触控装置的基底的制作方法【专利摘要】本实用新型公开了一种触控装置的基底，包括一第一基底，第一基底具有一侧面、一第一面以及一与第一面相反的第二面，侧面包括一第三面、一第四面以及一第五面，第三面与第一面相接，第五面与第二面相接，第四面设置在第三面与第五面之间。第三面与第五面其中至少一种之至少部分为弧面，且第三面、第四面与第五面其中至少一种具有齿状结构。【专利说明】触控装置的基底【
技术领域：
】[0001]本实用新型涉及一种触控装置的基底，特别涉及一种利用边缘蚀刻工艺或/与边缘涂胶工艺对基底形成强化效果的方法制造且用在触控装置的基底。【
背景技术：
】[0002]近年来，触控感应技术迅速地发展，许多消费性电子产品例如移动电话(mobilephone)、全球定位系统(GPSnavigatorsystem)、平板电脑(tabletPC)、个人数码助理(PDA)以及笔记本计算机(laptopPC)等均有与触控功能结合的产品推出。在触控面板的结构中，位于外侧的基底(一般称为覆盖板)由于需具有高机械强度用以形成保护、覆盖或是美化对应装置的效果，故一般常以强化玻璃形成覆盖板。然而，当已完成化学强化的玻璃再进行切割等加工之后可能导致玻璃局部区域的强化层被移除或产生出不具有强化层的新表面，进而降低玻璃本身的强度，故需以其他方式再对基底形成强化的效果。
实用新型内容[0003]本实用新型的目的在于提供一种触控装置的基底，利用边缘蚀刻工艺或/与边缘涂胶工艺对基底的侧面形成强化效果，并以此方法制造用在触控装置的基底。[0004]本实用新型提供一种触控装置的基底，包括一第一基底，第一基底具有一侧面、一第一面以及一与第一面相反的第二面，侧面包括一第三面、一第四面以及一第五面，第三面是与第一面相接，第五面与第二面相接，第四面设置在第三面与第五面之间。第三面与第五面其中至少一种的至少部分为弧面，且第三面、第四面与第五面其中至少一种具有齿状结构。[0005]本实用新型的另外一实施例的触控装置的基底还包括一触控组件设置在第一基底上，其中触控组件设置在第一面与第二面的至少其中一面上。[0006]在本实用新型的另外一实施例的触控装置的基底中，第一基底包括在侧面形成有交换离子强化层的玻璃基底。[0007]在本实用新型的另外一实施例的触控装置的基底中，第三面与第一面的交界处与第四面在一水平方向上的距离或第二面与第五面的交界处与第四面在水平方向上的距离大于0.01毫米且小于0.2毫米。[0008]在本实用新型的另外一实施例的触控装置的基底中，第三面与第一面的交界处与第四面在一水平方向上的距离或第二面与第五面的交界处与第四面在水平方向上的距离大于0.05毫米且小于0.1毫米。本实用新型提供一种触控装置的基底，包括一第一基底以及一保护层。第一基底具有一侧面、一第一面以及一与第一面相反的第二面。侧面包括一第三面、一第四面以及一第五面，第三面是与第一面相接，第五面与第二面相接，且第四面设置在第三面与第五面之间。保护层设置在第一基底的侧面上，保护层至少部分覆盖侧面，保护层具有至少一抛光面，且抛光面在一水平方向上与第三面或第五面对应设置。[0009]在本实用新型的另外一实施例的触控装置的基底中，第三面与第四面的夹角小于45度，且第五面与第四面的夹角小于45度。[0010]在本实用新型的另外一实施例的触控装置的基底中，保护层的厚度小于30微米。[0011]在本实用新型的另外一实施例的触控装置的基底中，第三面、第四面与第五面分别为一平面，且抛光面为一弧面。[0012]在本实用新型的另外一实施例的触控装置的基底中，第三面、第四面与第五面为连续的弧面，且抛光面为一弧面。[0013]本实用新型提供一种触控装置的基底，包括一第一基底以及一保护层。第一基底具有一侧面、一第一面以及一与第一面相反的第二面。侧面包括一第三面、一第四面以及一第五面。第三面与第一面相接，第五面与第二面相接，第四面设置在第三面与第五面之间。保护层设置在第一基底的侧面上，其中保护层至少部分覆盖侧面，保护层具有至少一研磨面，研磨面包括一第六面、一第七面以及一第八面。第六面与第八面与第一基底相接，第七面设置在第六面与第八面之间，且第六面、第七面以及第八面分别为一平面或一弧面。[0014]本实用新型的另外一实施例的触控装置的基底还包括一装饰层以及一遮蔽层。装饰层设置在第一基底上，遮蔽层设置在第一基底上，且遮蔽层至少部分覆盖保护层以及装饰层。[0015]本实用新型的另外一实施例的触控装置的基底还包括一功能性膜层，设置在第一基底上，其中功能性膜层具有防污、抗炫、增加光透射比以及保护等功能的其中至少一种功倉泛。[0016]在本实用新型的另外一实施例的触控装置的基底中，保护层的厚度大于60微米。[0017]在本实用新型的另外一实施例的触控装置的基底中，保护层的厚度介于80微米到120微米之间。[0018]在本实用新型的另外一实施例的触控装置的基底中，第三面、第四面与第五面分别为一平面。[0019]本实用新型提供一种触控装置的基底，包括一第一基底以及一保护层。第一基底具有一侧面、一第一面以及一与第一面相反的第二面。侧面包括一第三面、一第四面以及一第五面。第三面与第一面相接，第五面与第二面相接，第四面设置在第三面与第五面之间。第三面与第四面的夹角小于45度，且第五面与第四面的夹角小于45度。一保护层设置在第一基底的侧面上，其中保护层至少部分覆盖侧面。【专利附图】【附图说明】[0020]图1所示为本实用新型实施例1的强化基底的方法的流程示意图；[0021]图2与图3所示为本实用新型实施例1的强化基底的方法的示意图；[0022]图4所示为本实用新型实施例1的触控装置的基底的示意图；[0023]图5所示为本实用新型实施例2的强化基底的方法的流程示意图；[0024]图6到图14所示为本实用新型实施例2的强化基底的方法的示意图；[0025]图15所示为本实用新型实施例3的强化基底的方法的示意图；[0026]图16所示为本实用新型实施例4的强化基底的方法的流程示意图；[0027]图17所示为本实用新型实施例4的强化基底的方法的示意图；[0028]图18与图19所示为本实用新型实施例5的强化基底的方法的示意图；[0029]图20所示为本实用新型实施例6的强化基底的方法的示意图；[0030]图21所示为本实用新型实施例7的触控装置的基底的示意图。[0031]其中，附图标记说明如下:[0032]100、201、202、300-303触控装置的基底[0033]110第一基底[0034]IlOA第一面[0035]IlOB第二面[0036]IlOS侧面[0037]120抗酸膜[0038]120A第一抗酸膜[0039]120B第二抗酸膜[0040]180触控组件[0041]190蚀刻液[0042]220挡墙[0043]220A第一挡墙[0044]220B第二挡墙[0045]230保护层[0046]230P抛光面[0047]230S研磨面[0048]290喷涂装置[0049]391装饰层[0050]392遮蔽层[0051]393功能性膜层[0052]Al第一夹角[0053]A2第二夹角[0054]A3第三夹角[0055]A4第四夹角[0056]A5第五夹角[0057]A6第六夹角[0058]D距离[0059]H水平方向[0060]S3第三面[0061]S4第四面[0062]S5第五面[0063]S6第六面[0064]S7第七面[0065]S8第八面[0066]S11-S15、S22_26、S36步骤[0067]T齿状结构[0068]TK厚度[0069]Z垂直投影方向【具体实施方式】[0070]为使本实用新型所属【
技术领域：
】的技术人员能进一步了解本实用新型，下文特列举本实用新型的数个具体实施例，并配合附图，详细说明本实用新型的技术方案。[0071]实施例1[0072]请参考图1到图4。图1所示为本实用新型实施例1的强化基底的方法的流程示意图，图2与图3所示为本实用新型实施例1的强化基底的方法的示意图，图4所示为本实施例的触控装置的基底的示意图。为了方便说明，本实用新型的各附图仅为示意用以容易了解本实用新型，其详细的比例可依照设计的需求进行调整。本实用新型的实施例1的强化基底的方法包括下列步骤。首先，如图1与图2所示，进行步骤S11，提供一第一基底110，第一基底110具有一侧面110S、一第一面IlOA以及一与第一面IlOA相反的第二面110B。第一面IlOA与第二面IlOB为一垂直第一基底110的垂直投影方向Z上相对的上下表面，而侧面IlOS可视为第一基底110除了第一面IlOA与第二面IlOB之外的剩余侧表面，但并不以此为限。换句话说，侧面IlOS可视为第一基底110在一水平方向H上的表面，而水平方向H与垂直投影方向Z正交，但并不以此为限。第一基底110可包括玻璃基底、蓝宝石基底、陶瓷基底、塑胶基底或其他适合材料所形成的基底。本实施例的第一基底110优选是由比较大片基底经由切割所形成，故其侧面IlOS的机械强度相对比较弱，但并不以此为限。例如，在其他实施例中，第一基底也可以是侧面已有经过化学或物理方式强化后的基底，譬如经过离子交换或热处理后在侧面形成有交换离子强化层的玻璃基底。[0073]接着，进行步骤S12，在第一基底110的第一面IlOA与第二面IlOB上分别贴附一抗酸膜120，举例来说可将一第一抗酸膜120A与一第二抗酸膜120B分别贴附在第一基底110的第一面IlOA与第二面IlOB上。然后，如图1与图3所示，进行步骤S13，将多个贴附有第一抗酸膜120A与第二抗酸膜120B的第一基底110互相堆栈。之后，进行步骤S14，对堆栈的第一基底110—起进行一磨边工艺，此磨边工艺优选是利用数控机床(computernumeralcontrol,CNC)进行,但并不以此为限。接着,进行步骤S15,对贴附有第一抗酸膜120A以及第二抗酸膜120B的第一基底110进行一边缘蚀刻工艺，用以对第一基底110的侧面IlOS产生导角化以及强化的效果。在上述工艺之后，可将第一抗酸膜120A以及第二抗酸膜120B移除用以形成如图4所示的触控装置的基底100。[0074]本实施例中，可利用将贴附有第一抗酸膜120A以及第二抗酸膜120B的第一基底110浸泡在一蚀刻液190中来进行上述的边缘蚀刻工艺，但并不以此为限。蚀刻液190的成分可视第一基底110的材料不同而进行调整，举例来说，当第一基底110为一玻璃基底时，可选择以氢氟酸(HF)当作蚀刻液190，而抗酸膜120则优选是可抗氢氟酸的膜材或胶材，在其他实施例中，抗酸膜可为抗蚀刻的抗蚀膜材或胶材。除了通过边缘蚀刻工艺时对第一基底110的侧面IlOS的裂痕(crack)进行部分或全部去除用以产生强化效果外，还可利用抗酸膜120在第一基底110边缘贴附力相对比较弱的特性，而可同时在侧面IlOS产生导角化的效果。值得说明的是，本实施例将多个贴附有第一抗酸膜120A与第二抗酸膜120B的第一基底110互相堆栈，用以一并进行磨边工艺与边缘蚀刻工艺，借此方式达到批次生产用以缩短工时的效果。但本实用新型并不以此为限，在本实用新型的其他实施例中，也可仅以单片贴附有第一抗酸膜120A以及第二抗酸膜120B的第一基底110进行边缘蚀刻工艺。换句话说，在本实施例的强化基底的方法中，可在步骤S12之后直接进行步骤S15(跳过步骤S13与步骤S14)或可在步骤S12之后直接进行步骤S14与之后的步骤S15(跳过步骤S13)。[0075]值得一提的是，若设计第一抗酸膜120A与第二抗酸膜120B大于第一基底110,则也可用以使第一基底110内缩于第一抗酸膜120A与第二抗酸膜120B之内，用以形成后续用来进行边缘蚀刻工艺时所需要的空间，借此在进行边缘蚀刻强化时，同步进行导角作业，从而可省去传统利用外部工具进行导角的作业。此外，在其他实施例中，例如可在对第一基底110进行磨边工艺后，再在第一基底110的第一面IlOA与第二面IlOB分别贴附第一抗酸膜120A与第二抗酸膜120B，并可选择性地互相堆栈数个第一基底110，之后再进行边缘蚀刻作业，在此同时，通过第一抗酸膜120A与第二抗酸膜120B大于第一基底110的设计以及抗酸膜120在第一基底110边缘比较容易被蚀刻液190侵入的特性，可同步对第一基底110的侧面IlOS产生导角化的效果。[0076]如图4所示，本实施例的触控装置的基底100包括一第一基底110。第一基底110具有一侧面110S、一第一面IlOA以及一与第一面IlOA相反的第二面110B，侧面IlOS包括一第三面S3、一第四面S4以及一第五面S5,第三面S3与第一面IlOA相接,第五面S5与第二面IlOB相接，第四面S4设置在第三面S3与第五面S5之间。在本实施例中，第三面S3与第五面S5其中至少一种的至少部分为弧面，第一面IlOA与第三面S3之间具有一第一夹角Al,第二面IlOB与第五面S5之间具有一第二夹角A2,第一夹角Al与第二夹角A2优选是分别大于135度,而第一夹角Al与第二夹角A2优选是分别小于155度,但并不以此为限。此外，由于第三面S3、第四面S4与第五面S5在上述的边缘蚀刻工艺是直接与蚀刻液接触，故第三面S3、第四面S4与第五面S5其中至少一种会因被蚀刻而具有齿状结构T(也可视为凹槽结构)。此外，由于是通过边缘蚀刻工艺形成第三面S3、第四面S4与第五面S5，故可缩小第四面S4与第一面IlOA以及第三面S3的交界处的距离。举例来说，第四面S4与第一面IlOA以及第三面S3的交界处或与第二面IlOB以及第五面S5的交界处在水平方向H上具有一距离D，距离D大于0.01毫米且小于0.2毫米，且距离D优选是大于0.05毫米且小于0.1毫米，但并不以此为限。此外，本实施例的触控装置的基底100可还包括一触控组件180设置在第一基底110的第一面IlOA或第二面IlOB上，但并不以此为限。换句话说，在上述的本实施例的强化基底的方法以及后述的其他实施例的强化基底的方法中均可视需要还包括在第一基底110上形成触控组件180，且触控组件180是形成在第一面IlOA与第二面IlOB的至少其中一面上。在本实用新型的其他实施例中也可视需要将触控组件180设置在其他基底上而与第一基底110结合来形成触控装置。值得说明的是，触控组件180可视需要在上述的边缘蚀刻工艺之后或之前形成在第一基底110上。此外，第一基底110上也可视需要形成有装饰层(图未示)，而此装饰层的工艺也可视需要在上述的边缘蚀刻工艺之后或之前进行。[0077]下文将针对本实用新型的不同实施例进行说明，且为简化说明，以下说明主要针对各实施例不同的部分进行详述，而不再对相同的部分作重复赘述。此外，本实用新型的各实施例中相同的组件是以相同的标号进行标示，用以方便在各实施例间互相对照。[0078]实施例2[0079]请参考图5到图14。图5所示为本实用新型实施例2的强化基底的方法的流程示意图。图6到图14所示为本实用新型实施例2的强化基底的方法的示意图。本实用新型实施例2的强化基底的方法包括下列步骤。首先，如图5到图7所示，进行步骤S11，提供一第一基底110，第一基底110具有一侧面110S、一第一面IlOA以及一与第一面IlOA相反的第二面110B。然后，进行步骤S22，对第一基底110的侧面IlOS进行一导角化处理工艺，用以形成如图6与图7所示的第一基底110的侧面IlOS的状况。本实施例的导角化处理工艺优选是为一物理性处理工艺例如利用CNC进行，但并不以此为限。如图6与图7所示，经由上述的导角化处理工艺后，侧面IlOS可包括一第三面S3、一第四面S4以及一第五面S5，第三面S3与第一面IlOA相接，第五面S5与第二面IlOB相接，第四面S4设置在第三面S3与第五面S5之间。第三面S3、第四面S4与第五面S5可分别为一平面(如图6所不,一般称为C角)，或者是第三面S3、第四面S4与第五面S5也可为连续的弧面(如图7所示，一般称为R角)，但并不以此为限。在本实施例中，第一面IlOA与第三面S3之间具有一第三夹角A3，第二面IlOB与第五面S5之间具有一第四夹角A4，第三夹角A3与第四夹角A4优选是分别小于130度，但并不以此为限。[0080]接着，可选择性地进行步骤S23，对第一基底110进行一边缘蚀刻强化工艺，用以对第一基底110的侧面IlOS形成强化效果。但并不以此为限。例如也可以改以抛光作业取代，或是改采离子交换工艺，用以第一基底110的侧面IlOS形成化学强化效果；当然，步骤S23以及上述抛光、离子交换工艺也可不进行。接着，如图5与图8所示，进行步骤S24，在第一基底110的第一面I1A与第二面IlOB上分别贴附一挡墙220，举例来说可将一第一挡墙220A与一第二挡墙220B分别贴附在第一基底110的第一面IlOA与第二面IlOB上。值得说明的是，第一挡墙220A与第二挡墙220B优选是大于第一基底110，用以使第一基底110内缩于第一挡墙220A与第二挡墙220B之内，用以形成后续用来进行边缘涂胶工艺时所需要的空间。此外，在本实施例的强化基底的方法中，也可视需要选择性地在步骤Sll之后直接进行步骤S24(跳过步骤S22与步骤S23)、可在步骤Sll之后直接进行步骤S23与之后的步骤S24(跳过步骤S22)或可在步骤S22之后直接进行步骤S24(跳过步骤S23)。本实施例的档墙可包括绝缘膜片或抗酸膜片，但并不以此为限。[0081]然后，如图5、图9与图10所示，进行步骤S25，将多个贴附有第一挡墙220A与第二挡墙220B的第一基底110互相堆栈。值得说明的是，两互相堆栈且相邻的第一基底110之间可具有第一挡墙220A与第二挡墙220B(如图9所示)，或者是两互相堆栈且相邻的第一基底110之间可仅具有一个挡墙220(如图10所示)，用以减少堆栈的第一基底110的整体厚度，但并不以此为限。之后，如图5、图11以及图12所示，进行步骤S26，对贴附有第一挡墙220A以及第二挡墙220B的第一基底110进行一边缘涂胶工艺，用以在第一基底110的侧面IlOS上形成一保护层230。保护层230可包括有机材料、无机材料或有机无机混成材料，且上述的边缘涂胶工艺可包括喷涂、擦拭、沉浸、转印等湿式涂布方式，但不以此为限。举例来说，如图11所示，可利用一喷涂装置290由上往下对第一基底110进行UV胶的喷涂，但并不以此为限。此外，也可利用一固化工艺例如紫外光(UV)固化或热固化方式对保护层230产生固化效果。此外，本实施例将多个贴附有第一挡墙220A以及第二挡墙220B的第一基底110互相堆栈，用以一并进行边缘涂胶工艺，借此方式达到批次生产用以缩短工时的效果。但本实用新型并不以此为限，在本实用新型的其他实施例中，也可仅以单片贴附有第一挡墙220A以及第二挡墙220B的第一基底110进行边缘涂胶工艺。换句话说，在本实施例的强化基底的方法中，可在步骤S24之后直接进行步骤S26(跳过步骤S25)，但并不以此为限。[0082]如图12到图14所示，在上述的边缘涂胶工艺之后，所形成的保护层230可能会具有牛角现象，故需在移除第一挡墙220A以及第二挡墙220B之后进行一去牛角工艺，例如可用金属布来去除保护层230的牛角，用以形成如图13所示的触控装置的基底201，或形成如第14所示的触控装置的基底202。如图13所示，触控装置的基底201包括第一基底110以及保护层230。第一基底110具有一侧面110S、一第一面IlOA以及一与第一面IlOA相反的第二面110B。侧面IlOS包括一第三面S3、一第四面S4以及一第五面S5,第三面S3与第一面IlOA相接，第五面S5与第二面IlOB相接，且第四面S4设置在第三面S3与第五面S5之间。保护层230设置在第一基底110的侧面IlOS上，保护层230至少部分覆盖侧面110S。换句话说，保护层230可全面覆盖侧面110S,或也可视需要仅部分覆盖侧面110S,例如可仅覆盖第四面S4而暴露出第三面S3与第五面S5，但并不以此为限。此外，保护层230经过上述的去牛角工艺之后具有至少一抛光面230P，抛光面230P可为一弧面，且抛光面230P是在水平方向H上与第三面S3或第五面S5对应设置，但并不以此为限。如图13与图14所示，触控装置的基底202与触控装置的基底201的差异仅在于其侧面IlOS为R角或C角。此夕卜，触控装置的基底201与触控装置的基底202也可视需要分别包括一触控组件180设置在第一基底110的第一面IlOA或第二面IlOB上，但并不以此为限。在本实用新型的其他实施例中也可视需要将触控组件180设置在其他基底上而与第一基底110结合来形成触控装置。值得一提的是，若可设计第一挡墙220A以及第二挡墙220B至少在其超出基底110的部分区域不具备粘性，则可进一步改善牛角现象。[0083]实施例3[0084]请参考图15。图15所示为本实用新型实施例3的强化基底的方法的示意图。与上述实施例2不同的地方在于，在本实施例的强化基底的方法中，可利用一喷涂装置290由下往上对第一基底110进行喷涂，用以形成保护层230，用以利用地心引力增加保护层230的厚度。此外，也可利用地心引力改善上述保护层230具有牛角的问题。喷涂完后，再去除第一挡墙220A以及第二挡墙220B。另外，在本实用新型中，也可以形成一层或多层功能性膜层在每一片第一基底上，每一片功能性膜层可以是选择性至少具有防污、抗炫、增加光透射比或/与保护的功能。[0085]实施例4[0086]请参考图16与图17。图16所示为本实用新型实施例4的强化基底的方法的流程不意图。图17所不为本实用新型实施例4的强化基底的方法的不意图。如图16与图17所示，与上述实施例1不同的地方在于，本实施例的强化基底的方法还包括在步骤S15之后进行一步骤S36，对贴附有第一抗酸膜120A以及第二抗酸膜120B的第一基底110进行一边缘涂胶工艺，用以在第一基底110的侧面IlOS上形成一保护层230。此外，与上述实施例2不同的地方在于，本实施例的方法是直接利用第一抗酸膜120A以及第二抗酸膜120B作为边缘涂胶工艺时的挡墙，由于贴附有第一抗酸膜120A以及第二抗酸膜120B的第一基底110经过边缘蚀刻工艺之后会内缩于第一抗酸膜120A以及第二抗酸膜120B之内而形成后续用来进行边缘涂胶工艺时所需要的空间。本实施例的边缘涂胶工艺除了利用第一抗酸膜120A以及第二抗酸膜120B作为挡墙之外，其余的制造工艺特征与上述实施例2或实施例3相似，故在此并不再赘述。本实施例的方法可在边缘蚀刻工艺之后进行边缘涂胶工艺，借此对第一基底110的侧面IlOS产生进一步的强化效果，且也可利用第一抗酸膜120A以及第二抗酸膜120B作为边缘涂胶工艺时的挡墙来达到简化制造工艺与使用材料的效果。[0087]同样地，步骤S14也可提前到步骤S12之前，且可设计第一抗酸膜120A以及第二抗酸膜120B大于第一基底110,如此,通过第一抗酸膜120A与第二抗酸膜120B大于第一基底110的设计以及抗酸膜120在第一基底110边缘比较容易被蚀刻液190侵入的特性，可同步对第一基底110的侧面I1S产生导角化的效果，并且可接着再次利用第一抗酸膜120A与第二抗酸膜120B作为边缘涂胶工艺时的挡墙。[0088]如图17所示，通过上述的强化基底的方法可产生触控装置的基底300，与上述实施例2不同的地方在于，在本实施例的第一基底110的侧面IlOS中，第三面S3与第五面S5其中至少一种的至少部分为弧面，第一面IlOA与第三面S3之间具有一第一夹角Al，第二面IlOB与第五面S5之间具有一第二夹角A2，第一夹角Al与第二夹角A2优选是分别大于135度，而第一夹角Al与第二夹角A2优选是分别小于155度，但并不以此为限。此外，由于第三面S3、第四面S4与第五面S5在上述的边缘蚀刻工艺中直接与蚀刻液接触，故第三面S3、第四面S4与第五面S5其中至少一种会因被蚀刻而具有齿状结构T(也可视为凹槽结构)。此外，由于通过边缘蚀刻工艺形成第三面S3、第四面S4与第五面S5，故可缩小第四面S4与第一面IlOA以及第三面S3的交界处的距离。举例来说，第四面S4与第一面IlOA以及第三面S3的交界处或与第二面IlOB以及第五面S5的交界处在水平方向H上具有一距离D，距离D大于0.01毫米且小于0.2毫米，且距离D优选是大于0.05毫米且小于0.1毫米，但并不以此为限。此外，本实施例的保护层230经过上述的去牛角工艺之后具有至少一抛光面230P，且抛光面230P是在水平方向H上与第三面S3或第五面S5对应设置，但并不以此为限。本实施例的触控装置的基底300可还包括一触控组件180设置在第一基底110的第一面IlOA或第二面IlOB上，但并不以此为限。在本实用新型的其他实施例中也可视需要将触控组件180设置在其他基底上而与第一基底110结合来形成触控装置。[0089]实施例5[0090]请参考图18与图19。图18与图19所示为本实用新型的实施例5的强化基底的方法的示意图。如图18所示，与上述实施例2不同的地方在于，在本实施例的强化基底的方法中，以边缘涂胶工艺所形成的保护层230的厚度TK比较厚，举例来说，本实施例在边缘涂胶工艺之后的保护层230的厚度TK为200微米以上，优选为400微米到500微米之间，或是可以与第一挡墙220A与第二挡墙220B的外侧缘实质齐平，用以方便加工以及将涂胶工艺简易化，详细的说，胶材可先被填满在第一挡墙220A(或是第一抗蚀膜)与第二挡墙220B(或是第二抗蚀膜)之间，再以刮刀将多余的胶材刮除并回收再利用，无须管控涂胶状况，但并不以此为限。接着，如图19所示，对保护层230进行一研磨工艺，用以使保护层230具有一研磨面230S。通过上述的强化基底的方法可产生如图19所示的触控装置的基底301。换句话说，本实施例的触控装置的基底301与上述实施例2不同的地方在于，本实施例的保护层230具有一研磨面230S。上述的研磨工艺优选是利用数控机床(CNC)进行，但并不以此为限。研磨面230S包括一第六面S6、一第七面S7以及一第八面S8,第六面S6与第八面S8与第一基底110相接，第七面S7位于第六面S6与第八面S8之间，且第六面S6、第七面S7以及第八面S8可分别为一平面(即一般称为C角)，但本实用新型并不以此为限。在本实用新型的其他实施例中，第六面S6、第七面S7以及第八面S8也可为连续的弧面(即一般称为R角)。此外，值得说明的是，经过上述的研磨工艺之后，保护层230的厚度TK降低，例如厚度为60um以上，优选是减少到80微米到120微米之间，用以使外观更佳更统一，且强度也获提高，但并不以此为限。换句话说，通过本实施例的方法，可使得边缘涂胶工艺时所形成的保护层230的厚度TK比较厚，借此可降低边缘涂胶工艺的工艺困难度，进而达到提高整体工艺合格率的目的。还请注意,本实施例的对保护层230进行研磨工艺的方式也可视需要应用在上述其他实施例中。[0091]实施例6[0092]请参考图20。图20所示为本实用新型的实施例6的强化基底的方法的示意图。如图20所示，与上述实施例5不同的地方在于，本实施例的强化基底的方法还包括在第一基底110上形成一装饰层391以及一遮蔽层392。触控组件180、装饰层391以及遮蔽层392优选是形成在第一基底110上的同一侧，但并不以此为限。举例来说，本实施例的触控组件180、装饰层391以及遮蔽层392是形成在第一基底110的第一面IlOA上，而第一基底110的第二面IlOB上则可视需要形成一功能性膜层393，但并不以此为限。通过上述的强化基底的方法可产生如图20所示的触控装置的基底302。换句话说，本实施例的触控装置的基底302与上述实施例5不同的地方在于，触控装置的基底302还包括装饰层391、遮蔽层392以及功能性膜层393设置在第一基底110上。功能性膜层393可具有防污、抗炫、增加光透射比以及保护等功能的其中至少一种功能。装饰层391与遮蔽层392可分别由单层或多层堆栈的装饰材料例如彩色油墨、彩色光致抗蚀刻剂或其他具有颜色或材质效果的材料所形成。遮蔽层392与装饰层391优选是具有相近或相同的颜色，但并不以此为限。遮蔽层392优选是至少部分覆盖保护层230以及装饰层391，借此达到补偿第一基底110边缘显色效果的目的。此外，遮蔽层392还可只遮蔽到部分的第六面S6，或是朝外延伸到覆盖到第七面S7。值得说明的是，保护层230也可视需要选择以透明或具有颜色的材料所形成，且保护层230也可与装饰层391或/与遮蔽层392具有相近或相同的颜色，换句话说，比较厚的保护层230提供了更多的外观搭配选择，可使触控装置更具多样化，但并不以此为限。还请注意，本实施例的装饰层391、遮蔽层392或/与功能性膜层393也可视需要应用在上述其他实施例中。另外一提的是，在上述实施例中，虽然附图中的第一基底110的侧面IlOS均以C角为例，但并不限于此，例如也可为R角或是未经加工成特殊形状的平面，且可以为C角的第一基底110的侧面I1S搭配R角的保护层230(例如上述图13所示)，或是R角的第一基底110的侧面IlOS搭配C角的保护层230，也可是平面状的第一基底110的侧面IlOS搭配C角或R角的保护层230。[0093]实施例7[0094]请参考图21。图21所示为本实用新型的实施例7的触控装置的基底的示意图。如图21所示，与上述实施例2不同的地方在于，在本实施例的触控装置的基底303中，第三面S3与第四面S4之间具有一第五夹角A5，第四面S4与第五面S5之间具有一第六夹角A6，且第五夹角A5与第六夹角A6分别小于45度，且优选是小于或等于30度，借此使得第一基底110的侧面IlOS的表面起伏相对比较平缓，进而可使得后续形成的保护层230的厚度TK小于30微米。换句话说，在本实施例的第一基底110的侧面IlOS中，第三面S3与第四面S4的夹角小于45度，且第五面S5与第四面S4的夹角小于45度，借此使得在保护层230的厚度TK小于30微米的状况下仍可有效覆盖第一基底110的侧面IlOS而达到所需的保护与强化效果。值得说明的是，本实施例的保护层230也可视需要如上述实施例2具有一抛光面，但并不以此为限。本实施例的保护层230也可直接通过上述的边缘涂胶工艺所形成而不具有抛光面。[0095]综上所述，本实用新型的强化基底的方法利用边缘蚀刻工艺或/与边缘涂胶工艺对基底的侧面形成强化效果，并借此方法制造用在触控装置的基底。此外，本实用新型可还利用在边缘蚀刻强化工艺中所使用的抗酸膜作为边缘涂胶工艺时的挡墙，借此在以边缘蚀刻工艺以及边缘涂胶工艺分别对基底产生强化效果的同时，达到简化制造工艺与使用材料的目的。[0096]以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，对于本领域的技术人员来说，本实用新型可以有各种更改和变化。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。【权利要求】1.一种触控装置的基底，其特征在于，包括:一第一基底，所述第一基底具有一侧面、一第一面以及一与所述第一面相反的第二面，其中所述侧面包括一第三面、一第四面以及一第五面，所述第三面与所述第一面相接，所述第五面与所述第二面相接，所述第四面设置在所述第三面与所述第五面之间，其中所述第三面与所述第五面其中至少一种的至少部分为弧面，且所述第三面、所述第四面与所述第五面其中至少一种具有齿状结构。2.根据权利要求1所述的触控装置的基底，其特征在于，还包括一触控组件设置在所述第一基底上，其中所述触控组件设置在所述第一面与所述第二面的至少其中一面上。3.根据权利要求1所述的触控装置的基底，其特征在于，所述第一基底包括在侧面形成有交换离子强化层的玻璃基底。4.根据权利要求1所述的触控装置的基底，其特征在于，所述第三面与所述第一面的交界处与所述第四面在一水平方向上的距离或所述第二面与所述第五面的交界处与所述第四面在所述水平方向上的距离大于0.0l毫米且小于0.2毫米。5.根据权利要求1所述的触控装置的基底，其特征在于，所述第三面与所述第一面的交界处与所述第四面在一水平方向上的距离或所述第二面与所述第五面的交界处与所述第四面在所述水平方向上的距离大于0.05毫米且小于0.1毫米。6.一种触控装置的基底，其特征在于，包括:一第一基底，所述第一基底具有一侧面、一第一面以及一与所述第一面相反的第二面，其中所述侧面包括一第三面、一第四面以及一第五面，所述第三面与所述第一面相接，所述第五面与所述第二面相接，所述第四面设置在所述第三面与所述第五面之间；以及一保护层，设置在所述第一基底的所述侧面上，其中所述保护层至少部分覆盖所述侧面，所述保护层具有至少一抛光面，且所述抛光面在一水平方向上与所述第三面或所述第五面对应设置。7.根据权利要求6所述的触控装置的基底，其特征在于，还包括一触控组件设置在所述第一基底上，其中所述触控组件设置在所述第一面与所述第二面的至少其中一面上。8.根据权利要求6所述的触控装置的基底，其特征在于，所述第三面与所述第四面的夹角小于45度，且所述第五面与所述第四面的夹角小于45度。9.根据权利要求6所述的触控装置的基底，其特征在于，所述保护层的厚度小于30微米。10.根据权利要求6所述的触控装置的基底，其特征在于，所述第一基底包括在侧面形成有交换离子强化层的玻璃基底。11.根据权利要求6所述的触控装置的基底，其特征在于，所述第三面与所述第一面的交界处与所述第四面在一水平方向上的距离或所述第二面与所述第五面的交界处与所述第四面在所述水平方向上的距离大于0.01毫米且小于0.2毫米。12.根据权利要求6所述的触控装置的基底，其特征在于，所述第三面与所述第一面的交界处与所述第四面在一水平方向上的距离或所述第二面与所述第五面的交界处与所述第四面在所述水平方向上的距离大于0.05毫米且小于0.1毫米。13.根据权利要求6所述的触控装置的基底，其特征在于，所述第三面、所述第四面与所述第五面分别为一平面，且所述抛光面为一弧面。14.根据权利要求6所述的触控装置的基底，其特征在于，所述第三面、所述第四面与所述第五面为连续的弧面，且所述抛光面为一弧面。15.一种触控装置的基底，其特征在于，包括:一第一基底，所述第一基底具有一侧面、一第一面以及一与所述第一面相反的第二面，其中所述侧面包括一第三面、一第四面以及一第五面，所述第三面与所述第一面相接，所述第五面与所述第二面相接，所述第四面设置在所述第三面与所述第五面之间；以及一保护层，设置在所述第一基底的所述侧面上，其中所述保护层至少部分覆盖所述侧面，所述保护层具有至少一研磨面，所述研磨面包括一第六面、一第七面以及一第八面，所述第六面与所述第八面与所述第一基底相接，所述第七面设置在所述第六面与所述第八面之间，且所述第六面、所述第七面以及所述第八面分别为一平面或一弧面。16.根据权利要求15所述的触控装置的基底，其特征在于，还包括一触控组件设置在所述第一基底上，其中所述触控组件设置在所述第一面与所述第二面的至少其中一面上。17.根据权利要求15所述的触控装置的基底，其特征在于，还包括:一装饰层，设置在所述第一基底上；以及一遮蔽层，设置在所述第一基底上，其中所述遮蔽层至少部分覆盖所述保护层以及所述装饰层。18.根据权利要求15所述的触控装置的基底，其特征在于，还包括一功能性膜层，设置在所述第一基底上，其中所述功能性膜层具有防污、抗炫、增加光透射比以及保护等功能的其中至少一种功能。19.根据权利要求15所述的触控装置的基底，其特征在于，所述第一基底包括在侧面形成有交换离子强化层的玻璃基底。20.根据权利要求15所述的触控装置的基底，其特征在于，所述保护层的厚度大于60微米。21.根据权利要求15所述的触控装置的基底，其特征在于，所述保护层的厚度介于80微米到120微米之间。22.根据权利要求15所述的触控装置的基底，其特征在于，所述第三面、所述第四面与所述第五面分别为一平面。23.一种触控装置的基底，其特征在于，包括:一第一基底，所述第一基底具有一侧面、一第一面以及一与所述第一面相反的第二面，其中所述侧面包括一第三面、一第四面以及一第五面，所述第三面与所述第一面相接，所述第五面与所述第二面相接，所述第四面设置在所述第三面与所述第五面之间，所述第三面与所述第四面的夹角小于45度，且所述第五面与所述第四面的夹角小于45度；以及一保护层，设置在所述第一基底的所述侧面上，其中所述保护层至少部分覆盖所述侧面。24.根据权利要求23所述的触控装置的基底，其特征在于，所述保护层的厚度小于30微米。25.根据权利要求23所述的触控装置的基底，其特征在于，所述第一基底包括在侧面形成有交换离子强化层的玻璃基底。【文档编号】G06F3/041GK204242133SQ201420547036【公开日】2015年4月1日申请日期:2014年9月22日优先权日:2013年12月6日【发明者】黄世杰,郑国铸,黄子奕,张至馨,黄俊铭申请人:胜华科技股份有限公司