专利名称：：雪崩击穿存储器件及其使用方法
技术领域：
：本发明涉及使用产生光生电流的存储器件以及一种使用该器件的方法。具体地说，本发明涉及采用雪崩击穿记录数据的一次写入多次读出光盘(WORM)器件以及一种使用该器件的方法。
背景技术：
：光学数据存储器的最普通形式是压缩光盘(CD)和数字通用光盘或数字化视频光盘(DVD)。可以由使用者编码一次的CD和DVD称为一次写入多次读出(WORM)CD和DVD。DVD与CD相似，只是采用了波长更小的光(如蓝光而非红光)以及双面都可以编码数据。可以用激光束将该数据编码或记录在WORMCD和DVD上。由于串行执行的缘故使得数据记录得很慢。一种记录类型是烧蚀式记录。烧蚀式记录是将材料加热到其熔点以上而产生小孔。如果烧蚀式记录处理没有足够地加热材料，则会形成一个不稳定的、可能在几天后消失的不成形斑点。另一个问题是由光学CD或DVD内的压力导致的光学色差。光学色差、不稳定的不成形斑点等的出现是烧蚀式WORMCD和DVD存在的问题。另一种记录类型是相变式记录。相变式记录迅速加热和冷却相变层。通常，薄绝缘层和大功率记录激光器一起使用以加热相变层，冷却层用于迅速散却该热量。绝缘层、冷却层和大功率激光器将总体适用范围限制在现有技术上并增加了制造费用。另一种形式的数据存储器是可编程只读存储器(PROM)。PROM是一种通过在存储元件上施加电压以禁止该元件，从而可以记录一次的电寻址存储器形式。由于PROM器件的串行特性使禁止元件的过程相对缓慢。一旦形成，就必须检查PROM以确保其复杂结构已经正确形成。检查过程增加了制造过程的时间和花费。由于PROM器件的复杂结构导致低产出，所以进一步提高了制造成本。因此，极需要具有简单结构的可靠、快速记录WORM器件，以便可以简便的进行记录。
发明内容本发明的一个方面提供了一种将数据记录到光学存储介质上的方法，包括在第一像素上提供第一电压，该第一像素包括响应施加在第一像素上的第二电压而产生光的发光元件，并在对第一像素提供第一电压期间对第一像素进行照射，以感应出光感生雪崩击穿电流通过第一像素。该光感生雪崩击穿电流改变第一像素，使得发光元件不能响应施加在第一像素上的第二电压而产生光。本发明的另一个方面提供了一种光学存储介质，包括多个像素，每个像素包括发光元件，该发光元件能响应施加在该发光元件上的第一电压而雪崩击穿，还能响应施加在该发光元件上的第二电压而产生光；以及阴极和阳极，用于将电压施加到发光元件上。雪崩击穿发生在对发光元件提供第一电压期间照射该发光元件的时候。雪崩击穿产生电流，该电流导致防止发光元件响应施加在发光元件上的第二电压而产生光的变化。本发明的另一方面提供了一种将数据记录到具有多个像素的光学存储介质上的方法，包括在像素上施加反向偏压，该像素包括有机发光二极管，其响应施加在该像素上的正向偏压而产生光，以便在对该像素施加反向偏压期间照射该像素，以感应出光感生雪崩击穿电流通过该像素，从而防止发光元件响应施加在该像素上的正向偏压而产生光。本发明的另一方面提供了一种具有多个像素的光存储介质，每个像素包括发光有机二极管，其能响应施加在该发光有机二极管上的反向偏压而雪崩击穿，还能响应施加在发光有机二极管上的正向偏压而产生光；以及阴极和阳极，用于将电压施加到发光有机二极管上。雪崩击穿发生在对发光有机二极管施加反向偏压期间照射该发光二极管的时候。雪崩击穿产生电流，该电流导致防止发光有机二极管响应施加在该发光有机二极管上的正向偏压而产生光的变化。本发明的另一方面提供了一种将数据记录到光学存储介质上的方法，包括在包括发光元件的像素上施加反向偏压，并对该像素进行照射。照射像素和在该像素上施加反向偏压的结合禁止了发光元件。本发明的另一方面提供了一种包括多个像素的光学存储介质，每个像素包括发光元件，该发光元件能响应施加在其上的第一电压而被禁止，还能响应施加在其上的第二电压而产生光，以及阴极和阳极，用于将电压施加到该发光元件上。该禁止发生在对发光元件施加第一电压期间照射该发光元件的时候，并且产生电流，该电流导致防止发光元件响应施加在该发光元件上的第二电压而产生光的变化。图1是图解像素坑排列的器件层顶视图；图2是图解阴极、阳极和像素坑的关系的器件层部分顶视图；图3是图解另一个示范实施例中阴极总线部分、熔丝、阴极像素部分、阳极和像素坑的关系的器件层部分顶视图；图4是在处理之前基片的侧视图；图5是压上凹槽之后基片的侧视图；图6是阴极层蒸汽沉积之后基片的侧视图；图7是阴极层构图后部分完成的器件层侧视图；图8是坑柱结构层沉积后部分完成的器件层侧视图；图9是在坑柱结构层中形成像素坑后部分完成的器件层侧视图；图10是发光像素材料沉积后部分完成的器件层侧视图；图11是根据示范实施例的器件层侧视图；图12是根据另一个示范实施例的多层迭片的侧视图；图13是WORM器件的侧视图。具体实施例方式附图中，相似的标号表示相似的部件。图11是根据本发明示范实施例的器件层或元件100成品的侧视图。该器件层成品100包括为器件层100提供结构支撑的基片200。基片200表面上的凹槽202为阴极层204提供凹穴，使得可以在平坦(level)表面上形成坑柱结构层210。坑柱结构层210包括限定和容纳发光材料214、216的像素坑212。坑柱结构层210的一侧是阴极层204，其具有透明导体子层206，用于保证阴极层204良好的导电性能；以及电子发射子层208，用于保证有足够的多数载流子(电子)提供给n型发光材料214。坑柱结构层210的另一侧是阳极218，其完成通过每个像素坑212的电路，从而使能够施加激励电压。正是该激励电压使发光材料214、216产生光。应当注意的是，在不脱离本发明的精神或范围的情况下，可以在器件层100中包含替代和/或附加元件。N和P型发光材料214、216形成pn结，在正向偏压下，该pn结在来自n型材料214的多数载流子(电子)与来自p型发光材料216的少数载流子(空穴)重新组合时发光(光子)。当施加反向偏压并且未照射像素时，小电流通过pn结。当发光材料214、216由于雪崩击穿而被照射时，该电流增大几个量级。该雪崩击穿电流可以用于改变pn结、阴极204、阳极208或其它元件，例如熔丝220，以防止光的产生。优选地，将激励电压保持在照射时雪崩击穿的最小电压和没有照射时雪崩击穿的最小电压之间。如果反向偏压足够大(例如5-8伏特)，无需照射就会形成雪崩击穿，而如果反向偏压太小，则根本不会发生雪崩击穿。这两个电压之间是在照射时发生雪崩击穿的电压范围。该照射可以用于选择是否禁止像素，还可以在整层上同时(即并行地)执行。或者，只并行地记录到一层的几个部分中，例如，每隔一个像素地记录以避免偶然或虚假的禁止。与串行记录结束相比，并行记录到像素的能力相当大地减少了时间。可以通过并行记录到串联的每个单层上，来记录到多层器件上。在所有示例中，激励电压应当优选设置为照射可以引起雪崩击穿的电压范围中间的某个值，以允许制造上的变化及类似情况。可以通过适当选择器件层100的材料，适当选择器件层100各种元件的几何形状，对器件层100的现有层或元件作进一步处理和/或在器件层100中包含附加元件或层的方式，来控制对光产生的防止。例如，通过使用电流阈值低于其它层的材料，可以改变层的一种或多种属性或破坏该层而不影响其它层。层的改变也可以用几何变化来控制，例如窄区，可增加通过窄区的电流并使得对于给定激励这些区域首先失效或被改变。层的改变还可以通过对一层或多层作进一步处理来控制，例如涂上保护层、引起扩散或调整结晶度，以便选择(例如减小或增加)一层或该层一部分的阈值。层的改变还可以通过附加层或元件来控制，例如熔丝220或氧化使能层(oxidationenablinglayer)。熔丝220可以是先于其它任何元件击穿的附加二极管。氧化使能层可以添加在透明导体子层206和金属单层电子发射子层208之间，使得金属单层电子发射子层208可以结合氧化使能层以形成金属氧化层。电子发射子层207的氧化可以防止发光，因为电子发射子层208不再为发光提供足够的载流子，或者电子发射子层208可能具有足够大的阻抗而导致不再在发光材料214、216上施加发光所需电压。在不脱离本发明的精神和范围的情况下，在器件层100中可以包含其它替换和/或附加元件。图1是器件层100的顶视图，图解像素坑212的排列。像素坑212基本上大小相等，并以M×N矩阵排列。像素坑212呈圆形或基本圆形，其直径小于或等于1μm。优选地，像素坑212的直径约为0.5μm或更小。或者，像素坑212可以和期望值一样大，典型地约为5μm或甚至10μm，或小于0.5μm。优选地，像素坑212的大小在约0.5至1.0μm的范围内。或者，像素坑212可以是任意规则形状，包括矩形、正方形、五边形等，还可以是伸长的凹槽的多个部分。图2是图解阴极204、阳极218和像素坑212关系的器件层100部分顶视图。在该示范实施例中，阴极204和阳极是设置在正交方向上的条状导体。具有发光材料214、216的像素坑212位于阴极204和阳极218彼此交叠处。施加到一个阴极204和一个阳极218末端的激励电压导致该激励电压被施加到夹在该阴极204和该阳极218之间的像素坑212中的发光材料214、216上。该激励电压可以是正偏激励电压，其能够使得由发光材料214、216产生光，也可以是反偏激励电压，以允许记录数据。还可以配置为非条状或正交，而配置为包含有源元件。图3是图解阴极总线部分204A、熔丝220、阴极像素部分204B、阳极218和像素坑212关系的器件层100部分顶视图。该示范实施例与图2的示范实施例相似，只是阴极204具有总线部分204A和由熔丝220连接的像素部分204B。熔丝220可以是总线部分204A和像素部分204B之间的区域，并在通过足够大小的电流时变更。熔丝220的变更可能损坏熔丝220或改变其电导率。熔丝220的损坏使像素部分204B与总线部分204A电绝缘。如果熔丝220的电导率的改变足够大，可能使像素部分204B与总线部分204A电绝缘，或通过分压减小发光材料214、216上的电压值。化学改变(例如氧化)或物质组织改变可能导致电导率的改变(例如晶体结构改变为非晶体结构)。熔丝220可以由阴极204的一种或多种原材料、阴极204的一种或多种被改变(例如掺杂、氧化、或从非晶体结构再结晶)的材料或单独由完全不同的材料制成。形成熔丝220的区域可以窄于或等于像素部分204A。或者，熔丝和像素部分可以在阳极218中而不是在阴极204中形成。图4是处理前基片200的侧视图。基片200可以由任何适合的可压印(imprintable)基片材料制成。例如，可以采用25μm厚的聚甲基丙烯酸甲酯基片。图5是图3中的基片200压上凹槽202之后的侧视图。在示范实施例中，凹槽202的深度为几百纳米。凹槽202可以通过根据美国专利文献USPat.5,772,905中公开的纳米压印平版印刷法的纳米压印而形成，或者通过其它适当方法例如激光烧蚀而形成。图6是图5中的基片在阴极层204蒸汽沉积之后的侧视图。阴极层204包括透明导体子层206和电子发射子层208。透明导体子层206可以是透明导电氧化物，例如铟锡氧化物或铝锌氧化物或其它任何透明导电材料。电子发射子层208可以是任何金属或其它具有低功函数和高载流子浓度的非金属材料(例如镁、钯或聚合材料)。电子发射子层208可由单层制成。可以对透明导体子层206进行处理，以便促进和/或控制层的变化。例如，透明导电氧化物层中可以先少量掺杂氧，然后沉积单层金属作为电子发射子层208。然后，氧化物在产生雪崩击穿电流的时候氧化金属单层。金属单层的氧化可用于增大单层的功函数，从而，在金属单层被氧化之后即使仍然导电也防止光的产生。或者，可以在透明导体子层206和电子发射子层208之间设置单独的氧化使能层，而不掺杂。图7是图6所示的部分完成的器件层在阴极层204构图(patterning)后的侧视图。从纳米压印的基片200上凹槽202之外的区域中去除了阴极层204。去除阴极层204可以通过氩等离子体蚀刻、化学机械抛光或任何其它去除凹槽202之外的阴极层204而保留凹槽202内部的阴极层204的方法进行。也可以从凹槽202中去除阴极层204材料，以便为熔丝220提供空间。图8是图7所示的部分完成的器件层在坑柱结构层210沉积后的侧视图。坑柱结构层210可以由紫外线矫正的光敏聚合物或其它任何能在亚微量范围内构图的适当材料制成。图9是图8所示的部分完成的器件层在利用热模压纹方法或其它例如激光烧蚀的适当方法在坑柱结构层210中形成像素坑212后的侧视图。热模压纹方法采用了一种压膜，其具有被配置来产生期望的像素坑212图案的表面。坑柱结构层210相对较薄(例如约200nm)，可以具有直径极小(例如约500nm或更小)的柱子。以活性离子蚀刻或其它适当方法去除保留在像素坑212底部的坑柱结构层210材料。然后用氧等离子体或其它适当方法处理阴极层204，以便能与要沉积在像素坑212中的n型聚合物材料214良好地接通。还可以处理全部或部分阴极层204，以便帮助或允许雪崩击穿电流改变或破坏器件层100的所有或部分组件，从而防止发光材料214、216在施加正向偏压时发光。图10是图9所示的部分完成的器件层在发光材料214、216沉积后的侧视图。N型发光材料214通过液体沉积方法形成。液体沉积方法包括坑填充方法，例如分子粘附；和电沉积方法，例如电聚合。填充像素坑212的坑填充方法的能力受到所使用材料的粘附特性和分子大小的限制。P型发光材料216类似地形成在n型发光材料214上面。发光材料214、216可以是任何一种或多种能形成到pn发光二极管中的半导体有机聚合物材料。或者，也可以采用其它半导体材料，例如无机半导体。发光材料214、216可以选择为厚度基本相同，且合并长度基本等于坑柱结构层210厚度(例如每个发光层都是100nm厚)。形成发光材料214、216的一种或多种发光有机聚合物沉积在和/或流入到像素坑212中，因为其均为液态。液体发光材料214、216最初沉积在器件层100的表面，然后从较高点向较低点流动。非液体沉积物(例如蒸汽沉积物)不能流动，将保留在最初沉积的地方。因此，液体发光材料214、216从坑柱结构层210的顶部(即较高点)流入像素坑212(即较低点)中可以排除蚀刻最初沉积在像素坑212之外的发光有机聚合材料，或对其构图的需要。通过对坑柱结构层210构图而对发光材料214、216间接构图。特别地，因为像素坑212恰好是地形低点，所以对坑柱结构层210构图产生引导液体沉积发光材料214、216进入像素坑212的地形结构。因此，坑柱结构层210的图案确定了发光材料214、216的图案，而无需发光材料214、216的传统构图。这一点很重要，因为发光材料214、216非常不适于用传统方法构图，而坑柱结构层210的材料很适于构图。因此，与发光材料214、216的尺寸限制相比，坑柱结构层210小很多的尺寸限制允许减小像素大小，这大大增加了数据存储的密度。可以利用氩等离子体或其它适当的等离子体或利用更昂贵的抛光技术如化学机械抛光来去除过量的发光聚合物材料。图11是图10所示的部分完成的器件层在形成阳极218之后的侧视图。利用真空沉积或液体沉积将诸如铟锡氧化物的透明导体沉积到厚度约100nm。然后利用蚀刻处理对所沉积的透明导体构图，以形成阳极218。阳极218的添加完成了器件层100。现在可以通过传统方法测试器件层100，以确定器件层是否有缺陷。没有缺陷的器件层100可以单独用在器件中，或与其它没有缺陷的器件层100层叠，从而形成可以在器件中使用的多层迭片。图12是根据本发明示范实施例的多层迭片300的侧视图。迭片包括三个完整的器件层100R、100B、100G。完整的器件层100R、100B、100G各自产生不同频率的光。图中，第一个完整器件层100R产生红光，第二个完整器件层100B产生蓝光，而第三个完整器件层100G产生绿光。在任何一个给定的迭片300中，可以用粘合剂302，例如用压敏粘合剂或热焊接、光聚合剂或其它适当的方法，使器件层100彼此粘接。如果发现器件层100损坏或有缺陷，可以从迭片300中剥除该器件层100。这提高了总产量，因为迭片300的制造减小了迭片的制造成本。图13是WORM器件400的侧视图。WORM器件400包括发光阵列402、存储器404和成像器406。存储器404可以是本发明的单个层或迭片。发光阵列402可以是任何类型的发光器件，且不限于大功率记录激光器等。发光阵列402提供对存储器404的照射，以便将数据编码到存储器404中。成像器406可以是任何类型的成像器，能以所要求的速度检测来自存储器404的光。通常使用的成像器406包括互补型金属氧化物半导体(CMOS)成像器或电荷耦合装置(CCD)成像器。其它层和元件也可以集成到本发明中。例如，可以包括光学薄膜(例如减反射膜)以提高光在器件层之间的光学耦合。此外，已经是本发明部分的层与元件可以选择和/或形成为提供多种功能。例如，可以选择用于耦合两个相邻器件层100的粘合剂的厚度和折射率，以更好地耦合器件层100之间的光。上述说明针对由元件的垂直堆叠(有时称为单元)形成的器件。本发明也可以应用到多个水平连接的单元。本发明中有机发光器件的小像素尺寸非常适合于光学存储器。本发明还可以应用于显示器件，特别是彩色显示器件和其它具有电致发光元件的器件。尽管详细描述了本发明的几个实施例及其优点，应当明白，在不脱离所附权利要求中限定的本发明的教授内容、精神和范围的情况下，可以对本发明进行更改、替代、变形、修改、变更、置换和改造。权利要求1.一种将数据记录到光学存储介质中的方法，包括在第一像素上施加第一电压，所述第一像素包括响应施加在该第一像素上的第二电压而产生光的发光元件；以及在将所述第一电压施加到第一像素期间照射该第一像素，以感应出光感生雪崩击穿电流通过所述第一像素，其中，所述光感生雪崩击穿电流改变所述第一像素，从而防止所述发光元件响应施加在所述第一像素上的所述第二电压而产生光。2.如权利要求1所述的方法，其中，所述改变导致所述发光元件不能响应所述第二电压而产生光。3.如权利要求2所述的方法，其中，由于所述发光元件的pn结已被击穿，因而所述发光元件不能响应所述第二电压而产生光。4.如权利要求3所述的方法，其中，所述发光元件由发光有机聚合物材料制成。5.如权利要求1所述的方法，其中，所述第一像素包括具有低功函数和高载流子浓度的电子发射子层，该电子发射子层由光感生雪崩击穿电流改变，使得所述功函数增大，所述载流子浓度减小，从而防止所述发光元件响应所述第二电压而产生光。6.如权利要求5所述的方法，其中，所述电子发射子层是金属单层。7.如权利要求1所述的方法，其中，所述第一像素阳极或阴极的至少一部分被所述光感生雪崩击穿电流破坏，使得所述发光元件不能响应所述第二电压而产生光。8.如权利要求1所述的方法，其中，所述第一像素包括熔丝，该熔丝具有被所述光感生雪崩击穿电流充分减小的电导率。9.如权利要求1所述的方法，还包括在第二像素上施加所述第一电压，该第二像素包括响应施加在所述第二像素上的所述第二电压而产生光的发光元件；以及在对所述第二像素施加所述电压期间照射所述第二像素，以感应出光感生雪崩击穿电流通过所述第二像素，其中，所述光感生雪崩击穿电流改变所述第二像素，使得所述发光元件不能响应施加在所述第二像素上的所述第二电压而产生光，并且其中，对所述像素施加所述第一电压和照射所述第一像素与对所述第二像素施加第一电压和照射所述第二像素并行地进行。10.如权利要求1所述的方法，其中，所述第一电压是反向偏压，而所述第二电压是正向偏压。11.如权利要求1所述的方法，其中，所述发光元件的尺寸小于或等于1μm。12.一种包括多个像素的光学存储介质，每个像素包括发光元件，能响应施加到该发光元件上的第一电压而雪崩击穿，并能响应施加到该发光元件上的第二电压产生光；以及阴极和阳极，用于将电压施加到所述发光元件上，其中，所述雪崩击穿发生在对所述发光元件施加所述第一电压期间照射所述发光元件的时候，并且其中，所述雪崩击穿产生电流，该电流导致防止所述发光元件响应施加在所述发光元件上的第二电压而产生光的变化。13.如权利要求12所述的介质，其中，所述变化导致所述发光元件不能响应所述第二电压而产生光。14.如权利要求13所述的介质，其中，由于所述发光元件的pn结已被击穿，因而所述发光元件不能响应所述第二电压而产生光。15.如权利要求14所述的介质，其中，所述发光元件由发光有机聚合物材料制成。16.如权利要求12所述的介质，其中，所述阴极包括具有低功函数和高载流子浓度的电子发射子层，该电子发射子层可以由所述电流改变，使得所述功函数增大，所述载流子浓度减小，增大的功函数和减小的载流子浓度防止所述发光元件响应所述第二电压而产生光。17.如权利要求16所述的介质，其中，所述电子发射子层是金属单层。18.如权利要求12所述的介质，其中，所述阳极或阴极的至少一部分被所述电流破坏，使得所述发光元件不响应所述第二电压而产生光。19.如权利要求12所述的介质，还包括熔丝，该熔丝具有被所述击穿电流充分减小的电导率。20.如权利要求12所述的介质，其中，所述改变可以并行地进行。21.一种将数据记录到包括多个像素的光学存储介质中的方法，包括在像素上施加反向偏压，该像素包括响应施加到所述像素上的正向偏压而产生光的有机发光二极管；以及在对所述像素施加所述反向偏压期间照射该像素，以感应出光感生雪崩击穿电流通过该像素，从而防止所述发光元件响应施加在所述像素上的所述正向偏压而产生光。22.一种包括多个像素的光学存储介质，每个像素包括发光有机二极管，能响应施加到该发光有机二极管上的反向偏压而雪崩击穿，并能响应施加到该发光有机二极管上的正向偏压产生光；以及阴极和阳极，用于将电压施加到所述发光有机二极管上，其中，所述雪崩击穿发生在对所述发光有机二极管施加所述反向偏压期间照射所述发光有机二极管的时候，并且其中，所述雪崩击穿产生电流，该电流导致防止所述发光有机二极管响应施加在所述发光有机二极管上的正向偏压而产生光的变化。23.一种将数据记录到光学存储介质中的方法，包括在像素上施加反向偏压，该像素包括发光元件；以及照射该像素，其中，照射所述像素和在所述像素上施加所述反向偏压的结合禁止了所述发光元件。24.如权利要求23所述的方法，其中，所述结合导致所述发光元件不能响应正向偏压而产生光。25.如权利要求24所述的方法，其中，所述结合击穿所述发光元件的pn结。26.如权利要求25所述的方法，其中，所述发光元件由发光有机聚合物材料制成。27.如权利要求23所述的方法，其中，所述像素包括具有低功函数和高载流子浓度的电子发射子层；并且其中，通过增大所述功函数并减小所述载流子浓度，所述结合改变所述电子发射子层，使得所述发光元件不响应正向偏压而产生光。28.如权利要求27所述的方法，其中，所述电子发射子层是金属单层。29.如权利要求23所述的方法，其中，所述像素的阳极或阴极的至少一部分被所述结合破坏，使得所述发光元件不响应正向偏压而产生光。30.如权利要求23所述的方法，其中，所述像素包括熔丝，该熔丝具有被所述结合充分减小的电导率。31.如权利要求23所述的方法，还包括多个像素。32.如权利要求23所述的方法，其中，所述发光元件的尺寸小于或等于1μm。33.一种包括多个像素的光学存储介质，每个像素包括发光元件，能响应施加在该发光元件上的第一电压而被禁止，还能响应施加在该发光元件上的第二电压而产生光；以及阴极和阳极，用于将电压施加到所述发光元件上，其中，所述禁止发生在对所述发光元件施加所述第一电压期间照射所述发光元件的时候，并且其中，所述禁止产生电流，该电流导致防止所述发光元件响应施加在所述发光元件上的第二电压而产生光的变化。34.如权利要求33所述的介质，其中，所述变化导致所述发光元件不能响应所述第二电压而产生光。35.如权利要去34所述的介质，其中，由于所述发光元件的pn结已被击穿，因而所述发光元件不能响应所述第二电压而产生光。36.如权利要求35所述的介质，其中，所述发光元件由发光有机聚合物材料制成。37.如权利要求33所述的介质，其中，所述阴极包括具有低功函数和高载流子浓度的电子发射子层，该电子发射子层可以由所述电流改变，使得所述功函数增大，所述载流子浓度减小，增大的功函数和减小的载流子浓度防止所述发光元件响应所述第二电压而产生光。38.如权利要求37所述的介质，其中，所述电子发射子层是金属单层。39.如权利要求33所述的介质，其中，所述阳极或阴极的至少一部分被所述电流破坏，使得所述发光元件不响应所述第二电压而产生光。40.如权利要求33所述的介质，还包括熔丝，该熔丝具有被所述电流充分减小的电导率。41.如权利要求33所述的介质，其中，所述改变可以并行地进行。全文摘要反向偏压结合选择照射可以有选择地将数据记录到光学存储器(300)中。由于可以并行地记录数据，因而记录处理可以很快完成。记录处理产生用于改变元件的雪崩电流(208)。该变化可以是元件的损坏，也可以是属性的改变，例如电导率或功函数(206)。文档编号G11C13/04GK1543680SQ02816191公开日2004年11月3日申请日期2002年5月24日优先权日2001年6月18日发明者博里斯·彻诺布罗德,弗拉迪米尔·施瓦茨,博里斯彻诺布罗德,米尔施瓦茨申请人:奥普泰拜特公司