专利名称：一种有机薄膜晶体管电流-电压仿真模型的参数提取方法
技术领域：
本发明涉及有机半导体集成电路领域器件模型的參数提取技木，主要用于有机薄膜晶体管直流电流-电压特性模型的建立及參数提取。
背景技术：
近年来，以有机材料为基础的有机薄膜晶体管(OTFT)的发展非常迅速，其性能取得了很大的提高。由于其在エ艺和成本上的优越性，利用OTFT制作的以有机射频识别标签 (Organic RFID)为典型代表的有机集成电路得到了广泛的研究和关注。复杂集成电路的设计需要在生产、制造前先对其功能、性能进行评估，这需要通过电路仿真来完成，而有机电路仿真需要有相应的软件及能够准确描述OTFT性能的器件模型。因此，建立准确的OTFT 器件的模型对于能否利用通用的电路仿真软件来准确的模拟有机集成电路的性能，能否准确、有效的设计有机集成电路，最终实现大规模有机集成电路具有非常重要意义。电路模拟的精确度不仅与器件模型本身有关，还与器件模型參数值的准确性密切相关。因此，能否准确获得模型中的參数对于准确描述器件的性能起到至关重要的作用，模型參数的提取也就成为建模中的ー个重要环节。
发明内容
本发明要解决的技术问题是为所建立的OTFT直流电流-电压特性模型提供ー种准确的參数提取方法，以此准确描述OTFT直流电流-电压特性。为解决上述问题，本发明采取以下技术方案。一种有机薄膜晶体管电流-电压仿真模型的參数提取方法，包括以下步骤第一歩利用有机薄膜晶体管的直流电流-电压特性模型来准确描述有机薄膜晶体管的电流电压特性；有机薄膜晶体管的直流电流-电压特性模型
权利要求
1.一种有机薄膜晶体管电流-电压仿真模型的參数提取方法，其特征在干，包括以下步骤第一歩利用有机薄膜晶体管的直流电流-电压特性模型来准确描述有机薄膜晶体管的电流电压特性；有机薄膜晶体管的直流电流-电压特性模型
2.如权利要求1所述的ー种有机薄膜晶体管电流-电压仿真模型的參数提取方法，其特征在于第二步中的2)中的阈值电压VT，3)中的迁移率幂率參数Ya，4)中的场效应迁移率的特征电压Vaa的參数，6)中的弯曲调制參数m都是在线性工作区提取タ)中的饱和调制參数 α，7)中的沟道长度调制參数λ都是在晶体管工作在饱和区中提取。
3.由权利要求1所述的ー种有机薄膜晶体管电流-电压仿真模型的參数提取方法，其特征在于第二步中的1) 7)提取的所有參数都是对实验测试数据进行相应的处理，然后利用模型计算获得，ェ艺的影响已包含于參数的具体数值中，不需要再予以考虑。
全文摘要
一种有机薄膜晶体管电流-电压仿真模型的参数提取方法，涉及有机半导体集成电路领域器件模型的参数提取技术，提供了一种有机薄膜晶体管直流电流-电压特性模型的参数提取方法，主要包括以下步骤1)利用有机薄膜晶体管的直流电流-电压特性模型来准确描述其直流电流-电压特性；2)确定有机薄膜晶体管的直流电流-电压特性模型中需要提取的参数阈值电压VT，载流子迁移率幂律参数γa，场效应迁移率的特征电压Vaa，迁移率的饱和调制参数αsat，弯曲调制参数m，沟道长度调制参数λ，泄漏电流参数SIGMAA0；3)逐个确定各个参数的提取方法。利用有机薄膜晶体管的直流电流-电压特性模型的参数提取方法准确描述有机薄膜晶体管的电流-电压特性。
文档编号G06F17/50GK102592014SQ201110459200
公开日2012年7月18日 申请日期2011年12月31日 优先权日2011年12月31日
发明者尹飞飞, 徐征 申请人:北京交通大学