具有集成触摸敏感元件的显示器件及其制造方法与流程

本公开的一方面一般地涉及显示器件。更具体地，本公开的方面涉及具有集成触摸敏感元件的显示器件及其制造。

背景技术：

已经开发了包括集成到显示面板中的触摸屏的显示器件。触摸屏是多种信息输入器件中的一种。在操作中，用户通过在观看显示面板中产生的图像的同时按压或触摸该触摸屏来输入信息。

近期，具有集成触摸屏的小外形显示器件已经被开发用于诸如智能电话、平板电脑等的便携式终端的小型化，在这方面存在持续的努力。

技术实现要素：

根据本公开的一方面，提供一种集成触摸屏显示器件，其中触摸屏的构成元件被布置在显示面板中。

根据本公开的另一方面，提供一种制造显示器件的方法。

根据一实施方式，一种显示器件可以包括：第一基板，包括包含多个像素区域的基底基板、布置在基底基板上的每个像素区域处的薄膜晶体管、布置在薄膜晶体管上的第一保护层、以及布置在第一保护层上的第二保护层；面对第一基板的第二基板；显示元件，包括布置在第二保护层上的第一电极、布置在第一电极上的第三保护层、布置在像素区域中的一个处的第三保护层上且通过第一接触孔接触对应的薄膜晶体管的第二电极、以及配置为通过由第一电极和第二电极产生的电场选择性传输和阻挡光的光学层，光学层被布置在第一基板和第二基板之间；以及感应线，其被布置在第三保护层上且通过第二接触孔接触第一电极，其中感应线包括布置在第三保护层上且通过第二接触孔接触第一电极的第一导电层和布置在第一导电层上的第二导电层。

第一导电层可以包括导电金属材料，第二导电层可以覆盖第一导电层，并且第二导电层可以包括与第二电极相同的材料。

第一电极可以具有下切，从而第一电极的边缘可以与第三保护层的边缘间隔开，并且第一电极的面积可以小于第三保护层的面积。

第二电极可以沿着第一接触孔的侧壁延伸，并且第一电极和第二电极之间的距离可以与第一电极的边缘和第三保护层的边缘之间的距离基本上相同。

第一电极、第二电极、第二保护层和第三保护层的表面可以共同形成腔体。

每个薄膜晶体管可以接触在一个方向上延伸的多个栅线中的一个以及在交叉栅线的方向上延伸的多个数据线中的一个，并且感应线可以重叠栅线和数据线中的一个。

一种制造显示器件的方法，可以包括：在第一基板上顺序形成透明导电层和第三保护层，第一基板包括接触栅线的栅电极、源电极以及接触数据线的漏电极；在第三保护层上形成光致抗蚀剂图案；通过使用光致抗蚀剂图案初次图案化第三保护层来去除第三保护层的对应于漏电极的一部分；通过利用湿蚀刻工艺图案化透明导电层来形成第一电极；通过二次图案化第三保护层暴露第一电极；形成接触第一电极且置于第三保护层上同时重叠数据线的第一导电层；以及通过在第三保护层上沉积并图案化透明导电材料来形成接触薄膜晶体管的第二电极和布置在第一导电层上的第二导电层，其中形成光致抗蚀剂图案包括在第三保护层上形成光致抗蚀剂材料膜以及使用半色调掩模曝光和显影，半色调掩模包括重叠漏电极的光传输区域、重叠数据线的半透光区域、以及光遮蔽区域。

初次图案化可以包括执行干蚀刻工艺，其暴露第三保护层的与半透光区域对应的区域。

图案化透明导电层还可以包括执行湿蚀刻工艺从而在透明导电层中形成下切，并且使得第一电极的边缘可以与第三保护层的边缘间隔开。

该方法还可以包括：形成第一基板，其中形成第一基板包括形成薄膜晶体管，薄膜晶体管包括接触基底基板上的栅线的栅电极、源电极和接触数据线的漏电极；顺序形成覆盖薄膜晶体管的第一保护层和第二保护层；以及通过图案化第一保护层和第二保护层暴露漏电极。

暴露漏电极可以包括：通过半色调掩模在第二保护层上辐射光，半色调掩模被放置使得光传输区域重叠漏电极，并且半透光区域被布置在光传输区域和光遮蔽区域之间；通过去除第二保护层的被曝光的区域而暴露第一保护层；以及图案化第一保护层。

附图说明

图1是示出根据本公开的一实施方式的显示器件的俯视图。

图2是示出图1的区域ea的放大俯视图。

图3是沿着图2的线i-i'截取的剖视图。

图4至14是示出制造诸如图1至3所示的显示器件的方法的工艺剖视图。

具体实施方式

在下文中，本公开的示例实施方式将参考附图被详细描述。各种图不必按比例。所有的数值都是近似的，并且可以变化。具体材料和成分的所有示例仅被认为是非限制性的和示范性的。其它合适的材料和成分可以被代替使用。

图1是示出根据本公开的一实施方式的显示器件的俯视图。

参考图1，显示器件可以包括显示面板100和触摸驱动器200。

显示面板100可以包括触摸屏(未示出)，并且触摸屏可以检测用户的触摸位置。显示面板100可以包括第一基板(未示出)、第二基板(未示出)、以及布置在第一基板和第二基板之间的多个显示元件。第一基板和第二基板中的一个可以包括多个栅线、交叉栅线的多个数据线、以及接触到栅线和数据线的多个薄膜晶体管。每个显示元件可以接触薄膜晶体管中的一个。这样的显示面板配置是已知的。

显示元件可以为液晶显示元件、电泳显示元件、电润湿显示元件和有机发光显示元件中的一个。尽管不旨在作为限制，但是在本公开中，为了解释的方便，显示元件被例示为液晶显示元件。此外，尽管图中未示出，但是本公开的显示元件可以通过使用由背光单元提供的光来显示图像。

显示元件可以包括第一电极、第二电极和光学层，光学层用于通过由第一电极和第二电极产生的电场传输光。光学层可以为包括多个液晶分子的液晶层。

第一电极和第二电极中的一个，例如第二电极，可以接触薄膜晶体管且接收驱动信号。

第一电极和第二电极的另一个，例如第一电极，可以接收公共电压以与第二电极一起产生电场。此外，第一电极可以包括被图案化以覆盖多个像素区域的多个电极图案。显示元件可以分别被布置在像素区域中。此外，电极图案可以为触摸屏的感应电极tse。也就是，第一电极可以包括多个感应电极tse。

感应电极tse可以具有多边形形状，例如正方形形状。此外，感应电极tse可以通过感应线sl接触触摸驱动器200。因此，感应电极tse可以在通过感应线sl施加触摸扫描信号时检测用户的触摸位置。

感应线sl可以将从触摸驱动器200施加的触摸扫描信号传输到感应电极tse。此外，感应线sl可以将从感应电极tse提供的触摸感应信号，例如电容的改变，传输到触摸驱动器200。

触摸驱动器200可以产生用于检测触摸的触摸扫描信号，并且将该信号传输到感应电极tse。布置在触摸驱动器200和显示面板100之间的转换单元210可以将传输到感应电极tse的触摸扫描信号转换，从而将其传输到任何所需感应电极tse。

图2是示出图1的区域ea的放大俯视图，并且图3是沿着图2的线i-i'截取的剖视图。

参考图1至3，显示面板100可以包括第一基板110、面对第一基板110的第二基板120、以及布置在第一基板110和第二基板120之间的显示元件dd。

第一基板110可以包括包含多个像素区域的基底基板sub、布置在每个像素区域处的基底基板sub上的至少一个薄膜晶体管tft、以及在薄膜晶体管tft上的第一保护层psv1和第二保护层psv2的顺序叠堆。如示出地，薄膜晶体管tft可以被连接到显示元件dd。

用于基底基板sub的材料可以优选具有抵抗在制造工艺期间的高工艺温度的电阻或耐热性。

基底基板sub可以能够传输光，并且因此可以包括透明绝缘材料。此外，基底基板sub可以为刚性基板或柔性基板。刚性基板可以为玻璃基板、石英基板、玻璃陶瓷基板和晶化玻璃基板中的一种。柔性基板可以为包括聚合物有机材料的膜基板和塑料基板中的一种。此外，柔性基板可以为玻璃纤维增强塑料(frp)基板。

薄膜晶体管tft可以被连接到栅线gl和数据线dl。薄膜晶体管tft可以包括栅电极ge、半导体膜scl、源电极se和漏电极de。

栅电极ge可以接触栅线gl。栅线gl和栅电极ge可以被布置在基底基板sub上。绝缘层(未示出)可以被布置在栅线gl、栅电极ge和基底基板sub中。

栅绝缘层gi可以被布置在栅线gl和栅电极ge上，从而使栅电极ge与半导体膜scl绝缘。也就是，栅绝缘层gi可以被布置在栅线gl、栅电极ge和半导体膜scl中。栅绝缘层gi可以包括硅氧化物(siox)和硅氮化物(sinx)的至少一种。例如，栅绝缘层gi可以具有硅氧化物膜和硅氮化物膜的堆叠结构。

半导体膜scl可以被布置在栅绝缘层gi上，并且半导体膜scl的一部分可以重叠栅电极ge。半导体膜scl的接触源电极se和漏电极de的区域可以为其中杂质被掺杂或注入的源极区域或漏极区域。源极区域和漏极区域之间的区域可以为沟道区域。此外，半导体膜scl可以包括非晶硅(a-si)、多晶硅(p-si)、氧化物半导体和有机半导体中的一种。氧化物半导体可以包括zn、in、ga、sn及其混合物的至少一种。例如，氧化物半导体可以包括铟镓锌氧化物(igzo)。

源电极se可以接触半导体膜scl的一侧。此外，源电极se可以接触数据线dl。漏电极de可以接触半导体膜scl的另一侧同时被布置为与源电极se间隔开。

薄膜晶体管tft被示出为由底栅结构构成，其中薄膜晶体管tft的栅电极ge被布置在半导体膜scl的下部中，但是本公开不限于此。例如，薄膜晶体管tft可以由顶栅结构形成，其中栅电极ge被布置在半导体膜scl的上部中。

第一保护层psv1可以被布置在薄膜晶体管tft上。第一保护层psv1可以覆盖薄膜晶体管tft。第一保护层psv1可以包括硅氮化物和硅氧化物的至少一种。例如，第一保护层psv1可以包括硅氮化物膜和设置在硅氮化物膜上的硅氧化物膜。

第二保护层psv2可以被布置在第一保护层psv1上。第二保护层psv2可以包括透明有机绝缘材料。例如，第二保护层psv2可以包括丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯醚树脂、聚苯硫醚树脂和苯并环丁烯树脂的至少一种。

或者，第二保护层psv2可以包括分散在有机绝缘材料中的染料或颜料。当第二保护层psv2包括染料或颜料时，第二保护层psv2可以用作滤色器。例如，根据染料或颜料的颜色，第二保护层psv2的颜色可以为红色、绿色、蓝色、青色、品红色和黄色中的一种。

显示元件dd可以被布置在第二保护层psv2上。显示元件dd可以包括布置在第二保护层psv2上的第一电极ce、布置在第一电极ce上的第三保护层psv3、布置在第三保护层psv3上且通过第一接触孔ch1接触漏电极de的第二电极pe、以及光学层lc，光学层lc由第一电极ce和第二电极pe之间产生的电场传输或阻挡光。

第一电极ce可以包括透明导电氧化物材料。例如，第一电极ce可以包括铟锡氧化物(ito)和铟锌氧化物(izo)中的一种。公共电压可以被施加到第一电极ce。因此，第一电极ce可以作为公共电极操作用于与第二电极pe一起驱动液晶分子。

如图1所示，第一电极ce可以为连接到触摸驱动器200的感应电极tse。也就是，第一电极ce可以作为感应电极操作，感应电极在施加触摸扫描信号时检测用户的触摸位置。

第一电极ce可以具有在第三保护层psv3中的开口之下的下切形状。例如，第一电极ce的面积可以小于第三保护层psv3的面积。此外，第一电极ce的边缘和第三保护层psv3的边缘可以彼此间隔开。

第三保护层psv3可以具有与第一保护层psv1相同的材料。例如，第三保护层psv3可以包括硅氮化物膜和设置在硅氮化物膜上的硅氧化物膜。

第二电极pe可以被布置在第三保护层psv3上。当信号通过薄膜晶体管tft施加时，第二电极pe可以作为像素电极操作，用于与第一电极ce一起驱动液晶分子。第二电极pe可以具有与第一电极ce相同的材料。也就是，第二电极pe可以包括铟锡氧化物(ito)和铟锌氧化物(izo)的至少一种。此外，第二电极pe可以包括多个分支单元pe1以及使分支单元pe1彼此连接的连接单元pe2。连接单元pe2可以通过第一接触孔ch1接触漏电极de，第一接触孔ch1延伸穿过第一保护层psv1、第二保护层psv2和第三保护层psv3。

第二电极pe可以被设置在第二保护层psv2的由第一接触孔ch1暴露的侧壁上。也就是，第二电极pe可以沿着第二保护层psv2的由第一接触孔ch1暴露的侧壁延伸。

第一电极ce和第二电极pe之间的距离可以与第一电极ce的边缘和第三保护层psv3的边缘之间的距离基本上相同。

此外，第一电极ce的边缘在第一接触孔ch1处从第二电极pe的一侧向内凹陷或偏移。因此，第一电极ce和第二电极pe可以彼此间隔开，而不彼此电连接(即彼此电绝缘或彼此电隔离)。

另一方面，感应线sl可以被布置在第三保护层psv3的一部分上。感应线sl可以与栅线gl和数据线dl中的一个平行延伸。例如，感应线sl可以基本上与数据线dl平行延伸。此外，感应线sl可以重叠数据线dl，但是不限于此，其可以重叠栅线gl。因此，由于感应线sl被布置在显示面板100中光不被传输的区域中，所以可以防止显示面板100的孔径比的减小。

第一保护层psv1、第二保护层psv2和第三保护层psv3可以被布置在感应线sl和数据线dl之间。也就是，感应线sl和数据线dl可以由第一保护层psv1、第二保护层psv2和第三保护层psv3彼此间隔开。因为第二保护层psv2包括透明绝缘材料，所以第二保护层psv2可以被形成为厚的。因此，在感应线sl和数据线dl之间可以不产生寄生电容。

此外，感应线sl可以包括布置在第三保护层psv3上的第一导电层sl1和布置在第一导电层sl1上的第二导电层sl2。第一导电层sl1可以通过穿透第三保护层psv3的第二接触孔ch2接触第一电极ce。此外，第一导电层sl1可以包括导电金属材料。第二导电层sl2可以覆盖第一导电层sl1。此外，第二导电层sl2可以具有与第二电极pe相同的材料。

光学层lc可以被布置在第二电极pe上。光学层lc可以为包括多个液晶分子的液晶膜。因此，光学层lc可以根据由第一电极ce和第二电极pe产生的电场来传输或阻挡光。

第二基板120可以面对第一基板110且通过密封剂被附接到第一基板110。第二基板120可以包括与基底基板sub相同的材料。

或者，当第二保护层psv2仅包括透明有机绝缘材料时，滤色器和黑矩阵可以被布置在第二基板120的面对第一基板110的表面上。

参考图4至14，制造显示器件的方法将被描述。

图4至14是示出制造图1至3所示的显示器件的方法的工艺剖视图。

第一基板110为了在该制造方法中使用可以被制造或否则被提供。第一基板110可以包括：包含多个像素区域的基底基板sub；第一保护层psv1和第二保护层psv2的顺序叠堆，其被布置在包括多个像素区域的基底基板sub上；以及至少一个薄膜晶体管tft，其被布置在每个像素区域的基底基板sub上。

基底基板sub可以能够传输光，并且因此可以包括透明绝缘材料。此外，基底基板sub可以为刚性基板或柔性基板。

薄膜晶体管tft可以被连接到栅线gl和数据线dl。薄膜晶体管tft可以包括栅电极ge、半导体膜scl、源电极se和漏电极de。

薄膜晶体管tft可以如下被形成。

参考图4，栅电极ge和栅线gl可以通过应用并图案化导电材料而被形成在基底基板sub上。栅电极ge可以被布置在像素区域，并且栅线gl可以具有在像素区域之间的区域处在一个基板侧的方向上延伸的形状。此外，栅电极ge可以为从栅线gl的突起。

在形成栅电极ge和栅线gl之后，栅绝缘层gi可以被产生或被沉积以覆盖栅电极ge和栅线gl。栅绝缘层gi可以包括硅氧化物(siox)和硅氮化物(sinx)的至少一种。例如，栅绝缘层gi可以具有硅氧化物膜和硅氮化物膜的堆叠结构。

在产生栅绝缘层gi之后，包括半导体材料的半导体材料膜可以被形成在栅绝缘层gi上。半导体膜scl可以通过图案化半导体材料膜而被形成。半导体膜scl可以包括非晶硅(a-si)、多晶硅(p-si)、氧化物半导体和有机半导体中的一种。

在形成半导体膜scl之后，导电层可以通过在半导体膜scl上应用导电材料而被形成。然后，源电极se和漏电极de可以通过图案化导电层而被形成。

源电极se和漏电极de可以分别接触半导体膜scl的两端。此外，源电极se可以接触数据线dl。

在形成半导体膜scl之后以上描述的工艺形成源电极se和漏电极de，但是本公开不限于此。例如，在栅绝缘层gi上顺序形成半导体材料膜和导电材料膜之后，半导体膜scl、源电极se和漏电极de可以通过使用单个曝光掩模，例如半色调掩模，执行光刻工艺而被形成。

参考图5，在制造基底基板sub之后，第一保护层psv1可以被形成在第一基板110上。第一保护层psv1可以覆盖薄膜晶体管tft。第一保护层psv1可以包括硅氮化物和硅氧化物中的一种。例如，第一保护层psv1可以包括硅氮化物膜和设置在硅氮化物膜上的硅氧化物膜。

在形成第一保护层psv1之后，第二保护层psv2可以被形成在第一保护层psv1上。第二保护层psv2可以包括透明有机绝缘材料。例如，第二保护层psv2可以包括丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯醚树脂、聚苯硫醚树脂和苯并环丁烯树脂的至少一种。

此外，第二保护层psv2可以包括光致抗蚀剂。因此，第二保护层psv2可以具有在显影溶液中高溶解度的区域和在显影溶液中低溶解度的区域。

另一方面，第二保护层psv2可以包括分散在有机绝缘材料中的染料或颜料。当第二保护层psv2包括染料或颜料时，第二保护层psv2可以用作滤色器。例如，根据染料或颜料的颜色，第二保护层psv2的颜色可以为红色、绿色、蓝色、青色、品红色和黄色中的一种。

参考图6，在形成第二保护层psv2之后，第一保护层psv1的重叠漏电极de的部分的一部分可以通过使用第一半色调掩模htm1执行曝光工艺和显影工艺而被暴露。

第一半色调掩模htm1可以包括第一光传输区域tr1、第一半透光区域htr1和第一光遮蔽区域br1。第一光传输区域tr1可以能够传输光，并且可以重叠漏电极de的一部分。

第一半透光区域htr1可以被设置在第一光传输区域tr1和第一光遮蔽区域br1之间。由第一半透光区域htr1传输的光的量可以小于由第一光传输区域tr1传输的光的量。此外，由第一半透光区域htr1传输的光的量可以大于由第一光遮蔽区域br1传输的光的量。由第一光遮蔽区域br1传输的光的量可以接近于0(零)。

在曝光工艺中，光可以由穿过第一半色调掩模htm1的第一光传输区域tr1和第一半透光区域htr1的传输而辐射在第二保护层psv2上。穿过第一光传输区域tr1的光穿透到第二保护层psv2中的深度可以大于穿过第一半透光区域htr1的光穿透到第二保护层psv2中的深度。因此，在第二保护层psv2中，由第一光传输区域tr1曝光的区域的深度可以大于由第一半透光区域htr1曝光的区域的深度。

在第二保护层psv2中，由第一光传输区域tr1和第一半透光区域htr1曝光的区域在显影溶液中的溶解度可以大于没有曝光的区域在显影溶液中的溶解度。

在显影工艺中，在第二保护层psv2中由第一光传输区域tr1和第一半透光区域htr1曝光的区域然后可以由显影溶液去除。因此，第二保护层psv2的对应于第一光传输区域tr1的区域可以完全被去除，并且第二保护层psv2的对应于第一半透光区域htr1的区域可以部分地保留。

参考图7，在暴露漏电极de的上部之上的第一保护层psv1之后，暴露漏电极de的第一接触孔ch1可以通过使用第二保护层psv2作为掩模蚀刻第一保护层psv1而形成。

第一保护层psv1的蚀刻可以通过例如利用干蚀刻工艺被执行。第一保护层psv1可以通过干蚀刻工艺而被分解。具体而言，由于干蚀刻工艺，第一保护层psv1的对应于第一光传输区域tr1的区域可以被去除。

第一半色调掩模htm1可以被用于形成第一接触孔ch1。因此，通过使用单个半色调掩模htm1的第一接触孔ch1的形成比通过使用两个不同的曝光掩模图案化各第一保护层psv1和第二保护层psv2的接触孔的形成可以更容易被执行。

在形成第一接触孔ch1之后，显示元件dd可以被形成在第二保护层psv2上以被电连接到漏电极de。显示元件dd可以包括布置在第二保护层psv2上的第一电极ce、布置在第一电极ce上的第三保护层psv3、布置在第三保护层psv3上且通过第一接触孔ch1连接到漏电极de的第二电极pe、以及光学层lc，光学层lc通过由第一电极ce和第二电极pe产生的电场来传输和阻挡光。

显示元件dd可以如下被形成。

参考图8，在暴露漏电极de之后，包括透明导电材料的透明导电层tml可以被形成在第二保护层psv2上。透明导电层tml可以包括单一透明导电氧化物，诸如铟锡氧化物(ito)、铟锌氧化物(izo)、铝锌氧化物(azo)、镓掺杂锌氧化物(gzo)、锌锡氧化物(zto)、镓锡氧化物(gto)和氟掺杂锡氧化物(fto)中的一种。

在形成透明导电层tml之后，第三保护层psv3可以被形成在透明导电层tml上。第三保护层psv3可以包括与第一保护层psv1相同的材料。例如，第三保护层psv3可以包括硅氮化物膜和设置在硅氮化物膜上的硅氧化物膜。

参考图9，在形成第三保护层psv3之后，光致抗蚀剂图案pr可以被形成在第三保护层psv3上。

光致抗蚀剂图案pr可以如下被形成。

光致抗蚀剂材料膜可以被形成在第三保护层psv3上。

然后，通过使用第二半色调掩模htm2的曝光工艺，光可以被辐射在光致抗蚀剂材料膜上。第二半色调掩模htm2可以包括第二光传输区域tr2、第二半透光区域htr2和第二光遮蔽区域br2。第二光传输区域tr2可以被布置为重叠第一接触孔ch1。此外，第二半透光区域htr2可以被设置为重叠数据线dl。

由于以上曝光工艺，在光致抗蚀剂材料膜的光辐射区域中显影溶液中的溶解度可以增加。

在执行曝光工艺之后，光致抗蚀剂图案pr可以使用显影溶液被形成。通过以上显影工艺，光致抗蚀剂材料膜可以被图案化，对应于第二光传输区域tr2的区域可以被打开，并且对应于第二半透光区域htr2的区域可以被形成为具有沟槽形状。

参考图10，在形成光致抗蚀剂图案pr之后，第三保护层psv3可以使用光致抗蚀剂图案pr作为掩模而被第一图案化。

在该第一图案化中，第三保护层psv3的与第一接触孔ch1对应的区域可以被去除。因此，对应于第一接触孔ch1的透明导电层tml可以被暴露。

该第三保护层psv3的第一或初次图案化可以通过干蚀刻工艺被执行。该干蚀刻工艺可以分解光致抗蚀剂图案pr。具体而言，光致抗蚀剂图案pr的与第二半透光区域htr2对应的区域可以被去除，并且光致抗蚀剂图案pr可以暴露第三保护层psv3。也就是，第三保护层psv3的暴露区域可以对应于第二半透光区域htr2。

参考图11，在第三保护层psv3的初次图案化和透明导电层tml的图案化之后，显示元件dd的第一电极ce可以被形成。

透明导电层tml的图案化可以通过湿蚀刻工艺被执行。该湿蚀刻可以为各向同性蚀刻，从而部分地蚀刻在第三保护层psv3的下部中的透明导电层tml。也就是，第一电极ce可以具有下切形状。因此，第一电极ce的面积可以小于第三保护层psv3的面积，即第一电极ce中的开口可以大于第三保护层psv3的开口。

此外，在该配置中，第一电极ce可以起感应电极tse的作用，其重叠图1所示的多个像素区域。

参考图12，在形成第一电极ce之后，第三保护层psv3可以通过使用光致抗蚀剂图案pr作为掩模被二次图案化。第三保护层psv3的二次图案化可以通过干蚀刻工艺被执行。由于该二次图案化，由光致抗蚀剂图案pr暴露的第三保护层psv3可以被蚀刻，从而形成暴露第一电极ce的第二接触孔ch2。第二接触孔ch2可以对应于第二半透光区域htr2被设置。

在以上工序中，第二半色调掩模htm2可以被用于第三保护层psv3的初次图案化、形成第一电极ce、以及第三保护层psv3的二次图案化。因此，使用第二半色调掩模htm2的工艺比在形成第一电极ce之后第三保护层psv3的图案化可以更容易被执行。

在形成第二接触孔ch2之后，光致抗蚀剂图案pr可以被去除。

在去除光致抗蚀剂图案pr之后，感应线sl的第一导电层sl1可以通过在第三保护层psv3上沉积并图案化导电金属材料而被形成。第一导电层sl1可以通过第二接触孔ch2接触第一电极ce。第一导电层sl1可以基本上平行于数据线dl延伸。此外，第一导电层sl1可以重叠数据线dl，但是不限于此，其可以重叠栅线gl。

参考图13，在形成第一导电层sl1之后，显示元件dd的第二电极pe和感应线sl的第二导电层sl2可以通过在第一导电层sl1和第三保护层psv3上沉积并图案化透明导电材料而被形成。

第二电极pe可以包括多个分支单元pe1和使分支单元pe1彼此连接的连接单元pe2。连接单元pe2可以通过穿透第一保护层psv1、第二保护层psv2和第三保护层psv3的第一接触孔ch1接触漏电极de。

第二导电层sl2可以覆盖第一导电层sl1。此外，第二导电层sl2可以包括与第二电极pe相同的材料。

参考图14，光学层lc可以被设置在第二电极pe上。光学层lc可以为包括多个液晶分子的液晶层。因此，光学层lc可以通过由第一电极ce和第二电极pe产生的电场传输和阻挡光。

在第二电极pe上布置光学层lc之后，第二基板120可以被布置在光学层lc上。第二基板120然后可以被附接到第一基板110。

第二基板120可以面对第一基板110，并且可以包括与基底基板sub相同的材料。当第二保护层psv2仅包括透明有机绝缘材料时，滤色器和黑矩阵可以被布置在第二基板120的面对第一基板110的表面上。

以上描述的实施方式在布置光学层lc之后附接第一基板110和第二基板120，但是本公开不限于此。例如，在将第一基板110附接到第二基板120之后，光学层lc可以被注入到第一基板110和第二基板120之间的空间中。

如以上所述，显示器件可以包括构成触摸屏的元件。此外，因为显示器件元件中的一个可以为感应电极，所以不需要单独的触摸屏面板，这是用于显示器件小型化的优势。

此外，因为在显示器件的制造中，半色调掩模被多次使用，所以通过减少曝光掩模的数目制造成本可以被降低。

尽管实施方式参考附图被描述，但是将要理解可以在本公开中进行各种改变和修改而不背离其精神和范围。此外，应理解，本公开不限于其具体的实施方式，而是可以进行各种改变、等价和替换而不背离本公开的范围和精神。因此，本公开的技术范围不限于说明书的详细描述，而是由权利要求的范围限定。此外，本公开可以以不同的形式被实现，而不应被解释为限于这里阐述的实施方式。以上描述的各种特征和其它实施方式能以任何方式被混合和搭配，以产生与本发明一致的另外的实施方式。

本申请要求2016年3月18日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2016-0032783号的优先权及权益，其全部内容通过引用其全文在此合并。