T的源极电极上，连接与各个TFT对应的、配置在像素区域中的像素电极。
[0047]形成在TFT基板上的各TFT，根据对扫描信号线10施加的扫描信号，以水平列单位控制开启/关闭动作。为开启状态的水平列的各TFT将分别连接的像素电极的电位设定为与施加于影像信号线9的影像信号对应的电位(像素电压)。并且，液晶面板I具有多个像素电极及对置于该像素电极而设置的共通电极，通过在像素电极与共通电极之间产生的电场按各个像素区域控制液晶的取向，通过改变对于从背光单元2入射的光的透过率，在显示面上形成图像。
[0048]背光单元2配置在液晶面板I的背面侧，从液晶面板I的背面照射光，已知有例如将多个发光二极管排列而构成面光源的构造、以及通过将导光板和扩散反射板组合使用从而使发光二极管的光成为面光源的结构的构造。
[0049]扫描线驱动电路3连接在形成于TFT基板上的多个扫描信号线10上。
[0050]扫描线驱动电路3根据从控制装置8输入的定时信号依次选择扫描信号线10，对所选择的扫描信号线10施加将TFT开启的电压。例如，扫描线驱动电路3包括移位寄存器而构成，移位寄存器接受来自控制装置8的触发信号而开始动作，以沿着垂直扫描方向的顺序依次选择扫描信号线10，对所选择的扫描信号线10输出扫描脉冲。
[0051]影像线驱动电路4连接在形成于TFT基板上的多个影像信号线9上。
[0052]影像线驱动电路4匹配于由扫描线驱动电路3进行的扫描信号线10的选择，对连接在所选择的扫描信号线10上的TFT分别施加与表示各子像素的灰阶值的影像信号对应的电压。由此，向配置在与所选择的扫描信号线10对应的子像素中的各像素电极写入影像信号。
[0053]背光驱动电路5以与从控制装置8输入的发光控制信号对应的定时及亮度使背光单元2发光。
[0054]在液晶面板I上，作为构成作为输入装置的接触传感器的电极，多个驱动电极11和多个检测电极12以相互交叉的方式配置。
[0055]由这些驱动电极11及检测电极12构成的接触传感器在驱动电极11与检测电极12之间进行电气信号的输入和通过静电电容变化的应答检测，检测向显示面的物体的接触。作为检测该接触的电气电路，设有传感器驱动电路6及信号检测电路7。
[0056]传感器驱动电路6是交流信号源，连接在驱动电极11上。例如，传感器驱动电路6被从控制装置8输入定时信号，同步于液晶面板I的图像显示而依次选择驱动电极11，对所选择的驱动电极11施加由矩形状的脉冲电压形成的驱动信号Τχν。如果更具体地例示，则传感器驱动电路6与扫描线驱动电路3同样地包括移位寄存器而构成，接受来自控制装置8的触发信号，使移位寄存器动作，以沿着垂直扫描方向的顺序依次选择驱动电极11，对所选择的驱动电极11施加由脉冲电压形成的驱动信号Τχν。
[0057]另外，驱动电极11及扫描信号线10以沿水平方向延伸的方式形成在TFT基板上，在垂直方向上排列有多条。与这些驱动电极11及扫描信号线10电连接的传感器驱动电路6及扫描线驱动电路3，优选的是沿着排列像素的显示区域的垂直的边配置，在本实施方式的液晶显示装置中，在左右的边的一方中配置扫描线驱动电路3，在另一方中配置传感器驱动电路6。
[0058]信号检测电路7是检测静电电容变化的检测电路，连接在检测电极12上。信号检测电路7构成为按每个检测电极12设置检测电路、检测检测电极12的电压作为检测信号Rxvo另外，作为信号检测电路的另一结构例，也可以构成为，对于多条检测电极12的组设置I个信号检测电路，在对驱动电极11施加的脉冲电压的持续时间内，分时地进行多条检测电极12中的检测信号Rxv的电压监视，检测来自各个检测电极12的检测信号Rxv。
[0059]显示面上的物体的接触位置即接触位置，基于当对哪个驱动电极11施加了驱动信号Txv时由哪个检测电极12检测到接触时的检测信号Rxy来求出，通过运算求出这些驱动电极11与检测电极12的交点作为接触位置。另外，作为求出接触位置的运算方法，有在液晶显示装置内设置运算电路来进行的方法、及通过液晶显示装置的外部的运算电路进行的方法。
[0060]控制装置8具备CPU等运算处理电路及ROM或RAM等存储器。控制装置8基于被输入的影像数据，进行颜色调整等的各种图像信号处理，生成表示各子像素的灰阶值的图像信号，对影像线驱动电路4施加。此外，控制装置8基于被输入的影像数据，生成用来取得扫描线驱动电路3、影像线驱动电路4、背光驱动电路5、传感器驱动电路6及信号检测电路7的动作的同步的定时信号，并对这些电路施加。此外，控制装置8基于被输入的影像数据施加用来控制发光二极管的亮度的亮度信号作为对背光驱动电路5的发光控制信号。
[0061]在本实施方式中说明的液晶显示装置中，连接在液晶面板I的各信号线或电极上的扫描线驱动电路3、影像线驱动电路4、传感器驱动电路6及信号检测电路7通过在柔性布线板、印刷布线板及玻璃基板上搭载各电路的半导体芯片而构成。但也可以是，扫描线驱动电路3、影像线驱动电路4、传感器驱动电路6通过在TFT基板上与TFT等一起同时形成半导体电路元件等的规定的电子电路来搭载。
[0062]图2是表示构成接触传感器的驱动电极和检测电极的排列的一例的立体图。
[0063]如图2所示，作为输入装置的接触传感器由在图2的左右方向上延伸的多根作为条状的电极图案(pattern)的驱动电极11、和在与驱动电极11的电极图案的延伸方向交叉的方向上延伸的多根作为条状的电极图案的检测电极12构成。在各个驱动电极11和检测电极12相互交叉的交叉部分上分别形成具有静电电容的电容元件。
[0064]此外，驱动电极11以在相对于扫描信号线10延伸的方向平行的方向上延伸的方式排列。并且，驱动电极11如后面详细说明那样构成为，当设M(M是自然数)条扫描信号线为I行块时，与多个N(N是自然数)条行块分别对应地配置，按每个行块施加驱动信号。
[0065]当进行接触位置的检测动作时，通过从传感器驱动电路6对驱动电极11施加驱动信号Txv以按每个行块分时地进行线顺序扫描，从而依次选择作为检测对象的I个行块。此外构成为，通过从检测电极12输出检测信号Rxv，进行I个行块的接触位置检测。
[0066]接着，使用图3、图4对静电电容方式的接触传感器的接触位置的检测原理(电压检测方式)进行说明。
[0067]图3中(a)、图3中(b)是对于接触传感器的概略结构和等效电路，说明没有进行接触操作的状态(图3中(a))和进行了接触操作的状态(图3中(b))的图。图4是表示图3所示那样的没有进行接触操作的情况和进行了接触操作的情况下的检测信号的变化的说明图。
[0068]静电电容方式的接触传感器通过将如图2所示那样以相互交叉的方式配置为矩阵状的一对驱动电极11与检测电极12的交叉部如图3中(a)所示那样夹着介电体D对置配置从而构成电容元件。等效电路如图3中(a)的图中右侧所示那样表示，通过驱动电极
11、检测电极12及介电体D构成电容元件Cl。电容元件Cl其一端被连接到作为交流信号源的传感器驱动电路6上，另一端P经由电阻器R被接地并被连接到作为电压检测器的信号检测电路7上。
[0069]如果从作为交流信号源的传感器驱动电路6对驱动电极11 (电容元件Cl的一端)施加由几kHz?十几kHz左右的规定的频率的脉冲电压形成的驱动信号Txv (图4)，则在检测电极12 (电容元件Cl的另一端P)出现图4所示那样的输出波形(检测信号Rxv)。
[0070]在手指没有接触(或接近)的状态下，如图3中(a)所示，随着对于电容元件Cl的充放电，流过与电容元件Cl的电容值对应的电流10。此时的电容元件Cl的另一端P的电位波形成为图4的波形VO那样，它被作为电压检测器的信号检测电路7检测到。
[0071]另一方面，在手指接触(或接近)的状态下，如图3中(b)所示，等效电路为对电容元件Cl串联地追加了由手指形成的电容元件C2的形态。在该状态下，随着对于电容元件C1、C2的充放电，分别流过电流11、12。此时的电容元件Cl的另一端P的电位波形为图4的波形Vl那样，它被作为电压检测器的信号检测电路7检测到。此时，点P的电位成为由流过电容元件C1、C2的电流11、12的值决定的分压电位。因此，波形Vl成为比非接触状态下的波形VO小的值。
[0072]信号检测电路7将从检测电极12分别输出的检测信号的电位与规定的阈值电压Vth比较，如果是该阈值电压以上则判断为非接触状态，如果是不到阈值电压则判断为接触状态。这样，能够进行接触检测。另外，为了进行接触检测，作为图4所示那样的根据电压的大小判别的方法以外的检测静电电容的变化的方