触控面板及其制造方法
【专利摘要】本发明有关于一种触控面板，包括基板、第一图案化导体层、图案化保护层以及第二图案化导体层。第一图案化导体层位于基板上，第一图案化导体层包括多个第一感测垫以及多个第二感测垫，其中每两相邻的第一感测垫及第二感测垫间具有空隙。图案化保护层位于第一图案化导体层上，图案化保护层遮蔽空隙且暴露出各第一感测垫的至少一部份以及各第二感测垫的至少一部份。第二图案化导体层位于图案化保护层上。
【专利说明】触控面板及其制造方法
【技术领域】
[0001]本发明是有关于一种面板及其制造方法，且特别是有关于一种触控面板及其制造方法。
【背景技术】
[0002]触控面板依照其感测方式的不同而大致上区分为电阻式触控面板、电容式触控面板、光学式触控面板、声波式触控面板以及电磁式触控面板。其中，投射电容式触控面板(Projective Capacitive Touch Panel)因智慧型手机销售量快速增长而受到瞩目。
[0003]一般来说，投射电容式触控面板依导电层之间的保护层配置方式可分为岛型(island-type)投射电容式触控面板以及通孔型(via_type)投射电容式触控面板。图1A为一种现有的岛型投射电容式触控面板的俯视示意图，图1B与图1C分别为沿图1A的I-I'与II-II’的剖面示意图。请参照图1A至图1C，投射电容式触控面板100a包括基板102、缓冲层104a、104b、多个第一感测串列110、多个第二感测串列120、用以隔离第一感测串列110与第二感测串列120的保护层130以及覆盖层140。第一感测串列110包括多个第一感测垫112与位于第一感测垫112之间的第一桥接线114，第二感测串列120包括多个第二感测垫122与位于第二感测垫122之间的第二桥接线124。
[0004]在如图1A至图1C所示的岛型投射电容式触控面板100a中，保护层130被图案化成岛状，配置于第二感测垫122与第一桥接线114之间。因此，当保护层130的材料与缓冲层104a、104b的材料相似时，用以图案化保护层130的制程有可能会一并移除作为光学匹配层(index-match layer)的缓冲层104a、104b,导致投射电容式触控面板100a的光学调整弹性减少。
[0005]图2A为一种现有的通孔型投射电容式触控面板的俯视示意图，图2B与图2C分别为沿图2A的I-I’与II-II’的剖面示意图。请参照图2A至图2C，投射电容式触控面板100b的构件与岛型投射电容式触控面板100a的构件大致相同，其主要不同处在于保护层130覆盖第一桥接线114，且第一感测垫112经由保护层130中的通孔132与第一桥接线114电性连接。由于保护层130是全面覆盖基板102，因此通孔型投射电容式触控面板100b的光学稳定性较易受到保护层130的厚度均匀性影响，导致通孔型投射电容式触控面板100b的光学稳定性可能会劣于岛型投射电容式触控面板100a。
[0006]承上述，保护层的配置方式会影响投射电容式触控面板的光学特性。因此，如何设计出具有良好光学特性的投射电容式触控面板乃是本发明相关领域的技术/研发人员所欲努力的课题之一。
【发明内容】
[0007]本发明提供一种触控面板，具有良好的光学特性。
[0008]本发明提供一种触控面板的制造方法，以形成具有良好光学特性的触控面板。
[0009]本发明的触控面板包括基板、第一图案化导体层、图案化保护层以及第二图案化导体层。第一图案化导体层位于基板上，第一图案化导体层包括多个第一感测垫以及多个第二感测垫，其中每两相邻的第一感测垫及第二感测垫间具有空隙。图案化保护层位于第一图案化导体层上，图案化保护层遮蔽空隙且暴露出各第一感测垫的至少一部份以及各第二感测垫的至少一部份。第二图案化导体层位于图案化保护层上。
[0010]在本发明的一实施例中，上述的第一图案化导体层还包括多个第一桥接线，各第一桥接线电性连接两相邻的第一感测垫，其中第二图案化导体层包括多个第二桥接线，各第二桥接线电性连接两相邻的第二感测垫，图案化保护层更位于第一桥接线与第二桥接线之间，触控面板还包括绝缘层位于第一图案化导体层、图案化保护层以及第二图案化导体层上。
[0011]在本发明的一实施例中，还包括缓冲层位于基板上，第一图案化导体层位于缓冲层上，空隙暴露出缓冲层，其中缓冲层的材料包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化娃(SiOxNy)、五氧化二银(Nb2O5)、氟化镁(MgF2)、氧化招(Al2O3)、氟化铺(CeF3)、二氧化错(ZrO2)、二氧化钛(TiO2)、五氧化二钽(Ta2O5)、硫化锌(ZnS)或上述组合。
[0012]在本发明的一实施例中，上述的图案化保护层的材料包括氧化硅(SiO2)、氮化娃(SiNx)、氮氧化娃(SiOxNy)、五氧化二银(Nb2O5)、氟化镁(MgF2)、氧化招(Al2O3)、氟化铺(CeF3)、二氧化错(ZrO2)、二氧化钛(TiO2)、五氧化二钽(Ta2O5)、硫化锌(ZnS)或上述组合，其中该图案化保护层的厚度为约0.3至2微米。
[0013]在本发明的一实施例中，上述的图案化保护层为网状，其中第二图案化导体层包括多个拟图案，其中拟图案中的至少一个位于两相邻的第一感测垫与第二感测垫之间且与其绝缘，其中至少一个拟图案与两相邻的第一感测垫与第二感测垫中之一个的最短水平距离为O至15微米。
[0014]本发明的触控面板的制造方法包括以下步骤。于基板上形成第一图案化导体层，第一图案化导体层包括多个第一感测垫以及多个第二感测垫，其中每两相邻的第一感测垫及第二感测垫间具有空隙。于第一图案化导体层上形成一图案化保护层，图案化保护层遮蔽空隙且暴露出各第一感测垫的至少一部份以及各第二感测垫的至少一部份。于图案化保护层上形成第二图案化导体层。
[0015]在本发明的一实施例中，上述的第一图案化导体层还包括多个第一桥接线，各第一桥接线电性连接两相邻的第一感测垫，其中第二图案化导体层包括多个第二桥接线，各第二桥接线电性连接两相邻的第二感测垫，图案化保护层更位于第一桥接线与第二桥接线之间。
[0016]在本发明的一实施例中，还包括于基板上形成缓冲层，第一图案化导体层位于缓冲层上，空隙暴露出缓冲层，其中缓冲层的材料包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化娃(SiOxNy)、五氧化二银(Nb2O5)、氟化镁(MgF2)、氧化招(Al2O3)、氟化铺(CeF3)、二氧化错(ZrO2)、二氧化钛(TiO2)、五氧化二钽(Ta2O5)、硫化锌(ZnS)或上述组合。
[0017]在本发明的一实施例中，还包括于第一图案化导体层、图案化保护层以及第二图案化导体层上形成绝缘层，其中图案化保护层的材料包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、五氧化二铌(Nb2O5)、氟化镁(MgF2)、氧化铝(Al2O3)、氟化铈(CeF3)、二氧化锆(ZrO2)、二氧化钛(TiO2)、五氧化二钽(Ta2O5)、硫化锌(ZnS)或上述组合，其中该图案化保护层的厚度为约0.3至2微米。[0018]在本发明的一实施例中，上述的第二图案化导体层包括多个拟图案，其中拟图案中的至少一个位于两相邻的第一感测垫与第二感测垫之间且与其绝缘，其中至少一个拟图案与两相邻的第一感测垫与第二感测垫中之一个的最短水平距离为O至15微米。
[0019]基于上述，在本发明的触控面板及其制造方法中，每两相邻的第一感测垫及第二感测垫间具有空隙，图案化保护层遮蔽空隙且暴露出各第一感测垫的至少一部份以及各第二感测垫的至少一部份。如此一来，图案化保护层能保护经由空隙所暴露出来的膜层，使得该膜层不会受到破坏而能保有其固有特性。此外，由于图案化保护层不会全面覆盖在基板上，因此触控面板的光学特性不易受到图案化保护层的厚度影响。故，触控面板具有良好的光学特性以及光学稳定性。
[0020]为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。
【专利附图】
【附图说明】
[0021]图1A为一种现有的岛型投射电容式触控面板的俯视示意图；
[0022]图1B为沿图1A的1-1’的剖面示意图；
[0023]图1C为沿图1A的11-11’的剖面示意图；
[0024]图2A为一种现有的通孔型投射电容式触控面板的俯视示意图；
[0025]图2B为沿图2A的1-1’的剖面示意图；
[0026]图2C为沿图2A的11-11’的剖面示意图；
[0027]图3A至图3C为根据本发明的一实施例的一种触控面板的制造方法的俯视示意图；
[0028]图4A至图4D为沿图3A至图3C的1_1’的流程剖面示意图；
[0029]图5A至图为沿图3A至图3C的11-11’的流程剖面示意图；
[0030]图6A为根据本发明的一实施例的一种触控面板的俯视示意图；
[0031]图6B为沿图6A的1-1’的剖面示意图；
[0032]图6C为沿图6A的11-11’的剖面示意图。
[0033]其中，附图标记:
[0034]100a、100b、200、200a:触控面板
[0035]102、202:基板
[0036]104a、204a:第一缓冲层
[0037]104b,204b:第二缓冲层
[0038]110、120、240、250:感测串列
[0039]130:保护层
[0040]132:通孔
[0041]140:覆盖层
[0042]112、122、212、216:感测垫
[0043]114、124、214、232:桥接线
[0044]210、230:图案化导体层
[0045]218:空隙[0046]220:图案化保护层
[0047]234:拟图案
[0048]260:绝缘层
[0049]d:距离
[0050]D1、D2:方向
【具体实施方式】
[0051]以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。
[0052]图3A至图3C为根据本发明的一实施例的一种触控面板的制造方法的俯视示意图，图4A至图4D为沿图3A至图3C的1_1’的流程剖面示意图，以及图5A至图为沿图3A至图3C的11-11’的流程剖面示意图，其中于图3C中省略绘示绝缘层260，因此图4C与图4D以及图5C与图的俯视图同为图3C。请同时参照图3A、图4A以及图5A，首先，提供基板202。在本实施例中，基板202例如是玻璃基板、塑胶基板、可挠基板或其他基板。
[0053]接着，于基板202上形成第一图案化导体层210，第一图案化导体层210包括多个第一感测垫212以及多个第二感测垫216，其中每两相邻的第一感测垫212及第二感测垫216间具有空隙218。换言之，两相邻的第一感测垫212间具有空隙218，两相邻的第二感测垫216间具有空隙218，以及两相邻的第一感测垫212及第二感测垫216间具有空隙218。在本实施例中，此步骤例如是先于基板202上选择性依序形成第一缓冲层204a及第二缓冲层204b,再于第一缓冲层204a及第二缓冲层204b上形成第一图案化导体层210。因此,空隙218暴露出第二缓冲层204b。
[0054]在本实施例中，第一缓冲层204a及/或第二缓冲层204b例如是作为折射率匹配层。第一缓冲层204a及/或第二缓冲层204b的形成方法例如是化学气相沉积制程，第一缓冲层204a及/或第二缓冲层204b的材料例如是无机材料，包括氧化硅(SiO2)、氮化娃(SiNx)、氮氧化娃(SiOxNy)、五氧化二银(Nb2O5)、氟化镁(MgF2)、氧化招(Al2O3)、氟化铺(CeF3)、二氧化错(ZrO2)、二氧化钛(TiO2)、五氧化二钽(Ta2O5)、硫化锌(ZnS)或上述组合。在另一实施例中，第一缓冲层204a及/或第二缓冲层204b的材料也可以是有机材料，诸如含氮、氧、娃或碳或上述组合的聚合物材料、环氧树脂(Epoxy)系及压克力树脂(Acrylic)系等高分子材料或硬化镀膜，此外，更可于上述材料掺杂钛等高折射材料，然本实施例不以此为限。特别说明的是，虽然在本实施例中是绘示两层缓冲层为例，但根据需求，在其他实施例中，基板202与第一图案化导体层210之间也可以省略第一缓冲层204a及/或第二缓冲层204b的配置，或者是，基板202与第一图案化导体层210之间也可以配置有一层或多层缓冲层。
[0055]第一图案化导体层210例如是藉由进行沉积制程、微影制程与蚀刻制程而形成。在本实施例中，第一图案化导体层210例如是还包括多个第一桥接线214，各第一桥接线214电性连接两相邻的第一感测垫212。多个第一感测垫212与多个第一桥接线214形成第一感测串列240，各第一感测串列240沿第一方向Dl延伸。在本实施例中，第一方向Dl例如是X方向。第一图案化导体层210的材料例如是不透明导电材料、透明导电材料或是两者的叠层，其中不透明导电材料例如是金、银、铜、铝、钥、钛、铬、镉、钨、锌、镍等金属或其合金，透明导电材料例如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)或其他透明导电金属氧化物。再者，虽然在本实施例中是以第一感测垫212及第二感测垫216为菱型感测垫为例，但本发明不限于此。在本实施例中，空隙218的宽度例如是20至100微米。空隙218例如是彼此连接成网状。
[0056]请同时参照图3B、图4B以及图5B，然后，于第一图案化导体层210上形成图案化保护层220，图案化保护层220举例完全遮蔽空隙218且暴露出各第一感测垫212的至少一部份以及各第二感测垫216的至少一部份。在本实施例中，图案化保护层220的形成方法例如是先藉由沉积制程在基板202上形成填入空隙218且覆盖基板202的保护材料层(未绘示)，接着例如是藉由微影制程与蚀刻制程对保护材料层进行图案化，以形成暴露出各第一感测垫212的与各第二感测垫216的图案化保护层220。在本实施例中，图案化保护层220例如是完全填入空隙218且完全覆盖第一感测垫212及第二感测垫216的边缘部。图案化保护层220例如为网状。在本实施例中，是以图案化保护层220暴露出第一感测垫212与第二感测垫216的大部分面积为例，但在其他实施例中，图案化保护层220也可以依照需求暴露出各第一感测垫212的适当面积以及各第二感测垫216的适当面积。值得注意的是，由于图案化保护层220会遮蔽空隙218，因此能保护经由空隙218所暴露出的第一缓冲层204a及第二缓冲层204b。因此，用以形成图案化保护层220的蚀刻制程或后续其他制程不会导致第一缓冲层204a及第二缓冲层204b遭到破坏，藉此达到触控面板200光学表现最佳化的效果。此外，图案化保护层220可避免所述蚀刻制程造成第一感测垫212与第二感测垫216下方发生底切现象而产生缝隙(air gap)，进而导致第一感测垫212与第二感测垫216明显可见。如此一来，第一缓冲层204a及第二缓冲层204b能提供诸如折射率等良好且稳定的光学特性，以增加触控面板200的光学调整弹性。
[0057]在本实施例中，图案化保护层220例如是作为折射率匹配层。图案化保护层220的材料例如是与第一缓冲层204a及第二缓冲层204b相似或相同。图案化保护层220的材料例如是无机材料，包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、五氧化二铌(Nb2O5)、氟化镁(MgF2)、氧化招(Al2O3)、氟化铺(CeF3)、二氧化错(ZrO2)、二氧化钛(TiO2)、五氧化二钽(Ta2O5)、硫化锌(ZnS)或上述组合，其中图案化保护层220的厚度例如是约0.3至2微米。在另一实施例中，图案化保护层220的材料也可以是有机材料。
[0058]请同时参照图3C、图4C以及图5C，而后，于图案化保护层220上形成第二图案化导体层230。第二图案化导体层230的形成方法例如是藉由进行沉积制程、微影制程与蚀刻制程而形成。在本实施例中，第二图案化导体层230例如是包括多个第二桥接线232，各第二桥接线232电性连接两相邻的第二感测垫216。图案化保护层220例如是更位于第一桥接线214与第二桥接线232之间。在本实施例中，多个第二感测垫216与多个第二桥接线232形成第二感测串列250，各第二感测串列250沿第二方向D2延伸。在本实施例中，第二方向D2例如是y方向。图案化保护层220使第一感测串列240与第二感测串列250彼此电性绝缘。由于此步骤是于两相邻的第二感测垫216之间形成第二桥接线232，因此沿图3C的11-11’的图5C与沿图3B的11-11’的图5B相同。
[0059]第二图案化导体层230的材料例如是不透明导电材料、透明导电材料或是两者的叠层，其中不透明导电材料例如是金、银、铜、铝、钥、钛、铬、镉、钨、锌、镍等金属或其合金，透明导电材料例如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)或其他透明导电金属氧化物。
[0060]之后，请同时参照图3C、图4D以及图5D，然后，在本实施例中，还包括于第一图案化导体层210、图案化保护层220以及第二图案化导体层230上形成绝缘层260。绝缘层260的材料例如是氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)或其他合适的材料。
[0061]在本实施例中，触控面板200例如是投射电容式触控面板。触控面板200包括基板202、第一图案化导体层210、图案化保护层220以及第二图案化导体层230。第一图案化导体层210位于基板202上，第一图案化导体层210包括多个第一感测垫212以及多个第二感测垫214，其中每两相邻的第一感测垫212及第二感测垫214间具有空隙218。在本实施例中，触控面板200还包括第一缓冲层204a及第二缓冲层204b位于基板202上，第一图案化导体层210例如是位于第一缓冲层204a及第二缓冲层204b上，空隙218例如是暴露出第二缓冲层204b。图案化保护层220位于第一图案化导体层210上，图案化保护层220完全遮蔽空隙218且暴露出各第一感测垫212的至少一部份以及各第二感测垫216的至少一部份。第二图案化导体层230位于图案化保护层220上。在本实施例中，第二图案化导体层230例如是包括多个第二桥接线232，各第二桥接线232电性连接两相邻的第二感测垫216。图案化保护层220例如是更位于第一桥接线214与第二桥接线232之间。在本实施例中，触控面板200例如是还包括绝缘层260位于第一图案化导体层210、图案化保护层220以及第二图案化导体层230上。
[0062]在本实施例的触控面板及其制造方法中，每两相邻的第一感测垫212及第二感测垫216间具有空隙218，图案化保护层220完全遮蔽空隙218且暴露出各第一感测垫212的至少一部份以及各第二感测垫216的至少一部份。如此一来，图案化保护层220能保护经由空隙218所暴露出来的第二缓冲层204b，以避免用以形成图案化保护层220的蚀刻制程或其他后续制程破坏第一缓冲层204a及第二缓冲层204b。因此，图案化保护层220、第一缓冲层204a及第二缓冲层204b在材料选择上具有较大的空间，诸如皆可选用适当的光学匹配材料，使得第一图案化导体层210与基板202之间可以具有至少一层光学匹配层来对产品进行光学调整。再者，可采用制作薄膜晶体管的化学气相沉积机台来形成图案化保护层220，因此图案化保护层220具有制作成本低的优点。
[0063]另一方面，由于图案化保护层220不会全面覆盖在基板202上，甚至仅完全覆盖空隙218与感测垫212、216的边缘部，因此触控面板200的光学特性不易受到图案化保护层220的厚度影响，而具有较佳的光学稳定性。也就是说，藉由图案化保护层220的配置，触控面板200能包括较多层的光学匹配层，且触控面板200的光学特性不易受到图案化保护层220的厚度影响，因此触控面板220具有良好的光学特性与较佳的光学稳定性。
[0064]图6A为根据本发明的一实施例的一种触控面板的俯视示意图，图6B为沿图6A的1-1’的剖面示意图，以及图6C为沿图6A的11-11’的剖面示意图。图6A至图6C所示的触控面板200a的结构与图3C、图4D以及图所示的触控面板200的结构相似，其主要不同处在于触控面板200a还包括拟图案234。在本实施例中，第二图案化导体层230例如是包括多个拟图案234，其中拟图案234中的至少一个例如是位于两相邻的第一感测垫212与第二感测垫216之间且与其绝缘，其中至少一个拟图案234与两相邻的第一感测垫212与第二感测垫216中之一个的最短水平距离d例如是O至15微米，较佳为O至5微米。在一实施例中，最短水平距离d例如是实质上等于0，也就是拟图案234的宽度与空隙218实质上相同。
[0065]一般来说，在考量制程中的黄光精度与蚀刻能力下，当拟图案与感测垫位于同一层时，拟图案与感测垫之间的距离通常需维持为约25至30微米。然而，在本实施例中，是将拟图案234配置在第一感测垫212与第二感测垫216之间的图案化保护层220上，也就是拟图案234与第一感测垫212与第二感测垫216位于不同层，因此拟图案234的设置不可能造成第一感测垫212与第二感测垫216产生线路短路的情况，且形成拟图案234的制程条件相较于现有制程，亦较为宽松。故，可以根据需求，缩短拟图案234与两相邻的第一感测垫212与第二感测垫216中的一个的最短水平距离d，甚至是使得最短水平距离d为0，甚至是拟图案234的宽度大于空隙218的宽度，以达到使第一感测垫212与第二感测垫216不可见的目的。因此，触控面板200a不但具有前一实施例中所述的优点，且具有较佳的视觉效果。
[0066]综上所述，在本发明的触控面板及其制造方法中，每两相邻的第一感测垫及第二感测垫间具有空隙，图案化保护层完全遮蔽空隙且暴露出各第一感测垫的至少一部份以及各第二感测垫的至少一部份。由于图案化保护层能避免经由空隙所暴露出来的膜层受到破坏，因此使用者可以根据需求来选择图案化保护层的材料，而无需考量到图案化保护层的材料与其下方膜层材料之间的蚀刻选择比。因此，能大幅增加图案化保护层的材料选择性，进而降低图案化保护层的制作成本，以及达到在第一图案化导体层与基板之间设置多个光学匹配层的目的。再者，由于图案化保护层实质上配置在空隙与感测垫的边缘区，因此其在基板上所占的面积实质上相对较小，故图案化保护层的厚度不易对触控面板的整体光学特性产生影响，使得触控面板具有较佳的光学稳定性。此外，在一实施例中，可以进一步在图案化保护层上设置拟图案，以达到触控垫不可见的目的，进而提升触控面板的视觉效果。
[0067]另一方面，触控面板的制造方法能轻易地与现有的触控面板制作流程结合，且能采用制作薄膜晶体管的化学气相沉积机台来形成图案化保护层，故不会大幅地增加制作步骤或制作成本，且甚至可以降低触控面板的制作成本。因此，触控面板具有良好的光学特性、较佳的光学稳定性以及视觉效果，且具有较佳的良率与较低的制作成本。
[0068]虽然本发明已以实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何所属【技术领域】中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，故本发明的保护范围当视后附的申请专利范围所界定者为准。
【权利要求】
1.一种触控面板，其特征在于，包括: 一基板； 一第一图案化导体层，位于该基板上，该第一图案化导体层包括多个第一感测垫以及多个第二感测垫，其中每两相邻的第一感测垫及第二感测垫间具有一空隙； 一图案化保护层，位于该第一图案化导体层上，该图案化保护层遮蔽所述空隙且暴露出各该第一感测垫的至少一部份以及各该第二感测垫的至少一部份；以及 一第二图案化导体层，位于该图案化保护层上。
2.根据权利要求1所述的触控面板，其特征在于，该第一图案化导体层还包括多个第一桥接线，各该第一桥接线电性连接两相邻的第一感测垫，其中该第二图案化导体层包括多个第二桥接线，各该第二桥接线电性连接两相邻的第二感测垫，该图案化保护层更位于所述第一桥接线与所述第二桥接线之间，该触控面板还包括一绝缘层位于该第一图案化导体层、该图案化保护层以及该第二图案化导体层上。
3.根据权利要求1所述的触控面板，其特征在于，还包括一缓冲层位于该基板上，该第一图案化导体层位于该缓冲层上，所述空隙暴露出该缓冲层，其中该缓冲层的材料包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、五氧化二铌(Nb2O5)、氟化镁(MgF2)、氧化招(Al2O3)、氟化铺(CeF3)、二氧化错(ZrO2)、二氧化钛(TiO2)、五氧化二钽(Ta2O5)、硫化锌(ZnS)或上述组合。
4.根据权利要求1所述的触控面板，其特征在于，该图案化保护层的材料包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、五氧化二铌(Nb2O5)、氟化镁(MgF2)、氧化铝(Al2O3)、氟化铺(CeF3)、二氧化错(ZrO2)、二氧化钛(TiO2)、五氧化二钽(Ta2O5)、硫化锌(ZnS)或上述组合，其中该图案化保护层的厚度为约0.3至2微米。
5.根据权利要求1所 述的触控面板，其特征在于，该图案化保护层为网状，其中该第二图案化导体层包括多个拟图案，其中所述拟图案中的至少一个位于两相邻的第一感测垫与第二感测垫之间且与其绝缘，其中该至少一个拟图案与该两相邻的第一感测垫与第二感测垫中的一个的最短水平距离为O至15微米。
6.一种触控面板的制造方法，其特征在于，包括: 于一基板上形成一第一图案化导体层，该第一图案化导体层包括多个第一感测垫以及多个第二感测垫，其中每两相邻的第一感测垫及第二感测垫间具有一空隙； 于该第一图案化导体层上形成一图案化保护层，该图案化保护层遮蔽所述空隙且暴露出各该第一感测垫的至少一部份以及各该第二感测垫的至少一部份；以及 于该图案化保护层上形成一第二图案化导体层。
7.根据权利要求6所述的触控面板的制造方法，其特征在于，该第一图案化导体层还包括多个第一桥接线，各该第一桥接线电性连接两相邻的第一感测垫，其中该第二图案化导体层包括多个第二桥接线，各该第二桥接线电性连接两相邻的第二感测垫，该图案化保护层更位于所述第一桥接线与所述第二桥接线之间。
8.根据权利要求6所述的触控面板的制造方法，其特征在于，还包括于该基板上形成一缓冲层，该第一图案化导体层位于该缓冲层上，所述空隙暴露出该缓冲层，其中该缓冲层的材料包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、五氧化二铌(Nb2O5)、氟化镁(MgF2)、氧化招(Al2O3)、氟化铺(CeF3)、二氧化错(ZrO2)、二氧化钛(TiO2)、五氧化二钽(Ta2O5)、硫化锌(ZnS)或上述组合。
9.根据权利要求6所述的触控面板的制造方法，其特征在于，还包括于该第一图案化导体层、该图案化保护层以及该第二图案化导体层上形成一绝缘层，其中该图案化保护层的材料包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、五氧化二铌(Nb2O5)、氟化镁(MgF2)、氧化招(Al2O3)、氟化铺(CeF3)、二氧化错(ZrO2)、二氧化钛(TiO2)、五氧化二钽(Ta2O5)、硫化锌(ZnS)或上述组合，其中该图案化保护层的厚度为约0.3至2微米。
10.根据权利要求6所述的触控面板的制造方法，其特征在于，该第二图案化导体层包括多个拟图案，其中所述拟图案中的至少一个位于两相邻的第一感测垫与第二感测垫之间且与其绝缘，其中该至少一个拟图案与该两相邻的第一感测垫与第二感测垫中的一个的最短水平距离为O 至15微米。
【文档编号】G06F3/041GK103472940SQ201310276406
【公开日】2013年12月25日 申请日期:2013年7月3日 优先权日:2013年5月20日
【发明者】林城兴, 蓝国华, 郭威宏, 周诗博 申请人:友达光电股份有限公司