200接着第二导体层230的暴露部分的蚀刻146后的截面图。如图2F中所示，第二导体层230的暴露部分已经被蚀刻146移除。第二导体层230的未被侵蚀144所暴露的部分234未被蚀刻146移除并且因此保留，如所示。
[0062]图2G示出了根据与本文中所述的原理一致的示例的图2F中所示的多层电路200在所有的掩模材料210、240移除后的截面图。具体地，图2G示出了多层电路200，其中第一导体层220与第二导体层230电隔离。可通过以间隙250代表的在第一及第二导体层220、230的图案化部分之间的间隔来提供电隔离，间隙250例如对应于底切224。
[0063]图2G还示出了一跨件260，该跨件260从第一导体层220的底下部分之上经过但与该底下部分电隔离。跨件260可连接第二导体层230的各部分而不连接至第一导体层220的从跨件260下经过的一部分。跨件260可由例如第二导体层230的覆盖第一导体层220的部分234’形成。方法100多级掩模电路制造可被用于制造包含跨桥(例如，基本上未支撑的或“浮置的”跨桥)的各种电路。具体地，方法100可被用于制造根据本文中所述的原理的示例的投射式电容触摸传感器。下文进一步描述投射式电容触摸传感器的描述。在一些示例(未图示)中，多级掩模210可在蚀刻146之后保留，例如保留于跨桥之下以向跨桥提供物理支撑。在一些示例(未图示)中，第一导体层220可包括桥接间隙式导体，下文根据本文中所述的原理的示例进一步描述该桥接间隙式导体。
[0064]图3示出了根据与本文中所述的原理一致的另一示例的多级掩模电路制造的方法300的流程图。具体地，图3中所示的多级掩模电路制造的方法300提供第一导体层的图案化，其中第二导体层在多级掩模的下面，并且其中第一导体层包括桥接间隙式导体。下文更详细地描述桥接间隙式导体的示例。进一步，图3中所示的多级电路制造的方法300使用桥接间隙式导体以及第二导体层与第一导体层之间的绝缘层两者来提供第一及第二导体层之间的电隔离。
[0065]如图3中所示，多级掩模电路制造的方法300包括将多级掩模施加310于第二导体层上。根据各种示例，多级掩模及其施加可基本上类似于上文就多级掩模电路制造的方法100所描述的多级掩模及其施加。具体地，可使用压印光刻(例如，纳米压印光刻)或另一类似方法来在原位形成多级掩模。替代地，多级掩模可以是可被施加的预图案化或预形成的材料层或片。进一步，多级掩模可具有如上所述的数个级(例如，第一级及第二级)，并且可在被施加310之后暴露在多级掩模下面的层的一部分。然而，不同于上文，根据各种示例，第一导体层及第二导体层两者位于多级掩模之下，并且多级掩模被施加310于第二导体层(例如，其表面)上。进一步，根据各种示例，多级掩模可暴露第二导体层的一部分(例如，在移除多级掩模的残留部分或级零之后)。
[0066]图4A-4D示出了使用例如方法300的多层电路400的制造。图4A示出了根据与本文中所述的原理一致的示例的根据多级掩模电路制造的方法300的多层电路400在制造期间的截面图。具体地，图4A示出了在第二导体层420上的多级掩模410。根据各种示例，图4A中所示的在第二导体420上的多级掩模410可为多级掩模电路制造的方法300的施加310的结果或可通过该施加310掩模来提供。进一步，如图4A中所示，第二导体层420位于第一导体层430之上。第一导体层430与基板402相邻并被该基板402所支撑，并且绝缘层440被夹在第二与第一导体层420、430之间，如所示。进一步，如所示，多级掩模410包括第一级412及第二级414。第一级412比第二级414薄，如所示。此外，如所示，多级掩模410暴露第二导体层420的一部分422。
[0067]再度参照图3，多级掩模电路制造的方法300进一步包括蚀刻320例如被多级掩模暴露的层，以移除第二导体层、绝缘层及第一导体层的被多级掩模所暴露的部分。根据各种示例，蚀刻320从第二导体层、绝缘层及第一导体层中的每一个中移除被多级掩模所暴露的区域内的材料，以暴露在第一导体层下面的基板。具体地，接着蚀刻320，基板的一部分被清洁了所有的覆盖层。
[0068]在一些示例中，蚀刻320暴露的层包括使用蚀刻剂来移除第二导体层的被多级掩模所暴露的一部分。在一些示例中，该蚀刻剂可为湿蚀刻剂(例如，蚀刻剂溶液)。在其他示例中，该蚀刻剂可为干蚀刻剂(例如，等离子体)或湿蚀刻剂与干蚀刻剂的组合。根据各种示例，可通过多级掩模中的开口来施加蚀刻320中所使用的蚀刻剂，该开口暴露第二导体的暴露部分。
[0069]一旦移除第二导体层的暴露部分，蚀刻320进一步包括移除随后被多级掩模所暴露的绝缘层的一部分。例如，绝缘层的暴露部分可直接位于一区域之下，通过蚀刻剂从该区域移除第二导体层的暴露部分。可通过施加对绝缘层的材料起作用的蚀刻剂来提供绝缘层的暴露部分的移除。例如，可通过等离子体蚀刻(例如，若电介质为一聚合物)或通过适当的湿蚀刻剂(例如，蚀刻剂溶液)来移除绝缘层的暴露部分。在一些示例中，还可使用用来移除第二导体层的暴露部分的同一蚀刻剂来移除绝缘层的暴露部分。
[0070]蚀刻320进一步包括使用蚀刻剂来移除跟随移除绝缘层暴露部分接着被多级掩模暴露的第一导体层的一部分。移除所暴露的第一导体部分可包括例如使用用于蚀刻第二导体层的相同蚀刻剂。在其他示例中，可使用同一蚀刻剂来在蚀刻320期间移除第二导体层、绝缘层及第一导体层中的每一个的暴露部分。可例如通过各个层被暴露于蚀刻剂的时间的量来确定第二导体层、绝缘层及第一导体层中的所有三者的暴露部分是否被蚀刻剂移除。
[0071]图4B示出了根据与本文中所述的原理一致的示例的图4A中所示的多层电路400在蚀刻320之后的截面图。具体地，图4B示出了蚀刻320以移除第二导体层420的暴露部分422、接着移除绝缘层440及第一导体层430的相应部分的结果。如所示，基板402的一部分402’在蚀刻320之后被暴露。各个层的蚀刻320基本上图案化各个层，尤其是第一及第二导体层。
[0072]再度参照图3，多级掩模电路制造的方法300进一步包括侵蚀330多级掩模以暴露在对应于多级掩模的第一级的部分中的第二导体层。在侵蚀330之后，根据各种示例，多级掩模的第二级继续覆盖第二导体层的其他部分。可通过例如等离子体蚀刻来完成侵蚀330。
[0073]图4C示出了根据与本文中所述的原理一致的示例的图4B中所示的多层电路400在侵蚀330多级掩模之后的截面图。如所示，侵蚀330通常已经移除了对应于多级掩模410的第一级412的掩模材料，以暴露第二导体层420的一部分424。接着侵蚀330之后，第二导体层420的对应于多级掩模的第二级414的其他部分保持被多级掩模所覆盖且因此被保护。
[0074]再度参照图3，多级掩模电路制造的方法300进一步包括蚀刻340第二导体层的被侵蚀330所暴露的部分。例如，蚀刻330第二导体层的暴露部分可采用与蚀刻320中所使用的蚀刻剂基本上类似的蚀刻剂。接着所暴露部分的蚀刻340，第二导体层被视为受到图案化。在一些示例中，电路制造可在蚀刻340之后完成。在其他示例中，可移除通过蚀刻340第二导体层所暴露的绝缘层的部分以完成电路制造。可例如以一种基本上类似于在蚀刻320期间移除绝缘层的方式来移除绝缘层的暴露部分。
[0075]图4D示出了根据与本文中所述的原理一致的示例的图4C中所示的多层电路400接着蚀刻340及移除多级掩模的剩余部分之后的截面图。具体地，如所示，已蚀刻340由侵蚀330所产生的第二导体层的暴露部分424(图4C)以移除该暴露部分424。进一步，如所示，当蚀刻340第二导体层420时所暴露的绝缘层440的一部分亦已被移除(例如，通过蚀刻)。图4D中的虚线示出了绝缘层的暴露部分在移除之前将已在的地方。最后，多级掩模410的剩余部分(例如，图4C中的其第二级414)已从多层电路400中被移除，如图4D中所示。多层电路400可为各种类型的电路中的任何一种，例如，具有桥接间隙式导体及支撑式跨桥的投射式电容触摸传感器，如下文进一步描述的。因此，多级掩模电路制造的方法300亦可为制造这样的投射式电容触摸传感器的方法。
[0076]在一些示例(未图示)中，多级掩模电路制造的方法300可进一步包括在施加310多级掩模之前，提供一基板，其中第一导体层、绝缘层及第二导体层中的一个或多个在该基板上。替代地，在一些示例(未图示)中，方法300可进一步包括:接收一基板，该基板包括已经到位的这些材料层中的一个或多个；以及提供未到位的层(例如，具有第一导体层但无绝缘层或第二导体的基板，或具有第一导体层及绝缘层但无第二导体的基板)。
[0077]在一些示例中，提供层的基板包括将导体材料沉积于基板的表面上以形成第一导体层，以及图案化该第一导体层以形成桥接间隙式导体。提供基板进一步包括将绝缘层沉积于图案化的第一导体层的桥接间隙式导体上，以及将第二导体层沉积于经沉积的绝缘层上。结果，基板包括层的堆叠，例如如图4A中所示，该堆叠包括第一导体层430、绝缘层440及第二导体层420。
[0078]根据本文中所述的原理的一些示例，如上所提到的，可通过图案化第一导体层来形成桥接间隙式导体。根据各种示例，图案化可包括使用光刻(photolithography)、压印光刻及激光烧蚀中的一者或多者来在第一导体层中限定桥接间隙式导体的图案。具体地，可使用适当的方法来将第一导体层图案化成数个平行、间隔开的迹线，而在相邻的平行迹线之间具有周期性的桥接。这些迹线的宽度可在约100纳米(nm)与约500微米(μπι)之间。在另一示例中，这些迹线的宽度可在约2μπι与约200μπι之间。根据各种示例，这些迹线之间的间隙可在约10nm与数微米之间。例如，间隙可在约lOOnm与约3μπι之间。
[0079]周期性的桥接的间隔(S卩，节距)是由采用桥接间隙式导体的电路所指定的电隔离条件所确定。例如，桥接的节距可被选择成足够小以确保在图案化成电路图案之后在桥接间隙式导体中存在足够大面积的互连导体。同时，桥接节距可被选择成足够大以提供充分的电隔离。下文就投射式电容触摸传感器应用讨论桥接节距的示例。
[0080]图5示出了根据与本文中所述的原理一致的示例的桥接间隙式导体500的平面图。如图所示，桥接间隙式导体500包括由迹线510之间的间隙520所隔开的平行、间隔开的迹线510。桥接间隙式导体500的迹线510通过沿着迹线510周期性地间隔的桥530而横跨间隙520进行互连。进一步如图示，桥530在迹线510的任一侧交替以形成迹线510的蜿蜒的互连。在其他示例(未图示)中，可沿着迹线510对准(S卩，未交替)或甚至随机地定位桥530。桥接间隙式导体500的桥接节距以尺寸Η表示，如图5中所示。根据各种示例，间隙520连同桥530可便于提供桥接间隙式导体的第一部分与第二部分之间的电隔离(例如，在图案化之后)，如下述。
[0081]用于本文中所述的多层电路的各个层的材料包括下述者。在一些示例中，第一导体层的导体材料及第二导体层的导体材料可基本上类似。在其他示例中，第一及第二导体层的导体材料可显著不相似。例如，第一导体层及第二导体层中的一者或两者可包括一金属，诸如但不限于，铜(Cu)、铬(Cr)、钼(Μο)、钛(Ti)、钨(W)、镍(Ni)、铝(Α1)及金(Au)。在一些示例中，导体材料可包括包含金属合金的金属的组