1.一种低电压纳瓦量级全CMOS电流模式基准电压源，其特征是，包括启动电路、IPTATa基准电流源电路、IPTATb基准电流源电路和温度补偿电路；
启动电路连接到IPTATa基准电流源电路和IPTATb基准电流源电路，并在基准电压源开启时提供电流，使得基准电压源摆脱简并偏置点，进入正常工作状态；
IPTATa基准电流源电路产生一个偏置电流IPa，为温度补偿电路提供电流偏置；
IPTATb基准电流源电路产生一个偏置电流IPb，为温度补偿电路提供电流偏置；
温度补偿电路将IPTATa基准电流源电路和IPTATb基准电流源电路所产生的与温度成正比的偏置电流IPa和IPb分别以不同倍数后作差，得到一个与温度无关的基准电流IREF，并驱动温度补偿电路中MOS管得到一个不受电源电压和温度变化影响的输出电压。
2.根据权利要求1所述的一种低电压纳瓦量级全CMOS电流模式基准电压源，其特征在于：启动电路由MOS管M1-M5和电容C1组成；
MOS管M1和MOS管M2的源极接电源VDD；MOS管M1-M5的栅极，MOS管M2的漏极，以及电容C1的上极板相连；MOS管M1和MOS管M5的漏极相连，并连接到MOS管M3和MOS管M4的源极；MOS管M3的漏极形成启动电路的启动输出端set_Ipa，并接至IPTATa基准电流源电路；MOS管M4的漏极形成启动电路的启动输出端set_Ipb，并接至IPTATb基准电流源电路；MOS管M5的源极和电容C1的下极板连接到地GND。
3.根据权利要求1所述的一种低电压纳瓦量级全CMOS电流模式基准电压源，其特征在于：IPTATa基准电流源电路由MOS管M27-M45组成；
MOS管M27-M30的源极连接到电源VDD；MOS管M27-M30的栅极连接MOS管M28的漏极和MOS管M32的源极，并形成IPTATa基准电流源电路的偏置电流输出端Ipa1，并连接温度补偿电路的MOS管M18的栅极；MOS管M27的漏极和MOS管M31的源极相连；MOS管M29的漏极和MOS管M33的源极相连；MOS管M30的漏极和MOS管M34的源极相连；MOS管M31-M34的栅极连接MOS管M32、M36的漏极，并形成IPTATa基准电流源电路的偏置电流输出端Ipa2，并接至温度补偿电路的MOS管M21的栅极；MOS管M35-M38的栅极相连，并连接到MOS管M31、M35的漏极，并形成IPTATa基准电流源电路的启动输入端set_Ipa，接至启动电路；MOS管M33、M37的漏极相连；MOS管M34、M38的漏极相连；MOS管M39、M43、M45的栅极相连，并连接到MOS管M35的源极和MOS管M39的漏极；MOS管M39-M40的源极相连，并连接到MOS管M43的漏极；MOS管M36的源极和MOS管M40的漏极相连；MOS管M40-M41的栅极相连，并连接到MOS管M37的源极和MOS管M41的漏极；MOS管M41-M42的源极相连，并连接到MOS管M44的漏极；MOS管M42、M44的栅极相连，并连接到MOS管M38的源极和MOS管M42的漏极；MOS管M43-M44的源极相连，并连接到MOS管M45的漏极；MOS管M45的源极连接到地GND。
4.根据权利要求1所述的一种低电压纳瓦量级全CMOS电流模式基准电压源，其特征在于：IPTATb基准电流源电路由MOS管M6-M17组成；
MOS管M6-M8的源极连接到电源VDD；MOS管M6-M8的栅极相连，并连接到MOS管M6的漏极和MOS管M9的源极；MOS管M7的漏极和MOS管M10的源极相连；MOS管M8的漏极和MOS管M11的源极相连；MOS管M9-M11的栅极相连，并连接到MOS管M9、M12的漏极；MOS管M12-M13的栅极相连，并连接到MOS管M10、M13的漏极，形成IPTATb基准电流源电路启动输入端set_Ipb，接至启动电路；MOS管M12的源极和MOS管M14的漏极相连；MOS管M14-M15的栅极相连，并连接到MOS管M13的源极和MOS管M15的漏极；MOS管M14的源极和MOS管M16的漏极相连；MOS管M16-M17的栅极连接MOS管M11、M17的漏极，并形成IPTATb基准电流源电路的偏置电流输出端Ipb1，并接至温度补偿电路；MOS管M15-M17的源极连接到地GND。
5.根据权利要求1所述的一种低电压纳瓦量级全CMOS电流模式基准电压源，其特征在于：温度补偿电路由MOS管M18-M26和电容C2组成；
MOS管M18-M20的源极连接到电源VDD；MOS管M18的栅极形成温度补偿电路的偏置电流输入端Ipa1，并接至IPTATa基准电流源电路；MOS管M18的漏极和MOS管M21的源极相连；MOS管M19-M20的栅极相连，并连接到MOS管M19的漏极和MOS管M22的源极；MOS管M20的漏极和MOS管M23的源极相连；MOS管M21的栅极形成温度补偿电路的偏置电流输入端Ipa2，并接至IPTATa基准电流源电路；MOS管M22-M23的栅极相连，并连接到MOS管M21、M22、M26的漏极；MOS管M24-M25的栅极相连，并连接到MOS管M23-M24的漏极；MOS管M24的源极和MOS管M25的漏极相连，并连接到电容C2的上极板，作为温度补偿电路即整个基准电压源的输出端；MOS管M26的栅极形成偏置电流输入端Ipb1，并接至IPTATb基准电流源电路；MOS管M25-M26的源极和电容C2的下极板连接到地GND。
6.根据权利要求5所述的一种低电压纳瓦量级全CMOS电流模式基准电压源，其特征在于：MOS管M24为标准电压为1.8V的MOS管，MOS管M25为标准电压为3.3V的MOS管。