防盗存储器的制造方法

文档序号:6718249阅读:100来源:国知局
防盗存储器的制造方法
【专利摘要】防盗存储器,涉及计算机配件领域。解决了现有的存储器不具有防盗预警功能的问题。防盗存储器包括壳体、USB接口和防尘罩,所述壳体与USB接口的固定连接,防尘罩罩在USB接口的外部,且所述防尘罩与壳体通过卡槽连接,所述防盗存储器还包括安全保护电路,所述安全保护电路固定在壳体中,安全保护电路包括感应板、单稳态触发电路、语音报警电路和喇叭,当有人靠近存储器时,因人体靠近感应板,内部电路通过电平触发使喇叭发出响声,从而实现预警的功能,保证了存储器安全,使原始持有者的隐私及经济免受损失。本实用新型适用于存储器的防盗预警。
【专利说明】防盗存储器

【技术领域】
[0001]本实用新型涉及计算机配件领域。

【背景技术】
[0002]随着信息社会的不断发展,存储器已逐渐成为必要的“日常用品”,存储器的存储容量较大,体积较小,便于携带,许多人会将比较重要或是隐私的信息放入在存储器中,以便方便携带,并且能够随时进行查看,然而,往往出现存储器被盗取的情况,导致使用者产生极其严重的后果。
实用新型内容
[0003]本实用新型为了解决现有的存储器不具有防盗预警功能的问题,提出了防盗存储器。
[0004]防盗存储器包括壳体、USB接口和防尘罩,所述壳体与USB接口的固定连接,防尘罩罩在USB接口的外部,且所述防尘罩与壳体通过卡槽连接,所述防盗存储器还包括安全保护电路,所述安全保护电路固定在壳体中,安全保护电路包括感应板P、单稳态触发电路、语音报警电路和喇叭BL ;
[0005]感应板P采用金属板实现;
[0006]单稳态触发电路包括NE555时基集成电路、电阻R1、电阻R2、滑动变阻器Rp、NM0S晶体管VF、NPN三极管VTl、电解电容Cl、电容C2和二极管D ;
[0007]NMOS晶体管VF的栅极连接感应板P,NMOS晶体管VF的漏极同时连接NPN三极管VTl的基极和滑动变阻器Rp的固定端;
[0008]滑动变阻器Rp的滑动端同时连接电阻Rl的一端、电阻R2的一端、NE555时基集成电路的4脚、8脚和+5V电源;
[0009]电阻Rl的另一端同时连接NPN三极管VTl的集电极和NE555时基集成电路的2脚;
[0010]电阻R2的另一端同时连接电解电容Cl的正极、NE555时基集成电路的6脚和7脚;
[0011]NE555时基集成电路的5脚连接电容C2的一端;
[0012]NE555时基集成电路的3脚连接二极管D的阴极,并作为单稳态触发电路的报警指令输出端;
[0013]二极管D的阳极、NE555时基集成电路的I脚、电容C2的另一端、电解电容Cl的负极、NPN三极管VTl的发射极和NMOS晶体管VF的源极接地;
[0014]语音报警电路包括语音集成芯片LQ46、电阻R3、电解电容C3、NPN三极管VT2和喇叭BL ;
[0015]单稳态触发电路的报警指令输出端同时连接语音集成芯片LQ46的3脚、电阻R4的一端和电解电容C3的正极;
[0016]电阻R4的另一端同时连接语音集成芯片LQ46的5脚和8脚;
[0017]语音集成芯片LQ46的4脚连接NPN三极管VT2的基极;
[0018]NPN三极管VT2的集电极连接喇叭BL的负极;
[0019]喇叭BL的正极同时连接电源+5V和电阻R3的一端,电阻R3的另一端连接NE555时基集成电路8脚;
[0020]NPN三极管VT2的发射极、语音集成芯片LQ46的I脚和电解电容C3的负极同时接地。
[0021]有益效果:本实用新型所述的存储器结构简单,方便实用,通过嵌入安全保护电路,当有人靠近存储器时,因人体靠近感应板,内部电路通过电平触发使喇叭发出响声,从而实现预警的功能,保证了存储器安全,使原始持有者的隐私及经济免受损失。

【专利附图】

【附图说明】
[0022]图1为本实用新型的结构示意图;
[0023]图2为图1的右视图;
[0024]图3为安全保护电路的电路图。

【具体实施方式】
[0025]【具体实施方式】一、结合图1-图3说明本【具体实施方式】,本【具体实施方式】所述的防盗存储器包括壳体(I)、USB接口(2)和防尘罩(3),所述壳体(I)与USB接口(2)的固定连接,防尘罩(3)罩在USB接口(2)的外部,且所述防尘罩(3)与壳体(I)通过卡槽连接,所述防盗存储器还包括安全保护电路,所述安全保护电路固定在壳体(I)中,安全保护电路包括感应板P、单稳态触发电路、语音报警电路和喇叭BL ;
[0026]感应板P采用金属板实现;
[0027]单稳态触发电路包括NE555时基集成电路、电阻R1、电阻R2、滑动变阻器Rp、NM0S晶体管VF、NPN三极管VTl、电解电容Cl、电容C2和二极管D ;
[0028]NMOS晶体管VF的栅极连接感应板P,NMOS晶体管VF的漏极同时连接NPN三极管VTl的基极和滑动变阻器Rp的固定端;
[0029]滑动变阻器Rp的滑动端同时连接电阻Rl的一端、电阻R2的一端、NE555时基集成电路的4脚、8脚和+5V电源;
[0030]电阻Rl的另一端同时连接NPN三极管VTl的集电极和NE555时基集成电路的2脚;
[0031]电阻R2的另一端同时连接电解电容Cl的正极、NE555时基集成电路的6脚和7脚;
[0032]NE555时基集成电路的5脚连接电容C2的一端;
[0033]NE555时基集成电路的3脚连接二极管D的阴极,并作为单稳态触发电路的报警指令输出端;
[0034]二极管D的阳极、NE555时基集成电路的I脚、电容C2的另一端、电解电容Cl的负极、NPN三极管VTl的发射极和NMOS晶体管VF的源极接地;
[0035]语音报警电路包括语音集成芯片LQ46、电阻R3、电解电容C3、NPN三极管VT2和喇叭BL ;
[0036]单稳态触发电路的报警指令输出端同时连接语音集成芯片LQ46的3脚、电阻R4的一端和电解电容C3的正极;
[0037]电阻R4的另一端同时连接语音集成芯片LQ46的5脚和8脚;
[0038]语音集成芯片LQ46的4脚连接NPN三极管VT2的基极;
[0039]NPN三极管VT2的集电极连接喇叭BL的负极;
[0040]喇叭BL的正极同时连接电源+5V和电阻R3的一端,电阻R3的另一端连接NE555时基集成电路8脚;
[0041]NPN三极管VT2的发射极、语音集成芯片LQ46的I脚和电解电容C3的负极同时接地。
[0042]本实施方式中,当无人靠近存储器时,NMOS晶体管VF漏极输出低电平,NPN三极管VTl截止,NE555时基集成电路的2脚为高电平,此时为稳定状态,NE555时基集成电路的3脚输出低电平,语音集成芯片LQ46不得电,喇叭BL不响。
[0043]当有人靠近存储器时,因人体靠近感应板P,人体感应电场使NMOS晶体管VF发生夹断,漏极电位升高,NPN三极管VTl导通,其集电极即NE555时基集成电路的2脚电平下降,当降至工作电压的1/3时,单稳态触发器进入暂态,即NE555时基集成电路的3脚输出高电平,语音集成芯片LQ46得电,喇叭BL报警,输出的语音为语音集成芯片LQ46出厂前一次性烧录的音频信息。
[0044]【具体实施方式】二、结合图1和图2说明本【具体实施方式】,本【具体实施方式】与【具体实施方式】一所述的防盗存储器的区别在于,它还包括电源和开关(4),所述电源用于向安全保护电路供电,所述开关(4)安装在壳体的外侧,用于切换安全保护电路的工作状态。
【权利要求】
1.防盗存储器,它包括壳体(1)、USB接口⑵和防尘罩(3),所述壳体⑴与USB接口(2)的固定连接,防尘罩(3)罩在USB接口⑵的外部,且所述防尘罩(3)与壳体⑴通过卡槽连接,其特征在于,所述防盗存储器还包括安全保护电路,所述安全保护电路固定在壳体(I)中,安全保护电路包括感应板P、单稳态触发电路、语音报警电路和喇叭BL; 感应板P采用金属板实现; 单稳态触发电路包括NE555时基集成电路、电阻R1、电阻R2、滑动变阻器Rp、NMOS晶体管VF、NPN三极管VTl、电解电容Cl、电容C2和二极管D ; NMOS晶体管VF的栅极连接感应板P,NMOS晶体管VF的漏极同时连接NPN三极管VTl的基极和滑动变阻器Rp的固定端; 滑动变阻器Rp的滑动端同时连接电阻Rl的一端、电阻R2的一端、NE555时基集成电路的4脚、8脚和+5V电源; 电阻Rl的另一端同时连接NPN三极管VTl的集电极和NE555时基集成电路的2脚; 电阻R2的另一端同时连接电解电容Cl的正极、NE555时基集成电路的6脚和7脚; NE555时基集成电路的5脚连接电容C2的一端; NE555时基集成电路的3脚连接二极管D的阴极,并作为单稳态触发电路的报警指令输出端; 二极管D的阳极、NE555时基集成电路的I脚、电容C2的另一端、电解电容Cl的负极、NPN三极管VTl的发射极和NMOS晶体管VF的源极接地; 语音报警电路包括语音集成芯片LQ46、电阻R3、电解电容C3、NPN三极管VT2和喇叭BL ; 单稳态触发电路的报警指令输出端同时连接语音集成芯片LQ46的3脚、电阻R4的一端和电解电容C3的正极; 电阻R4的另一端同时连接语音集成芯片LQ46的5脚和8脚; 语音集成芯片LQ46的4脚连接NPN三极管VT2的基极; NPN三极管VT2的集电极连接喇叭BL的负极; 喇叭BL的正极同时连接电源+5V和电阻R3的一端,电阻R3的另一端连接NE555时基集成电路8脚; NPN三极管VT2的发射极、语音集成芯片LQ46的I脚和电解电容C3的负极同时接地。
2.根据权利要求1所述的防盗存储器,其特征在于,它还包括电源和开关(4),所述电源用于向安全保护电路供电,所述开关(4)安装在壳体的外侧,用于切换安全保护电路的工作状态。
【文档编号】G08B13/22GK203966274SQ201420432977
【公开日】2014年11月26日 申请日期:2014年8月1日 优先权日:2014年8月1日
【发明者】单颖, 刘丹 申请人:东北林业大学
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