孔，加压柱4通过螺纹与上述螺纹孔连接，上镀金圆盘5设置在加压柱4底部，固定柱11 一端与底座I中心通过螺纹连接，另一端设有下镀金圆盘6，上镀金圆盘5和下镀金圆盘6的平滑表面相对，谐振环10设置在下镀金圆盘6上，待测BST陶瓷设置在谐振环10内，X轴精密位移平台7和Y轴精密位移平台8对称设置在下镀金圆盘6两侧的底座I上，两根探针9分别设置在X轴精密位移平台7和Y轴精密位移平台8上，探针9伸入谐振环10。本实施例中，底板I采用十字形底板，四根支柱2分布在十字形向外延伸的端部。故图1中支柱2将加压柱4遮挡，现进行局部剖视才可见。
[0023]所述谐振环10侧壁对称开有2个通孔。
[0024]所述探针9头部设有辐射接收天线，辐射接收天线伸入谐振环10侧壁的通孔。
[0025]还包括高压发生器12，高压发生器12的导线从加压柱4内伸入，与待测BST陶瓷表面连接，向待测BST陶瓷供电。
[0026]一种测量BST陶瓷在X波段的介电常数和介电损耗的方法:
步骤1、将待测BST陶瓷固定在谐振环10内，上镀金圆盘5和下镀金圆盘6的平滑表面将谐振环10压紧，并将探针9头部伸入谐振环10的通孔。
[0027]步骤2、谐振环10产生谐振，探针9头部采集谐振频率。
[0028]步骤3、通过谐振频率，得到介电常数和介电损耗。
[0029]一种测量BST陶瓷在X波段的调谐率的方法:
步骤a、制作待测BST陶瓷组:
将两个待测BST陶瓷的顶面和底面分别镀银，并将两个待测BST陶瓷重叠，得到待测BST
陶瓷组。
[0030]步骤b、将待测BST陶瓷组，固定在谐振环10内，上镀金圆盘5和下镀金圆盘6的平滑表面将谐振环10压紧，并将探针9头部伸入谐振环10的通孔。
[0031]步骤C、将高压发生器12的正极与待测BST陶瓷组的重叠面连接，负极分别与待测BST陶瓷组顶面和底面连接。
[0032]步骤d、改变高压发生器12的输出电压。
[0033]步骤e、谐振环10产生谐振，探针9头部采集谐振频率。
[0034]步骤f、通过采集的到的不同谐振频率，得到介电常数变化率，即为调谐率。
【主权项】
1.一种测量BST陶瓷在X波段的参数的装置，其特征在于:包括底座(1)、支柱(2)、顶板(3)、加压柱(4)、上镀金圆盘(5)、下镀金圆盘(6)、X轴精密位移平台(7)、Y轴精密位移平台(8)、探针(9)、谐振环(10)和固定柱(11)，支柱(2)—端与底座(I)固连，另一端与顶板(3)固连，顶板(3)中心设有螺纹孔，加压柱(4)通过螺纹与上述螺纹孔连接，上镀金圆盘(5)设置在加压柱(4)底部，固定柱(II)一端与底座(I)中心固连，另一端设有下镀金圆盘(6)，上镀金圆盘(5)和下镀金圆盘(6)的平滑表面相对，谐振环(10)设置在下镀金圆盘(6)上，待测BST陶瓷设置在谐振环(10)内，X轴精密位移平台(7)和Y轴精密位移平台(8)对称设置在下镀金圆盘(6)两侧的底座(I)上，两根探针(9)分别设置在X轴精密位移平台(7)和Y轴精密位移平台(8)上，探针(9)伸入谐振环(10)。2.根据权利要求1所述的测量BST陶瓷在X波段的参数的装置，其特征在于:所述谐振环(10)侧壁对称开有2个通孔。3.根据权利要求2所述的测量BST陶瓷在X波段的参数的装置，其特征在于:所述探针(9)头部设有辐射接收天线，辐射接收天线伸入谐振环(10)侧壁的通孔。4.根据权利要求1所述的测量BST陶瓷在X波段的参数的装置，其特征在于:还包括高压发生器(12)，高压发生器(12)的导线从加压柱(4)内伸入，与待测BST陶瓷表面连接，向待测BST陶瓷供电。5.—种测量BST陶瓷在X波段的介电常数和介电损耗的方法，其特征在于，方法步骤如下: 步骤1、将待测BST陶瓷固定在谐振环(10)内，上镀金圆盘(5)和下镀金圆盘(6)的平滑表面将谐振环(10)压紧，并将探针(9)头部伸入谐振环(10)的通孔； 步骤2、谐振环(10)产生谐振，探针(9)头部采集谐振频率； 步骤3、通过谐振频率，得到介电常数和介电损耗。6.一种测量BST陶瓷在X波段的调谐率的方法，其特征在于，步骤如下: 步骤a、制作待测BST陶瓷组: 将两个待测BST陶瓷的顶面和底面分别镀银，并将两个待测BST陶瓷重叠，得到待测BST陶瓷组； 步骤b、将待测BST陶瓷组，固定在谐振环(10)内，上镀金圆盘(5)和下镀金圆盘(6)的平滑表面将谐振环(10)压紧，并将探针(9)头部伸入谐振环(10)的通孔； 步骤c、将高压发生器(12)的正极与待测BST陶瓷组的重叠面连接，负极分别与待测BST陶瓷组顶面和底面连接； 步骤d、改变高压发生器(12)的输出电压； 步骤e、谐振环(10)产生谐振，探针(9)头部采集谐振频率； 步骤f、通过采集的到的不同谐振频率，得到介电常数变化率，即为调谐率。
【专利摘要】本发明公开了一种测量BST陶瓷在X波段的参数的装置及方法，包括底座、支柱、顶板、加压柱、上镀金圆盘、下镀金圆盘、X轴精密位移平台、Y轴精密位移平台、探针、谐振环和固定柱，支柱一端与底座固连，另一端与顶板固连，顶板中心设有螺纹孔，加压柱通过螺纹与上述螺纹孔连接，上镀金圆盘设置在加压柱底部，固定柱一端与底座中心固连，另一端设有下镀金圆盘，上镀金圆盘和下镀金圆盘的平滑表面相对，谐振环设置在下镀金圆盘上，待测BST陶瓷设置在谐振环内，X轴精密位移平台和Y轴精密位移平台对称设置在下镀金圆盘两侧的底座上，两根探针分别设置在X轴精密位移平台和Y轴精密位移平台上，探针伸入谐振环。本发明可以对BST陶瓷材料X波段介电常数、介电损耗和调谐率的精确测量。
【IPC分类】G01R27/26
【公开号】CN105445563
【申请号】CN201510951725
【发明人】李文魁, 冉立新, 宁勇, 徐青, 徐宁, 侯文栋, 杨树树, 吕超峰, 王经纬
【申请人】中国航天科工集团八五一一研究所
【公开日】2016年3月30日
【申请日】2015年12月17日