低速测试未完成前，芯片使用低速接收模块的状态；低速测试完成后，芯片设置为高速接收模块的状态。

优选的，

步骤s1：初始状态设置；

步骤s2：老化测试；

步骤s3：接收模块调节。

进一步优选的，所述步骤s1初始状态设置为在芯片的初始设计制造中将芯片设置为匹配老化测试的模式。

更进一步优选的，所述步骤s1初始状态设置通过接收模块设置进行。

更进一步优选的，所述匹配老化测试的模式是满足老化测试机台的测试要求。

更进一步优选的，所述测试要求是指测试时，芯片满足老化测试机台的驱动能力。

更进一步优选的，所述驱动能力为频率或速度的驱动能力。

更进一步优选的，所述匹配老化测试的模式还包括匹配老化测试机台的其它参数，所述其它参数为电压、电流。

进一步优选的，所述步骤s2老化测试为：对芯片进行老化测试。

更进一步优选的，所述老化测试包括对晶圆的老化测试和对颗粒的老化测试。

进一步优选的，所述步骤s3接收模块调节为：对于通过老化测试后的芯片，对芯片中的接收模块进行设置，将其设置为高速状态。

更进一步优选的，所述对接收模块的调节为通过对预先设置在芯片内的可调节模块进行配置进行；可调节模块可以控制接收模块在高速状态或低速状态之间进行转换。

更进一步优选的，所述可调节模块由可修改的元件实现。

更进一步优选的，所述可修改的元件为电子熔丝或激光熔丝或闪存单元任一或者其中的组合。

根据本发明的第二方面，本发明提出了一种兼容老化测试的芯片，

具体技术解决方案如下：

一种兼容老化测试的芯片，所述芯片包括可调节接收单元以及芯片内部单元；所述可调节接收单元包括：调节模块和接收模块；

调节模块用于控制接收模块处于不同频率的状态；

接收模块包括传输接口，用于接收信号；老化测试时接收老化测试机台的信号；正常工作时接收外部电路的信号。

优选的，所述调节模块由可修改的元件实现。

进一步优选的，所述可修改的元件实现为电子熔丝或激光熔丝或闪存单元任一或者其中的组合。

优选的，所述调节模块控制调节接收模块中的器件，可使接收模块工作在不同频率的状态下。

进一步优选的，所述不同频率为低速状态或高速状态。

优选的，所述接收模块包含不同频率的子模块单元。

进一步优选的，所述子模块单元为低速状态的接收子模块b或高速状态的接收子模块a。

优选的，所述芯片为高速芯片。

优选的，所述芯片为存储芯片。

进一步优选的，所述存储芯片为dram芯片。

本发明具有以下优点：

对于高速芯片既可以满足老化测试低速工作信号的要求，又可以满足正常工作时高速信号的要求。

上述方案简便易行，成本低、同时能够与兼容现有老化测试机台。

附图说明

为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明一种兼容老化测试的方法的步骤图；

图2为本发明一种兼容老化测试芯片的原理图之一；

图3为本发明一种兼容老化测试芯片的原理图之二；

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本发明实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明的主要原理是：通过使用可编程元件控制接收模块，使在低速测试未完成前，芯片是保持在使用低速接收模块的状态；低速测试完成，芯片变为使用高速接收模块的状态。

下面结合实施例及附图对本发明作进一步详细、完整地说明。

如图1本发明一种兼容老化测试的方法的步骤图所示，本发明主要包括以下步骤：

步骤s1：初始状态设置；

这里初始状态设置，具体是指在芯片(即被测试产品)的初始设计制造中将芯片设置为满足现有老化测试机台的输出驱动能力的要求的状态。被测试产品初始设置为匹配老化测试的模式。

匹配老化测试的模式主要是满足老化测试机台的测试要求。这里的测试要求主要是指测试时芯片满足老化测试机台的驱动能力，这里的驱动能力可以为频率或速度，也就是被测试产品满足老化测试机台的低频测试能力。主要的是通过接收模块设置为低速的状态进行的。

同时，还需要强调的是，对于匹配老化测试的模式还可以包括匹配老化测试机台的其它参数，例如测试电压、电流等。

步骤s2：老化测试；

在前述步骤的基础上对芯片(即被测试产品)进行老化测试。

这里的老化测试包括对被测试产品各种状态的老化测试，即既包括对未经切割的晶圆(wafer)，也包括对经过封装后的颗粒(component)进行测试。

步骤s3：接收模块调节；

对于通过老化测试后的芯片，对芯片中的接收模块调节进行调节设置，将其设置为高速状态。从而芯片可以满足高速工作的要求。

这里对接收模块的调节为通过对预先设置在芯片内的可调节模块进行配置进行。可调节模块可以控制接收模块在高速状态或低速状态之间进行转换。即：对于通过老化测试后的芯片，通过可调节模块控制接收模块由低速状态转换为高速状态。从而使芯片满足了正常高速工作的要求。

可调节模块由可修改的元件实现，包括但不限于电子熔丝(efuse)，反熔丝(anti-fuse)，激光熔丝(laserfuse)或者闪存单元(flash)等实现。

通过上述步骤对接收模块的不同调节配置就可以使芯片既能满足老化测试时测试机台低速测试的要求，又能满足在通过老化测试后正常的高速工作环境的需求。

本发明还包括一种兼容老化测试的芯片，如图2本发明一种兼容老化测试的原理图之一所示：芯片1包括可调节接收单元11以及芯片内部单元12(即图中“芯片内部”示意部分)；这里芯片内部单元12作为现有技术这里就不在详细介绍。

可调节接收单元11包括调节模块111和接收模块112；调节模块111用于控制接收模块112的状态。通过调节模块111可以控制接收模块112处于低速状态还是高速状态。通常情况下为了满足老化测试的要求芯片在初始设计制造时默认将制接收模块112设定在低速状态。

接收模块112包括传输接口，用于接收信号。老化测试时接收老化测试机台的信号；正常工作时接收外部电路的信号。

老化测试时，接收模块112处于低速状态，以便满足老化测试机台的信号的要求；

正常工作时，调节模块111控制接收模块112处于高速状态，以便满足高速外部信号的要求。

这里，接收模块112通过调节模块111的控制调节工作在不同状态。即：低速状态或高速状态使用同一模块(调节模块111)。通过调节模块111控制调节接收模块112其中的部分器件，即可使接收模块112工作在不同的频率状态下(低速状态或高速状态)。

调节模块111由可修改的元件(器件)实现，包括但不限于电子熔丝(efuse)，anti-fuse，激光熔丝(laserfuse)或者闪存单元(flash)等实现。

作为前述原理的改进，接收模块112还可以包含不同频率的子模块单元，如图3本发明一种兼容老化测试的原理图之二所示，接收模块112包含接收子模块a和接收子模块b。工作中调节模块111通过切换调节选择不同的子模块单元处于工作状态。例如接收子模块a为高速模块；接收子模块b为低速模块。

老化测试时，调节模块111控制(或者默认设置)接收模块112中的低速模块(即：接收子模块b)为工作状态，以便满足老化测试机台的信号的要求；

正常工作时，调节模块111控制接收模块112中的高速模块(即：接收子模块a)为工作状态，以便满足高速外部信号的要求。

这样的好处是工作在不同速度(频率)下模块相对独立，它们的性能和可靠性会更好。

这里需要强调的是：依据实际工作的需要，接收模块112中可工作与不同频率的子模块可以为多个，这些子模块可以工作在不同的频率。通过调节模块111控制设置这些子模块独立工作。

优选实施例：

对于存储芯片，尤其是dram芯片：它的测试分为晶圆(wafer)级别的老化测试和颗粒(component)级别的老化测试。随着技术的进步dram的工作频率越来越快，例如是目前主流的ddr4芯片频率已经可以在1ghz以上。

dram芯片老化测试时先进行晶圆级别的测试，而后在进行颗粒级别的测试。以往，晶圆级别的测试为低速模式；颗粒级别的测试为高速模式。现有老化设备不能满足颗粒级别的老化测试要求。

对比本发明，通过在设计制造时将接收模块112默认为低速模式，这样可以进行晶圆级别的老化测试为低速模式；之后由于接收模块112还是低速模式所以还可以进行颗粒级别的老化测试。

对通过测试的dram芯片通过电子熔丝(efuse)或激光熔丝(laserfuse)对调节模块111进行配置，从而将接收模块112设置为高速模式。因此dram在就可以正常工作在高速状态。

这里需要说明的是在现有dram芯片生产制造工艺中电子熔丝(efuse)或激光熔丝(laserfuse)是非常常见的，容易兼容。

对于dram芯片或其他类型的高速芯片中的调节模块中的可修改的元件包括但不限于电子熔丝(efuse)，anti-fuse，激光熔丝(laserfuse)或者闪存单元(flash)等，只要能实现调节功能即可。

与现有技术相比，本发明的主要优点是：

对于高速芯片既可以满足老化测试低速工作信号的要求，又可以满足正常工作时高速信号的要求。

上述方案简便易行，成本低、同时能够与兼容现有老化测试机台。

以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。