专利名称：电源电路的制作方法
技术领域：
本发明涉及一个电源电路中的电压控制，特别地涉及通过利用来自于产生低压和高压的传统电源的电压、用于给一个电子仪器提供电能的电源电路中的电压控制。
背景技术：
一些电子仪器能够使用多个电源。在这样的电子仪器中，有必要把各种电压变换成稳定的电压，且去使用该恒定电压。因此，在这样的电子仪器中，用于降低来自于电源的电压的降压电路和用于升高来自于电源的电压的升压电路被一起使用。
一个使用恒定电压的传统电路通常包括一个用于升高来自于电源的、而低于输出电压的电压的升压电路；传统电路还包括一个用于降低来自于另一个电源的、而高于输出电压的电压的降压电路。在这样的一个电路中，能量损耗往往较大，主要是因为在降压电路中用于降低电压使用系列调节器所产生的热量损耗。
另一方面，当仅仅使用降压电路和升压电路中的一个时，可能会发生关于电源的一些问题。例如，在仅仅使用一个降压电路和一个产生比输出电压高的输入电压的电池组的情况下，当输入电压变得低于输出电压时，由于长时间使用电池的结果使输入电压降低，具有降压电路的电子仪器可能会突然停止工作。这是因为由于缺少升压电路而不能使输入电压恢复到一个可接受的电平。
发明内容
因此，本发明的一个目的是提供一个电源电路，该电源电路根据电源电压的量值通过有选择地运行一个升压电路和一个降压电路而能够有效地提供恒定电压的。
根据本发明的一个电源电路是用于基于输出电压产生一个标准电压。所述电源电路包括一个降压电路、一个升压电路、一个电压确定器、一个电压输出单元、和一个电路调节器。当输入电压大于标准电压时，降压电路将输入电压降低到标准电压。当输入电压小于标准电压时，升压电路将输入电压升高到标准电压。电压确定器确定输入电压是大于还是小于标准电压。电压输出单元接收输入电压，且当电压确定器确定输入电压大于标准电压时输出所述输入电压作为一个电源电压，且当电压确定器确定输入电压小于标准电压时不输出电压。电路调节器能够检测电源电压，且当电源电压被检测时启动降压电路，且当电源电压不被检测时启动升压电路。
电路调节器可以包括第一电压加载器，当电压确定器确定输入电压大于标准电压时该第一电压加载器不给升压电路加载电压，且当电压确定器确定输入电压小于标准电压时该第一电压加载器将输入电压加载到升压电路。所述第一电压加载器可以包括一个N沟道FET。
电源电路可以进一步包括一个电压控制器，当将电源电压提供给电压控制器时该电压控制器不将电压加载到第一电压加载器，且当不将电源电压提供给电压控制器时该电压控制器将电压加载到第一电压加载器，因此电压控制器通过第一电压加载器控制加载到升压电路的电压。电压控制器可以包括彼此互相连接的第一和第二晶体管。
电源电路可以进一步包括用于启动电源电路的开关，且当开关闭合时能将标准电压加载到第一晶体管。
当电源电路工作时，通过外部电源能经常将一个恒定电压加载到第二晶体管。且当不将输入电压加载到电压控制器时，电压控制器能够将恒定电压加载到第一电压加载器。
电路调节器能够进一步包括第二电压加载器，当将电源电压加载到第二电压加载器时该第二电压加载器不将电压加载到升压电路，且当不将电源电压加载到第二电压加载器时该第二电压加载器将标准电压加载到升压电路。所述第二电压加载器能够进一步包括一个连接在电压输出单元和升压电路之间的第三晶体管。
电源电路能够进一步包括一个与第三晶体管和升压电路连接的的开关，该开关用于启动电源电路。且当开关闭合时能将标准电压加载到第三晶体管和升压电路。第三晶体管可以连接到地。
电源电路能够进一步包括第三电压加载器，当将电源电压加载到第三电压加载器时该第三电压加载器将电源电压加载到降压电路，且当不将电源电压加载到第三电压加载器时该第三电压加载器不将电源电压加载到降压电路。
所述第三电压加载器能够包括彼此互相连接的第四和第五晶体管。
电源电路能够进一步包括一个用于启动电路的开关，且当开关闭合时将标准电压加载到第四晶体管。
当将电源电压加载到第五晶体管时，该第五晶体管可以将电源电压加载到降压电路，且当不将电源电压加载到第五晶体管时，该第五晶体管不将电源电压加载到降压电路。
电路调节器能够包括第一电压加载器、一个电压控制器、第二电压加载器和第三电压加载器、和一个用于将标准电压加载到电路调节器的开关。
当电压确定器确定输入电压大于标准电压时第一电压加载器不将电压加载到升压电路，且当电压确定器确定输入电压小于标准电压时第一电压加载器将输入电压加载到升压电路。
当将电源电压提供给电压控制器时电压控制器不将电压加载到第一电压加载器，且当不将电源电压提供给电压控制器时电压控制器将电压加载到第一电压加载器，因此电压控制器通过第一电压加载器控制加载到升压电路的电压。
当将电源电压加载到第二电压加载器时第二电压加载器不将电压加载到升压电路，且当不将电源电压加载到第二电压加载器时第二电压加载器将标准电压加载到升压电路。
当将电源电压加载到第三电压加载器时第三电压加载器将电源电压加载到降压电路，且当不将电源电压加载到第三电压加载器时第三电压加载器不将电压加载到降压电路。
并且电压控制器、第二电压加载器和第三电压加载器分别连接到电压输出单元和连接到降压电路的一个输出端子和升压电路的一个输出端子。当开关闭合时，将标准电压加载到电路调节器，因此电压控制器、第二电压供应器、和第三电压供应器根据由电压输出单元输出的电源电压进行工作，且当开关断开时，不将标准电压加载到电路调节器，因此电压控制器、第二电压加载器、和第三电压加载器不工作，而这与由电压输出单元输出的电源电压无关。
从下面与附图一起进行阐述的本发明的优选实施例的描述来看，将能更好地理解本发明，其中图1是本发明的实施例的电源电路的一个框图；图2是一个时序表，其表示当电源电路中的致能开关处于闭合状态时在每一个端子上的电压的变化，和图3是一个时序表，其表示当电源电路中的致能开关处于断开状态时在每一个端子上的电压的变化。
具体实施例方式
在下文中，参照附图对本发明的优选实施例进行描述。
图1是本发明的实施例的电源电路的框图。图2和图3是时序表，表示当电源电路中的致能开关分别处于闭合和断开状态时在每一个端子上的电压的变化。
在一个数码相机(没有显示)中提供了一个电源电路10，且其有一个电池组14、第一到第三数字晶体管16到18、一个N沟道MOSFET20、一个升压电路40、一个降压电路50和一个电压检测装置60(见图1)。尽管电池组14通常输入一个电压，当一个USB电源13通过USB端子12连接到电源电路10时，所述USB电源13代替电池组14给电源电路10输入一个电压。电池组14的输入电压和USB电源13分别是1.8(V)和5(V)。
来自USB电源13和电池组14的输入电压，经由第一到第三数字晶体管16到18、N轨道MOSFET20和电压检测装置60，被加载到升压电路40或者降压电路50，或者其被直接加载到升压电路40或者降压电路50。电源电路10在这两种情况下均控制电压，也就是说在USB电源13输入电压的情况下和在电池组14输入电压的另一种情况下，因此从输出端子24输出一个恒定的电压3.3(V)(一个标准电压)，而与输入电压无关。应注意到，提供于数码相机以及电源电路10中的一个马达驱动电源电路70将一个恒定电压5(V)输出到电源电路10。
在电源电路10中，提供了一个致能开关26。当用户将致能开关26闭合时，从输出端子24输出出来的标准电压的上拉电压被加载到第一到第三数字晶体管16到18(见图2中的T0)。然而，当没有从输出端子24输出电压时，将来自于USB电源13或电池14的另一个上拉电压加载到第一到第三数字晶体管16到18。
当致能开关26闭合时，USB电源13连接到电源电路10，并且将一个比标准电压大的一个电压5(V)提供给电源电路10，因此电源电路10是处于“高电压控制状态(I)”(见图2)。在该“高电压控制状态(I)”，仅降压电路50起作用。另一方面，当致能开关26闭合并且由电池14将一个比标准电压小的一个电压1.8(V)提供给电源电路10时，电源电路10改变为“低电压控制状态(II)”(见图2)。在此情况下，仅升压电路40工作。
当致能开关26断开时，不但在由USB电源13将一个5(V)电压加载到电源电路10的“高压状态(III)”下，并且在由电池14将一个1.8(V)电压加载到电源电路10的“低压状态(IV)”下，来自于输出端子24的输出电压为0(V)(见图3)。下面解释在这些状态中的每个状态下的电源电路的操作。
在“高电压控制状态(I)”下，致能开关26闭合，USB电源电路13将一个5(V)电压加载到电压检测装置60、降压电路50和N沟道MOSFET20(T1)。在电压检测装置60中，提供一个电压检测单元62。当加载到电压检测单元62的输入端子Vin的输入电压被确定为大于标准电压3.3(V)时，电压检测单元62输出输入电压作为从输出端子Vout的电源电压。并且当加载到电压检测单元62的输入端子Vin的输入电压被确定为小于标准电压3.3(V)时，电压检测单元62不从输出端子Vout输出电压。因此，当将一个5(V)电压加载到电压检测装置60时，从输出端子Vout输出5(V)电源电压(T2)。
将从输出端子Vout输出的5(V)电源电压加载到第一数字晶体管16的端子A1(T3)。在此，由于致能开关26闭合，如上所述，将一个3.3(V)电压加载到第一数字晶体管16的端子A2(T4)。这样的结果为，集电极电流不流进包括于第一数字晶体管16中的第一晶体管27，由于在第一晶体管27的基极和发射极之间以反向加载一个电压。因此，第二晶体管28改变为断开状态，并且没有从端子A3输出电压，由于基极电流没有流进包括于第一数字晶体管16的第二晶体管28(T5)。
N沟道MOSFET20具有作为栅极的端子B1、作为源极的端子B2和作为漏极的端子B3。栅极端子B1连接到第一数字晶体管16的端子A3，在此情况下，没有将电压加载到端子B1(T6)。因此，N沟道MOSFET20处于断开状态，并且虽然将来自USB电源13的5(V)电压加载到了漏极端子B3(T7)，但是没有从源极端子B2输出电压(T8)。
另一方面，由于致能开关26为闭合(T9)，将3.3(V)加载到第二数字晶体管17的端子C2。此外，将来自于电压检测单元62的输出端子Vout的一个5(V)电压加载到第二数字晶体管17的端子C4(T10)。结果，集电极电流经由端子C6流到第二数字晶体管17的第三晶体管29，而基极电流经由端子C5流到第二数字晶体管17的第四晶体管30。然后，由于在第四晶体管30的基极和集电极之间按正向加载电压，第四晶体管变为接通，并且将5(V)经由端子C3加载到降压电路50(T11)。
降压电路50具有一个降压DC转换器52和一个包括两个P沟道MOSFET的双MOSFET54。包括于双MOSFET54的第一P沟道MOSFET具有第一栅极端子G1、第一源极端子S1和第一漏极端子D1，而第二P沟道MOSFET具有第二栅极端子G2、第二源极端子S2和第二漏极端子D2。当将来自于第二数字晶体管17的端子C3的5(V)加载到降压DC转换器52的端子CE，并且将来自于USB电源13的一个电压加载到端子VDD时，从端子EXT将一个具有5(V)幅度的控制脉冲提供给第一和第二端子G1和G2。
在双MOSFET54中，将来自于USB电源13的5(V)加载到第一源极端子S1，然后漏极电流流进第一P沟道MOSFET。由于漏极电流流到了第二P沟道MOSFET的第二漏极端子D2，来自于第二源极端子S2的电流流到升压电路40中的第一电容36，并且第一电容36被充电。注意到，来自于第二源极端子S2而流到第一电容36的电流由第一肖特基二极管51和第一线圈34进行平滑。
在被第二线圈53和第二电容41平滑之后，从输出端子24输出在第一电容36处由电荷产生的电压。降压转换器52的反馈端子FB检测被第一和第二电阻47和48分压而成的第一电容36的被分压的电压。对来自于降压DC转 换器52的端子EXT而被加载到双MOSFET54的第一和第二栅极端子G1和G2的电压的负荷比进行调整，致使由输出端子24输出的输出电压(标准电压)变为一个3.3(V)恒定电压。注意到，原因为双MOSFET54具有第一与第二P沟道MOSFET，阻止了来自于升压电路40的电流的反向流动。
将来自于第二电压确定电路62的输出端子Vout的5(V)电压加载到第三数字晶体管18的端子D1及第二数字晶体管17的端子C4(T12)。因此，基极电流流到第三数字晶体管18的第五晶体管31，集电极电流也流流到第三数字晶体管18的第五晶体管31，由于发射极连接到了地32并且第三数字晶体管17地端子D3被短接到地32(T13)。即，由于第三数字晶体管18处于接通状态，没有电压加载到升压电路40，致使在“高电压控制状态(I)”下升压电路40不能工作。
对上述描述进行总结，在“高电压控制状态(I)”下，升压电路40中的升压DC转换器42和MOSFET44不工作，并且输入到电源电路10的5(V)电压被降压电路所降压，致使由输出端子24输出恒定电压3.3(V)(T14)。
当电源从USB电源切换到电池14时，状态从“高电压控制状态(I)”改变为“低电压控制状态(II)”。在“低电压控制状态(II)”下，将一个1.8(V)电压加载到电压检测装置60、降压电路50和N沟道MOSFET20(T15)。当将1.8(V)(小于3.3(V))加载到电压检测装置60的输入端子Vin时，如上所述没有从输出端子Vout输出电压(T16)，并且没有电压加载到第一数字晶体管16的端子A1(T17)。
致能开关26在此时闭合，而后将3.3(V)加载到第一数字晶体管16的端子A2(T4)。这样的结果为，在第一晶体管27中，在基极和集电极之间按反向加载一个电压，并且集电极电流流动。由于在第一晶体管27处的集电极电流，基极电流在第二晶体管28流动，并且将来自于电机驱动电源电路70的5(V)加载到第一晶体管16的端子A4，致使从第三晶体管28的端子A3输出一个5(V)电压(T18)。
因此，将5(V)加载到N沟道MOSFET20的栅极端子B1(T19)，并且也将来自于电池14的1.8(V)加载到漏极端子B3(T20)，致使将来自于源极端子B2的1.8(V)加载到升压电路40的第三电容43(T21)。即，N沟道MOSFET20接通。N沟道MOSFET20能有效地将电源电压从初级电源的电池加载到升压电路40，由于N沟道MOSFET20的电阻很低，并且栅极电压也很低，为1.8(V)。
另一方面，虽然将3.3(V)加载到了第二数字晶体管17的端子C2(T9)，但是没有将来自于电压检测单元62的输出端子Vout的电压加载到端子C4(22)。这样的结果为，集电极电流没有流到第四晶体管30，并且没有将来自于端子C3的电压加载到降压电路50(T23)。即，在“低电压控制状态(II)”下，第二数字晶体管断开，并且降压电路50不工作。
在此时，由于没有加载来自于电压检测单元62的输出端子Vout的电压(T16)，第三数字晶体管18的端子D1的电压是0(V)(T24)。这样的结果为，由于致能开关26的闭合状态和第三电阻49的上拉(T25)，第三数字晶体管断开，并且端子D3上的电压变为3.3(V)。而后，将3.3(V)加载到升压电路40的升压DC转换器42。
当将3.3(V)加载到升压DC转换器42的端子CE，并且将来自于电机驱动电源电路70的电压加载到端子VDD时，升压DC转换器42将一个具有5(V)幅度的控制脉冲从端子EXT输出到MOSFET44的栅极端子G。MOSFET44是一个具有四个漏极端子的N沟道MOSFET，这些端子为用于有效地释放热量的第一到第四端子D1到D4，并且当将电压加载到栅极端子G时，电流从第一端子D1流到第四端子D4。当将来自降压DC转换器52的端子EXT的电压加载到MOSFET44的端子EXT时，电流从第二线圈45经由漏极和源极流到地GND。另一方面，当没有将来自降压DC转换器52的端子EXT的电压加载到MOSFET44时，存储在第二线圈45中的电能经由第二肖特基二极管55被提供给第一电容36。这样的结果为，对第一电容36进行充电。
注意到升压转换器42的反馈端子FB检测在第一电容处被第一和第二电阻47和48分压的的被分压电压，对来自于升压DC转换器42的端子EXT而被加载到双MOSFET44的栅极端子G的电压的负荷比进行调整，致使被第二线圈53和第二电容41平滑的电压变为一个恒定的3.3(V)。
对上述描述进行总结，当将1.8(V)电压输入进电源电路10时，降压电路50不工作，并且在“低电压控制状态(II)”下，由升压电路40对输入到电源电路10中的1.8(V)电压进行升压，致使由输出端子24输出电压3.3(V)(T14)。
在“高压状态(III)”下，其中USB电源13将一个电压加载到电源电路10，并且致能开关26断开(见图3)，由于没有上拉，没有电压加载到第一和第二数字晶体管16和17(T26)。将来自于USB电源电路13的一个5(V)电压加载到电压检测装置60、降压电路50和N沟道MOSFET20(T27)。然后，由于加载到电压检测单元62的输入端子Vin的电压是5(V)，大于标准电压3.3(V)，从输出端子Vout输出5(V)电压(T28)。
虽然将从电压检测装置60输出的5(V)电压加载到第一数字晶体管16的端子A1(T29)，但是没有电压加载到第一数字晶体管16的端子A2(T30)，因为致能开关为断开。结果为，在包括于第一数字晶体管16中的第一晶体管27，按反向在基极和发射极之间加载一个电压，并且集电极电流不流动。因此，在第一数字晶体管16的第二晶体管28，基极电流不流动，第一数字晶体管断开，并且没有从端子A3输出电压(T31)。
因此，在N沟道MOSFET20中，没有电压加载到栅极端子B1(T32)，并且将5(V)加载到漏极端子B3(T33)，致使没有从源极端子B2输出电压(T34)。
另一方面，由于致能开关26为断开没有电压加载到第二数字晶体管17的端子C2(T35)，并且集电极电流没有流到第三晶体管29(T36)。虽然将来自于输入端子Vout的5(V)加载到端子C4，但是集电极电流不流到第三晶体管29，致使基极电流不流到第四晶体管30，然后第四晶体管30断开。这样的结果为，没有将来自于端子C3的电压加载到降压电路50(T37)。因此，在“高压状态(III)”下降压电路50不起作用。
将来自于输出端子Vout的一个5(V)电压加载到第三数字晶体管18的端子D1(T38)。然后，由于第三数字晶体管18的发射极连接到地32，端子被短接至GND，与在“高电压控制状态(I)”下相同。另外，由于致能开关26断开，没有发生上拉，端子D3处的电压变成了GND电平(T39)，致使升压电路40不工作。
如上所述，虽然在“高压状态(III)”下将5(V)电压加载到了电源电路10，但是没有从输出端子24输出电压(T40)。这是因为没有电压加载到升压电路40和降压电路50。
另一方面，当状态已经改变为“低压状态(IV)”时，在“低压状态(IV)”下电池14将电压加载到电源电路10并且致能开关26断开，没有电压加载到第一和第二数字晶体管16和17(T26)，因为致能开关26是断开的。在此时，由于来自于电池的电压是1.8(V)(T41)，小于标准电压3.3(V)，所以没有通过电压检测装置60加载电压(T42)。因此，没有将来自于端子A3的电压加载到N沟道MOSFET20的端子B1，并且没有从N沟道MOSFET20的端子B2输出电压(T34)。
因为致能开关26是断开的(T35)，没有电压加载到端子C2，并且输出端子Vout没有将电压加载到端子C4(T43)。因此，没有将来自于第二数字晶体管17的端子C3的电压加载到降压电路50，致使在“低压状态(IV)”下降压电路50不能工作。
然后，由于没有将来自于输出端子Vout的电压加载到第三数字晶体管18的端子D1并且致能开关26断开，所以第三数字晶体管18断开。另外，由于致能开关26断开，没有发生上拉，端子D3处的电压变成了GND电平(T39)，致使升压电路40不工作。
如上所述，虽然在“低压状态(IV)”下将1.8(V)电压加载到了电源电路10，但是没有从输出端子24输出电压(T40)。这是因为没有电压加载到升压电路40和降压电路50。
注意到，电源电路10可由传统的元件构成。例如，第一和第二数据晶体管16和17可以是由ROHM CO.LTD.生产的“EMD6”。第三数据晶体管18可以是由ROHM CO.LTD.生产的“DTG124EM”，及N沟道MOSFET20可以是由VISHAY SILICONIX生产的“Si2312DS”，等等。另外，电压检测单元62可以是由TOREX SEMICONDUCTORLTD.生产的“XC61CC3302”，降压DC转换器52可以是由TOREXSEMICONDUCTOR LTD.生产的“XC6366D105MR”，双MOSFET54可以是由VISHAY SILICONIX生产的“Sil903DL”，升压DC转换器42可以是由TOREX SEMICONDUCTOR LTD.生产的“XC6368D105MR”，及MOSFET44可以是由VISHAY SILICONIX生产的“Sil406DH”。
如上所述，在本实施例中，以下述方式可以提供能有效地提供一个恒定电压的电源电路10，该方式为使升压电路40和降压电路50中的一个选择性地工作并且使另一个根据来自于电源的输入电压不工作，及使用第一到第三晶体管16到18、N沟道MOSFET20和电压检测装置60。并且当致能开关断开时，电源电路10不输出电压，这与来自于电源的输入电压无关，这是因为第一和第二数字晶体管16和17断开，并且升压电路40和降压电路50都不能工作。
从电源，如USB电源13和电池14加载到电源电路10的电压量并不限制本实施例的电压，只要一个大于从电源电路10输出的输出电压而另一个小于从电源电路10输出的输出电压就行。即，只要USB电源13输入大于3.3(V)的电压，及电池输出小于3.3(V)的电压，就能输入任意的电压量。另外，通过改变升压电路40和降压电路50的设计，可以调整从输出端子Vout输出的电压。
电源并不局限于USB电源13和电池14。例如，可以代替USB电源13而使用能提供大于标准电压的电压的另一电池。在此情况下，当由电池输入的电压低于输出电压时，结果为虽然由于长时间使用电池而引起输入电压逐步下降，却能输出恒定的电压。这是因为升压电路40自动地代替降压电路50工作。
USB电源13和电池14能结合起来使用。在此情况下，输入电压的量变成两个电源之间的电压，并且自动地选择升压电路40和降压电路50中的一个来改变输入电压，因此能输出恒定的电压。
最后，对于本领域普通技术人员来说可以理解为前面的描述是该装置的优选实施例，并且可以不脱离本发明的保护范围对本发明做出各种改变和修改。
权利要求
1.一个用于基于输入电压产生标准电压的电源电路，所述电源电路包括一个降压电路，当所述输入电压大于所述标准电压时，所述降压电路将所述输入电压降低到所述标准电压；一个升压电路，当所述输入电压小于所述标准电压时，所述升压电路将所述输入电压升高到所述标准电压的；一个电压确定器，其确定所述输入电压是大于还是小于所述标准电压的；一个电压输出单元，其接收所述输入电压，并且当所述电压确定器确定所述输入电压大于所述标准电压时输出所述输入电压作为一个电源电压，且当所述电压确定器确定所述输入电压小于所述标准电压时不输出电压；和一个电路调节器，其能够检测所述电源电压，当所述电源电压被检测时其启动所述降压电路并且当所述电源电压不被检测时其启动所述升压电路。
2.根据权利要求1所述的电源电路，其中所述电路调节器包括第一电压加载器，当所述电压确定器确定所述输入电压大于所述标准电压时第一电压加载器不给升压电路加载电压，且当所述电压确定器确定所述输入电压小于所述标准电压时第一电压加载器将输入电压加载到所述升压电路。
3.根据权利要求2所述的电源电路，其中所述第一电压加载器包括一个N沟道FET。
4.根据权利要求2所述的电源电路，进一步包括一个电压控制器，当将所述电源电压提供给所述电压控制器时所述电压控制器不给所述第一电压加载器加载电压，且当不将所述电源电压提供给所述电压控制器时所述电压控制器将电压加载到所述第一电压加载器，这样所述电压控制器控制由所述第一电压加载器加载到所述升压电路的电压。
5.根据权利要求4所述的电源电路，其中所述电压控制器包括一个第一晶体管；和与所述第一晶体管相连接的一个第二晶体管。
6.根据权利要求5所述的电源电路，进一步包括一个用于启动所述电源电路的开关；其中当所述开关闭合时将所述标准电压加载到所述第一晶体管。
7.根据权利要求5所述的电源电路，其中当所述电源电路工作时一个外部电源总是将一个恒定电压加载到所述第二晶体管，且当不将所述输入电压加载到所述电压控制器时所述电压控制器将所述恒定电压加载到所述第一电压加载器。
8.根据权利要求1所述的电源电路，其中所述电路调节器进一步包括一个第二电压加载器，当将所述电源电压加载到所述第二电压加载器时不给所述升压电路加载电压，且当不将所述电源电压加载到所述第二电压加载器时将所述标准电压加载到所述升压电路。
9.根据权利要求8所述的电源电路，其中所述第二电压加载器进一步包括一个连接在所述电压输出单元和所述升压电路之间的第三晶体管。
10.根据权利要求9所述的电源电路，进一步包括一个用于启动所述电源电路的开关，其连接到所述第三晶体管和所述升压电路；其中当所述开关闭合时将所述标准电压加载到所述第三晶体管和所述升压电路。
11.根据权利要求9所述的电源电路，其中所述第三晶体管连接到地。
12.根据权利要求1所述的电源电路，进一步包括第三电压加载器，当将所述电源电压加载到所述第三电压加载器时所述第三电压加载器将所述电源电压加载到所述降压电路，且当不将所述电源电压加载到所述第三电压加载器时所述第三电压加载器不给所述降压电路加载电压。
13.根据权利要求12所述的电源电路，其中所述第三电压加载器包括第四晶体管；和与所述第四晶体管相连接的第五晶体管。
14.根据权利要求13所述的电源电路，进一步包括一个用于启动所述电源电路的开关；其中当所述开关闭合时所述标准电压加载到所述第四晶体管。
15.根据权利要求13所述的电源电路，其中当将所述电源电压加载到所述第五晶体管时所述第五晶体管将所述电源电压加载到所述降压电路，且当不将所述电源电压加载到所述第五晶体管时不给所述降压电路加载电压。
16.根据权利要求1所述的电源电路，其中所述电路调节器包括第一电压加载器，当所述电压确定器确定所述输入电压大于所述标准电压时所述第一电压加载器不给所述升压电路加载电压，且当所述电压确定器确定所述电压小于所述标准电压时所述第一电压加载器将所述输入电压加载到所述升压电路；一个电压控制器，当将所述电源电压加载到所述电压控制器时所述电压控制器不给所述第一电压加载器加载电压，且当不将所述电源电压加载到所述电压控制器时所述电压控制器将电压加载到所述第一电压加载器，因此所述电压控制器控制由所述第一电压加载器加载到所述升压电路的电压；第二电压加载器，当将所述电源电压加载到所述第二电压加载器时所述第二电压加载器不给所述升压电路加载电压，且当不将所述电源电压加载到所述第二电压加载器时所述第二电压加载器将标准电压加载到所述升压电路；第三电压加载器，当将所述电源电压加载到所述第三电压加载器时所述第三电压加载器将所述电源电压加载到所述降压电路，且当不将所述电源电压加载到所述第三电压加载器时所述第三电压加载器不给所述降压电路加载电压；和一个用于将所述标准电压加载到所述电路调节器的开关；其中所述电压控制器、所述第二电压加载器和所述第三电压加载器分别连接到所述电压输出单元和连接到所述降压电路的一个输出端子和所述升压电路的一个输出端子；所述标准电压被加载到所述电路调节器，以致当所述开关闭合时所述电压控制器、所述第二电压加载器、和所述第三电压加载器按照由所述电压输出单元输出的所述电源电压进行工作；以及所述标准电压不被加载到所述电路调节器，以便当所述开关断开时所述电压控制器、所述第二电压加载器、和所述第三电压加载器不工作，而这与由所述电压输出单元输出的所述电源电压无关。
全文摘要
一个用于产生基于输入电压的标准电压的电源电路，包括一个降压电路、一个升压电路、一个电压确定器、一个电压输出单元、和一个电路调节器。当输入电压大于标准电压时，降压电路将输入电压降低到标准电压。当输入电压小于标准电压时，升压电路把输入电压升高到标准电压。电压确定器确定输入电压是大于还是小于标准电压。电压输出单元接收输入电压，且当电压确定器确定输入电压大于标准电压时输出输入电压作为一个电源电压，且当电压确定器确定输入电压小于标准电压时不输出电压。且电路调节器能够检测电源电压，当电源电压被检测时启动降压电路，且当电源电压不被检测时启动升压电路。
文档编号G06F1/26GK1690906SQ200510066160
公开日2005年11月2日 申请日期2005年4月21日 优先权日2004年4月21日
发明者垣内伸一 申请人:宾得株式会社