面侧，在构成对置基板Ib主体的透明的基板上，在对应于形成在TFT基板Ia上的像素电极19而在液晶面板的厚度方向上重叠的位置上，形成有用来分别构成红(R)、绿(G)、蓝(B)的子像素的3原色的滤色器21R、21G、21B，以及配置在这些R、G、B的子像素之间和由3个子像素构成的一个像素间、用来提高显示的图像的对比度的由遮光材料构成的作为遮光部的黑矩阵22。
[0123]另外，省略了详细的说明，但如图16中(a)、图16中(b)所示，与通常的有源矩阵的液晶面板同样，在形成在TFT基板Ia上的电极或布线等的被施加规定的电位的各构成要素间，形成有层间绝缘膜23。
[0124]如上述那样，在TFT基板Ia上，以相互正交的方式配置有与TFT20的漏极电极连接的多个影像信号线9、以及与栅极电极连接的多个扫描信号线10。扫描信号线10被按每个TFT的水平列设置，与水平列的多个TFT20的栅极电极共通地连接。影像信号线9被按每个TFT20的垂直列设置，与垂直列的多个TFT20的漏极电极共通地连接。此外，在各TFT20的源极电极上，连接与各个TFT20对应的像素电极19。
[0125]如图16中(a)所示，在本公开的液晶面板中，由于使用共通电极作为接触传感器的驱动电极，所以在与对置基板Ib的黑矩阵22对置的位置的共通电极处形成狭缝25，狭缝25的一侧为接触传感器的驱动电极11，狭缝25的另一侧为仅具有作为共通电极的功能的电极图案24。
[0126]此外，在本公开的液晶面板中，如使用图13说明那样，将形成有像素电极19的有效区域包围而设置边界区域，如图16中(b)所示，在边界区域中的与对置基板Ib的黑矩阵22对置的位置处形成检测电极12。
[0127]图17是使用图15A等说明的本公开的液晶面板的结构中的驱动电极11的电极块Ila与检测电极12的电极块12a之间的等效电路图。
[0128]如图17所示，驱动电极11的电极块I Ia和检测电极12的电极块12a以相互不对置的方式、即在液晶面板的厚度方向上不重叠的方式配置。因此，如图17中图示那样，在电极块Ila与电极块12a的边缘部分之间形成规定的静电电容。通过这样，能够使驱动电极11与检测电极12之间的互电容减小，所以当进行使用图3说明了其原理的接触检测动作时，能够提高检测感度。
[0129]此外，如图15A所示，检测电极12的电极块12a构成为比驱动电极11的电极块Ila及共通电极的电极图案24的电极块24a小的面积。通过这样，在从检测电极12向驱动电极11的路径间存在共通电极的电极图案24，能够使驱动电极11与检测电极12之间的互电容进一步减小。结果，在本公开的接触面板中，能够进一步提高接触检测动作时的检测感度。
[0130]图18中(a)及图18中(b)是用来说明本技术的另一例的接触传感器的结构和作用效果的剖视图。
[0131]由于将液晶面板I的共通电极作为接触传感器的一个电极共用，所以在本公开的液晶面板中，通常在形成为大致满图案的共通电极上设置狭缝25。如图18中(a)所示，在共通电极上设置狭缝25，如果将共通电极的一部分与接触传感器的一方电极(在图18所示的例子中是驱动电极11)共用，则从形成在比TFT基板Ia靠下层侧部分中的影像信号线9的泄漏电场到达液晶层，有可能使液晶取向发生紊乱。特别是，在如本实施方式的液晶面板那样作为驱动电极11和检测电极12而形成菱形形状的岛状的电极图案的情况下，需要在列方向(垂直方向)上形成狭缝25。另一方面，由于影像信号线9也在列方向(垂直方向)上形成，所以列方向(垂直方向)的狭缝25的位置和影像信号线9的位置相互重合。因此，从形成在影像信号线9的上表面上的狭缝25的泄漏电场的影响变大。
[0132]所以，在本技术的液晶面板中，如图18中(b)所示，在作为与为了共用为接触传感器的一方电极的驱动电极11而设在共通电极上的狭缝25相对应的位置的、液晶面板的厚度方向上与狭缝25重叠的像素电极19间的位置处，设有遮蔽电极26。另外构成为，在对像素电极19之间配置遮蔽电极26的情况下，电场抑制用的遮蔽电极26施加不给液晶面板上的图像的显示驱动带来影响的电位的电压、例如对共通电极施加的电压。
[0133]另外，在图18中(b)所示的例子中，与作为接触传感器的另一方电极的检测电极12另外地设有遮蔽电极26，但也可以做成与接触传感器的检测电极12同时形成并共用的结构。
[0134]如以上说明那样，通过在与形成在共通电极上的狭缝25重合的位置处形成遮蔽电极26，能够起到将来自形成在TFT基板Ia的下层部分处的影像信号线9的泄漏电场遮蔽的作用，能够抑制该泄漏电场为原因的液晶取向的紊乱。
[0135]图19是在本技术的接触传感器中表示检测电极12的结构例的详细构造的放大剖视图。
[0136]图19所示的结构的检测电极12如以下这样形成:在形成像素电极19之前，在层间绝缘层23上，使用感光曝光法等的周知的电极形成方法将由铝或铜等的低电阻的金属材料构成的下层部27a形成为规定的图案形状，然后，通过形成像素电极19的感光曝光法的相同的工序，将由铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)等的透明导电材料构成的上层部27b层叠到下层部27a上。
[0137]通过做成这样的结构，作为接触传感器的电极能够形成低电阻的电极，能够实现接触传感器的高感度化、节电驱动。
[0138]另外，在本公开的液晶面板中，作为将作为接触传感器的一个电极的驱动电极11兼作为液晶面板的共通电极的一部分的结构，例示说明了将作为另一个电极的检测电极12形成在像素电极的周边部的边界区域中的结构。但是，接触传感器的驱动电极和检测电极的结构并不限定于上述结构，可以将驱动电极形成在像素电极的周边部的边界区域中，将检测电极12兼作为共通电极的一部分而形成。
[0139]如以上那样，在本技术的输入装置中，以相互交叉的方式配置的多条驱动电极11和多条检测电极12通过将岛状的多个电极块11a、12a经由连接部11b、12b相互电连接而构成，并且驱动电极11的电极块IIa和检测电极12的电极块12a以相互不对置的方式配置。此外，在行方向上排列的岛状的电极块I Ia彼此经由比电极块I Ia面积小的连接部I Ib相互电连接，并且在列方向上排列的岛状的电极块12a彼此经由比电极块12a面积小的连接部12b相互电连接。
[0140]通过这样，本技术的输入装置能够容易地组装到显示装置内。此外，成为在电极块Ila与电极块12a的边缘部分之间形成规定的静电电容，能够使互电容减小，所以能够提高接触检测动作时的检测感度。
[0141]工业上的可利用性
[0142]如以上这样，本技术是在静电电容耦合方式的输入装置中有用的发明。
【主权项】
1.一种输入装置，通过将多条驱动电极和多条检测电极以相互交叉的方式配置、并且在上述驱动电极与上述检测电极之间形成电容元件而构成，其特征在于，上述驱动电极及上述检测电极分别通过将岛状的多个电极块经由连接部相互电连接而构成，并且以上述驱动电极的电极块和上述检测电极的电极块相互不对置的方式配置；在行方向上排列的岛状的电极块彼此经由比在上述行方向上排列的电极块面积小的连接部相互电连接，并且在列方向上排列的岛状的电极块彼此经由比在上述列方向上排列的电极块面积小的连接部相互电连接。
2.如权利要求1所述的输入装置，其特征在于， 上述驱动电极及上述检测电极的连接部与电极块连续而形成在同层中。
【专利摘要】在静电电容耦合方式的输入装置中，提供一种能够容易地组装到显示装置内的输入装置。一种输入装置，通过将多条驱动电极(11)和多条检测电极(12)以相互交叉的方式配置、并且在驱动电极与检测电极之间形成电容元件；驱动电极(11)及检测电极(12)通过将岛状的多个电极块经由连接部相互电连接而构成，并且以驱动电极的电极块和检测电极的电极块相互不对置的方式配置；在行方向上排列的岛状的电极块彼此经由比在行方向上排列的电极块面积小的连接部相互电连接，并且在列方向上排列的岛状的电极块彼此经由比在列方向上排列的电极块面积小的连接部相互电连接。
【IPC分类】G06F3-041, G06F3-044
【公开号】CN104662503
【申请号】CN201380049593
【发明人】中山贵仁, 加道博行, 笠原滋雄, 小杉直贵, 井上学, 渡海章, 高木一树
【申请人】松下知识产权经营株式会社
【公开日】2015年5月27日
【申请日】2013年9月24日
【公告号】US20150160763, WO2014045603A1