技术总结
本发明公开一种低电压纳瓦量级全CMOS电流模式基准电压源，其特征是，包括启动电路、IPTATa基准电流源电路、IPTATb基准电流源电路和温度补偿电路；启动电路连接到IPTATa基准电流源电路和IPTATb基准电流源电路，并在基准电压源开启时提供电流，使得基准电压源摆脱简并偏置点；IPTATa基准电流源电路和IPTATb基准电流源电路分别产生一个偏置电流为温度补偿电路提供电流偏置；温度补偿电路将2个偏置电流分别以不同的倍数作差，得到一个与温度无关的基准电流，并驱动温度补偿电路中MOS管得到一个不受电源电压和温度变化影响的输出电压。本发明具有功耗低、版图面积小、器件与标准CMOS工艺匹配、温度系数低和电源电压抑制比高的特点。
技术研发人员：段吉海;孔令宝;朱智勇;徐卫林;韦保林
受保护的技术使用者：桂林电子科技大学
文档号码：201611234699
技术研发日：2016.12.28
技术公布日：2017.03.22