触控显示面板以及触控显示装置的制作方法

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种触控显示面板以及触控显示装置。

背景技术：

有机发光二极管面内触控显示面板，又称dot技术(directoncelltouch)，集成有机发光二极管(oled)及触控显示面板，相较外挂触控显示面板具有更好的透过率、耐弯折性、及轻薄等特点，将成为柔性oled显示未来趋势。此技术为在oled面板封装层上直接利用低温工艺(t≤90℃)制作触控显示面板，从而实现oled和触控显示面板的集成。

如图1所示，为一种现有的触控显示面板下半部分平面图，所述触控显示面板90包括基底91和位于基底上的触控层92，在所述触控层92内设有触控显示区920，触控电极引线921从触控显示区920引出并在触控层92边缘延伸至触控显示区920下方的绑定区910。

如图2所示，为图1中触控显示区920和绑定区910之间的过度区域930处的剖面结构示意图，所述基底91从下至上依次包括柔性衬底层911、阵列基板912、发光层913、挡墙结构层914、封装层915。挡墙结构层914包括第一挡墙9141和第二挡墙9142，呈台阶式结构并具有一定高度，用于在制作封装层915时防止喷墨打印材料溢出，第一挡墙9141高度小于第二挡墙9142高度。当触控电极引线921在过度区域930引出时，需跨过挡墙结构层914进行走线，即触控电极引线921设于挡墙结构层914上，在曝光工艺中，光阻在第一挡墙9141和第二挡墙9142底部堆积较厚，从而难以有效被曝光显影去除而导致光阻残留，进而导致在制作触控层92的触控电极引线921时在第一挡墙9141和第二挡墙9142的底部两侧形成金属残留9211以致出现短路现象，极大影响了产品良率。

如图3所示，为图2的触控电极引线921跨过挡墙结构层914的平面结构示意图，在第一挡墙9141和第二挡墙9142的两侧形成金属残留9211以致出现短路现象，极大影响了产品良率。

技术实现要素：

本发明的目的在于，提供一种触控显示面板以及触控显示装置，解决了在曝光工艺中，光阻在挡墙底部堆积较厚难以有效被曝光显影去除导致光阻残留，从而避免了在制作触控层的触控电极引线时在挡墙的底部两侧形成金属残留以致出现短路现象，提高了触控显示面板的良率。

为实现上述目的，本发明提供一种触控显示面板，其包括阵列基板、封装层以及触控层；所述阵列基板包括显示区和非显示区，并在所述非显示区设有围绕所述显示区的挡墙结构层；所述挡墙结构层包括多个围绕所述显示区的挡墙；所述封装层设置在所述列阵基板的一侧，覆盖所述显示区并延伸覆盖所述挡墙结构；所述触控层设于所述封装层远离所述列阵基板的一侧；其中，所述挡墙的下底边与其两侧边之间的最大夹角α≤25°。

进一步地，所述挡墙的上底边呈圆弧形，所述挡墙的下底边的长度为所述上底边的长度的三倍。

进一步地，所述挡墙的高度h范围为3μm-5μm；所述挡墙的下底边的长度d与其高度h的关系为d＝3h/tanα。

进一步地，所述挡墙的下底边与其两侧边之间的最大夹角α为21°≤α≤25°。

进一步地，所述触控层包括从下至上依次层叠设置的缓冲层、第一金属层、钝化层、第二金属层和平坦层。具体地讲，所述第一金属层设于所述缓冲层上；所述钝化层设于所述第一金属层上；所述第二金属层设于所述钝化层上；所述第一金属层和所述第二金属层的其中一层包括多个电极跨桥，所述第一金属层和所述第二金属层中的另一层包括多排沿第一方向排列的第一电极、多排沿第二方向排列的第二电极、以及多个电极连线，同一排的所述第一电极通过所述电极跨桥依次电连接，同一排的所述第二电极通过所述电极连线依次电连接，所述电极连线由所述第二金属层图样化形成，所述第一电极或所述第二电极通过触控电极引线延伸至所述非显示区与触控驱动电路连接，所述第一方向与所述第二方向不平行；所述平坦层设于所述第二金属层上。

进一步地，所述电极跨桥以及所述电极连线均包括走线本体以及冗余部；所述冗余部与所述走线本体一体成型并设置在所述走线本体的至少一侧，所述冗余部在所述第一金属层或所述第二金属层图样化时被曝光去除。

进一步地，所述走线本体的宽度为3μm-5μm；所述冗余部的宽度为0.5μm-3μm。

进一步地，所述触控电极引线的延伸方向与所述挡墙的延伸方向相交且呈的夹角为45°-75°。

进一步地，所述触控层呈设有圆角的矩形，所述触控电极引线从所述触控层的圆角处引出，所述触控电极引线的延伸方向平行或垂直于所述触控层的矩形一边的延伸方向；所述挡墙的延伸方向与所述触控层的矩形一边的延伸方向呈的夹角为45°-75°。

为实现上述目的，本发明还提供一种触控显示装置，包括前文所述的触控显示面板。

本发明的技术效果在于，提供一种触控显示面板以及触控显示装置，通过设置所述挡墙的斜坡角度α≤25°，能够避免在曝光工艺中在所述挡墙底部两侧造成光阻残留，从而避免了在制作触控层的触控电极引线时在挡墙的底部两侧形成金属残留以致出现短路现象；并进一步通过将所述电极跨桥以及所述电极连线等触控电极走线置为走线本体与冗余部一体成型，所述冗余部成对设于所述走线本体两侧，所述冗余部经曝光显影工艺后被去除而剩余所述走线本体，既保证了在所述挡墙底部两侧残留的光阻可以被有效去除，又可保证所述触控电极引线的线宽尺寸不会偏细甚至断线的异常，避免其出现电性异常；并进一步通过将所述触控电极引线的延伸方向与所述挡墙的延伸方向相交且呈的夹角设为45°-75°，保证了在所述挡墙底部两侧残留的光阻可以被有效去除，从而避免了在制作触控层的触控电极引线时在挡墙的底部两侧形成金属残留以致出现短路现象，解决了触控电极引线在跨过挡墙结构时由于金属残留导致的短路现象，提高了触控显示面板的良率。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是现有的触控显示面板下半部分平面结构示意图；

图2为图1中在过度区域处的剖面结构示意图；

图3为图2的触控电极引线跨过挡墙结构层的平面结构示意图；

图4为第一实施例所述触控显示面板的结构示意图；

图5为图4的所述触控显示面板的局部结构示意图；

图6为第一实施例所述触控层的结构示意图；

图7为第二实施例所述触控电极引线的结构示意图；

图8为第三实施例所述触控显示面板的局部结构示意图。

附图中部分标识如下：

1、挡墙，101、上底边，102、下底边，103、腰，

2、触控电极引线，201、走线本体，202、冗余部，

10、阵列基板，11、柔性衬底层，12、薄膜晶体管层，

13、发光层，14、挡墙结构层，15、封装层，110、显示区，

120、非显示区，20、触控层，21、缓冲层，22、第一金属层，

23、钝化层，24、第二金属层，25、平坦层，31、电极跨桥，

32、第一电极，33、电极连线。

具体实施方式

以下参考说明书附图介绍本发明的优选实施例，用以举例证明本发明可以实施，这些实施例可以向本领域中的技术人员完整介绍本发明的技术内容，使得本发明的技术内容更加清楚和便于理解。然而本发明可以通过许多不同形式的实施例来得以体现，本发明的保护范围并非仅限于文中提到的实施例。

实施例1

如图4、图5所示，在第一实施例提供一种触控显示面板100，其包括阵列基板10、封装层15以及触控层20；所述阵列基板10包括显示区110和非显示区120，并在所述非显示区120设有围绕所述显示区110的挡墙结构层14；所述挡墙结构层14包括多个围绕所述显示区110的挡墙1；所述封装层15设置在所述列阵基板10的一侧，覆盖所述显示区110并延伸覆盖所述挡墙结构14；所述触控层20设于所述封装层15远离所述列阵基板10的一侧；其中，所述挡墙1的下底边102与其两侧边之间的最大夹角α≤25°。

可以理解的是，所述挡墙1的横截面呈等腰梯形，包括上底边101、下底边102和两个腰103，所述两个腰103即为所述下底边102的两侧边，所述挡墙1的下底边102和所述腰103的夹角为斜坡角度α，所述斜坡角度α≤25°，能够避免在曝光工艺中在所述挡墙1底部两侧造成光阻残留，从而避免了在制作触控层20的触控电极引线2时在挡墙1的底部两侧形成金属残留以致出现短路现象，解决了触控电极引线2在跨过挡墙1结构时由于金属残留导致的短路现象，提高了触控显示面板100的良率。

如图4所示，所述阵列基板10包括从下至上依次层叠设置的柔性衬底层11、薄膜晶体管层12、发光层13以及所述挡墙结构层14。具体地讲，所述薄膜晶体管层12设置在所述柔性衬底层11上；所述发光层13设置在所述薄膜晶体管层12上；所述挡墙结构层14围绕所述发光层13设置；其中所述封装层15覆盖所述发光层13并延伸覆盖所述挡墙结构14。所述挡墙结构14的所述挡墙1具有一定高度用于在制作封装层15时防止喷墨打印材料溢出。

如图5所示，为图4的所述触控显示面板的局部结构示意图。所述挡墙1的上底边101呈圆弧形，所述挡墙1的下底边102的长度d为所述上底边101的长度l的三倍，即d＝3l。这样能够使得所述挡墙1的斜坡角度α≤25°，并且在所述挡墙1的上底边101呈圆弧形，从而避免在曝光工艺中在所述挡墙1底部两侧造成光阻残留，从而避免了在制作触控层20的触控电极引线2时在挡墙1的底部两侧形成金属残留以致出现短路现象。

在本实施例中，所述挡墙1的高度h范围为3μm-5μm；所述挡墙1的下底边102的长度d与其高度h的关系为d＝3h/tanα。

本发明已进行的检测和实验验证，通过统计的测试数据可知，当所述挡墙1的斜坡角度α为28°-45°时，聚焦离子束(fib)解析可见在所述挡墙1底部两侧明显存在金属残留；当所述挡墙1的斜坡角度α减小为小于28°时，聚焦离子束(fib)解析可见在所述挡墙1底部两侧存在的金属残留逐步减少；当所述挡墙1的斜坡角度α为21.4°时，首次未见金属残留。因此本发明优选所述挡墙1的下底边101与其两侧边之间的最大角度α为21°≤α≤25°，优选α为21.4°，亦即所述挡墙1的下底边102和腰103的夹角为21.4°时的所述挡墙1能够避免在曝光工艺中在所述挡墙1底部两侧造成光阻残留，并且所述挡墙1能够在最短距离爬升至一定高度用于在制作封装层15时防止喷墨打印材料溢出。

如图6所示，在本实施例中，所述触控层20包括从下至上依次层叠设置的缓冲层21、第一金属层22、钝化层23、第二金属层24和平坦层25。具体地讲，所述第一金属层22设于所述缓冲层21上；所述钝化层23设于所述第一金属层22上；所述第二金属层24设于所述钝化层23上；所述第一金属层22和所述第二金属层24的其中一层包括多个电极跨桥31，所述第一金属层22和所述第二金属层24中的另一层包括多排沿第一方向排列的第一电极32、多排沿第二方向排列的第二电极(未图示)、以及多个电极连线33，同一排的所述第一电极32通过所述电极跨桥31依次电连接，同一排的所述第二电极通过所述电极连线33依次电连接，所述电极连线33由所述第二金属层24图样化形成，所述第一电极32或所述第二电极通过触控电极引线2延伸至所述非显示区120与触控驱动电路(ic)连接，所述第一方向与所述第二方向不平行，优选所述第一方向为横向，所述第二方向为纵向；所述平坦层25设于所述第二金属层24上。

如图6所示，为本实施例优选的一种触控层20的结构示意图，其中，所述第一金属层22包括多个电极跨桥31，所述第二金属层24包括多排沿横向排列的第一电极32和多排沿纵向排列的第二电极。

实施例2

在第二实施例中包括第一实施例中全部的技术特征，其区别在于，为了进一步保证了在所述挡墙1底部两侧残留的光阻可以被有效去除，第二实施例中的所述电极跨桥31以及所述电极连线33等触控走线均包括走线本体201以及冗余部202；所述冗余部202与所述走线本体201一体成型且成对设于所述走线本体201的至少一侧，所述冗余部202在所述第一金属层22或所述第二金属层24图样化时被曝光去除。

具体的，所述走线本体201的宽度为3μm-5μm；所述冗余部202的宽度为0.5μm-3μm。

可以理解的是，所述曝光显影工艺用于去除在所述挡墙1底部两侧的光阻残留，因此相对于现有工艺的曝光显影的能量较高，也称过度曝光，增加的所述曝光显影的能量为2mj-5mj，由于光阻材料不同，具体采取的过度曝光能量大小也不同，在此不作特殊限定。

目前工艺所需的所述电极跨桥31以及所述电极连线33的线宽为3μm-5μm，由于进行过度曝光，所述电极跨桥31以及所述电极连线33的线宽会同步变小，在实际生产中，若不设置所述冗余部202，由于曝光机波动，容易出现所述电极跨桥31以及所述电极连线33的实际线宽偏细甚至断线异常，此种异常直接造成整批产品报废，对良率造成极大影响。因此本实施例进一步通过将所述电极跨桥31以及所述电极连线33均设置为走线本体201与冗余部202一体成型，所述冗余部202成对设于所述走线本体201两侧，所述冗余部202在所述第一金属层22或所述第二金属层24图样化时被曝光去除而剩余所述走线本体201，既保证了在所述挡墙1底部两侧残留的光阻可以被有效去除，又可保证所述电极跨桥31以及所述电极连线33的线宽尺寸不会偏细甚至断线的异常，避免其出现电性异常。

实施例3

如图7所示，为所述触控电极引线2跨过所述挡墙结构层14的所述挡墙1的平面结构示意图，如图8所示，为所述触控显示面板100的局部结构示意图；在第三实施例中包括第一实施例或第二实施例中全部的技术特征，其区别在于，为了进一步保证了在所述挡墙1底部两侧残留的光阻可以被有效去除，第三实施例中的所述触控电极引线2的延伸方向与所述挡墙1的延伸方向相交且呈的夹角θ为45°-75°，保证了在所述挡墙1底部两侧残留的光阻可以被有效去除，从而避免了在制作触控层20的触控电极引线2时在挡墙1的底部两侧形成金属残留以致出现短路现象，解决了触控电极引线2在跨过挡墙1结构时由于金属残留导致的短路现象，提高了触控显示面板100的良率。

在第三实施例中，所述触控层20呈设有圆角的矩形，所述触控电极引线2从所述触控层20的圆角处引出，所述触控电极引线2的延伸方向平行或垂直于所述触控层20的矩形一边的延伸方向；所述挡墙1的延伸方向与所述触控层20的矩形一边的延伸方向呈的夹角β为45°-75°。这样通过具体设置所述挡墙1的延伸方向，在不改变所述触控层20现有设置的情况下能够保证了在所述挡墙1底部两侧残留的光阻可以被有效去除，从而避免了在制作触控层20的触控电极引线2时在挡墙1的底部两侧形成金属残留以致出现短路现象。

为实现上述目的，本发明还提供一种触控显示装置，包括前文所述的触控显示面板100。触控显示装置利用触控显示面板100实现触控显示功能，例如智能手机、平板电脑或者其它用于显示和触控的装置；触控显示面板100如上所述，不再赘述。

本发明的技术效果在于，提供一种触控显示面板100以及触控显示装置，通过设置所述挡墙1的斜坡角度α≤25°，能够避免在曝光工艺中在所述挡墙1底部两侧造成光阻残留，从而避免了在制作触控层20的触控电极引线2时在挡墙1的底部两侧形成金属残留以致出现短路现象；并进一步通过将所述电极跨桥31以及所述电极连线33等触控电极走线设置为走线本体201与冗余部202一体成型，所述冗余部202成对设于所述走线本体201两侧，所述冗余部202经曝光显影工艺后被去除剩余所述走线本体201，既保证了在所述挡墙1底部两侧残留的光阻可以被有效去除，又可保证所述触控电极走线的线宽尺寸不会偏细甚至断线的异常，避免其出现电性异常；并进一步通过将所述触控电极引线2的延伸方向与所述挡墙1的延伸方向相交且呈的夹角θ设为45°-75°，保证了在所述挡墙1底部两侧残留的光阻可以被有效去除，从而避免了在制作触控层20的触控电极引线2时在挡墙1的底部两侧形成金属残留以致出现短路现象，解决了触控电极引线2在跨过挡墙1结构时由于金属残留导致的短路现象，提高了触控显示面板100的良率。

以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。