一种导电结构、触控结构及触控显示装置的制作方法

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种导电结构、触控结构及触控显示装置。

背景技术：

在触控显示装置中，为了减小触控电极的电阻，提高触控电极的信号传递速度，因而常将触控电极设计为金属网格。

由于金属网格的材料一般为铝(al)、银(ag)等金属，而铝、银的反射率很高，因而射到金属网格上的光大多数会被反射，在观看者观看时，反射光进入人眼，这样人眼就能看到金属网格，从而影响观看效果。

技术实现要素：

本发明的实施例提供一种导电结构、触控结构及触控显示装置，相对于现有技术，可以降低导电网格的反射率。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

第一方面，提供一种导电结构，包括层叠设置的透明的调制层、黑化层和导电层；所述调制层与所述黑化层接触；所述调制层的折射率为1.8～2.5，所述黑化层的吸光系数为1.0～2.0，所述导电层的材料为金属或合金；在所述黑化层设置在所述导电层和所述调制层之间的情况下，所述调制层的厚度范围为20nm～100nm，所述黑化层的厚度范围为30nm～200nm；在所述调制层设置在所述黑化层和所述导电层之间的情况下，所述调制层的厚度范围为20nm～55nm，所述黑化层的厚度范围为10nm～30nm。

在一些实施例中，所述调制层的材料为铟锌金属氧化物、铟锌合金氧化物、铟锡金属氧化物、铟锡合金氧化物中的一种或多种。

在一些实施例中，在所述黑化层设置在所述导电层和所述调制层之间的情况下，所述调制层的厚度为60nm；在所述调制层设置在所述黑化层和所述导电层之间的情况下，所述调制层的厚度为37nm。

在一些实施例中，所述黑化层的材料为氧化钼、氮化钼、氮氧化物、氧化钼铌、氮化钼铌、氮氧化钼铌中的一种或多种。

在一些实施例中，在所述黑化层设置在所述导电层和所述调制层之间的情况下，所述黑化层的厚度为45nm；在所述调制层设置在所述黑化层和所述导电层之间的情况下，所述黑化层的厚度17nm。

在一些实施例中，所述导电层的材料为铝、铝合金、银、银合金、铜、铜合金中的一种或多种。

在一些实施例中，所述导电结构还包括设置在所述导电层远离所述黑化层一侧的保护层，所述保护层用于防止所述导电层被氧化。

在一些实施例中，所述保护层的材料为钼、钼铌合金中的一种或两种。

第二方面，提供一种触控结构，包括多个沿第一方向延伸的第一触控电极和多个沿第二方向延伸的第二触控电极，多个所述第一触控电极沿所述第二方向依次排列，多个所述第二触控电极沿所述第一方向依次排列；所述第一触控电极和所述第二触控电极交叉且绝缘；所述第一触控电极和所述第二触控电极为导电网格，所述导电网格包括横纵交叉的多条导电线；其中，所述导电线包括上述的导电结构。

第三方面，提供一种触控显示装置，包括上述的触控结构。

本发明实施例提供一种导电结构、触控结构及触控显示装置，导电结构包括层叠设置的透明的调制层、黑化层和导电层；调制层与黑化层接触。调制层的折射率为1.8～2.5，黑化层的吸光系数为1.0～2.0，导电层的材料为金属或合金。在黑化层设置在导电层和调制层之间的情况下，调制层的厚度范围为20nm～100nm，黑化层的厚度范围为30nm～200nm。在调制层设置在黑化层和导电层之间的情况下，调制层的厚度范围为20nm～55nm，黑化层的厚度范围为10nm～30nm。由于本发明实施提供的导电结构除包括导电层外，还包括黑化层和调制层，在黑化层的厚度、吸光系数以及调制层的厚度、折射率满足上述条件的情况下，光射到导电结构上，被黑化层和调制层反射后发生光学干涉，从而可以减少反射光，降低反射效率，且反射率的波动范围较小。在导电结构应用于触控显示装置中，第一触控电极和第二触控电极的导电网格中的导电线包括该导电结构的情况下，由于导电结构的反射率较低，因而导电网格的反射率相对于相关技术降低。在导电网格应用于触控显示装置的情况下，观看者在观看显示装置时，由于导电网格的反射率降低，因而可以达到消影的效果，提高观看者的观看效果。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或相关技术中的技术方案，下面将对实施例或相关技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1a为本发明实施例提供的一种液晶显示装置的结构示意图一；

图1b为本发明实施例提供的一种液晶显示装置的结构示意图二；

图1c为本发明实施例提供的一种液晶显示装置的结构示意图三；

图2a为本发明实施例提供的一种电致发光显示装置或光致发光显示装置的结构示意图一；

图2b为本发明实施例提供的一种电致发光显示装置或光致发光显示装置的结构示意图二；

图3a为本发明实施例提供的一种触控结构的结构示意图；

图3b为图3a中a处的放大示意图；

图4a为本发明实施例提供的一种导电结构的结构示意图一；

图4b为本发明实施例提供的一种导电结构的结构示意图二；

图5为本发明实施例提供的一种导电结构在不同波长下的反射率的曲线图；

图6为本发明实施例提供的一种在衬底上形成多个导电结构的结构示意图；

图7a为本发明实施例提供的一种调制层厚度与反射率的关系曲线；

图7b为本发明实施例提供的一种黑化层厚度与反射率的关系曲线；

图8a为本发明实施例提供的一种导电结构的结构示意图三；

图8b为本发明实施例提供的一种导电结构的结构示意图四。

附图标记：

01-导电结构；1-液晶显示面板；2-盖板玻璃；3-电致发光显示面板(光致发光显示面板)；4-偏光片；5-第一光学胶；6-基板；10-触控结构；11-阵列基板；12-对盒基板；13-液晶层；14-上偏光片；15-下偏光片；31-显示用基板；32-封装层；101-第一触控电极；102-第二触控电极102；103-导电线；100-调制层；110-第一衬底；111-薄膜晶体管；112-像素电极；113-公共电极；114-第一绝缘层；115-第二绝缘层；120-第二衬底；121-彩色滤光层；122-黑矩阵图案；200-黑化层；300-导电层；310-第三衬底；311-阳极；312-发光功能层；313-阴极；314-像素界定层；315-平坦层；400-衬底；500-保护层。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明实施例提供一种触控显示装置，触控显示装置可以为液晶显示装置(liquidcrystaldisplay，简称lcd)；触控显示装置也可以为电致发光显示装置或光致发光显示装置。在触控显示装置为电致发光显示装置的情况下，电致发光显示装置可以为有机电致发光显示装置(organiclight-emittingdiode，简称oled)或量子点电致发光显示装置(quantumdotlightemittingdiodes，简称qled)。在显示装置为光致发光显示装置的情况下，光致发光显示装置可以为量子点光致发光显示装置。

在触控显示装置为液晶显示装置的情况下，触控显示装置包括盖板玻璃、触控结构、液晶显示面板以及背光组件。背光组件用于为液晶显示面板提供光源。如图1a、图1b以及图1c所示，液晶显示面板1的主要结构包括阵列基板11、对盒基板12以及设置在阵列基板11和对盒基板12之间的液晶层13。

如图1a、图1b以及图1c所示，阵列基板11的每个亚像素均设置有位于第一衬底110上的薄膜晶体管111和像素电极112。薄膜晶体管111包括有源层、源极、漏极、栅极及栅绝缘层，源极和漏极分别与有源层接触，像素电极112与薄膜晶体管111的漏极电连接。在一些实施例中，如图1a所示，阵列基板11还包括设置在第一衬底110上的公共电极113。像素电极112和公共电极113可以设置在同一层，在此情况下，像素电极112和公共电极113均为包括多个条状子电极的梳齿结构。像素电极112和公共电极113也可以设置在不同层，在此情况下，如图1a所示，像素电极112和公共电极113之间设置有第一绝缘层114。在公共电极113设置在薄膜晶体管111和像素电极112之间的情况下，如图1a所示，公共电极113与薄膜晶体管111之间还设置有第二绝缘层115。在另一些实施例中，对盒基板12包括公共电极113。

如图1a、图1b以及图1c所示，对盒基板12包括设置在第二衬底120上的彩色滤光层121，在此情况下，对盒基板12也可以称为彩膜基板(colorfilter，简称cf)。其中，彩色滤光层121至少包括红色光阻单元、绿色光阻单元以及蓝色光阻单元，红色光阻单元、绿色光阻单元以及蓝色光阻单元分别与阵列基板11上的亚像素一一正对。对盒基板12还包括设置在第二衬底120上的黑矩阵图案122，黑矩阵图案122用于将红色光阻单元、绿色光阻单元以及蓝色光阻单元间隔开。

如图1a、图1b以及图1c所示，液晶显示面板1还包括设置在对盒基板12远离液晶层13一侧的上偏光片14以及设置在阵列基板11远离液晶层13一侧的下偏光片15。

在一些实施例中，如图1a所示，触控结构10设置在液晶显示面板1外，即，设置在盖板玻璃2和上偏光片14之间，在此情况下，触控显示装置称为外挂式触控显示装置。在另一些实施例中，如图1b和图1c所示，触控结构10设置在液晶显示面板1内，在此情况下，触控显示装置称为内嵌式触控显示装置。在触控结构10设置在液晶显示面板1内的情况下，可以是如图1b所示，触控结构10设置在上偏光片14和对盒基板12之间，在此情况下，触控显示装置称为外置式(oncell)触控显示装置。也可以是如图1c所示，触控结构10设置在第一衬底110和第二衬底120之间，例如设置在第一衬底110上，在此情况下，触控显示装置称为嵌入式(incell)触控显示装置。

在触控显示装置为电致发光显示装置或光致发光显示装置的情况下，如图2a和图2b所示，电致发光显示装置或光致发光显示装置的主要结构包括依次设置的电致发光显示面板3或光致发光显示面板3、触控结构10、偏光片4、第一光学胶(opticallyclearadhesive，简称oca)5和盖板玻璃2。

其中，电致发光显示面板3或光致发光显示面板3包括显示用基板31和用于封装显示用基板31的封装层32。此处，封装层32可以为封装薄膜，也可以为封装基板。

如图2a和图2b所示，上述的显示用基板31的每个亚像素包括设置在第三衬底310上的发光器件和驱动电路，驱动电路包括多个薄膜晶体管111。发光器件包括阳极311、发光功能层312以及阴极313，阳极311和多个薄膜晶体管111中作为驱动晶体管的薄膜晶体管111的漏极电连接。显示用基板31还包括像素界定层314，像素界定层314包括多个开口区，一个发光器件设置在一个开口区中。在一些实施例中，发光功能层312包括发光层。在另一些实施例中，发光功能层312除包括发光层外，还包括电子传输层(electiontransportinglayer，简称etl)、电子注入层(electioninjectionlayer，简称eil)、空穴传输层(holetransportinglayer，简称htl)以及空穴注入层(holeinjectionlayer，简称hil)中的一层或多层。

如图2a所示，显示用基板31还包括设置在薄膜晶体管111和阳极311之间的平坦层315。

当触控显示装置为电致发光显示装置或光致发光显示装置时，触控显示装置可以是顶发射型显示装置，在此情况下，靠近第三衬底310的阳极311呈不透明，远离第三衬底310的阴极313呈透明或半透明；触控显示装置也可以是底发射型显示装置，在此情况下，靠近第三衬底310的阳极311呈透明或半透明，远离第三衬底310的阴极313呈不透明；触控显示装置也可以为双面发光型显示装置，在此情况下，靠近第三衬底310的阳极311和远离第三衬底310的阴极313均呈透明或半透明。

在触控显示装置为电致发光显示装置或光致发光显示装置的情况下，在一些实施例中，如图2a所示，触控结构10直接设置在封装层32上，即，触控结构10和封装层32之间不设置其它膜层。在另一些实施例中，如图2b所示，触控结构10设置在基板6上，基板6通过第二光学胶7贴附在封装层32上。基板6的材料例如可以是聚对苯二甲酸乙二酯(polyethyleneterephthalate，简称pet)、聚酰亚胺(polyimide，简称pi)、环烯烃聚合物(cycloolefinpolymer，简称cop)等。此处，如图2a所示，在触控结构10直接设置在封装层32上的情况下，触控显示装置的厚度较小，有利于实现轻薄化。

基于上述，本发明实施例提供一种触控结构10，可以应用于上述的触控显示装置中，对于触控结构10在触控显示装置中的设置位置以及触控显示装置中的其它结构可以参考上述的描述，此处不再赘述。

本发明实施例提供的触控结构10，如图3a所示，包括：多个沿第一方向延伸的第一触控电极101和多个沿第二方向延伸的第二触控电极102，多个第一触控电极101沿第二方向依次排列，多个第二触控电极102沿第一方向依次排列；第一方向和第二方向交叉，第一触控电极101和第二触控电极102相互绝缘。为了减小第一触控电极101和第二触控电极102的电阻，提高第一触控电极101和第二触控电极102上信号的传递速度，因而如图3b所示，第一触控电极101和第二触控电极102均为导电网格，导电网格包括横纵交叉的多条导电线103。

第一触控电极101和第二触控电极102相互绝缘，应当理解到，至少在第一触控电极101和第二触控电极102相交的位置处，第一触控电极101和第二触控电极102之间设置有绝缘层。本发明实施例还提供一种导电结构01，上述的导电线103包括该导电结构01，如图4a和图4b所示，导电结构01包括层叠设置的透明的调制层100、黑化层200和导电层300；调制层100与黑化层200接触。调制层100的折射率为1.8～2.5，黑化层200的吸光系数为1.0～2.0，导电层300的材料为金属或合金。

导电结构01可以如图4a所示，黑化层200设置在导电层300和调制层100之间。在黑化层200设置在导电层300和调制层100之间的情况下，调制层100的厚度范围为20nm～100nm，黑化层200的厚度范围为30nm～200nm。

导电结构01也可以如图4b所示，调制层100设置在黑化层200和导电层300之间。在调制层100设置在黑化层200和导电层300之间的情况下，调制层100的厚度范围为20nm～55nm，黑化层200的厚度范围为10nm～30nm。

需要说明的是，导电结构01中的导电层300用于起导电的作用，黑化层200和调制层100用于起吸收光，减少反射的作用。

在导电结构01应用于触控显示装置中，第一触控电极101和第二触控电极102的导电网格中的导电线包括该导电结构的情况下，导电层300相对于调制层100和黑化层200远离触控显示装置的出光面。可以是黑化层200相对于导电层300和调制层100靠近触控显示装置的出光面，在此情况下，环境光依次射入黑化层200、调制层100和导电层300。也可以是调制层100相对于黑化层200和导电层300靠近触控显示装置的出光面，在此情况下，环境光依次射入黑化层200、调制层100和导电层300。

此处，对于导电层300的材料不进行限定，例如可以是铝、铝合金、银、银合金、铜(cu)、铜合金中的一种或多种。

对于调制层100的材料不进行限定，以调制层100的折射率为1.8～2.5为准。示例的，调制层100的材料可以为铟锌金属氧化物(indiumzincoxide，简称izo)、铟锌合金氧化物、铟锡金属氧化物((indiumtinoxide，简称ito)、铟锡合金氧化物中的一种或多种。其中，铟锌金属氧化物中的金属(metal)只有铟和锌，铟锌合金氧化物中的金属除了铟和锌外，还有其它金属。铟锡金属氧化物中的金属只有铟和锡，铟锡合金氧化物中的金属除了铟和锡外，还有其它金属。

在此基础上，在导电结构01中黑化层200的作用是吸光，在导电结构01应用于触控显示装置中，第一触控电极101和第二触控电极102的导电网格中的导电线包括该导电结构01的情况下，导电结构01中黑化层200用于吸光达到消影的作用。

对于黑化层200的材料不进行限定，以黑化层200的吸光系数为1.0～2.0为准。示例的，黑化层200的材料可以为氧化钼、氮化钼、氮氧化物、氧化钼铌、氮化钼铌、氮氧化钼铌中的一种或多种。

在波长为380nm～780nm范围内，对上述导电结构01的反射率进行测试，测试结果如图5所示。从图5可以看出，在波长为380nm～780nm范围内，导电结构01的反射率可以为5％～7％，且反射率的波动范围较小。人眼对550nm的光最为敏感，在波长为550nm时，导电结构的反射率为4％～6％。

相关技术中，第一触控电极101和第二触控电极102的导电网格中的导电线的材料为铝、铝合金、银、银合金中的一种或多种，即，导电线仅包括导电层。由于铝、铝合金、银以及银合金的反射率都比较高，因而在导电线的材料为铝、铝合金、银、银合金中的一种或多种的情况下，在波长为380nm～780nm范围内的光照到导电线上，导电线的反射率为15％～25％，波长为550nm的光照到导电线上，反射率可以达到14％～16％。此外，在波长为380nm～780nm范围内波长与反射率的关系曲线存在波峰和波谷，反射率波动比较大。在导电线的材料为铝、铝合金、银、银合金中的一种或多种的情况下，由于导电线的反射率比较高，因而射到导电网格上的光大多数会被反射，因此在导电网格应用于触控显示装置的情况下，观看者在观看显示装置时，环境光被导电网格反射进行人眼，这样人眼就能够看到导电网格，从而影响了观看效果。

本发明实施例提供一种导电结构01，导电结构01包括层叠设置的透明的调制层100、黑化层200和导电层300；调制层100与黑化层200接触。调制层100的折射率为1.8～2.5，黑化层200的吸光系数为1.0～2.0，导电层300的材料为金属或合金。在黑化层200设置在导电层300和调制层100之间的情况下，调制层100的厚度范围为20nm～100nm，黑化层200的厚度范围为30nm～200nm。在调制层100设置在黑化层200和导电层300之间的情况下，调制层100的厚度范围为20nm～55nm，黑化层200的厚度范围为10nm～30nm。由于本发明实施提供的导电结构01除包括导电层300外，还包括黑化层200和调制层100，在黑化层200的厚度、吸光系数以及调制层100的厚度、折射率满足上述条件的情况下，光射到导电结构01上，被黑化层200和调制层100反射后发生光学干涉，从而可以减少反射光，降低反射效率，且反射率的波动范围较小。在导电结构01应用于触控显示装置中，第一触控电极101和第二触控电极102的导电网格中的导电线包括该导电结构01的情况下，由于导电结构01的反射率较低，因而导电网格的反射率相对于相关技术降低。在导电网格应用于触控显示装置的情况下，观看者在观看显示装置时，由于导电网格的反射率降低，因而可以达到消影的效果，提高观看者的观看效果。

在调制层100的材料为铟锌金属氧化物、铟锌合金氧化物、铟锡金属氧化物、铟锡合金氧化物中的一种或多种的情况下，由于铟锌金属氧化物、铟锌合金氧化物、铟锡金属氧化物、铟锡合金氧化物均为导电材料，相对于相关技术中导电线仅包括导电层，因而本发明实施例相当于在导电层300上并联了一个导电的调制层100，因此可以降低导电结构01的电阻值。在导电结构01应用于触控显示装置中，第一触控电极101和第二触控电极102的导电网格中的导电线包括该导电结构01的情况下，由于导电结构01的电阻降低，因而可以减小第一触控电极101和第二触控电极102上信号的损失，提高触控精确性。

考虑到在制作黑化层200的过程中需要通入气氛例如氧气(o2)和/或氮气(n2)，而靠近氧气输出口的地方，由于氧气浓度大，因而靠近氧气输出口的地方黑化层200中包含的氧气含量较多，远离氧气输出口的地方，由于氧气浓度小，因而远离氧气输出口的地方黑化层200中包含的氧气含量少。靠近氮气输出口的地方，由于氮气浓度大，因而靠近氮气输出口的地方黑化层200中包含的氮气含量较多，远离氮气输出口的地方，由于氮气浓度小，因而远离氮气输出口的地方黑化层200中包含的氮气含量少。这样一来，黑化层200中包含的氮气和氧气的分布不均，从而导致黑化层200的镀膜均一性和稳定性不好。若导电结构01仅包括导电层300和黑化层200，由于黑化层200的镀膜均一性和稳定性不好，因而会导致导电结构01不同位置处的反射率不相同。而本发明实施例中，由于导电结构01除包括导电层300和黑化层200外，还包括调制层100，由于调制层100也可以对光进行反射，从而可以对导电结构01不同位置处反射光进行调制，以使得导电结构01不同位置处光的反射率相同，进而提高了导电结构01不同位置处反射的光的均匀性。

在导电结构01应用于触控显示装置中时，应当理解到，导电结构01会与膜层或基板接触，导电结构01的附着力若不好，则导电结构01很容易从膜层或基板上脱落，从而影响触控显示装置的正常显示，因而导电结构01的附着力是影响导电结构01性能的一个重要指标。

在黑化层200设置在导电层300和调制层100之间，或者，调制层100设置在导电层300和黑化层200之间的情况下，如图6所示，在衬底(substrate)400上形成多个呈矩阵排布的导电结构01，每个导电结构01为方形(例如1mm×1mm)，利用胶带粘导电结构01测试导电结构01的附着力。其中，在黑化层200设置在导电层300和调制层100之间的情况下，调制层100与衬底400接触。在调制层100设置在导电层300和黑化层200之间的情况下，黑化层200与衬底400接触。

若去除导电结构01中的调制层100，仅保留导电层300和黑化层200，在衬底400上形成多个呈矩阵排布的去除调制层100的导电结构01，每个去除调制层100的导电结构01为方形(例如1mm×1mm)，利用胶带粘去除调制层100的导电结构01，测试去除调制层100的导电结构01的附着力。通过对比可知，调制层100、黑化层200和导电层300的导电结构01的附着力大于去除调制层100的导电结构01的附着力，即在导电结构01包括调制层100、黑化层200和导电层300的情况下，导电结构01的附着力较高，因此本发明实施例提供的导电结构01的附着力较高。这是因为调制层100与黑化层200通过应力匹配，提高了导电结构01的附着力。

以黑化层200设置在导电层300和调制层100之间为例，说明上述在衬底400上形成多个呈矩阵排布的导电结构01的制作过程为：在衬底400上先形成一层调制层100，再形成一层黑化层200，最后形成导电层300，用工具刀将叠层结构划分成如图6所示的多个导电结构01，每个导电结构01均包括依次层叠形成在衬底400上的调制层100、黑化层200和导电层300。在衬底400上形成多个呈矩阵排布的去除调制层100的导电结构01的过程与上述相似，此处不再赘述。

在黑化层200设置在导电层300和调制层100之间的情况下，调制层100的厚度例如可以选取20nm、30nm、40nm、50nm、60nm、85nm、100nm等。在调制层100的厚度为60nm的情况下，导电结构01的反射率最低，可以到达5％以下，因此可选的，可以将调制层100的厚度设置为60nm。黑化层200的厚度例如可以选取30nm、35nm、45nm、55nm、100nm、150nm、200nm等。在黑化层200的厚度为45nm的情况下，导电结构01的反射率最低，可以到达5％以下，因此可选的，可以将黑化层200的厚度设置为45nm。

在调制层100设置在导电层300和黑化层200之间的情况下，调制层100的厚度例如可以选取20nm、30nm、37nm、40nm、50nm、55nm等。如图7a所示，在导电层300的厚度和材料、黑化层200的厚度和材料、调制层100的材料均相同的情况下，测试调制层100的厚度与反射率的关系曲线。由图7a可以看出，在调制层100的厚度为37nm的情况下，导电结构01的反射率最低，可以到达5％以下，因此可选的，可以将调制层100的厚度设置为37nm。黑化层200的厚度例如可以选取10nm、15nm、17nm、20nm、25nm、30nm等。如图7b所示，在导电层300的厚度和材料、调制层100的厚度和材料、黑化层200的材料均相同的情况下，测试黑化层200的厚度与反射率的关系曲线。由图7b可以看出，在黑化层200的厚度为17nm的情况下，导电结构01的反射率最低，可以到达5％以下，因此可选的，可以将黑化层200的厚度设置为17nm。

在导电结构01应用于触控显示装置中，第一触控电极101和第二触控电极102的导电网格中的导电线包括该导电结构01的情况下，在形成导电网格中的导电线时，需要先形成导电薄膜，导电薄膜的结构与上述导电结构01的结构相同，之后，对导电薄膜进行构图工艺(构图工艺包括涂覆光刻胶、掩膜曝光、刻蚀以及显影工艺)形成导电线。导电薄膜包括层叠设置的导电层薄膜、调制层薄膜、黑化层薄膜。若调制层薄膜的材料为铟锡金属氧化物或铟锡合金氧化物，黑化层薄膜的材料为氧化钼、氮化钼、氮氧化物、氧化钼铌、氮化钼铌、氮氧化钼铌中的一种或多种，导电层薄膜的材料为铝、铝合金、银、银合金、铜、铜合金中的一种或多种，由于刻蚀黑化层薄膜和导电层薄膜的刻蚀液不能用来刻蚀铟锡金属氧化物或铟锡合金氧化物，因而在黑化层薄膜设置调制层薄膜和导电层薄膜之间的情况下，需要先对调制层薄膜进行构图，再对黑化层薄膜和导电层薄膜同时进行构图，这样一来，需要二次构图工艺。在调制层薄膜设置在黑化层薄膜和导电层薄膜之间的情况下，需要先对黑化层薄膜进行构图，再对调制层薄膜进行构图，最后对导电层薄膜进行构图，这样一来需要三次构图工艺。而在调制层薄膜的材料为铟锌金属氧化物或铟锌合金氧化物，黑化层薄膜的材料为氧化钼、氮化钼、氮氧化物、氧化钼铌、氮化钼铌、氮氧化钼铌中的一种或多种，导电层薄膜的材料为铝、铝合金、银、银合金、铜、铜合金中的一种或多种的情况下，由于刻蚀黑化层薄膜和导电层薄膜的刻蚀液可以用来刻蚀铟锌金属氧化物或铟锌合金氧化物，这样一来，可以对黑化层薄膜、导电层薄膜、调制层薄膜同时进行构图，仅需要一次构图工艺即可，简化了导电结构01的制作工艺。基于此，在一些实施例中，调制层100的材料可以为铟锌金属氧化物、铟锌合金氧化物中的一种或两种。

在一些实施例中，如图8a和图8b所示，导电结构01还包括设置在导电层300远离黑化层200一侧的保护层500，保护层500用于防止导电层300被氧化。

其中，保护层500的材料例如可以为化学性能稳定，不易于被氧化的金属或合金。示例的，保护层500的材料为钼(mo)、钼铌(monb)合金中的一种或两种。

在导电层300上不设置保护层500时，导电层300易于被腐蚀或氧化，从而导致导电层300的电阻增大或导电层300容易断裂，这样一来，在导电结构应用于触控显示装置中，第一触控电极101和第二触控电极102的导电网格中的导电线包括该导电结构01的情况下，导电线的电阻增大或断线，都会影响触控信号的传输。本发明实施例中，由于导电层300远离黑化层200的一侧设置有保护层500，因而保护层500可以防止导电层300被氧化或腐蚀，从而避免了导电结构应用于触控显示装置中，第一触控电极101和第二触控电极102的导电网格中的导电线包括该导电结构01的情况下，导电线的电阻增大或断线的问题。

在此基础上，在保护层500的材料为金属和合金的情况下，保护层500还可以降低导电结构01的电阻。

本发明实施例提供的导电结构01除了可以应用到显示技术领域，作为触控显示装置中的部件外，还可以应用到其它领域，例如光学器件领域，作为光学仪器中的一个部件。

以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。