多位翻转检测方法和系统的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及电子技术领域，特别是涉及一种多位翻转检测方法和系统。
【背景技术】
[0002]对于低集成度存储器，目前有多种方法对其进行多位翻转检测和判别。通过定量分析工艺静态随机读取存储器(Static Random Access Memory, SRAM)的多位翻转贡献的检测方法，可检测到错误信息:错误发生的逻辑地址、写入存储器的数据、从存储器读出的数据和错误发生的时间。根据检测到的错误信息，将逻辑地址转换成物理地址后，可以获得单粒子翻转和多维翻转的可视化图像。将物理地址相邻、同一时间段的几个错误判定为多位翻转。根据报错率、器件容量和读写速度计算得到两个粒子在同一时间段内引起的两个错误的概率约为2X 10_6，即误判率。
[0003]以上所述检测方法未考虑具体的器件架构，导致所述检测方法应用于高集成度存储器时，误判率增高且判据不充分。
【发明内容】
[0004]基于此，有必要针对上述检测方法应用于高集成度存储器时，误判率增高且判据不充分的问题，提供一种多位翻转检测方法和系统。
[0005]一种多位翻转检测方法，包括以下步骤:
[0006]获取待测器件的发生信息翻转的存储地址的物理地址、所述存储地址的翻转信息和所述翻转信息的读取时间，生成各所述存储地址对应的物理地址、翻转信息和读取时间；
[0007]判断所述待测器件的存储架构是否为交错架构；
[0008]若是，判断各所述存储地址对应的物理地址、翻转信息和读取时间中是否存在读取时间间隔小于预设时间、物理地址间隔小于或等于预设地址间隔且翻转信息相同的至少两个所述存储地址，若存在，则所述检测器件中存在多位翻转，其中，所述预设时间为检测所述待测器件的存储地址是否发生信息翻转时辐照所述待测器件的粒子束流的持续时间。
[0009]一种多位翻转检测系统，包括:
[0010]信息获取模块，用于获取待测器件的发生信息翻转的存储地址的物理地址、所述存储地址的翻转信息和所述翻转信息的读取时间，生成各所述存储地址对应的物理地址、翻转信息和读取时间；
[0011]架构判断模块，用于判断所述待测器件的存储架构是否为交错架构；
[0012]第一检测模块，用于在所述待测器件的存储架构为交错架构时，判断各所述存储地址对应的物理地址、翻转信息和读取时间中是否存在读取时间间隔小于预设时间、物理地址间隔小于或等于预设地址间隔且翻转信息相同的至少两个所述存储地址，若存在，则所述检测器件中存在多位翻转，其中，所述预设时间为检测所述待测器件的存储地址是否发生信息翻转时辐照所述待测器件的粒子束流的持续时间。
[0013]上述多位翻转检测方法和系统，获得待测器件的发生信息翻转的存储地址对应的物理地址、翻转信息和读取时间后，判断所述待测器件的存储架构是否为交错架构，在所述待测器件的存储架构为交错架构时，判断各所述存储地址对应的物理地址、翻转信息和读取时间中是否存在读取时间间隔小于预设时间、物理地址间隔小于或等于预设地址间隔且翻转信息相同的至少两个所述存储地址，若存在，则所述检测器件中存在多位翻转。充分考虑了器件内部存储架构对多位翻转检测的影响，使判据更充分，可应用于高集成度存储器时，有效降低误判率，提高多位翻转检测效率。
【附图说明】
[0014]图1是本发明多位翻转检测方法第一实施方式的流程示意图；
[0015]图2是本发明多位翻转检测方法第二实施方式的流程示意图；
[0016]图3是本发明多位翻转检测系统第一实施方式的结构示意图；
[0017]图4是本发明多位翻转检测系统第二实施方式的结构示意图。
【具体实施方式】
[0018]本发明中的步骤虽然用标号进行了排列，但并不用于限定步骤的先后次序，除非明确说明了步骤的次序或者某步骤的执行需要其他步骤作为基础，否则步骤的相对次序是可以调整的。
[0019]请参阅图1，图1是本发明多位翻转检测方法第一实施方式的流程示意图。
[0020]本实施方式所述的多位翻转检测方法，可包括以下步骤:
[0021]步骤S101，获取待测器件的发生信息翻转的存储地址的物理地址、所述存储地址的翻转信息和所述翻转信息的读取时间，生成各所述存储地址对应的物理地址、翻转信息和读取时间。
[0022]步骤S102，判断所述待测器件的存储架构是否为交错架构。
[0023]步骤S103，若是，判断各所述存储地址对应的物理地址、翻转信息和读取时间中是否存在读取时间间隔小于预设时间、物理地址间隔小于或等于预设地址间隔且翻转信息相同的至少两个所述存储地址，若存在，则所述检测器件中存在多位翻转，其中，所述预设时间为检测所述待测器件的存储地址是否发生信息翻转时辐照所述待测器件的粒子束流的持续时间。
[0024]本实施方式，获得待测器件的发生信息翻转的存储地址对应的物理地址、翻转信息和读取时间后，判断所述待测器件的存储架构是否为交错架构，在所述待测器件的存储架构为交错架构时，判断各所述存储地址对应的物理地址、翻转信息和读取时间中是否存在读取时间间隔小于预设时间、物理地址间隔小于或等于预设地址间隔且翻转信息相同的至少两个所述存储地址，若存在，则所述检测器件中存在多位翻转。充分考虑了器件内部存储架构对多位翻转检测的影响，使判据更充分，可应用于高集成度存储器时，有效降低误判率，提高多位翻转检测效率。
[0025]对于步骤S101，优选地，所述待测器件可为高集成度存储器，发生信息翻转的存储地址为电路的逻辑状态发生变化的存储地址，即逻辑“ I ”变成逻辑“0”，或逻辑“O”变成逻辑“ I ”。所述翻转信息可为所述存储地址当前的逻辑“ I ”或逻辑“0”，所述翻转信息的读取时间可为读取所述存储地址当前的逻辑“ I ”或逻辑“O”的时间。
[0026]在一个实施例中，获取待测器件的发生信息翻转的存储地址的物理地址、所述储地址的翻转信息和所述翻转信息的读取时间的步骤包括以下步骤:
[0027]步骤S1011，读取粒子束流辐照下的所述待测器件的各存储地址的信息，生成各存储地址的读信息，并将各存储地址的读信息分别与预设数据进行比较，生成各存储地址的比信息，所述待测器件被粒子束流辐照前已上电和写入所述预设数据。
[0028]步骤S1012，若根据任一存储地址的比信息判定所述待测器件的所述任一存储地址发生信息翻转，则获取所述任一存储地址的逻辑地址、所述任一存储地址翻转信息和读取所述任一存储地址的信息的读取时间。
[0029]步骤S1013，根据所述待测器件的逻辑地址与物理地址的对应关系，将所述任一存储地址的逻辑地址转换为所述任一存储地址的物理地址。
[0030]本实施例，可快速准确地对待测器件进行在线动态测试，获得精确地物理地址、所述储地址的翻转信息和所述翻转信息的读取时间。
[0031]对于步骤S1011，所述粒子束流优选地为重离子束，还可为本领域技术人员惯用的其他粒子束。所述比信息用于标识所述读信息与预设数据间的比较结果。
[0032]优选地，读取粒子束流辐照下的所述待测器件的各存储地址的信息的读取速度可与所述待测器件的最高工作速度一致，可使得读取和比较能并行进行。
[0033]优选地，在粒子束流辐照所述待测器件前，可对所述待测器件进行上电和写入预设数据。所述预设数据可为全“ I ”、全“O ”、“ I ”和“O ”相间隔等。
[0034]在其他实施方式中，可预先检测到发生信息翻转的存储地址的物理地址、所述储地址的翻转信息和所述翻转信息的读取时间，并预存检测到物理地址、翻转信息和读取时间，在需要时，实时调取。还可通过本领域技术人员惯用的其他技术手段获取所述待测器件的发生信息翻转的存储地址的物理地址、所述储地址的翻转信息和所述翻转信息的读取时间，并预存检测到物理地址、翻转信息和读取时间。
[0035]在另一个实施例中，读取粒子束流辐照下的所述待测器件的各存储地址的信息，生成各存储地址的读信息，并将各存储地址的读信息分别与预设数据进行比较，生成各存储地址的比信息的步骤包括以下步骤:
[0036]按地址顺序读取粒子束流辐照下的所述待测器件的各存储地址的信息。
[0037]每生成一个存储地址的读信息，并行比较所生成的读信息与所述预设数据，生成一个存储地址的比信息。
[0038]每生成一个