一种接地线结构、触控面板及显示装置的制作方法

本实用新型涉及触控技术领域，尤其涉及一种接地线结构、触控面板及显示装置。

背景技术：

传统接地线101的宽度在200-300um之间，如图1所示。继续增加线宽，会导致金属膜层附着力的降低，进而产生剥落现象。而触摸屏的边缘容易积累静电，较窄的线宽大大降低了接地线101对触摸屏边缘的静电的吸收，使得静电窜入接地线101内侧的金属走线102，导致走线区域遭受静电破坏失效。一般地，由于走线与触控电极连接，因此，走线区域遭受静电破坏失效会进一步造成触控失效。

因此，如何在不影响附着力的条件下，同时实现较宽接地线设计和避免干扰触控信号，是亟需解决的技术问题。

技术实现要素：

本实用新型实施例提供了一种接地线结构、触控面板及显示装置，用以解决现有技术中存在的如何在不影响附着力的条件下，同时实现较宽接地线设计和避免干扰触控信号的问题。

本实用新型实施例提供一种接地线结构，包括：由金属网格结构构成的接地线，以及设置于所述接地线的上层和/或下层且覆盖全部所述金属网格结构的非金属导电层。

在一种可能的实现方式中，在本实用新型实施例提供的上述接地线结构中，所述非金属导电层的材料为氧化铟锡。

在一种可能的实现方式中，在本实用新型实施例提供的上述接地线结构中，所述接地线结构设有搭接区域，所述接地线结构在除去所述搭接区域的区域具有一断开区域。

本实用新型实施例还提供了一种触控面板，包括：衬底基板，设置于所述衬底基板上的触控电极，与所述触控电极连接的金属走线，以及上述接地线结构；其中，相对于所述触控电极与所述金属走线，所述接地线结构设置于最邻近所述衬底基板的边缘处。

在一种可能的实现方式中，在本实用新型实施例提供的上述触控面板中，所述接地线结构中的接地线与所述金属走线同层设置。

在一种可能的实现方式中，在本实用新型实施例提供的上述触控面板中，所述触控电极具体包括：同层交叉设置且相互绝缘的触控驱动电极和触控感应电极，以及桥接相邻的所述触控驱动电极或相邻的所述触控感应电极的桥接线。

在一种可能的实现方式中，在本实用新型实施例提供的上述触控面板中，所述桥接线为金属线；

所述触控驱动电极和触控感应电极的所在膜层设置于所述接地线结构中的接地线所在膜层之上，在所述接地线结构中的设置于所述接地线的上层的非金属导电层与所述触控驱动电极和触控感应电极同层设置；或，

所述触控驱动电极和触控感应电极的所在膜层设置于所述接地线结构中的接地线所在膜层之下，在所述接地线结构中的设置于所述接地线的下层的非金属导电层与所述触控驱动电极和触控感应电极同层设置。

在一种可能的实现方式中，在本实用新型实施例提供的上述触控面板中，所述桥接线与所述接地线结构中的接地线同层设置。

在一种可能的实现方式中，在本实用新型实施例提供的上述触控面板中，所述桥接线为氧化铟锡线；

所述触控驱动电极和触控感应电极的所在膜层以及所述桥接线所在膜层均设置于所述接地线结构中的接地线所在膜层之上，在所述接地线结构中的设置于所述接地线的上层的非金属导电层与所述触控驱动电极和触控感应电极同层设置，或与所述桥接线所在膜层同层设置；或，

所述触控驱动电极和触控感应电极的所在膜层以及所述桥接线所在膜层均设置于所述接地线结构中的接地线所在膜层之下，在所述接地线结构中的设置于所述接地线的下层的非金属导电层与所述触控驱动电极和触控感应电极同层设置，或与所述桥接线所在膜层同层设置；或，

所述接地线结构中的接地线所在膜层位于所述触控驱动电极和触控感应电极的所在膜层以及所述桥接线所在膜层之间，在所述接地线结构中的设置于所述接地线的上层和下层的非金属导电层，分别与所述触控驱动电极和触控感应电极同层设置，以及与所述桥接线所在膜层同层设置。

本实用新型实施例还提供了一种显示装置，包括上述触控面板。

本实用新型有益效果如下：

本实用新型实施例提供的一种接地线结构、触控面板及显示装置，包括：由金属网格结构构成的接地线，以及设置于接地线的上层和/或下层且覆盖全部金属网格结构的非金属导电层。由于金属网格结构构成的接地线可以在不降低附着力的条件下，获得较宽接地线设计，从而使得接地线的阻抗降低，有效提高了抗静电能力；且较宽的接地线在触摸屏的边框处覆盖了较大的水平面，极大地增大了对静电的吸收，同时静电作用区域可远离接地线保护的走线区域，实现了防止静电窜入金属走线区域造成触控失效，降低了静电造成的触控面板的不良率。但是，由于金属网格结构构成的接地线结构具有很多方格回路，导致接地线内部回路面积过大、对外部信号具有很强的吸收、以及电流在闭合回路中产生的磁通量变化，也将会对触控信号产生干扰，从而造成触控失效。因此，在本实用新型实施例提供的一种接地线结构、触控面板及显示装置中，进一步地采用非金属导电层覆盖全部金属网格结构，实现了对金属网格的填充，消除了金属网格内部的回路，从而在保持金属网格结构构成的接地线的优势的情况下，有效解决了干扰触控信号的问题。因此，在不影响附着力的条件下，取得了同时实现较宽接地线设计和避免干扰触控信号的效果。

附图说明

图1为现有技术中接地线结构的示意图；

图2为本实用新型实施例提供的金属网格结构构成的接地线结构的示意图；

图3为本实用新型实施例提供的接地线结构的示意图之一；

图4为本实用新型实施例提供的接地线结构的示意图之二；

图5为本实用新型实施例提供的触控面板的结构示意图之一；

图6为本实用新型实施例提供的触控面板的结构示意图之二。

具体实施方式

下面结合附图，对本实用新型实施例提供的接地线结构、触控面板及显示装置的具体实施方式进行详细地说明。

附图中各部件的形状和大小不反映接地线结构、触控面板及显示装置中各部件的真实比例，目的只是示意说明本实用新型内容。

本实用新型实施例提供一种接地线结构，如图3所示，可以包括：由金属网格结构构成的接地线301，以及设置于接地线301的上层和/或下层且覆盖全部金属网格结构的非金属导电层302。

具体地，在本实用新型实施例提供的上述接地线结构具体可以有如下三种结构，例如，可以包括：由金属网格结构构成的接地线301，以及设置于接地线301的上层且覆盖全部金属网格结构的非金属导电层302。又如，可以包括：由金属网格结构构成的接地线301，以及设置于接地线301的下层且覆盖全部金属网格结构的非金属导电层302。再如，可以包括：由金属网格结构构成的接地线301，设置于接地线301的上层且覆盖全部金属网格结构的非金属导电层302，以及设置于接地线301的下层且覆盖全部金属网格结构的非金属导电层302。在此不做限定。

具体地，在本实用新型实施例提供的上述接地线结构中，由于金属网格结构构成的接地线301可以在不降低附着力的条件下，获得较宽接地线设计，从而使得接地线301的阻抗降低，有效提高了抗静电能力；且较宽的接地线301在触摸屏的边框处覆盖了较大的水平面，极大地增大了对静电的吸收，同时静电作用区域可远离接地线301保护的金属走线102区域，实现了防止静电窜入金属走线102区域造成触控失效，降低了静电造成的触控面板的不良率。但是，如图2所示，由单独的金属网格结构构成的接地线结构201具有很多方格回路，导致接地线结构201内部回路面积过大、对外部信号具有很强的吸收、以及电流在闭合回路中产生的磁通量变化，都将会对触控信号产生干扰，从而造成触控失效。因此，在本实用新型实施例提供的上述接地线结构中，进一步地采用非金属导电层302覆盖全部金属网格结构，实现了对金属网格的填充，消除了金属网格内部的回路，从而在保持金属网格结构构成的接地线优势的情况下，有效解决了干扰触控信号的问题。因此，在不影响附着力的条件下，取得了同时实现较宽接地线设计和避免干扰触控信号的效果。

较佳地，在本实用新型实施例提供的上述接地线结构中，非金属导电层302的材料可以为氧化铟锡，当然也可以是其他材料，在此不做限定。

较佳地，为了增大对静电的吸收几率，在本实用新型实施例提供的上述接地线结构中，构成接地线301的金属网格结构中最外侧的线宽可以大于内侧的线宽。

具体地，在本实用新型实施例提供的上述接地线结构中，如图4所示，接地线结构可以通过金属面与集成电路(Integrated Circuit，IC)芯片搭接。为避免接地线结构形成回路，可以在接地线结构的金属面搭接区域401之外的接地线结构上设计断开区域402，断开区域402的截面可以为一斜面，或者，可以为一垂直面，当然，还可以为其他形状，在此不做限定。

基于同一实用新型构思，本实用新型实施例还提供了一种触控面板，如图5所示，包括：衬底基板501，设置于衬底基板501上的触控电极502，与触控电极502连接的金属走线102，以及上述接地线结构503；其中，相对于触控电极502与金属走线102，接地线结构503设置于最邻近衬底基板501的边缘处。

在具体实施时，为在不增加额外的掩膜版与工艺制程的条件下，实现接地线结构503，在本实用新型实施例提供的上述触控面板中，较佳地，可以将接地线结构503中的接地线301与金属走线102同层设置。

在具体实施时，为减少触控面板中的膜层，在本实用新型实施例提供的上述触控面板中，触控电极502具体可以包括：同层交叉设置且相互绝缘的触控驱动电极和触控感应电极，以及桥接相邻的触控驱动电极或相邻的触控感应电极的桥接线。

具体地，在本实用新型实施例提供的上述触控面板中，以相邻的触控感应电极通过桥接线进行连接为例，如图5所示，触控电极502，可以包括：在列方向上连续设置的触控驱动电极5021，和以连续设置的触控驱动电极5021为间隔设置的触控感应电极5022，以及在交错点的位置将相邻的触控感应电极5022进行连接的通过桥接线504。相邻的触控感应电极5022通过桥接线504进行连接，从而可以形成行方向上连续的触控感应电极5022。较佳地，桥接线504与连续设置的触控驱动电极5021之间由绝缘层505分隔，从而有效地阻止触控驱动电极5021和触控感应电极5022在交错点短路。当然，还可以在行方向上设置连续的触控驱动电极5021，在列方向上设置以触控驱动电极5021为间隔的触控感应电极5022，列方向上的触控感应电极5022通过桥接线504连接，在此不做赘述。

在具体实施时，在本实用新型实施例提供的上述触控面板中，在桥接线504为金属线时，可以采用如下方式但不限于如下方式在触控面板中实现接地线结构503：

当触控驱动电极5021和触控感应电极5022的所在膜层设置于接地线结构503中的接地线301所在膜层之上时，在接地线结构503中的设置于接地线301的上层的非金属导电层302可以与触控驱动电极5021和触控感应电极5022同层设置。这样设置，可以在不增加额外的掩膜版与工艺制程的条件下，实现接地线结构503。并且，当还存在在接地线结构503中的设置于接地线301的下层的非金属导电层302时，在接地线结构503中的设置于接地线301的下层的非金属导电层302可以单独设置一个膜层。

当触控驱动电极5021和触控感应电极5022的所在膜层设置于接地线结构503中的接地线301所在膜层之下时，在接地线结构503中的设置于接地线301的下层的非金属导电层302可以与触控驱动电极5021和触控感应电极5022同层设置。并且，当还存在在接地线结构503中的设置于接地线301的上层的非金属导电层302时，在接地线结构503中的设置于接地线301的上层的非金属导电层302可以与桥接线504同层设置。这样设置，可以在不增加额外的掩膜版与工艺制程的条件下，实现接地线结构503。

较佳地，为在不增加额外的掩膜版与工艺制程的条件下，实现接地线结构503，在本实用新型实施例提供的上述触控面板中，桥接线504可以与接地线结构504中的接地线301同层设置。

在具体实施时，在本实用新型实施例提供的上述触控面板中，在桥接线504为氧化铟锡线时，可以采用如下方式但不限于如下方式在触控面板中实现接地线结构503：

当触控驱动电极5021和触控感应电极5022的所在膜层以及桥接线504所在膜层均设置于接地线结构503中的接地线301所在膜层之上时，在接地线结构503中的设置于接地线301的上层的非金属导电层302可以与触控驱动电极5021和触控感应电极5022同层设置，或可以与桥接线504所在膜层同层设置。这样设置，可以在不增加额外的掩膜版与工艺制程的条件下，实现接地线结构503。并且，当还存在在接地线结构503中的设置于接地线301的下层的非金属导电层302时，在接地线结构503中的设置于接地线301的下层的非金属导电层302可以单独设置一个膜层。

当触控驱动电极5021和触控感应电极5022的所在膜层以及桥接线504所在膜层均设置于接地线结构503中的接地线301所在膜层之下时，在接地线结构503中的设置于接地线301的下层的非金属导电层302可以与触控驱动电极5021和触控感应电极5022同层设置，或与桥接线504所在膜层同层设置。这样设置，可以在不增加额外的掩膜版与工艺制程的条件下，实现接地线结构503。并且，当还存在在接地线结构503中的设置于接地线301的上层的非金属导电层302时，在接地线结构503中的设置于接地线301的下层的非金属导电层302可以单独设置一个膜层。

当接地线结构503中的接地线301所在膜层位于触控驱动电极5021和触控感应电极5022的所在膜层以及桥接线504所在膜层之间时，在接地线结构503中的设置于接地线301的上层和下层的非金属导电层302，分别与触控驱动电极5021和触控感应电极5022同层设置，以及与桥接线504所在膜层同层设置。即接地线结构503中的接地线301所在膜层与触控驱动电极5021和触控感应电极5022的所在膜层以及桥接线504所在膜层之间的金属走线102同层设置；在接地线结构503中的设置于接地线301的上层非金属导电层302，可以与桥接线504所在膜层同层设置；在接地线结构503中的设置于接地线301的下层非金属导电层302，可以与触控驱动电极5021和触控感应电极5022的所在膜层所在膜层同层设置。

在具体实施时，在本实用新型实施例提供的上述触控面板中，接地线结构503的制作方式可以有多种，在此不做限定。例如，如图6所示，可以以接地线结构中包括由金属网格结构构成的接地线301，以及设置于接地线301的上层且覆盖全部金属网格结构的非金属导电层302；并且，接地线结构503中的接地线301所在膜层与触控驱动电极5021和触控感应电极5022的所在膜层以及桥接线504所在膜层之间的与金属走线102同层设置；在接地线结构503中的设置于接地线301的上层非金属导电层302，与桥接线504所在膜层同层设置为例进行说明，在不增加掩膜版与额外制程的条件下，制作接地线结构503的流程，具体如下：

首先，利用光刻技术在衬底基板501的边框处形成黑色树脂层601，以起到遮光作用，并防止漏光以及金属走线102可见；

之后，在衬底基板501的边框内，利用光刻技术形成同层设置的触控驱动电极5021和触控感应电极5022；

然后，在触控驱动电极5021和触控感应电极5022所在膜层上利用光刻技术形成金属走线102和接地线结构503中的接地线301，且金属走线102和接地线结构503中的接地线301在衬底基板501上的投影位于黑色树脂层601所在区域；

再者，利用光刻技术在金属走线102和接地线结构503中的接地线301所在膜层上，形成绝缘层505；

随后，利用光刻技术在绝缘层505所在膜层上，形成桥接相邻的触控感应电极5022的桥接线504和在接地线结构503中的非金属导电层302，且非金属导电层302覆盖接地线结构503中的接地线301；

最后，利用光刻技术，在桥接线504和非金属导电层302所在膜层上，形成绝缘保护层602，使各膜层与空气绝缘。

基于同一实用新型构思，本实用新型实施例还提供了一种显示装置，包括本实用新型实施例提供的上述触控面板，该显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。该显示装置的实施可以参见上述触控面板的实施例，重复之处不再赘述。

本实用新型实施例提供的上述接地线结构、触控面板及显示装置，包括：由金属网格结构构成的接地线，以及设置于接地线的上层和/或下层且覆盖全部金属网格结构的非金属导电层。由于金属网格结构构成的接地线可以在不降低附着力的条件下，获得较宽接地线设计，从而使得接地线的阻抗降低，有效提高了抗静电能力；且较宽的接地线在触摸屏的边框处覆盖了较大的水平面，极大地增大了对静电的吸收，同时静电作用区域可远离接地线保护的走线区域，实现了防止静电窜入金属走线区域造成触控失效，降低了静电造成的触控面板的不良率。但是，由于金属网格结构构成的接地线结构具有很多方格回路，导致接地线内部回路面积过大、对外部信号具有很强的吸收、以及电流在闭合回路中产生的磁通量变化，也将会对触控信号产生干扰，从而造成触控失效。因此，在本实用新型实施例提供的上述接地线结构、触控面板及显示装置中，进一步地采用非金属导电层覆盖全部金属网格结构，实现了对金属网格的填充，消除了金属网格内部的回路，从而在保持金属网格结构构成的接地线的优势的情况下，有效解决了干扰触控信号的问题。因此，在不影响附着力的条件下，取得了同时实现较宽接地线设计和避免干扰触控信号的效果。

显然，本领域的技术人员可以对本实用新型进行各种改动和变型而不脱离本实用新型的精神和范围。这样，倘若本实用新型的这些修改和变型属于本实用新型权利要求及其等同技术的范围之内，则本实用新型也意图包含这些改动和变型在内。