触控面板及其制备方法
【专利摘要】本发明公开了一种触控面板及其制备方法，该触控面板包括：一基板；一纳米银丝电极层，设置于该基板上，该纳米银丝电极层包括导接区域和非导接区域；一第一保护层，设置于该纳米银丝电极层上，且该第一保护层具有一导接孔，该导接孔对应于该导接区域；一第二保护层，设置于该第一保护层上，且该第二保护层具有一开孔，该开孔对应于该导接孔的位置；以及一导接线，设置于该第二保护层上，且该导接线通过该开孔及该导接孔连接该导接区域的纳米银丝电极层。采用本发明的触控面板，本避免单一保护过厚时蚀刻液无法渗透，以及过薄时纳米银丝层易被氧化和在基板上附着力差的问题，而且在采用不完全蚀刻的工艺时，可避免仅有第一保护层时，在保护层周边形成导接线连接纳米银丝电极层可能存在的短路问题。
【专利说明】触控面板及其制备方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及触控面板及其制备方法。
【背景技术】
[0002]传统的触控面板的感测电极材料较多的采用氧化铟锡(ITO)。近来由于铟矿的来源取得不易以及铟元素的日渐枯竭，使用不同的透明电极来取代氧化铟锡(ITO)成为一个热门的课题。其中使用纳米银丝SNW(Silver Nano-Wire)取代ITO为目前一种可行性的方案。然而，相较于ITO，SNW较易被氧化且SNW在玻璃或PET基板上附着力低，后续加工会存在良率问题。因此，如图1所示，在基板100形成纳米银丝层110之后，会再涂布另外一层保护层120覆盖纳米银丝层110，保护层120可隔绝部分空气，进而提高纳米银丝层110的抗氧化能力。分散于基板100上的纳米银丝层110自身具有一定疏密度，保护层120可通过纳米银丝层110自身的间隙与基板100接触，进而可通过保护层120与基板110较佳的附着力来提高纳米银丝层120在基板110上的附着力。
[0003]然而，保护层太厚或太薄，均存在设计上的缺陷:
[0004]如果保护层过厚:
[0005]在纳米银丝层形成电极图形时，蚀刻工艺中蚀刻液较难渗透保护层对SNW进行蚀刻。
[0006]如果保护层太薄:
[0007]纳米银丝层的抗氧化能力下降，而且保护层与基板的接合效果亦将减弱，进而导致纳米银丝层在基板上的附着力下降，因此会影响制造后产品的良率。
【发明内容】
[0008]本发明的所要解决的技术问题在于提供一种触控面板及其制备方法，以解决现有技术中单一保护层太厚和太薄存在的问题。
[0009]本发明提供一种触控面板，该触控面板包括:一基板；一纳米银丝电极层，设置于该基板上，该纳米银丝电极层包括导接区域和非导接区域；一第一保护层，设置于该纳米银丝电极层上，且该第一保护层具有一导接孔，该导接孔对应于该导接区域；一第二保护层，设置于该第一保护层上，且该第二保护层具有一开孔，该开孔对应于该导接孔的位置；以及一导接线，设置于该第二保护层上，且该导接线通过该开孔及该导接孔连接该导接区域的纳米银丝电极层。
[0010]其中，该第一保护层的厚度为50nm至500nm。
[0011]其中，该第二保护层的厚度为0.2μηι至5μηι。
[0012]其中，该第一保护层的材料为可透视的绝缘材料。
[0013]其中，该第二保护层的材料为可透视的绝缘材料。
[0014]其中，该导接线采用银、铝、铜、钥铝钥合金、氧化铟锡(ΙΤ0)，或上述各材料的组
八
口 ο[0015]其中，该导接孔不贯穿该第一保护层。
[0016]其中，该纳米银丝电极层包含多条条状的电极。
[0017]其中，该纳米银丝电极层包含多个沿第一方向排列的第一电极块，多条电性连接相邻第一电极块的第一连接线，以及多个沿第二方向排列的第二电极块，且各第二电极块分别设置于第一连接线两侧，且各第二电极块上的第一保护层420和第二保护层分别形成有导接孔和与导接孔对应的开孔；所述第二保护层上设置有多条第二连接线，各第二连接线通过设置于第二电极块上的导接孔和开孔，电性连接相邻的第二电极块。
[0018]其中，所述第二连接线的材料采用银、铝、铜、钥铝钥合金、氧化铟锡(ΙΤ0)，或上述各材料之组合。
[0019]本发明同时提供一种触控面板的制备方法，包括:步骤1:提供一基板；步骤2:于该基板上形成纳米银丝层；步骤3:于该纳米银丝层上形成一第一保护层；步骤4:对该纳米银丝层进行处理形成纳米银丝电极层，该纳米银丝电极层包括导接区域和非导接区域；步骤5:于该第一保护层上形成一具有一开孔的第二保护层，且该开孔对应于该导接区域；步骤6:于该开孔对应处的第一保护层形成一导接孔；步骤7:于该第二保护层上形成导接线，且该导接线通过该开孔和该导接孔电性连接该导接区域的纳米银丝电极层。
[0020]其中，该第一保护层的厚度为50nm至500nm。
[0021]其中，该第二保护层的厚度为0.2μπι至5μπι。
[0022]其中，形成该具有一开孔的第二保护层采用印刷涂布的工艺或微影蚀刻的工艺。
[0023]其中，该第一保护层上形成该导接孔采用电浆蚀刻的工艺。
[0024]其中，该步骤6可采用完全蚀刻的工艺或不完全蚀刻的工艺。
[0025]本发明通过在第一保护层上设置第二保护层，第一保护层可以减薄，蚀刻工艺中蚀刻液容易渗透保护层对纳米银丝层进行蚀刻。同时，之后形成的导接线易于与下方的纳米银丝电极层连接。第二保护层提高了纳米银丝电极层在基板上的抗氧化能力以及附着力。另外，当采用不完全蚀刻的工艺时，由于第一保护层上额外设置了第二保护层，则保护层整体不至很薄，可避免仅有第一保护层时，在保护层周边形成导接线连接纳米银丝电极层时可能存在的短路问题。
【专利附图】
【附图说明】
[0026]图1为现有技术纳米银丝层上一层保护层的示意图；
[0027]图2为本发明触控面板制备方法的工艺步骤图；
[0028]图3a至图3g为对应于图2工艺步骤图各步骤的触控面板示意图；
[0029]图4为完全蚀刻与不完全蚀刻工艺的示意图；
[0030]图5a为本发明一触控面板的示意图，图5b为沿图5aA_A’方向的剖面图；
[0031]图6a为本发明一纳米银丝电极层的示意图，图6b为采用图6a纳米银丝电极层的触控面板的剖面图；
[0032]其中，附图标记:
[0033]100、200、300、400 基板
[0034]110、210a纳米银丝层
[0035]210b、310b、410b纳米银丝电极层[0036]120、220、320、420 第一保护层
[0037]230、330、430、第二保护层
[0038]240、340、440 开孔
[0039]250、350、450 导接孔
[0040]260、360、460 导接线
[0041]411、第一电极块412、第一连接线
[0042]413、第二电极块470、第二连接线
[0043]Ml、导接区域M2、非导接区域
【具体实施方式】
[0044]以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。以下文中的方位“上”及“下”仅是用来表示各元件相对的位置关系，并不用以限定本发明的保护范围。
[0045]请参考图2，图2为本发明触控面板的制备方法的工艺步骤图，本发明触控面板的制备方法包括:
[0046]步骤1:提供一基板；请参照图3a，提供一基板200，基板200采用可透视的材料，可以是玻璃基板或者聚对苯二甲酸类塑料(Polyethylene terephthalate, PET)基板。基板200的表面可为平面或者曲面。
[0047]步骤2:于该基板上形成纳米银丝层；请参照图3b，于基板200上形成一整层的纳米银丝层210a。形成纳米银丝层210a可采用沉积、溅射等工艺。
[0048]步骤3:于该纳米银丝层上形成一第一保护层；请参照图3c，于纳米银丝层210a上形成第一保护层220。第一保护层的厚度为50nm至500nm，在此厚度范围内，蚀刻液可渗透保护层对纳米银丝层进行蚀刻。第一保护层220采用可透视的绝缘材料，如二氧化硅。
[0049]步骤4:对该纳米银丝层进行处理形成纳米银丝电极层。请同时参考图3d和图4，纳米银丝层210a进行处理，形成纳米银丝电极层210b。在一实施例中，纳米银丝电极层210b可为图4中的条状电极结构。纳米银丝电极层210b亦可采用其它电极结构。如图4所示，在一实施例中，对纳米银丝层210a可采用完全蚀刻的工艺A。在另一实施例中，对纳米银丝层210a可采用不完全蚀刻的工艺B，即在蚀刻过程中，可不蚀刻掉非电极结构区域的所有纳米银丝，仅将该区域蚀刻成与电极结构区域电性隔离的区域。相较于完全蚀刻的工艺A，采用非完全蚀刻的工艺B，经蚀刻后，蚀刻区的电极与非蚀刻区的电极色差较小，SP产品结构会有较好的外观效果。纳米银丝电极层210b上需与外界导接以传递电信号的区域为导接区域Ml。
[0050]步骤5:于该第一保护层上形成一具有一开孔的第二保护层，该开孔对应于该导接区域；请参考图3e，在第一保护层220上形成一第二保护层230，其中第二保护层230对应于导接区域Ml具有一开孔240。形成具开孔的第二保护层230可采用印刷涂布的工艺或微影蚀刻的工艺。该第二保护层230采用可透视的绝缘材料，如二氧化硅、环氧树脂、压克力聚合物等，或前述各材料之组合。第二保护层230的厚度为0.2 μ m至5 μ m。
[0051]步骤6:于该开孔对应处的第一保护层形成一导接孔。请参考图3f，对第一保护层220进行处理，形成一导接孔250，该导接孔250对应于开孔240的位置。在第一保护层220上形成该导接孔250可采用电浆蚀刻的工艺。
[0052]步骤7:形成导接线连接该导接区域的电极。请参考图3g，形成一导接线260，该导接线260通过开孔240和导接孔250电性连接导接区域Ml的纳米银丝电极层210b。
[0053]需说明的是，导接孔250可不贯穿第一保护层220，即第一保护层220减薄至可导通导接线260与导接区域Ml的纳米银丝电极层210b即可。导接线260可采用银、铝、铜等金属材料，或钥铝钥等合金材料、或氧化铟锡(ITO)等可透视的导电材料、或上述各材料之组合。
[0054]如图3g所示，采用本发明的制备方法，形成的触控面板，包括:一基板200 ;—纳米银丝电极层210b，设置于该基板200上，该纳米银丝电极层210b上需与外界导接一传递电信号的区域为导接区域Ml ;—第一保护层220，设置于该纳米银电极层210b上，且该第一保护层220具有一导接孔250，对应于该导接区域Ml ;—第二保护层230，设置于该第一保护层220上，且该第二保护层具有一开孔240，该开孔240对应于该导接孔250的位置；以及一导接线260，设置于该第二保护层上，且该导接线260通过该开孔240及该导接孔250电性连接该导接区域Ml的纳米银丝电极层210b。在本实施例中，纳米银丝电极层包含多条条状的电极。
[0055]其中，该基板200采用可透视的材料，如玻璃基板或者聚对苯二甲酸类塑料(Polyethylene terephthalate, PET)。基板200的表面可为平面或者曲面。
[0056]其中，该第一保护层220的厚度为50nm至500nm。
[0057]其中，该第二保护层230的厚度为0.2 μ m (微米)至5 μ m。
[0058]其中，该第一保护层220的材料为可透视的绝缘材料，如二氧化硅。
[0059]其中，该第二保护层230的材料为可透视的绝缘材料，如二氧化硅或环氧树脂、压克力聚合物等。
[0060]其中，该第一保护层220或第二保护层230的厚度可依不同的材料进行选择。
[0061]其中，导接线260可采用银、铝、铜等金属材料，或钥铝钥等合金材料、或氧化铟锡(ITO)等可透视的导电材料、或上述各材料之组合。
[0062]如图5a和图5b所示，图5a绘示了本发明触控面板的一实施例，图5b为沿图5aA-A’方向的剖面图。在本实施例中，纳米银丝电极层310b包含多条条状的电极结构，且各条状电极两侧都连接有导接线360，导接线360会聚一接合区S。会聚至接合区S的导接线360另一端通过接合一软性电路板连接至一控制器上(图未示)，并借由该控制器处理由导接线所传递的感测信号。在另一实施例中，导接线360可仅接至条状电极的一侧。在另一实施例中，接合区S的数目可为多个，即可依具体的纳米银丝电极层310b作调整。在各条状电极两侧都连接有导接线360，当触控面板的尺寸较大时，两侧的导接线360通过在软性电路板连接形成一封闭回路，可降低感测信号因受阻值影响而产生信号之衰减，以提升触控面板的感测灵敏度。本实施例触控面板的其它特性与前述实施例相同，此处不再赘述。
[0063]如图6a和图6b所示，图6a绘示了本发明另一纳米银丝电极层的图示，图6b为对应于该纳米银丝电极层B — B’方向的触控面板的剖面图。如图6a所示，纳米银丝电极层410b包含多个沿第一方向排列的第一电极块411，多条电性连接相邻第一电极块的第一连接线412，以及多个沿第二方向排列的第二电极块413，且各第二电极块413分别设置于第一连接线412两侧。较佳者，第一方向与第二方向垂直。如图6b所示，采用纳米银丝电极层410b的触控面板，与前一实施例的不同点在于，各第二电极块413上的第一保护层420和第二保护层430分别形成有导接孔450和对应于导接孔450的开孔440。本实施例的触控面板第二保护层430上，除了设置有导接线460，更设置有多条第二连接线470，各第二连接线470通过设置于各第二电极块413上的导接孔450和开孔440，电性连接相邻的第二电极块413。第二连接线470可采用银、铝、铜等金属材料，或钥铝钥等合金材料、或氧化铟锡(ITO)等可透视的导电材料、或上述各材料之组合。在一实施例中，导接线460与第二连接线470采用相同的材料，两者可在同一步骤中形成。本实施例的触控面板其它特性与前述实施例相同，此处不再赘述。
[0064]本发明的效果:
[0065]I)本发明通过在第一保护层上设置第二保护层，第一保护层可以减薄，蚀刻工艺中蚀刻液容易渗透保护层对纳米银丝层进行蚀刻。同时，之后形成的导接线易于与下方的纳米银丝电极层连接。
[0066]2)本发明于第一保护层上再设置第二保护层，起到了保护效果，提高了纳米银丝层在基板上的附着力及抗氧化能力。
[0067]3)当采用不完全蚀刻的工艺时，由于第一保护层上额外设置了第二保护层，则保护层整体不至很薄，可避免仅有第一保护层时，在保护层周边形成导接线连接纳米银丝电极层可能存在的短路问题。
[0068]当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。
【权利要求】
1.一种触控面板，其特征在于，包括: 一基板； 一纳米银丝电极层，设置于该基板上，该纳米银丝电极层包括导接区域； 一第一保护层，设置于该纳米银丝电极层上，且该第一保护层具有一导接孔，该导接孔对应于该导接区域； 一第二保护层，设置于该第一保护层上，且该第二保护层具有一开孔，该开孔对应于该导接孔的位置；以及 一导接线，设置于该第二保护层上，且该导接线通过该开孔及该导接孔连接该导接区域的纳米银丝电极层。
2.根据权利要求1所述的触控面板，其特征在于，该第一保护层的厚度为50nm至500nmo
3.根据权利要求1所述的电触控面板，其特征在于，该第二保护层的厚度为0.2μπι至5 μ m0
4.根据权利要求1所述的触控面板，其特征在于，该第一保护层的材料为可透视的绝缘材料。
5.根据权利要求1所述的触控面板，其特征在于，该第二保护层的材料为可透视的绝缘材料。
6.根据权利要求1所述的触控面板，其特征在于，该导接线采用银、铝、铜、钥铝钥合金、氧化铟锡(ITO)，或上述各`材料的组合。
7.根据权利要求1所述的触控面板，其特征在于，该导接孔不贯穿该第一保护层。
8.根据权利要求1所述的触控面板，其特征在于，该纳米银丝电极层包含多条条状的电极。
9.根据权利要求1所述的触控面板，其特征在于，该纳米银丝电极层包含多个沿第一方向排列的第一电极块，多条电性连接相邻第一电极块的第一连接线，以及多个沿第二方向排列的第二电极块，且各第二电极块分别设置于第一连接线两侧，且各第二电极块上的第一保护层420和第二保护层分别形成有导接孔和与导接孔对应的开孔；所述第二保护层上设置有多条第二连接线，各第二连接线通过设置于第二电极块上的导接孔和开孔，电性连接相邻的第二电极块。
10.根据权利要求9所述的触控面板，其特征在于，所述第二连接线的材料采用银、铝、铜、钥铝钥合金、氧化铟锡(ITO)，或上述各材料之组合。
11.一种触控面板的制备方法,其特征在于,包括: 步骤1:提供一基板； 步骤2:于该基板上形成纳米银丝层； 步骤3:于该纳米银丝层上形成一第一保护层； 步骤4:对该纳米银丝层进行处理形成纳米银丝电极层，该纳米银丝电极层包括导接区域； 步骤5:于该第一保护层上形成一具有一开孔的第二保护层，且该开孔对应于该导接区域； 步骤6:于该开孔对应处的第一保护层形成一导接孔；步骤7:于该第二保护层上形成导接线，且该导接线通过该开孔和该导接孔电性连接该导接区域的纳米银丝电极层。
12.根据权利要求11所述的触控面板的制备方法，其特征在于，该第一保护层的厚度为 50nm 至 500nm。
13.根据权利要求11所述的触控面板的制备方法，其特征在于，该第二保护层的厚度为 0.2ym 至 5ym。
14.根据权利要求11所述的触控面板的制备方法，其特征在于，形成该具有一开孔的第二保护层采用印刷涂布的工艺或微影蚀刻的工艺。
15.根据权利要求11所述的触控面板的制备方法，其特征在于，该第一保护层上形成该导接孔采用电浆蚀刻的工艺。
16.根据权利要求11所述的触控面板的制备方法，其特征在于，该步骤6可采用完全蚀刻的工艺或不完全蚀刻的工艺。
【文档编号】G06F3/041GK103777793SQ201210393725
【公开日】2014年5月7日 申请日期:2012年10月17日 优先权日:2012年10月17日
【发明者】刘振宇, 龚立伟, 林熙乾 申请人:宸鸿光电科技股份有限公司