技术总结
本实用新型公开一种不受温度电压影响的固定延迟电路，其电路结构包括电流源和多级反相器延迟单元。所述反相器延迟单元包括至少两个NMOS管M5,M6、至少两个PMOS管M7,M8。所述电流源的电路结构包括至少两个NMOS管M1,M2、至少两个PMOS管M3,M4、以及电阻RS。本实用新型的电路使用一个不受电源电压影响的电流源电路产生参考两组电压(所有MOS工作于饱和状态)，分别接入控制反相器延迟单元的上端PMOS管M8和下端NMOS管M5来控制反相器充放电的电流，并通过改变电阻Rs和β的大小来调节补偿环境温度变化对电流源电路和反相器延迟单元的影响，通过选取合适的电流大小补偿电源电压变化对反相器延迟的影响，从而实现对于环境温度和电源电压变化，延迟时间仍然保持恒定。
技术研发人员：刘伟康;林家妤
受保护的技术使用者：北京矽成半导体有限公司
技术研发日：2018.12.05
技术公布日：2019.08.13