一种触控面板结构的制作方法

文档序号:6646291阅读:126来源:国知局
一种触控面板结构的制作方法
【专利摘要】本实用新型的触控面板结构,包括基板、遮蔽层、第一导电层、第二导电层和绝缘层,遮蔽层形成于基板的第一面上,遮蔽层上设置有用于暴露基板的镂空区域,遮蔽层和暴露的基板上形成有第一消影层;触控面板的控制芯片通过检测第一电极和第二电极间的电容变化得出触控面板的触碰位置;特征在于:所述绝缘层上形成有第二消影层,第二导电层位于第二消影层上;所述第二导电层的上表面上形成有透明的保护层,保护层的折射率大于第一导电层和第二导电层的折射率。本实用新型的触控面板结构,通过设置第二消影层,减小了导电层中电极与刻蚀区之间的色差,降低了电极和刻蚀区的可见性。通过设置折射率比导电层大的保护层,可将大部分外界光线反射掉,降低了导电层的可见性。
【专利说明】一种触控面板结构

【技术领域】
[0001] 本实用新型涉及一种触控面板结构,更具体的说,尤其涉及一种可有效降低导电 层中刻蚀图案可见性的触控面板结构。

【背景技术】
[0002] 随着电子技术和信息技术的发展,电子装置在日常生活中的使用也在不断增加。 触摸屏作为适合于便携式设备的输入方式而受到青睐,使得触控面板的需求量与日俱增。
[0003] 现有技术中,单层导电层结构的触摸屏一般是通过在单层导电层上同时蚀刻形成 具有X线路和Y线路间隔排布的透明线路层,然后再利用桥接工艺,使透明线路层所有X线 路、所有Y线路分别连接成一体结构,再与柔性电路板连接通电以实现触摸屏的基本功能。 由于需要在同一层导电膜上印制两种电极,加上膜的体积较小,对设备以及加工工艺精度 要求极高,设备成本高,加工效率低,且制得的产品次品率高。
[0004] 目前双层导电膜的触摸屏具有产品合格率高,对设备的要求低等优势,相对于单 层导电层具有诸多优点。但缺点在于电极和缝隙之间的反射和透过率有较大差别,使得电 极和缝隙清晰可见,影响显示画面的效果和外观,特别是在手机,平板电脑及普通电脑上, 电极和缝隙可见会严重影响视觉效果。


【发明内容】

[0005] 本实用新型为了克服上述技术问题的缺点,提供了 一种触控面板结构。
[0006] 本实用新型的触控面板结构,包括基板、遮蔽层、第一导电层、第二导电层和绝缘 层,基板包括分别背向、朝向显示装置的第一面和第二面,遮蔽层形成于基板的第一面上, 遮蔽层上设置有用于暴露基板的镂空区域,遮蔽层和暴露的基板上形成有第一消影层;第 一导电层位于第一消影层上,绝缘层位于第一导电层与第二导电成之间,第一导电层内有 若干间隔设置且相互平行的第一电极,第二导电层内有若干间隔设置且相互平行的第二电 极,第一电极与第二电极成一定夹角但不同向,第一电极与第二电极上下相对区域形成可 感知是否被触碰的感应电容;触控面板的控制芯片通过检测第一电极和第二电极间的电容 变化得出触控面板的触碰位置;其特别之处在于:所述绝缘层上形成有第二消影层,第二 导电层位于第二消影层上;所述第二导电层的上表面上形成有透明的保护层,保护层的折 射率大于第一导电层和第二导电层的折射率。
[0007] 本实用新型的触控面板结构,所述保护层的折射率比第一导电层和第二导电层的 折射率大〇. 12以上。
[0008] 本实用新型的触控面板结构,所述保护层的材质为,其可采用溅镀或涂布的 方式形成于第二导电层上。
[0009] 本实用新型的触控面板结构,当第一导电层和第二导电层由/TO或』ZO透明导 电氧化物组成时,所述保护层的折射率介于1. 9?2. 4之间。
[0010] 本实用新型的触控面板结构,当第一导电层和第二导电层由银金属纳米线和金属 网格组成时,所述保护层的折射率介于I. 6?2. 1之间。
[0011] 本实用新型的触控面板结构,所述第一消影层和第二消影层均由两层结构形成, 第一层为朝向基板的TlO2层或《&2〇5层,第二层为背向基板的沒〇2层。
[0012] 本实用新型的触控面板结构,所述第一层的TiO2层或层的厚度为3? 30nm,第二层的沒〇2层的厚度为10?70nm。
[0013] 本实用新型的触控面板结构,所述基板为由聚对苯二甲酸乙二醇酯和强化玻璃组 成的透明薄膜或透明薄板。
[0014] 本实用新型的触控面板结构,所述绝缘层为聚甲基丙烯酸甲酯、聚醚砜、聚对苯二 甲酸乙二醇酯、聚氨酸脂或苯并环丁烯的高分子材料构成,或者由SO2无积分金属材料构 成。
[0015] 本实用新型的有益效果是:本实用新型的触控面板结构,不仅在遮蔽层和基板的 暴露区域上设置有第一消影层,而且在第一导电层与第二导电层之间还设置有第二消影 层,减小了第一导电层和第二导电层上的电极与刻蚀区之间的色差,使得导电层中电极和 刻蚀区的可见成都减小。通过在第二导电层的表面上设置折射率大于导电层的保护层,可 将大部分外部光线反射掉,使从外部进入到第二导电层和第一导电层的光线减少,进而透 过导电层反射出来的光线也减少,进一步降低了导电层中电极和刻蚀区的可见性。
[0016] 本实用新型的触控面板结构中,所示的第一消影层和第二消影层均由两层结构组 成,第一层为由Tio2层或Aft2O5层,第二层为沒O2层,采用这两层结构可有效减小导电层 中电极与刻蚀区之间的色彩。第一导电层和第二导电层可由/TO或JZO透明导电氧化物 组成,也可由银金属纳米线和金属网格组成。本实用新型的触控面板结构,通过在基板的上 方依次形成遮蔽层、第一消影层、第一导电层、绝缘层、第二消影层、第二导电层和保护层, 增加了现有触控面板所不具有的第二消影层和保护层,既减小了导电层中电极与刻蚀区之 间的色彩,由避免了外部光线的进入,将导电层中的刻蚀图案降到了最低,可将触控面板下 方显示装置的图案不失真地显示出来。

【专利附图】

【附图说明】
[0017] 图1为本实用新型的触控面板的结构示意图;
[0018] 图2为本实用新型的触控面板结构的制造方法的流程图。
[0019] 图中:1基板,2遮蔽层,3第一消影层,4第一导电层,5绝缘层,6第二消影层,7第 二导电层,8保护层。

【具体实施方式】
[0020] 下面结合附图与实施例对本实用新型作进一步说明。
[0021] 如图1所示,给出了本实用新型的触控面板的结构示意图,其由靠近显示装置至 远离显示装置依次设置有基板1、遮蔽层2、第一消影层3、第一导电层4、绝缘层5、第二消影 层6、第二导电层7以及保护层8 ;设定基板朝向显示装置的侧面为第二面,背向显示装置的 侧面为第一面。遮蔽层2形成于基板1的第一面上,基板1上设置有遮蔽层2的部位,可将 下方显示装置的图案遮挡起来。遮蔽层2上设置有镂空区域,基板1的第一面通过遮蔽层 2的镂空区域暴露出来,使得下方显示装置的图案通过镂空区域进行显示。
[0022] 所示的第一消影层3形成于遮蔽层2和基板1第一面的暴露部分,第一导电层4 形成于第一消影层3的上表面上,第一导电层4内设置有若干间隔设置且相互平行的第一 电极。绝缘层5形成于第一导电层4的上方,绝缘层5将第一导电层4与第二导电层7隔 离开来;第二消影层6形成于绝缘层5上,第二导电层7位于第二消影层6的上表面上,第 二导电层内设置有间隔设置且相互平行的第二电极,第二电极与第一电极成一定角度的夹 角但不相平行。第一导电层4与第二导电层7通过绝缘层5和第二消影层6隔离开来,导 电层中的第一电极与第二电极的对应区域就形成了可随使用者的碰触而变化的感应电容, 当使用者碰触控制面板时,控制面板的控制芯片通过判断电容发生变化的第一电极和第二 电极,即可得出触摸屏被碰触的位置。
[0023] 由于在第一导电层4与第二导电层7之间设置有第二消影层,可减小第一导电层 4和第二导电层7中电极与刻蚀区之间的色差,有效降低了导电层中刻蚀图案的可见程度。
[0024] 所不的保护层8形成于第二导电层7的上表面上,保护层8的折射率大于第一导 电层4和第二导电层7的折射率,保护层可采用,如保护层8的折射率比导电层的折射 率要大0. 12以上。在保护层8形成的过程中,通过改变形成保护层的中硅和氧所占的 比例,可改变保护层8的折射率,以满足保护层的折射率大于第一导电层4和第二导电层7 折射率的目的。保护层8不仅可实现对第二导电层7的保护作用,而且可避免外部光线从 保护层8进入到下方的导电层中。当外部光线由保护层8中向第二导电层7入射时,相当 于从光密介质进入到光束介质,会有一部分光线会发生全反射,减小了外界光线进入到第 二导电层7及其以下各层中;由于进入光线减少,经第二导电层7和第一导电层4反射出去 的光线就减少了,因此降低了第一导电层4和第二导电层7中刻蚀图案的可见性,使得外界 的观察者透过触控面板可清晰地看到显示装置发出的图像,而不会看到第一导电层4和第 二导电层7中的刻蚀图案。
[0025] 所示的基板1可采用由聚对苯二甲酸乙二醇酯和强化玻璃组成的透明薄膜或透 明薄板,既能保证基板的强度,又具有良好的透光性。所示的第一消影层3和第二消影层 6均由两层结构组成,第一层为朝向基板1的二氧化钛(TiO2 )层或五氧化二铌) 层,第二层为背向基板的二氧化硅(沒02 )层,第一层的TIO2层或层的厚度可为3? 30nm,第二层的沒O3层的厚度可为10?70nm。通过第一消影层和第二消影层对光线的作 用,可减小导电层中电极与刻蚀区的色差,避免电极和刻蚀区的可见。
[0026] 所示的第一导电层4和第二导电层7可由氧化铟锡(/'FO )或氧化铝锌(2Z0)透明 导电氧化物组成,为了保证保护层的折射率大于导电层的折射率,保护层的折射率应介于 1.9?2. 4之间。第一导电层和第二导电层也可由银金属纳米线和金属网格(metal mesh) 组成,为了保证保护层的折射率大于导电层的折射率,保护层的折射率应介于I. 6?2. 1之 间。
[0027] 所示的绝缘层5为聚甲基丙烯酸甲酯、聚醚砜、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚氨酸脂 或苯并环丁烯的高分子材料构成,或者由SO2无积分金属材料构成,绝缘层5将第一导电 层4与第二导电层7隔离开来。
[0028] 本实用新型的的触控面板结构的制造方法,通过以下步骤来实现:
[0029] a).制备遮蔽层,采用印刷的方式,将不透光材料印刷在基板第一面上的相应区 域,基板第一面上没有被印刷的部位形成遮蔽层的镂空区域,基板的第一面可以通过镂空 区域暴露出来;
[0030] b).制备第一消影层,首先在遮蔽层上和基板第一面的暴露区域上溅镀IiO2或 ,形成第一消影层的第一层;然后再在第一层上溅镀沒〇2,形成第一消影层的第二 层;
[0031] c).制备第一导电层,在第一消影层上叠置第一导电层,以形成若干间隔设置且相 互平行的第一电极;
[0032] d).制备绝缘层,在第一导电层上叠置绝缘层,以便将第一导电层与第二导电层绝 缘隔离开来;
[0033] e).制备第二消影层,采用与步骤b)中相同的方法在绝缘层上制备第二消影层, 以减小导电层的可视程度;
[0034] f).制备第二导电成,采用与步骤c)中相同的方法在第二消影层上叠置第二导电 层,以形成若干间隔设置且相互平行的第二电极,并保证第二电极与第一电极成一定夹角 当不同向;
[0035] g).制备保护层,在第二导电层上叠置保护层,并保证所形成的保护层的折射率大 于第一导电层和第二导电层的折射率,以最大限度地避免外界的光线穿过保护层射入到第 二导电层及其以下各层。
[0036] 该步骤中,在保护层形成的过程中,可采用溅镀、涂布等方式在第二导电层上形成 层,以构成保护层;并通过调节中硅和氧所占的比例,来改变保护层8的折射率。
[0037] 本实用新型的触控面板结构,通过在第一导电层与第二导电层之间设置第二消影 层,减小了导电层中电极与刻蚀区之间的色差,降低了电极和刻蚀区的可见性。通过在第二 导电层的外表面上设置折射率比导电层大的保护层,可将大部分外界光线反射掉,使进入 导电层的光线减少,进而使得透过导电层发射出来的光线也减少,降低了导电层中刻蚀图 案的可见性。
【权利要求】
1. 一种触控面板结构,包括基板(I )、遮蔽层(2)、第一导电层(4)、第二导电层(7)和 绝缘层(5),基板包括分别背向、朝向显示装置的第一面和第二面,遮蔽层形成于基板的第 一面上,遮蔽层上设置有用于暴露基板的镂空区域,遮蔽层和暴露的基板上形成有第一消 影层(3);第一导电层位于第一消影层上,绝缘层位于第一导电层与第二导电成之间,第一 导电层内有若干间隔设置且相互平行的第一电极,第二导电层内有若干间隔设置且相互平 行的第二电极,第一电极与第二电极成一定夹角但不同向,第一电极与第二电极上下相对 区域形成可感知是否被触碰的感应电容;触控面板的控制芯片通过检测第一电极和第二 电极间的电容变化得出触控面板的触碰位置;其特征在于:所述绝缘层上形成有第二消影 层(6),第二导电层位于第二消影层上;所述第二导电层的上表面上形成有透明的保护层 (8),保护层的折射率大于第一导电层和第二导电层的折射率。
2. 根据权利要求1所述的触控面板结构,其特征在于:所述保护层(8)的折射率比第一 导电层(4)和第二导电层(7)的折射率大0. 12以上。
3. 根据权利要求1所述的触控面板结构,其特征在于:所述保护层(8)的材质为SO, ,其可采用溅镀或涂布的方式形成于第二导电层(7)上。
4. 根据权利要求1或2所述的触控面板结构,其特征在于:当第一导电层(4)和第二导 电层(7)由/TO或220透明导电氧化物组成时,所述保护层(8)的折射率介于1. 9?2. 4 之间。
5. 根据权利要求1或2所述的触控面板结构,其特征在于:当第一导电层(4)和第二 导电层(7)由银金属纳米线和金属网格组成时,所述保护层(8)的折射率介于1. 6?2. 1之 间。
6. 根据权利要求1或2所述的触控面板结构,其特征在于:所述第一消影层(3)和第二 消影层(6)均由两层结构形成,第一层为朝向基板(1)的7!02层或#205层,第二层为背向 基板的SO2层。
7. 根据权利要求6所述的触控面板结构,其特征在于:所述第一层的TlO2层或i?205层的厚度为3?30nm,第二层的沒O2层的厚度为10?70nm。
8. 根据权利要求1或2所述的触控面板结构,其特征在于:所述绝缘层(5)为聚甲基丙 烯酸甲酯、聚醚砜、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚氨酸脂或苯并环丁烯的高分子材料构成,或 者由SO3无积分金属材料构成。
【文档编号】G06F3/041GK204143400SQ201420470587
【公开日】2015年2月4日 申请日期:2014年8月20日 优先权日:2014年8月20日
【发明者】黄永振, 沈效龙, 张国强, 黄孝宁, 王术军, 刘骥 申请人:山东华芯富创电子科技有限公司
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