增加多晶硅和用于连接多晶硅以及两个相邻焊垫的金属层。
[0037]更进一步地，电阻R包括有源区和用于连接有源区以及两个相邻焊垫的金属层，接触电阻的测试方法还包括以下步骤:在两个相邻焊垫之间增加有源区和用于连接有源区以及两个相邻焊垫的金属层。
[0038]以上三种实施方式并不对本申请产生限制，凡是采用电阻R的任何变形测量接触电阻的方式均应在本申请的保护范围之内。
[0039]需要说明的是，本申请并不限于上述实施方式，例如在一种未图示的实施方式中可以将电阻R设置在第一焊垫2远离第二焊垫3的一侧，也可以将电阻R设置在第二焊垫3远离第一焊垫2的一侧。
[0040]当然，也可以采用其他方式设置电阻R的位置，凡是可以采用差值计算法计算接触电阻的技术方案，均应在本申请的保护范围之内。
[0041]本申请还提供了一种测试结构的实施方式，该测试结构采用上述接触电阻的测试方法测量接触电阻。优选地，上述测试结构包括连接于两个相邻焊垫上的电压表和串接于两个相邻焊垫之间的电阻R。上述电压表、两个相邻焊垫和电阻R连接构成闭合回路。
[0042]进一步地，本申请的测试结构的实施方式中，测试结构包括用于测量总电阻大小的第一状态和用于测量电阻R的大小的第二状态。
[0043]具体地，如图3所示，本申请测试结构的第一实施方式中，测试结构包括依次连接的第三焊垫1、第一焊垫2、第二焊垫3和第四焊垫4，以及分别连接在第三焊垫I和第四焊垫4上的金属层(Ml-Mx)和P阱PW。电阻R包括设置于第一焊垫2和第二焊垫3之间的电阻本体5和用于连接电阻本体与第一焊垫2和第二焊垫3的金属层。
[0044]在测试时，只需按照上述接触电阻的测试方法，在第一焊垫2和第二焊垫3之间先加载第一电压V并测量出第一电流I，以计算第一垫片2与其对应探针之间的接触电阻札、第二垫片3与其对应探针之间的接触电阻R2和两个插针之间的电阻总和。
[0045]其次，再将第三焊垫I和第四焊垫4之间通入第二电流I’并测量出电阻R所对应的第二电压V’，以计算出电阻R的大小。最后，通过差值计算方法，算出RfR2之和。
[0046]进一步地，如图4所示，本申请测试结构的第二实施方式中，电阻R包括设置于至少两个相邻焊垫之间的多晶娃和用于连接多晶娃与至少两个焊垫的金属层(Mn-Mn+x)。
[0047]优选地，如图5所示，本申请测试结构的第三实施方式中，电阻R包括设置于至少两个相邻焊垫之间的有源区6和用于连接有源区6与至少两个焊垫的金属层(Ml-Mn+x)。
[0048]需要说明的是，第二实施方式和第三实施方式中除上述特征外，其他均与第一实施方式中的特征相同，且由于第二实施方式和第三实施方式中的测量方法与第一实施方式的测量方法原理相同，此处就不在赘述。
[0049]从以上的描述中，可以看出，本申请上述的实施方式实现了如下技术效果:通过在两个相邻焊垫之间设置电阻R，可以计算出两个焊垫之间的总电阻，再利用差值计算法计算出接触电阻的数值大小，能够有效节约测试时间和测试样本，达到降低工作成本的目的。
[0050]进一步地，由于接触电阻本身过小，设置电阻R并使用差值计算方法，能够使测量出来的接触电阻的数值与现有技术中的测量方法测量出的数值相比更加准确。
[0051]以上所述仅为本申请的优选实施方式而已，并不用于限制本申请，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。
【主权项】
1.一种接触电阻的测量方法，用于测试热载流子注入实验中探针和焊垫之间的接触电阻，其特征在于，包括以下步骤: 在两个相邻焊垫之间设置电阻R ； 对所述两个相邻焊垫施加第一电压V并测量出对应的第一电流I ; 根据所述第一电压V和所述第一电流I计算出所述两个相邻焊垫之间的总电阻； 对与所述两个相邻焊垫相邻的焊垫施加第二电流I’并测量出所述电阻R对应的第二电压V’ ； 根据所述第二电压V’和所述第二电流I’计算出所述电阻R的大小； 根据所述总电阻以及所述电阻R的大小计算出接触电阻的大小。2.根据权利要求1所述的接触电阻的测量方法，所述两个相邻焊垫包括第一焊垫和第二焊垫，其特征在于，所述接触电阻的测量方法还包括以下步骤:根据公式V/I =Ri+R2+R计算出所述总电阻，其中，R1为第一焊垫与其对应探针之间的接触电阻，R2为第二焊垫与其对应探针之间的接触电阻。3.根据权利要求2所述的接触电阻的测量方法，其特征在于，所述接触电阻的测量方法还包括以下步骤:根据公式V’ /I’ = R计算出所述电阻R的大小。4.根据权利要求3所述的接触电阻的测量方法，其特征在于，所述接触电阻的测量方法还包括以下步骤:根据公式V/1-V’ /I’ = R^R2计算出所述接触电阻。5.根据权利要求1至4中任一项所述的接触电阻的测量方法，所述电阻R包括电阻本体和用于连接所述电阻本体以及所述两个相邻焊垫的金属层，其特征在于，所述接触电阻的测试方法还包括以下步骤:在所述两个相邻焊垫之间增加所述电阻本体和所述金属层。6.根据权利要求1至4中任一项所述的接触电阻的测量方法，所述电阻R包括多晶硅和用于连接所述多晶硅以及所述两个相邻焊垫的金属层，其特征在于，所述接触电阻的测试方法还包括以下步骤:在所述两个相邻焊垫之间增加所述多晶硅和所述金属层。7.根据权利要求1至4中任一项所述的接触电阻的测量方法，所述电阻R包括有源区和用于连接所述有源区以及所述两个相邻焊垫的金属层，其特征在于，所述接触电阻的测试方法还包括以下步骤:在两个相邻所述焊垫之间增加所述有源区和所述金属层。8.—种测试结构，其特征在于，应用权利要求1至7中任一项所述的接触电阻的测试方法测量所述热载流子注入实验中所述焊垫和所述探针之间的接触电阻。9.根据权利要求8所述的测试结构，其特征在于，所述测试结构包括连接于所述两个相邻焊垫上的电压表和串接于所述两个相邻焊垫之间的电阻R。10.根据权利要求9所述的测试结构，其特征在于，所述测试结构包括用于测量所述总电阻大小的第一状态和用于测量所述电阻R的大小的第二状态。11.根据权利要求9所述的测试结构，其特征在于，所述电阻R包括设置于所述两个相邻焊垫之间的电阻本体和用于连接所述电阻本体与所述两个相邻焊垫的金属层。12.根据权利要求9所述的测试结构，其特征在于，所述电阻R包括设置于所述两个相邻焊垫之间的多晶硅和用于连接所述多晶硅与所述两个相邻焊垫的金属层。13.根据权利要求9所述的测试结构，其特征在于，所述电阻R包括设置于所述两个相邻焊垫之间的有源区和用于连接所述有源区与所述两个相邻焊垫的金属层。
【专利摘要】本申请提供了一种接触电阻的测量方法和测试结构，用于测试热载流子注入实验中探针和焊垫之间的接触电阻，包括以下步骤：在两个相邻焊垫之间设置电阻R；对两个相邻焊垫施加第一电压V并测量出对应的第一电流I；根据第一电压V和第一电流I计算出两个相邻焊垫之间的总电阻；对与两个相邻焊垫相邻的焊垫施加第二电流Iˊ并测量出电阻R对应的第二电压Vˊ；根据第二电压Vˊ和第二电流Iˊ计算出电阻R的大小；根据总电阻以及电阻R的大小计算出接触电阻的大小。应用本申请接触电阻的测试方法，利用差值计算接触电阻的大小，能有效节约测试时间和测试样本，达到降低工作成本的目的。
【IPC分类】G01R27/08
【公开号】CN105092976
【申请号】CN201410193209
【发明人】单文光, 周华阳, 宋永梁
【申请人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
【公开日】2015年11月25日
【申请日】2014年5月8日